UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA CENTROAMERICANA

FACULTAD DE INGENIERIAS

Electrònica II

Secc.2343

Laboratorio 3: Amplificadores JFET.

Equipo: Jerson Orlando Castillo Berrios………….…..11411205

Denuar Alberto Chirinos Rodriguez.………...11511328

Parcial: Primer.

Instructor: Ing. Ricardo Tellez Trochez.

Fecha: 06 de Agosto del 2019

Campus: Tegucigalpa D.C.

 2

Contenido
Resumen Ejecutivo..................................................................................................................... 4

Objetivos .................................................................................................................................... 4

Marco Teòrico ............................................................................................................................ 4

Amplificadores JFET ............................................................................................................. 4

Ventajas de los FET ............................................................................................................... 6

Resultados Teòricos ................................................................................................................... 7

Resultados Experimentales ...................................................................................................... 13

Tabla_1_Anàlisis DC ........................................................................................................... 13

Tabla_2_Anàlisis AC ........................................................................................................... 13

Tabla_3_Anàlisis DC ........................................................................................................... 13

Tabla_4_Anàlisis AC ........................................................................................................... 14

Tabla_5_Anàlisis DC ........................................................................................................... 14

Tabla_6_Anàlisis AC ........................................................................................................... 14

Vout_Vin_Pràctica_1 ........................................................................................................... 15

Vout_Vin_Pràctica_2 ........................................................................................................... 15

Vout_Vin_Pràctica_3 ........................................................................................................... 16

Cuestionario ............................................................................................................................. 17

Conclusiones ............................................................................................................................ 17

Bibliografía .............................................................................................................................. 18
3
 4

Resumen Ejecutivo

El desarrollo de esta pràctica de laboratorio analizamos a fondo el transistor JFET 2N3819

utilizándolo como amplificador de señal, donde hicimos uso prácticamente del mismo circuito

eléctrico con algunos cambios (impedancias en la puerta, drenador y surtidor, retroalimentación).

Hicimos un total de 3 circuitos similares, donde para cada uno de ellos se fueron llenando sus

respectivas tablas de valores como la corriente del drenador, el voltaje puerta-surtidor, el voltaje

drenador surtidor, el voltaje de entrada (excitación) y el voltaje de salida, para finalmente

calcular su ganancia.

Objetivos

 Comprender el funcionamiento de los transistores JFET como amplificadores.

 Identificar las distintas configuraciones de los amplificadores basados en JFET.

Marco Teòrico

Amplificadores JFET

Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales: surtidor, puerta

y drenaje, que trabajan regulando la corriente entre drenaje y surtidor a través del campo

eléctrico establecido mediante la tensión aplicada al terminal de puerta. El terminal de puerta,

que funciona como terminal de control, no maneja virtualmente corriente, el componente

presenta, en consecuencia, una alta impedancia de entrada (puede llegar a valores del orden de

MΩ) que resulta esencial en variadas aplicaciones como ser:

 Interruptor analógico.

 Amplificadores.

 Oscilador cambio de fase.

 Limitador de corriente. (Floyd, 2008, pág. 437)

 5

Son muy utilizados, también, como resistencias controladas por tensión y fuentes de corriente,

este es un componente cuyo funcionamiento puede ser comparado al de una fuente dependiente

de corriente controlada por tensión y presenta las siguientes características:

 Es un dispositivo unipolar, tiene un único tipo de portadores.

 Presenta alta impedancia de entrada. La corriente de entrada es prácticamente nula

(IG).

 Tiene un bajo producto ganancia-ancho de banda.

 Es de fácil construcciòn.

“ Como amplificadores hacen uso de la naturaleza de fuente de corriente controlada por

tensión del dispositivo, para ello se debe fijar un punto de trabajo en la zona de saturación del

canal, zona donde la corriente ID depende en forma casi exclusiva de VGS.” (Robert L.

Boylestad, 2018, pág. 481)

Ilustración 1:FET (Tutoriales de Electrònica Bàsica, s.f.)

 6

Ilustración 2:Equivalente AC

Ventajas de los FET

 Son elementos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada, como esta

impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los

FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.

 Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

 Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.

 Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir

menos pasos de fabricación, es posible fabricar un mayor número de elementos en un

circuito integrado ( consiguiendo una densidad de empaque mayor ).

 Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión

para valores pequeños de tensión de drenaje a fuente.

 La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga

el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

 Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes

grandes.
 7

Resultados Teòricos
8
9
10
11
12
 13

Resultados Experimentales

Tabla_1_Anàlisis DC

Valor Experimentales Teòricos

ID 5.35mA 2.5mA

VGS -706mV -1.5V

VDS 3.89V 10V

Tabla_2_Anàlisis AC

Valor Experimentales Teòricos

VOUT 0.2611V 0.3333V

VIN 0.0449V 0.05V

A1 5.8117 6.666

Tabla_3_Anàlisis DC

Valor Experimentales Teòricos

ID 2.7mA 2.0159mA

VGS -2.176V -1.6530V

VDS 1.918V 3.912V

 14

Tabla_4_Anàlisis AC

Valor Experimentales Teòricos

VOUT 150.23mV 269.9mV

VIN 44.74mV 0.05V

A1 3.3578 5.3978

Tabla_5_Anàlisis DC

Valor Experimentales Teòricos

ID 4.25mA 3.6286mA

VGS -1.684V 1.1929V

VDS 2.240V 3.5816V

Tabla_6_Anàlisis AC

Valor Experimentales Teòricos

VOUT 125.94mV 301.1mV

VIN 45.09mV 0.05V

A1 2.7931 6.022
 15

Vout_Vin_Pràctica_1

Vout_Vin_Pràctica_2
 16

Vout_Vin_Pràctica_3
 17

Cuestionario

1. Una característica importante del JFET es su gran resistencia de entrada mayor o igual

a 1 MΩ

R//: Verdadero

2. ¿Cuál configuración es la que más se utiliza para proporcionar una señal invertida y

amplificada?

R//: Función inversora.

Conclusiones

 Para un transistor FET la variable de control es un voltaje.

 La relación no lineal entre ID y VGS puede complicar el método matemático del

análisis de DC de las configuraciones a FET. Una solución grafica limita las

soluciones a una precisión de décimas, pero resulta un método más rápido para la

mayoría de los amplificadores.

 Para el análisis de un circuito con JFET se dice que la corriente de la puerta es

aproximadamente 0, lo que intuye una resistencia en la puerta bastante grande.

 18

Bibliografía

Floyd, T. L. (2008). Dispositivos Electrònicos (octava ed.). Mèxico, Distrito Federal, Mèxico:

Pearson. doi:978-970-26-1193-6

Robert L. Boylestad, L. N. (2018). Electrònica: Teorìa de circuitos y dispositivos electrònicos.

(Decimoprimera ed.). (B. G. Hernàndez, Ed.) Mèxico, Distrito Federal, Mèxico: Pearson.

doi:978-607-32-4395-7

Tutoriales de Electrònica Bàsica. (s.f.). Obtenido de

http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/amplificador-jfet-de-fuente-

comun.html: http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/amplificador-jfet-

de-fuente-comun.html