UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
(Universidad del Perú, Decana de América)
“Año de la lucha contra la corrupción y la impunidad”

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y

ELÉCTRICA

Curso:
Laboratorio de dispositivos electrónicos

Tema:
El transistor UJT

Alumna:
Calle Guardapuclla, María Luisa 18190048

Profesor:
Mestas Ramos, José Luis

Horario:
Lunes (6:00pm - 8:00pm)

Lima-Perú
2019
El transistor UJT
 INTRODUCCIÓN

El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el

campo electrónico y lo ha convertido en la electrónica avanzada con

la que contamos hoy en día. En este tema se introducen las

principales características básicas de el transistor uniunión (en inglés

UJT: UniJuntion Transistor) el cual es un tipo de tiristor que contiene

dos zonas semiconductoras.

Cuenta Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1)

y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N,

entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+,

el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el

valor del parámetro η, stand off ratio, conocido como razón de

resistencias o factor intrínseco.

También se tratará sus aplicaciones, su funcionamiento y se

estudiaran sus demás características.

 MARCO TEÓRICO
¿Qué es un transistor UJT?

El transistor UJT también conocido como

transistor de unijuntura o en
inglés Unijunction transistor, es un
dispositivo con un funcionamiento
diferente al de otros transistores
constituido por dos regiones
contaminadas con tres terminales
externos: dos bases y un emisor. Es un
dispositivo de disparo. Es un dispositivo
que consiste de una sola unión PN que es
utilizado para hacer osciladores. Pero no es un FET.

Físicamente el transistor UJT está compuesto por una barra de silicio tipo N o P
en cuyos extremos se tienen los terminales Base 1 (B1) y Base 2 (B2), y de
una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo
largo de la barra de material N. En el lugar de unión el aluminio crea una región
tipo P en la barra, formando así una unión PN.

Como el emisor está fuertemente dopado con impurezas p y la región n

débilmente dopado con n, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia
interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto). El modelo
equivalente representado está constituido por un diodo que excita la unión de
dos resistencias internas, R1 y R2 , que verifican RBB = R1 + R2. Cuando
el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como:

Como anteriormente se refirió, es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre

entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por
la fórmula:

Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1

Donde: n = intrinsic standoff radio

VB2B1 = Voltaje entre las dos bases.

Cuando se polariza el transistor la barra actúa como un divisor de tensión

apareciendo una VEB1 de 0,4 a 0,8v. Al conducir el valor de RB1 se reduce
notablemente. Observa el circuito equivalente.

Observando el circuito de
polarización de la figura se advierte
que al ir aumentando la tensión
Vee la unión E-B1 se comporta como
un diodo polarizado directamente. Si
la tensión Vee es cero, con un valor
determinado de Vbb, circulará una
corriente entre bases que originará
un potencial interno en el cátodo del diodo (Vk). Si en este caso aumentamos la
tensión Vee y se superan los 0,7v en la unión E-B1 se produce un aumento de
la corriente de emisor (IE) y una importante disminución de RB1, por lo tanto un
aumento de VBE1. En estas condiciones se dice que el dispositivo se ha
activado, pasando por la zona de resistencia negativa hacia la de conducción,
alcanzando previamente la VEB1 la tensión de pico (Vp).
Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda por
debajo de la intensidad de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la tensión de
activación Vpse alcanza antes o después dependiendo del menor o mayor
valor que tengamos de tensión entre bases VBB.
 Se utiliza en circuitos de descarga en
generadores de impulso, circuitos de
bases de tiempos y circuitos de control
de ángulo de encendido de tiristores.

El encapsulado de este tipo de

transistores son los mismos que los de
unión.

Resistencia negativa
La curva de corriente versus voltaje para un transistor de unijuntura exhibe una
propiedad inusual llamada "resistencia negativa". Al principio el voltaje y la
corriente incrementan juntos como lo hacen para la mayoría de los dispositivos
electrónicos. Sin embargo, después de que el voltaje llega a su pico éste
disminuye mientras la corriente continúa incrementando entre las terminales del
emisor y la de base 2. La resistencia negativa le proporciona al UJT su
comportamiento de activación.

Voltaje inter base

Para hacer que el UJT funcione se necesita un voltaje positivo, llamado el

voltaje inter base, a través de las puntas base 2 y base 1. El transistor de
unijuntura tiene un rango máximo de voltaje inter base, por lo que el circuito no
puede excederlo sin dañar el componente. El valor del voltaje inter base
establece el voltaje de activación emisor-base.

Oscilador de relajación

Un circuito llamado oscilador de relajación aprovecha la resistencia negativa

del UJT. En el oscilador un voltaje incrementa y luego baja en un ciclo que se
repite indefinidamente. Además del transistor el circuito necesita solamente un
condensador y un par de resistencias. El circuito forma la base de los
temporizadores electrónicos, generadores de tonos y generadores de ruido.
 APLICACIÓN
APLICACIÓN DEL UJT: Oscilador de relajación y funcionamiento

Circuito que sirve para generar señales para dispositivos de control de potencia
como Tiristores o TRIACs
1) El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT,
cuando esto sucede este se descarga a través de la unión E-B1.

2) El capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de

valle (Vv) de aproximadamente 2.5 Voltios.

3) Con este voltaje el UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el

capacitor inicia su carga otra vez

 Si se desea variar la frecuencia de oscilación se puede modificar tanto el

capacitor C como el resistor R1.

 R2 y R3 también son importantes para encontrar la frecuencia de

oscilación.

