SERVIÇO PÚBLICO FEDERAL

UNIVERSIDADE FEDERAL DO PARÁ
INSTITUTO DE TECNOLOGIA
FACULDADE DE ENGENHARIAS ELÉTRICA E BIOMÉDICA

DISCIPLINA: ELETRÔNICA ANALÓGICA II

Ministrante: Prof. Dr. Marcos Galhardo

ELETRÔNICA ANALÓGICA II
FEEB / ITEC / UFPA

REVISÃO SOBRE ALGUNS MODELOS UTILIZADOS PARA TRANSISTORES 

Modelo para grandes sinais x Modelo para pequenos sinais

Sistema de 
duas portas

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 REVISÃO SOBRE MODELOS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO ‐ TBJ

Operação em baixa frequência e na região ativa

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MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ
MODELO PARA GRANDES SINAIS

B C
≅ Desconsiderando 
o efeito da 
vBE ≅ vCE impedância de 
saída

E
Emissor comum
iC
iB

vCE
vBE
vBE

TBJ de silício
vCE
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MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum

A operação em pequeno sinal ocorre

quando as variações na tensão e na
Inclinação = gm
corrente no dispositivo, estão na faixa da
curva característica essencialmente linear.

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Modelos para baixas frequências Pequenos sinais

E
OU

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MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum

• Impedância de entrada para pequenos sinais

Para pequenas mudanças na corrente 
ou na tensão do diodo, o dispositivo 
se comporta como um resistor linear.
b c

Zin
e e

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Relembrando o estudo sobre diodos: Aproximação para pequenos sinais

Em aplicações onde o diodo é polarizado para operar em um ponto da curva característica na

região de polarização direta e um pequeno sinal ca é sobreposto, o diodo pode ser modelado
por uma resistência de valor igual ao inverso da inclinação da tangente à curva característica
no ponto de polarização.

∆
∆

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Relembrando o estudo sobre diodos: Aproximação para pequenos sinais

Definindo‐se a resistência do diodo para pequenos sinais ou resistência incremental rd
como:
∆
ou
∆

A aproximação para pequenos sinais é válida para sinais cuja amplitude são menores que 
10 mV para n=2 e 5 mV para n=1.

pequeno sinal: ≪
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MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum

• Impedância de entrada para pequenos sinais

Desconsiderando o efeito 
da impedância de saída

Zin

1 1 ·

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Impedância de entrada Emissor comum

1 ·

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Observação sobre notação

Superposição

CC + CA           =        CC                +        CA 

IC ic

ib
IB
vce
VCE
vbe
ie
VBE
IE

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MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum

• Impedância de saída

(mA)

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Impedância de saída

O “efeito Early” se traduz em uma não idealidade do dispositivo que pode limitar o ganho
de amplificadores. Aumentando a tensão de coletor, a largura efetiva da base diminui (pois
aumenta‐se a região de depleção na junção C‐B) e a corrente de coletor aumenta.

Com o efeito  Com o efeito 
Early Early

Sem o efeito  Sem o efeito 
Early Early

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 Emissor comum
Impedância de saída

VA: tensão Early

Em um dado ponto:

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Emissor comum

Modelo re para a configuração do transistor em emissor comum.

1 ·

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OUTROS MODELOS PARA O TRANSISTOR

Modelo π

Desconsiderando 
o efeito da 
impedância de 
saída

1
Transcondutância: ≅ ≅

1 ≅
1

RESISTÊNCIA DE ENTRADA DO TBJ VISTA PELO TERMINAL DE BASE: rπ

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OUTROS MODELOS PARA  O TRANSISTOR

Modelo T (Resistência de emissor re)

RESISTÊNCIA DE ENTRADA DO TBJ VISTA PELO TERMINAL DO EMISSOR: re

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Modelos para baixas frequências Pequenos sinais

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REVISÃO SOBRE MODELOS DE TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO ‐ FET

Operação em baixa frequência e na região de saturação (amplificação)

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MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO  (TIPO ENRIQUECIMENTO, TIPO CRESCIMENTO)

NMOS

Ausência de canal

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Curva característica de saída

Exemplo: VTH = 2 V Lugar geométrico de VDS,sat

Para VGS fixo: aumentando VDS a porta se torna cada vez menos positiva em relação ao 

dreno, o canal diminui até o ponto de estrangulamento e a corrente ID fica saturada.

A saturação ocorre em: , , : tensão de sobrecarga 

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Operação na região de saturação

H
H

Curva de transferência:  ·
k é função da construção do dispositivo.

k pode ser determinado por:

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Parâmetro k e modelo para grandes sinais do MOSFET tipo intensificação canal n na região de 

saturação

Desprezando a resistência de saída:

1
· · ·
2

TH

TH

1
Onde, · · e ·
2

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Parâmetro k e modelo para grandes sinais do MOSFET tipo intensificação canal n na região de 
saturação
Considerando o efeito da resistência de saída:

1
Onde, · ·
2

e ·

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MOSFET tipo intensificação 

→ Mobilidade dos elétrons [cm2/V.s]

→ Capacitância de porta por unidade de área [F/m2]
→ comprimento de canal [µm]
→ largura de canal [µm]

/ → razão de aspecto do dispositivo.

→ Coeficiente de modulação do comprimento do canal [1/V]

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Modulação do comprimento do canal

À medida em que a tensão de dreno aumenta, o ponto em que o canal desaparece se move
em direção à fonte, ou seja, L1 varia com vDS. Este fenômeno é chamado de modulação do
comprimento do canal.

Na região de saturação: ∝ 1/

· 1/ ·

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O MODELO DO FET PARA PEQUENOS SINAIS

Fator de transcondutância

MOSFET tipo intensificação canal n:

Um segmento quase 
Inclinação = gm
linear

TH

Fator de transcondutância: Pode ser determinado por análise gráfica ou por uma função matemática.

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função matemática de 

Para o MOSFET tipo intensificação:

4· ·

1
4· · · · ·
2

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CIRCUITO EQUIVALENTE c.a. DO FET PARA PEQUENOS SINAIS

O mesmo circuito:

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 Modelos para baixas frequências Pequenos sinais

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Simbologia do transistor MOSFET tipo intensificação

Canal N (NMOS):

S
para

Não confundir com JET canal N:

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Simbologia do transistor MOSFET tipo intensificação

Canal P (PMOS):

para

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