TIRISTORES Y CIRCUITOS DE DISPARO

Ing. Humberto José López Torres

Contenido

• Tiristores y circuitos de disparo

• Switch ideal y selección del switch
• Diodos de potencia
• Transistores BJT, Darlington y MOSFET
• SCR (Silicon Controlled Rectifier)
• TRIAC (Triode AC Semiconductor Switch)
• IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

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Tiristores y circuitos de disparo
Switch ideal y selección del switch

El switch ideal debe cumplir:

• Cero resistencia o voltaje directo cuando se encuentre
en su estado encendido (ON).
• Resistencia infinita cuando se encuentre apagado
(OFF).
• Velocidad infinita.
• Que no necesite ninguna potencia de entrada para
hacerlo conmutar.

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Tiristores y circuitos de disparo
Switch ideal y selección del switch

Para escoger el switch hay que tener en cuenta:

• Voltaje
• Corriente
• Velocidad de conmutación
• Circuito de disparo
• Carga
• Efectos de la temperatura

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Switch ideal y selección del switch

Las características más deseadas del switch

son:
• Velocidad de conmutación.
• Mínimas pérdidas de conducción.
• Circuito de disparo sencillo.

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Tiristores y circuitos de disparo
Diodos de potencia

• Los diodos de potencia aparecen en la década de los

50
• Los diodos rectificadores se utilizan generalmente para
conversión AC/DC. Sus pérdidas de conducción son
muy bajas pero tienen pocas prestaciones en
conmutación.
• Los diodos rápidos tienen capacidad para desactivarse
en tiempos muy cortos, pero generalmente presentan
mayores pérdidas en conducción.
• Cuando se tienen convertidores con alimentación DC y
carga inductiva, los interruptores requieren diodos
“volantes” para manejar la potencia reactiva. En estos
casos resultan indicados los diodos rápidos
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Tiristores y circuitos de disparo
Diodos de potencia (tipos)
Recuperación estándar
• Los tiempos de recuperación no son específicos.

Recuperación rápida y recuperación ultra

rápida
• Destinado a aplicaciones de convertidores.
• Carga de recuperación especificas y tiempos de
recuperación revertidos.

Diodos schottky
• No tiene carga de recuperación.
• Restricciones en bajo voltaje.

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Tiristores y circuitos de disparo
Diodos de potencia

Características
• Bloqueo de voltaje inverso del orden de 9000V.
• Capacidad de voltaje del orden de 5000V.
• Capacidad de corriente del orden de 9000A.
• Aplicaciones de baja velocidad (menos de 1 kHz).
• Voltaje de conducción pequeño y constante.
• Tiempos de recuperación inversa relativamente altos.
Típico: 25 µsec
• Convertidores conmutados en línea.
• Unidireccional
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Diodo de potencia (schottky)

Características
• Voltaje máximo menor a 100 V y corrientes entre 1 y
300 A.
• Tiempos de recuperación inversa relativamente bajos.
Típico: menor a 0.5 µsec.
• Corrientes de fuga altas.
• Minimiza el problema de almacenamiento de carga
mediante la unión de un semiconductor con un metal.
• Aplicaciones en fuentes de alimentación de alta
corriente y bajo voltaje en DC.

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Recuperación inversa de un diodo

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Tiristores y circuitos de disparo
Circuito rectificador monofásico

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Tiristores y circuitos de disparo
Rectificador de puente Trifásico

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Tiristores y circuitos de disparo
Rectificador de puente Trifásico

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Tiristores y circuitos de disparo
Transistor BJT, Darlington y MOSFET

• Uno de los principales inconvenientes de los

transistores BJT es el control por corriente de base
debido al bajo valor de su ganancia de corriente,
típicamente del orden de 10.
• Los transistores de potencia se utilizan en rangos
entre unos pocos y cientos de kilovatios y con
frecuencias hasta cerca de 15KHz.
• Los Darlington ofrecen mayor ganancia de corriente
(generalmente superior a 70) a costa de un mayor
voltaje de conducción y de una disminución en la
frecuencia de conmutación, que de todas maneras
resulta mayor que la de los GTOs.
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Tiristores y circuitos de disparo
Transistor BJT, Darlington y MOSFET

Características BJT básicas:

• Bloqueo de voltaje directo del orden de 1500V.
• No bloquea voltaje inverso.
• Capacidad de corriente del orden de 500A.
• Voltaje de conducción pequeño y prácticamente
constante.
• Control por corriente de valor relativamente elevado.
• Unidireccional.