 La frecuencia de oscilación está aproximadamente dada por: F = 1/R1C

 Es muy importante saber que R1 debe tener valores que deben estar
entre límites aceptables para que el circuito pueda oscilar. Estos valores
se obtienen con las siguientes fórmulas: R1 máximo = (Vs - Vp) / Ip ; R1
mínimo = (Vs - Vv) / Iv 05/05/2018 Línea verde representa la forma en la
que se carga y descarga el capacitor.

 El gráfico de línea negra representa el voltaje que aparece en el resistor

R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.
 COSTO
Materiales para un oscilador de relajación:
 1 transistor UJT 2N4870 o 2N2646 (Q1)

 1 resistencia de 50 KΩ (kilohmios) (R1)

 1 resistencia de 330kΩ (ohmios) (R2)

 1 resistencia de 47kΩ (ohmios) (R3)

 1 condensador de 0.1 uF (uF = microfaradios) (C)

 1 fuente de voltaje de 20 voltios (una batería de 12 o 9 voltios puede

funcionar)

El costo total asciende a 84,96 soles peruanos.

 RECOMENDACIONES
Respecto a la fórmula prescrita en el marco teórico, esta puede variar de 0.4 a
0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.

El radio “n” es un dato adicional que nos da el fabricante, junto con

la corriente necesaria que debe haber entre E y B1 para que el UJT se dispare
= Ip.

Es importante hacer notar que también se ha construido el UJT donde la barra

es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT
complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las
polaridades de las tensiones al revés.

Los transistores como todos los dispositivos electrónicos, tiene un límite de

voltaje capaz de administrar.

Es por ello que hay que tener cuidado con no sobre calentar el dispositivo, pues
es probable que el funcionamiento actué de diferente manera a la que
esperamos.

Para esto es recomendable que cuando se piense usar un transistor, como

también cuando se usa cualquier dispositivo.

Debemos conseguir el datasheet de este o tener algunas especificaciones

básicas que nos ayuden a hacer un buen manejo de este.

También es recomendable Identificar plenamente un transistor. Aprender el

concepto funcionamiento, y sus partes.

Así al momento de utilizarlo nos será mucho más sencillo y nuestro uso de este
será aún más óptimo.
 CUESTIONARIO
1) Indica y explica las especificaciones del funcionamiento de un LED
¿Qué significa LED?

Un diodo Led es un diodo que además de permitir el paso de la corriente

solo un un sentido, en el sentido en el que la corriente pasa por el diodo,
este emite luz.

Cuando se conecta un diodo en el sentido que permite el paso de la

corriente se dice que está polarizado directamente.

La palabra LED viene del inglés Light Emitting Diode que traducido al
español es Diodo Emisor de Luz.

2) ¿Qué significa LDR? Indique y explique su funcionamiento.

LDR (Light-Dependent Resistor, resistor dependiente de la luz)

Un LDR es un resistor que varía su valor de resistencia eléctrica

dependiendo de la cantidad de luz que incide sobre él. Se le llama,
también, fotorresistor o fotorresistencia. El valor de resistencia eléctrica
de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él (en algunos casos
puede descender a tan bajo como 50 ohms) y muy alto cuando está a
oscuras (puede ser de varios megaohms).

La base del funcionamiento de una fotorresistencia radica en su

componente principal, el sulfuro de cadmio (CdS). Este componente
químico es un semiconductor que tiene la capacidad de variar su
resistencia según la cantidad de luz que en él incida.

Cuanto mayor intensidad es la luz que incide sobre el sulfuro de

cadmio, mas baja es la resistencia, es decir mayor facilidad de los
electrones para moverse. Vale saber que la variación de la resistencia
cuando hay cambios de luminosidad repentinos no sigue la misma
velocidad, sino que tiene retardo.
3) Indique y explique cada una de las especificaciones de
funcionamiento de un fotodiodo.

Una de las principales características que se debe tener en cuenta a la

hora de considerar el uso de un fotodiodo es el material semiconductor
del que está hecho, puesto que el material es lo que le da sus
propiedades.

Por lo general estos elementos se fabrican en Silicio (este material lo

hace sensible a la luz, Germanio (lo hace sensitivo a la luz
infrarroja), sulfuro de plomo y Indio, galio o arsénico. Cada uno de estos
materiales tiene su propia longitud de onda

En un diodo ordinario la polarización debe ser directa, esto permite que

la corriente eléctrica pase por un solo sentido y no pueda regresar en
sentido contrario. En los fotodiodos la corriente circula de manera
inversa, esto permitirá que se produzca un aumento de la corriente
cuando el fotodiodo sea excitado por un aumento en la luz.

En caso contrario cuando la luz se encuentre ausente, la corriente sera

muy pequeña al punto de ser casi irrelevante, a este corriente se le
llama corriente de oscuridad.
 BIBLIOGRAFÍA

https://unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp

https://www.electronicafacil.net/tutoriales/El-transistor-uniunion.html

https://unicrom.com/transistor-uni-union-ujt/

https://electronica.mercadolibre.com.mx/transistor-ujt-2n2646#

https://listado.mercadolibre.com.pe/camaras/cargadores-baterias-pilas/pila-9-
voltio

https://listado.mercadolibre.com.mx/resistencia-de-47-ohms_DisplayType_LF

https://listado.mercadolibre.com.mx/resistencia-de-330-
ohms#D[A:resistencia%20de%20330%20ohms]

https://articulo.mercadolibre.com.mx/MLM-650452129-5-piezas-resistencia-de-
precision-de-50k-ohms-14w-_JM?quantity=1

https://es.slideshare.net/AlRo5/transistor-ujt

https://www.areatecnologia.com/electronica/como-es-un-led.html

http://como-funciona.co/una-fotorresistencia/

https://ingenieriaelectronica.org/fotodiodo-definicion-caracteristicas-y-tipos/