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SERVIÇO PÚBLICO FEDERAL

UNIVERSIDADE FEDERAL DO PARÁ INSTITUTO DE TECNOLOGIA FACULDADE DE ENGENHARIAS ELÉTRICA E BIOMÉDICA

DISCIPLINA: ELETRÔNICA ANALÓGICA II

Ministrante: Prof. Dr. Marcos Galhardo

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

Galhardo ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA REVISÃO SOBRE ALGUNS MODELOS UTILIZADOS PARA TRANSISTORES
REVISÃO SOBRE ALGUNS MODELOS UTILIZADOS PARA TRANSISTORES Modelo para grandes sinais x Modelo para pequenos
REVISÃO SOBRE ALGUNS MODELOS UTILIZADOS PARA TRANSISTORES
Modelo para grandes sinais x Modelo para pequenos sinais
Sistema de
duas portas
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
FEEB / ITEC / UFPA

REVISÃO SOBRE MODELOS DE TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO TBJ

Operação em baixa frequência e na região ativa

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

região ativa ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ MODELO PARA
MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ MODELO PARA GRANDES SINAIS B C ≅ Desconsiderando o efeito da
MODELAGEM DO TRANSISTOR TBJ
MODELO PARA GRANDES SINAIS
B
C
Desconsiderando
o efeito da
v
v
BE
CE
impedância de
saída
E
Emissor comum
i
C
i
B
v
CE
v
BE
v
BE
TBJ de silício
v
CE
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
FEEB / ITEC / UFPA
MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum Inclinação = g m A operação em pequeno sinal
MODELO PARA PEQUENOS SINAIS
Emissor comum
Inclinação = g m
A operação em pequeno sinal ocorre
quando as variações na tensão e na
corrente no dispositivo, estão na faixa da
curva característica essencialmente linear.
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
FEEB / ITEC / UFPA

Modelos para baixas frequências

Pequenos sinais

B

B

C

/ UFPA Modelos para baixas frequências Pequenos sinais B B C E C OU E ELETRÔNICA

E

/ UFPA Modelos para baixas frequências Pequenos sinais B B C E C OU E ELETRÔNICA

C

OU

/ UFPA Modelos para baixas frequências Pequenos sinais B B C E C OU E ELETRÔNICA

E

/ UFPA Modelos para baixas frequências Pequenos sinais B B C E C OU E ELETRÔNICA

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

/ UFPA Modelos para baixas frequências Pequenos sinais B B C E C OU E ELETRÔNICA

MODELO PARA PEQUENOS SINAIS

Emissor comum

Impedância de entrada para pequenos sinais

Para pequenas mudanças na corrente ou na tensão do diodo, o dispositivo se comporta como um resistor linear.

diodo, o dispositivo se comporta como um resistor linear. Z in b c e e ELETRÔNICA

Z in

b c e e
b
c
e
e

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

c e e ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA Relembrando o estudo sobre diodos:

Relembrando o estudo sobre diodos: Aproximação para pequenos sinais

Em aplicações onde o diodo é polarizado para operar em um ponto da curva característica na região de polarização direta e um pequeno sinal ca é sobreposto, o diodo pode ser modelado por uma resistência de valor igual ao inverso da inclinação da tangente à curva característica no ponto de polarização.

da tangente à curva característica no ponto de polarização. ∆ ∆ ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB /
da tangente à curva característica no ponto de polarização. ∆ ∆ ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB /

da tangente à curva característica no ponto de polarização. ∆ ∆ ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB /

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

da tangente à curva característica no ponto de polarização. ∆ ∆ ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB /

Relembrando o estudo sobre diodos: Aproximação para pequenos sinais

o estudo sobre diodos: Aproximação para pequenos sinais Definindo ‐ se a resistência do diodo para
o estudo sobre diodos: Aproximação para pequenos sinais Definindo ‐ se a resistência do diodo para
o estudo sobre diodos: Aproximação para pequenos sinais Definindo ‐ se a resistência do diodo para

Definindo se a resistência do diodo para pequenos sinais ou resistência incremental rd como:

pequenos sinais ou resistência incremental rd como: ou ∆ ∆ A aproximação para pequenos sinais é

ou

A aproximação para pequenos sinais é válida para sinais cuja amplitude são menores que 10 mV para n=2 e 5 mV para n=1.

