UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE CANCUN

Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de

Quintana Roo

Ingeniería y Tecnología: TSU

en Mantenimiento Industrial
Electrónica 3er
Cuatrimestre
Mtro. Juan Carlos Sandoval
Práctica: 2 Rectificador De
media onda y onda completa
Integrantes del equipo:

Cancún, Q. Roo a 21 mayo 2016

Electrónica, Diodo semiconductor, mayo 16. 0

Asignatura: Electrónica Grupo: MI32
Tema: Semiconductor Subtema: Diodo
Rectificador de media onda y Laboratorio de: Fecha:
Práctica:
onda completa Electrónica 16 mayo 13
Valor de la
Calificación:
practica

Práctica: Rectificador de media onda y onda completa I. Objetivo

 Describir la operación Rectificador de media onda y onda completa.
 Implementa un rectificador de media onda y onda completa
.

Introducción
El nivel de Voltaje de cd obtenido en un rectificador de media onda, se puede
mejorar en un 100% mediante la utilización de un rectificador de onda
completa. Se utilizan cuatro diodos en configuración como un puente.

Rectificador de media onda

El análisis del diodo en corriente alterna se establece en conducción de
acuerdo a la polaridad del mismo y solo conduce en la primera mitad de la
señal.

+ 1N1183 - VF1
El valor promedio de voltaje en la salida es
Vcd
Vcd = 0.318 Vm
+

Vi
R 1k

Vo

Donde: Vcd es el voltajde corriente directa a

la salida del circuito
Vm: es el voltaje máximo en la cresa de la
onda,
El proceso de eliminación de un medio de la señal de entrada para establecer
un nivel de cd, tiene el nombre de rectificador de media onda.
Al considerar el voltaje de disparo del diodo de silicio, se tiene el voltaje de cd;

Vcd = 0.318(Vm – Vt)

Donde Vt es el voltaje de disparo del diodo.

1N1183

+ -
Vt = 0.7v
+

R 1k

VI

Electrónica, Diodo semiconductor, mayo 16. 1

Rectificador de onda completa
El nivel de Vcd se puede mejorar mediante la utilización de un puente
rectificador de onda completa que se integra de cuatro diodos en una
configuración de puente.

+ + 1N1183
-
Vi +

R1 1k
Vo
-

Como el área en el primer cuadrante ahora es el doble, su voltaje de corriente

directa “Vcd” es:

Vcd = 0.636 Vm
Para mayor precisión, podemos utilizar: Vcd = 0.636 (Vm – 2 Vt)

Si se aplican diodos de silicio, la ley de voltajes de kirchhoff queda de la

siguiente forma:

PARA EL VALOR PICO SE EXPRESA COMO:

2. Material

No Cantidad Material Equipo

1 4 diodos 1N4001 Multímetro
2 1 Resistencia 1000 Ohms Fuente de voltaje
3 1 Protoboard Generador de funciones
Transformador de 120v a 12v
4 1 0.5A

Electrónica, Diodo semiconductor, mayo 16. 2

3. Desarrollo
Describe la operación del siguiente circuito calcula la corriente del diodo,
voltaje del diodo y voltaje de la resistencia.

D11N1183

R1 1 k
V1 8
Teórico Medición
ID
VD
VR

Paso 1 Describe la operación del siguiente circuito calcula la corriente del

diodo, voltaje del diodo y voltaje de la resistencia. Dibuje la salida Vo.

D11N1183
Teórico Medición
VD
V cd
Vo
R2 2 k
+

VG1

Vi=14v ca
Vcd = 0.318(Vm – Vt)

Descripción de
operación:______________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
Paso 2 Implemente el siguiente circuito y determine: el valor de Vo y
dibuje la forma de onda de entrada y de salida

GR11N1183
Teórico Medición
+

VG1
Vo
Vcd
R1 1 k

VR
IR

Electrónica, Diodo semiconductor, mayo 16. 3

 Vi=14 v ca

Si se aplican diodos de silicio, la ley de voltajes de kirchhoff queda de la

siguiente forma:

PARA EL VALOR PICO SE EXPRESA COMO:

Descripción de operación:
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________
_______________________________________________________________

5. Conclusiones

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6. Bibliografía

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