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Transistor BJT, Darlington y MOSFET

Conexión Darlington BJT

• Aumento de la ganancia de corriente,
para aplicaciones de alto voltaje.
• En un dispositivo darlington monolítico,
los transistores Q1 y Q2 están
integrados en la misma oblea de silicio.
• El diodo D1 acelera el proceso de
desconexión, permitiendo al accionado
de base eliminar activamente la carga
almacenada tanto de Q1 como de Q2
durante la transición de desactivación.

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Transistor BJT, Darlington y MOSFET

Conclusiones
• Los BJT son reemplazados por los MOSFET en
aplicaciones de bajo voltaje (<500V)
• En aplicaciones por encima de 500V los BJT son
reemplazados por los IGBT.
• Un dispositivo de portador minoritario: en comparación
con el MOSFET, el BJT presenta una conmutación
más lenta, pero una menor resistencia a altas
tensiones.

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Transistor BJT, Darlington y MOSFET

• Los MOSFETs aparecen en la década de los 70. Sus

dos ventajas principales son la sencillez del circuito de
control por medio de voltaje y no de corriente y la
elevada velocidad de frecuencia de operación,
típicamente superior a 300KHz.
• Para aplicaciones de bajo voltaje los MOSFETs
presentan una resistencia de conducción
extremadamente baja, pero en aplicaciones de alto
voltaje el valor de resistencia aumenta, incrementando
las pérdidas y disminuyendo la eficiencia.

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Transistor BJT, Darlington y MOSFET

Características básicas MOSFET:

• Bloqueo de voltaje directo del orden de 1000V.
• Capacidad de corriente del orden de 500A.
• Voltaje de conducción pequeño pero dependiente de la
corriente.
• Control por voltaje de bajo valor.
• No bloquea voltaje inverso.
• Unidireccional.
• Resultan muy indicados para aplicaciones de bajo
voltaje (menor que 100V) y de elevada frecuencia de
operación (superior a 150KHz).
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Transistor BJT, Darlington y MOSFET

Conclusiones
• Un dispositivo de portador Mayoritario: altas
frecuencias de conmutación
• Frecuencias de conmutación: decenas y cientos de
KHz
• La resistencia activa aumenta rápidamente con la
tensión de bloqueo nominal
• Facil conducción
• Dispositivos varios de elección para el bloqueo de
voltajes menores que 500V

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Transistor BJT, Darlington y MOSFET

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Tiristores y circuitos de disparo
SCR (Silicon Controlled Rectifier)

• Se activa aplicando un pulso de poca duración entre

puerta y cátodo; una vez en conducción, la puerta
pierde todo control sobre el dispositivo. Para
bloquearlo es necesario aplicar un voltaje inverso entre
ánodo y cátodo (commutación forzada) o disminuir la
corriente por debajo del valor de retención
(commutación natural).
• Las pérdidas de conducción de los SCRs son muy
bajas, lo que los hace muy atractivos para el control de
potencias superiores a 500MW con frecuencia de red
(50/60Hz), tales como cicloconvertidores, hornos de
fusión por arco, sistemas de transmisión HVDC, etc

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SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Símbolo

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SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Características básicas del SCR:

• Bloqueo de voltaje inverso o directo del orden de
9000V
• Capacidad de corriente del orden de 9500A
• Voltaje de conducción muy pequeño y prácticamente
constante
• Control por corriente de muy bajo valor
• Desactivación por ánodo
• Unidireccional

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SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Curva característica

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SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Modelo del tiristor con dos transistores

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Tiristores y circuitos de disparo
TRIAC (Triode AC Semiconductor Switch)

• El TRIAC (Triode for Alternative Current) es un

dispositivo semiconductor de tres terminales que se
usa para controlar el flujo de corriente promedio a una
carga, con la particularidad de que conduce en ambos
sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la
tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor
de mantenimiento.
• El TRIAC puede ser disparado independientemente de
la polarización de puerta, es decir, mediante una
corriente de puerta positiva o negativa.