pequeno sinal:

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sinal: ≪ ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum

MODELO PARA PEQUENOS SINAIS

Emissor comum

Impedância de entrada para pequenos sinais

comum • Impedância de entrada para pequenos sinais Z in Desconsiderando o efeito da impedância de

Z in

• Impedância de entrada para pequenos sinais Z in Desconsiderando o efeito da impedância de saída

Desconsiderando o efeito da impedância de saída

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ELETRÔNICA ANALÓGICA II

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sinais Z in Desconsiderando o efeito da impedância de saída 1 1 · ELETRÔNICA ANALÓGICA II
Impedância de entrada Emissor comum 1 · ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA
Impedância de entrada
Emissor comum
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Observação sobre notação
Superposição
CC + CA
=
CC
+
CA
I
i
C
c
i
b
I
B
v
ce
V
CE
v
be
i
V
e
BE
I
E
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
FEEB / ITEC / UFPA
MODELO PARA PEQUENOS SINAIS Emissor comum • Impedância de saída (mA) ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB
MODELO PARA PEQUENOS SINAIS
Emissor comum
Impedância de saída
(mA)
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
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Impedância de saída O “efeito Early” se traduz em uma não idealidade do dispositivo que
Impedância de saída
O “efeito Early” se traduz em uma não idealidade do dispositivo que pode limitar o ganho
de amplificadores. Aumentando a tensão de coletor, a largura efetiva da base diminui (pois
aumenta ‐ se a região de depleção na junção C ‐ B) e a corrente de coletor aumenta.
Com o efeito
Early
Com o efeito
Early
Sem o efeito
Early
Sem o efeito
Early
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Emissor comum Impedância de saída V A : tensão Early Em um dado ponto: ELETRÔNICA
Emissor comum
Impedância de saída
V A : tensão Early
Em um dado ponto:
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Emissor comum

Modelo r e para a configuração do transistor em emissor comum.

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ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

r e para a configuração do transistor em emissor comum. 1 · ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB
OUTROS MODELOS PARA O TRANSISTOR Modelo π Desconsiderando o efeito da impedância de saída Transcondutância:
OUTROS MODELOS PARA O TRANSISTOR
Modelo π
Desconsiderando
o efeito da
impedância de
saída
Transcondutância:
≅ ≅ 1
1 ≅
1
RESISTÊNCIA DE ENTRADA DO TBJ VISTA PELO TERMINAL DE BASE: r π
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
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OUTROS MODELOS PARA O TRANSISTOR
Modelo T
(Resistência de emissor r e )
RESISTÊNCIA DE ENTRADA DO TBJ VISTA PELO TERMINAL DO EMISSOR: r e
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
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Modelos para baixas frequências

Pequenos sinais

Modelos para baixas frequências Pequenos sinais ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA REVISÃO SOBRE

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

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sinais ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA REVISÃO SOBRE MODELOS DE TRANSISTORES DE EFEITO

REVISÃO SOBRE MODELOS DE TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO FET

Operação em baixa frequência e na região de saturação (amplificação)

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

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em baixa frequência e na região de saturação (amplificação) ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC /

MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO ( TIPO ENRIQUECIMENTO, TIPO CRESCIMENTO)

NMOS

( TIPO ENRIQUECIMENTO, TIPO CRESCIMENTO ) NMOS Ausência de canal ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC

Ausência de canal

ENRIQUECIMENTO, TIPO CRESCIMENTO ) NMOS Ausência de canal ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

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de canal ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA Curva característica de saída Lugar geométrico
Curva característica de saída Lugar geométrico de V DS,sat Exemplo: V TH = 2 V
Curva característica de saída
Lugar geométrico de V DS,sat
Exemplo:
V TH = 2 V
H
Para V GS fixo: aumentando V DS a porta se torna cada vez menos positiva em relação ao
dreno, o canal diminui até o ponto de estrangulamento e a corrente I D fica saturada.
A saturação ocorre em: ,
, : tensão de sobrecarga
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Operação na região de saturação H H Curva de transferência: · k é função da
Operação na região de saturação
H
H
Curva de transferência:
·
k é função da construção do dispositivo.
k pode ser determinado por:
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
FEEB / ITEC / UFPA

