Problem

Diodos Ing.
David Molina
Etn503
GUIA DE EJERCICOS PROPUESTOS
DIODOS
1. Dibuje la estructura atómica del cobre y analice por qué es un buen conductor y de
que manera difiere su estructura de la del germanio y del silicio.
2. Cuanta energía en Joules se requiere para mover una carga de 6 C a través de una
diferencia de potencial de 3V?
3. Describa la diferencia entre los semiconductores tipo p y tipo n
4. Describa en que forma podría recordar los estados de polarización inversa y directa
del diodo de unión p-n. esto es ¿cómo recordaría que tipo de potencial (positivo o
negativo) se aplica a cual terminal ?
5. Empleando la ecuación I  IS e KV/T - 1 , determine la corriente de diodo a 20 ºC para

K
el diodo de silicio con IS = 50A y una polarización directa aplicada de 0.6 V
6. Determine la resistencia dinámica (c.a.) del diodo de la figura a una corriente en

sentido directo de 10 mA.
7. Dibuje la forma de onda correspondiente a i de la red la de figura si tt= 2ts y el

tiempo total de recuperación es de 9 ns
D o c u m e n t o d e sc a rg a d o d e :
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Diodos Ing. David Molina
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Figura 6.1
Figura 7.1
8.
a) Considerando la figura, determine el coeficiente de temperatura a
una corriente en sentido directo de 1 mA en condiciones
máximas
b) Empleando los resultados del inciso (a) determine el cambio de

voltaje en sentido directo si la temperatura debe aumentar 20 ºC
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9. Si cada diodo en la figura tiene un VT de 0.7 V y una IF de 30 mA. determine la

corriente a través de las terminales 1 y 10 y el voltaje en las terminales 1 y 10.
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10. Determine V0 e ID para las redes de la figura
11. Determine V01 y V02 para la red de la figura
12. Suponiendo un diodo ideal, para el rectificador de media onda de la figura. La entrada
es una forma de onda senoidal con una frecuencia de 60 Hz. Dibuje vL e iL
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13. Determine v0 y el valor nominal requerido de VPI correspondiente a cada uno de los
diodos de la configuración de la figura
14. Dibuje v0 para la red de la figura y determine el voltaje de cd disponible
15. Determine v0 para cada una de las redes de la figura considerando la entrada que se
indica
16. Para la red de la figura
a) Calcule 5
b) Compare 5 con la mitad del periodo de la señal aplicada
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c) Dibuje v0
17.
a) Determine VL, IL, IZ e IR para la red de la figura, si RL = 180 
b) Repita el inciso (a) si RL = 470 

c) Determine el valor de RL que establecerá las máximas condiciones
de potencia para el diodo Zener
d) Determine el mínimo valor de RL que asegura que el diodo Zener
se encuentra en el estado “de conducción”
18.
a) Diseñe la red de la figura para mantener VL a 12 V para una
variación de carga (IL) de 0 a 200 mA. Es decir determinar RS y VZ
b) Determine PZ max para el diodo Zener del inciso (a)
19. Diseñe un regulador de voltaje que mantenga un voltaje de salida de 20 V en una

carga de 1 K con una entrada que variara entre 30 y 50 V. Es decir, determine el
valor apropiado de RS y la corriente máxima IZM.
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20.
a) Determine la capacitancia de transición de un diodo de varicap de
unión difundida a un potencial inverso de de 4.2 V si C(0) = 80pF
y V0 = 0.7 V
b) A partir de la información del inciso (a), determine la constante K
K
en la ecuación CT =
VT  Vr  n
21.
a) Para un diodo varicap que tenga las características de la figura de
termine la diferencia en capacitancia en potenciales de polarización
inversa de -3 y -12 V.
 C 
b) Determine la razón incremental de cambio   a V = -8 V
 Vr 
¿Cómo se compra este valor con el cambio incremental
determinado a -2V?
22. Determine T1 para un diodo varctor si C0 = 22pF, TCC = 0.02%C y C = 0.11 pF

debido a un incremento en la temperatura superior a T0 = 25 ºC.
23. La señal vi(t) = A0 + A1 cos (0t +  ) + A2 cos (20t +  ) pasa través de un filtro con
la siguiente función de transferencia
1
 2
H(j)    
1  j 2  
 0   0 
Calcular la tensión de salida v2 (t)
24. La tensión de salida dada por
1 1 2 2 
vL(t) = VLm   cos  0t  cos 2 0t  cos 4 0t  ... 
 2 3 15 
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10 4 2
pasa a través de un filtro LC indicado. Haciendo LC = y RC = 100
0 2
 0
2
a) Hallar vo (t).
b) Calcular la tensión eficaz de ondulación.
c) Calcular la relación entre la tensión eficaz de ondulación y la
tensión continua
25. Repita el ejercicio 24 utilizando el filtro  de la figura
26. En el circuito de la figura. Trazar vL(t), cuando vi(t) dea la onda cuadrada indicada.
Supóngase que Rb >> rd y que rdC << T, mientras que RbC >> T
27. Trazar iD cuando vT es una onda cuadrada con valor medio cero y valor de cresta a
cresta de 2 V. Obtener la respuesta analíticamente y gráficamente.
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28.
a) dibujar de nuevo el circuito de la figura y obtener el circuito de
Thevening (vT y RT).
b) Haciendo R = 1 K, ri = 1.5 k, RL = 1.4 K. VDC = 5Vy vi(t)= 10
sen 0t; trazar la recta de carga de corriente continua cuando 0t =
0, /3, /2, - /3, y - /2
c) Trazar vL(t)
29. Calcular vL(t), utilizando la característica de la figura
30. Los diodos D1 y D2 son idénticos hallar vL
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31. La característica vi de un diodo viene dada por
iD = 10-6   qv D 1.4 kT  1 donde T = 300 ºK
a) Obtener el circuito d Thevenin