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TRIAC (Triode AC Semiconductor Switch)

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TRIAC (Triode AC Semiconductor Switch)

Características
• El TRIAC conmuta del modo de corte al modo de
conducción cuando se inyecta corriente a la
compuerta. Después del disparo la compuerta no
posee control sobre el estado del TRIAC. Para apagar
el TRIAC la corriente anódica debe reducirse por
debajo del valor de la corriente de retención.
• La corriente y la tensión de encendido disminuyen con
el aumento de temperatura y con el aumento de la
tensión de bloqueo.
• La aplicación de los TRIACS, a diferencia de los
Tiristores, se encuentra básicamente en corriente
alterna.
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TRIAC (Triode AC Semiconductor Switch)

• Su curva característica refleja un funcionamiento muy

parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer
cuadrante del sistema de ejes.
• La principal utilidad de los TRIACS es como regulador
de potencia entregada a una carga, en corriente
alterna.
• Bidireccionalidad.

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TRIAC (Triode AC Semiconductor Switch)

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• El IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) aparece en

la década de los 80. La potencia para el control por
puerta es muy baja, típicamente del orden de 1 a 2
vatios. Los IGBTs pueden conectarse en paralelo sin
necesidad de circuito suavizadores.
• “Una característica única del IGBT es su capacidad
para soportar cortocircuitos. Cuando hay corto la
corriente a través del dispositivo queda limitada a un
nivel dado por el diseño del mismo siendo posible
bloquearlo mediante la señal de puerta, en un tiempo
de 10 microsegundos, sin ocasionar daño
permanente”. (ABB)

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Características básicas del IGBT:

• Bloquea voltajes directos o inversos del orden de
3500V.
• Capacidad de corriente del orden de 3500A.
• Voltaje de conducción pequeño y prácticamente
constante.
• Control por voltaje de bajo valor.
• Unidireccional.

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Características
• Las pérdidas de conducción de IGBT son algo
mayores que las de los GTOs, pero las pérdidas de
conmutación son menores, por lo que su frecuencia de
operación puede ser mayor.
• El IGBT presenta la elevada impedancia de entrada y
las características de alta velocidad de un MOSFET
con la característica de bajo voltaje de saturación de
un BJT.

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• Los IGBTs rápidamente substituyeron a los BJT en

aplicaciones industriales de baja potencia. y cada día
es más frecuente su uso, en reemplazo de los
MOSFETs, en aplicaciones de baja potencia y alta
frecuencia.
• Puede ser utilizado sin redes de protección (snubbers),
lo que simplifica la topología de los circuitos,
particularmente los montajes en paralelo. El precio de
esto es que la mayor cantidad de las pérdidas se
disipan en el silicio reduciendo por lo tanto la
capacidad de potencia.

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• La alta capacidad de voltaje, la baja resistencia de

conducción, la facilidad del control y la relativamente
alta velocidad de operación hacen del IGBT una muy
buena opción para aplicaciones de alto voltaje y
moderada velocidad.
• El tiempo de desactivación restringe la frecuencia de
operación a valores moderados (menos de 50KHz),
ofreciendo una atractiva solución mejor que BJT, SCR
o MOSFET. Un SCR tiene un voltaje de conducción
ligeramente menor que el IGBT pero mayor capacidad
de transientes.

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• El IGBT ha demostrado ventajas con respecto al

MOSFET con excepción de la velocidad de
conmutación. Sin embargo, están reemplazando los
MOSFETs en aplicaciones de baja potencia y alta
frecuencia, donde las pérdidas de conducción deben
mantenerse en valores muy bajos. Con técnicas ZCS o
conmutación resonante el IGBT puede trabajar en el
rango de los kilohertz.
• Circuito IGBT Modulación de ancho de pulso

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Circuito IGBT Modulación de ancho de pulso

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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Conclusiones
• Son dispositivos que trabajan en aplicaciones de 500V
a 1700V, con niveles de potencia de 1- 1000kW
• Coeficiente de temperaturas positivas a altas
corrientes, sencillez en construcción de módulos
paralelos
• Facil manejo, similar al MOSFET
• Mas lentos que los MOSFET, pero mas rápido que
GTO, SCR
• Frecuencias de conmutación típicas de 3 a 30KHz

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Tiristores y circuitos de disparo
Clasificación

1. Tiristores de control de fase (SCR)

2. Tiristores de conmutación rápida (SCR)
3. Tiristores de desactivación por compuerta (GTO)
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC)
5. Tiristores de conducción inversa (RCT)
6. Tiristores de inducción estática (SITH)
7. Rectificadores controlados por silicio activados por
luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)

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 ¿Preguntas?

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