Parâmetro k e modelo para grandes sinais do MOSFET tipo intensificação canal n na região de saturação

Desprezando a resistência de saída:

1 2 · · · TH TH
1
2 · ·
·
TH
TH
· 1 Onde, 2 · ·
·
1
Onde, 2 · ·

e

·

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1 2 · · · TH TH · 1 Onde, 2 · · e · ELETRÔNICA

Parâmetro k e modelo para grandes sinais do MOSFET tipo intensificação canal n na região de saturação

Considerando o efeito da resistência de saída:

Considerando o efeito da resistência de saída: · 1 Onde, 2 · · e · ELETRÔNICA
· 1 Onde, 2 · · e ·
·
1
Onde, 2 · ·
e
·

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

· e · ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA MOSFET tipo intensificação → Mobilidade

MOSFET tipo intensificação

Mobilidade dos elétrons [cm 2 /V.s]

Capacitância de porta por unidade de área [F/m 2 ]

comprimento de canal [µm]

largura de canal [µm]

/ razão de aspecto do dispositivo.

canal [µm] / → razão de aspecto do dispositivo. → Coeficiente de modulação do comprimento do
canal [µm] / → razão de aspecto do dispositivo. → Coeficiente de modulação do comprimento do

Coeficiente de modulação do comprimento do canal [1/V]

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

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→ Coeficiente de modulação do comprimento do canal [1/V] ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC /

Modulação do comprimento do canal

À medida em que a tensão de dreno aumenta, o ponto em que o canal desaparece se move em direção à fonte, ou seja, L1 varia com v DS . Este fenômeno é chamado de modulação do comprimento do canal.

é chamado de modulação do comprimento do canal. Na região de saturação: ∝ 1/ ·

Na região de saturação:

1/

do canal. Na região de saturação: ∝ 1/ · 1/ · ELETRÔNICA ANALÓGICA II
do canal. Na região de saturação: ∝ 1/ · 1/ · ELETRÔNICA ANALÓGICA II

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ELETRÔNICA ANALÓGICA II

ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA

FEEB / ITEC / UFPA

O MODELO DO FET PARA PEQUENOS SINAIS

Fator de transcondutância

MOSFET tipo intensificação canal n:

Um segmento quase linear Inclinação = g m TH
Um segmento quase
linear
Inclinação = g m
TH

Fator de transcondutância: Pode ser determinado por análise gráfica ou por uma função matemática.

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

determinado por análise gráfica ou por uma função matemática. ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC /

função matemática de

Para o MOSFET tipo intensificação:

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4· ·
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1

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

· · 1 ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA CIRCUITO EQUIVALENTE c.a. DO FET

CIRCUITO EQUIVALENTE c.a. DO FET PARA PEQUENOS SINAIS

CIRCUITO EQUIVALENTE c.a. DO FET PARA PEQUENOS SINAIS O mesmo circuito: ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB /

O mesmo circuito:

EQUIVALENTE c.a. DO FET PARA PEQUENOS SINAIS O mesmo circuito: ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

EQUIVALENTE c.a. DO FET PARA PEQUENOS SINAIS O mesmo circuito: ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC
Modelos para baixas frequências Pequenos sinais ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC / UFPA
Modelos para baixas frequências
Pequenos sinais
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
FEEB / ITEC / UFPA

Simbologia do transistor MOSFET tipo intensificação

Canal N (NMOS):

transistor MOSFET tipo intensificação Canal N (NMOS): Não confundir com JET canal N: S para ELETRÔNICA

Não confundir com JET canal N:

S para
S
para
Canal N (NMOS): Não confundir com JET canal N: S para ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB /

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

Canal N (NMOS): Não confundir com JET canal N: S para ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB /

Simbologia do transistor MOSFET tipo intensificação

Canal P (PMOS):

do transistor MOSFET tipo intensificação Canal P (PMOS): para ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC /
para
para

ELETRÔNICA ANALÓGICA II

FEEB / ITEC / UFPA

do transistor MOSFET tipo intensificação Canal P (PMOS): para ELETRÔNICA ANALÓGICA II FEEB / ITEC /