b) Determinar la corriente de reposo del diodo
c) Calcular rd
d) Calcular vL(t)
32.
a) Hallar el circuito equivalente de Thevenin
b) Trazar iD (t)
c) Hallar la corriente media a través del diodo
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33.
a) Obtener una característica vi equivalente para los dos diodos en
serie. Indicación iD1 = iD2 y vD = vD1 + vD2
b) Calcular v1 y v2
34. El diodo Zener tiene una caída de tensión fija de 18 V mientras que iz se mantenga
entre 200 mA y 2 A
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a) Hallar ri de modo que VL se mantenga en valor de 18 V mientras

VDC pueda variar de 22 a 28 V
b) Hallar la potencia máxima disipad por el diodo
35. La tensión de una fuente de alimentación no regulada varía entre 20 y 25 V y la

impedancia interna de la fuente es de 10 . Un diodo Zener de 10 V debe regular esta
tensión para su utilización en un magnetófono. El magnetófono absorbe 30 mA
mientras que graba y 50 mA mientras reproduce. El diodo Zener tiene de 10 para
una corriente Zener puede disipar una potencia máxima de 800 mW.
a) Hallar ri de modo que el diodo regule continuamente

b) Hallar el valor de cresta máximo de la ondulación de salida.
36. La característica del Zener se debe generalmente a una ruptura en avalancha y cumple
aproximadamente la ecuación
I0 iz
n
vz  V0  100
iz =  vz  I0
1 - 
 V0 
a) Trazar la característica vz iz para n = 4 y n = 10. Indicación iz / I0 en

función de vz / V0 para obtener una característica normalizada
b) Obtener el “codo” de la curva
c) Trazar una aproximación lineal por tramos de la curva utilizando
dos líneas rectas
d) La pendiente del tramo recto de la curva por debajo del codo se
llama resistencia de Zener rz, Calcular rz. Nótese que rz varía
continuamente
37. Obtener una aproximación lineal por tramos de dos segmentos de la ecuación
y = t2 0t3
tal que el valor absoluto de la diferencia máxima entre la función y su aproximación

y*, para cualquier t, siempre que sea menor que 0.5
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38. Obtener una aproximación lineal por tramos de tres segmentos de la función y=
ln x para la gama 0 < y < 3 de modo que se obtenga un error máximo y *  y max
que sea menor al dado en la figura. Utilizar el método de la comprobación. ¿Cuál es el
error mínimo y *  y max que puede obtenerse?
39. Proyectar un circuito utilizando resistores y diodos ideales para construir la

característica de vi de la figura
40. Proyectar un circuito utilizando resistores y diodos ideales para construir la

característica vi de la figura
41. Proyectar un circuito para resolver la ecuación diferencial no lineal
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dy  
 sen y  0.8 y(0)  0 t0 -  y
dt 2 2
42. El diodo Zener 1N2816 debe utilizarse para mantener una tensión continua constante
aplicada a una carga que varía de 10 a 100 . La tensión de entrada varía de 80 a 100
V
a) Calcular ri suponiendo VzT = 18 V y RZT  2 

b) Calcular vL teniendo en cuenta la tolerancia del 5% y el hecho de
que el circuito trabaja entre temperaturas de 0 a 25 ºC
Transistores Ing. David Molina
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TRANSISTORES
1. Determine la región de operación para un transistor que tiene las características de la

figura a) si Icmax =5mA , VCBmax= -15 V y Pc max= 30mW
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2.- Considerando la figura determine lo siguiente:

a) Ic si Vce= 30 V , IB=25 uA
b) VCE si IC= 4mA , IB= 30uA
c) IB si IC =3mA, VCE =20 V
3.-Calcule Vc en el circuito de la figura:
B=90
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4.- Calcule Vce e Ic en el circuito de la figura
5.-Calcule el cambio porcentual de Vc en el circuito anterior si el transistor se sustituye por

uno de valor B=60
6.- Para un circuito con polarización fija como en la figura A) con valores de circuito de
RB=82 K Rc=4.3K, Vcc=20 V, VBE=0.7 V y características de colector como se
muestra en la figura B) , efectue lo siguiente:
a) Dibuje la linea de cara de cd
b) Obtenga el punto de operación Q
c) Encuentre el punto de operación si Rc cambia a 8.2 K
d) Encuentre el punto de operación si Vcc se cambia a 15 V(el valor de Rc se mantiene en
4.3 K)
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7.- Para el circuito de la figura responda lo siguiente:

a) ¿ Vc aumenta o disminuye si RB aumenta?
b) ¿ Ic aumenta o disminuye si  se reduce?
c) ¿ Que sucede con la corriente de saturación si  aumenta?
d) ¿ La corriente de colector aumenta o disminuye si Vcc se reduce?
e) ¿ Qué sucede con VCE si el transistor se sustituye con otro de  menor?
8.-Responda las siguientes preguntas en torno al circuito de la figura:

a) ¿ Qué sucede con el voltaje Vc si esta abierto el resistor RB?
b) ¿ Qué sucedería con VCE si  se incrementa por efecto de la temperatura?
c) ¿ De qué manera se afectará VE cuando se sustituya la resistencia del colector con uno
cuya resistencia se encuentra en el extremo más bajo del intervalo de tolerancia?
d) Si la conexión del colector del transistor se abre ¿Qué sucederá con Vce?
e) ¿ Cuál podría ser la causa de que Vce se acerque a 0 V?
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9.- Un JFET de canal n con un valor de IDDS =8.5 mA se opera con los valores resultantes
medidos de ID = 2.125 m A y VGS= - 2.5 V ¿ Cuál es el valor de Vp del dispositivo?
10.- Grafique la característica de transferencia de un JFET de canal p con IDSS= 12 mA y
Vp =4.5 V
11.- Un mosfet de vaciamiento ( IDSS= 12 m A , Vp= - 4V) se opera a VGS= -0.5 V .
¿Cuál es el valor de la transconductancia en este punto de operación?
12.-¿ Cuál es elvalor del voltaje de umbral en un MOSFET de acrecentamiento de canal n
que opera a ID= 4.8 mA cuando se polariza a 7 V?
13.- ¿ Un MOSFET de acrecentamiento que opera a VGS= 7.5 V tiene una
transconductancia de 2.5 mS ¿ Cuál es el valor del voltaje de umbral del dispositivo?
14.- Determine la corriente de drenaje y el voltaje drenaje-fuente en el circuito de la
figura:
15.- Determine el voltaje de polarización de cd , Vd, en el circuito de la figura:
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16- Para el circuito de la figura determine la corriente de drenaje.
17.-¿ Cuál es el valor de Rs que se requiere para polarizar el circuito de la figura a –1 V.?
18.- ¿ Qué valores de ID y VDS resultarán cuando el JFET de la figura se cambie por otro
con IDSS= 6 m A , Vp= - 4V.
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19.- Determine el valor de VD para el circuito de la figura:
Vt=5 V
Vp= 0.3 mA/ V*V
20.-Diseñe un circuito de polarización de JFET tal como el de la figura que opere a ID=3
mA , VDS= 10 V empleando una alimentación de 22 V y un JFET con IDSS= 6 mA y
Vp= - 4 V.
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21.- Complete el diseño de la figura :
22.- Dados los valores típicos de hre= 2x 10E-4 y Av= 160 ¿ Es buena aproximación
ignorar los efectos de hre en el analisis de ca del sistema? ¿ Cuál es la diferencia porcentual
entre los niveles de Ib con y sin los efectos de hre? Utilice
% de diferencia= Ib(sin hre) - Ib (con hre) x100%

Ib(sin hre)
23.- Considerando los valores tipicos de RL= 2.2 K y hoe= 20S ¿ constituye una buena
aproximación ignorar los efectos de 1/hoe? ¿ Cuál es la diferencia porcentual en la
resisstencia de carga utiulizando la siguiente ecuación:
% de diferencia = RL (sin 1/hoe) – RL (con 1/hoe) x 100%

RL (sin 1/hoe)
24.- a)Empleando la figura determine la magnitud del cambio porcentual en hfe para un
cambio de Ic de 0.2 mA a 1 mA utilizando la ecuación:
% de cambio = hfe (Ic bajo) - hfe (Ic alto) x 100 %

hfe (Ic bajo)
b) Repita el inciso a) para un cambio en Ic de 1mA a 5 mA.
c) Repita el inciso a) para un cambio en Ic de 0.2 mA a 5 mA.
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25.- a) Para la red de la figura determine Zi,Zo, Av, y Ai .

b)Para hoe = 20 S determine los valores del inciso a)
hie= 500 ; hfe= 60 Ie3mA
26.- a) Determine Zi, Zo, Av, y Ai para la red de la figura.

b) Para hoe = 20 S determine el efecto sobre los valores del inciso a)
c) Calcule re y comparelo con re=hie/.
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. hfe = 100 ; hie = 3200

27.- Determine Vcc para la red de la figura si Av= -160.
*28 Para la red de la figura a) Calcule re y re ¿ Cómo se compara re con hie?
b) Determine Zi, Zo, Ao, y Ai.
*29.- Para la configuración de base común de la figura :

a) Determine re
b) Determine Zi, Zo, Ao, y Ai
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*30.- Para la configuración de colector común con retroalimentación de la figura:

a) Determine re
b) Determine Zi, Zo, Ao, y Ai
*31.- Que valor de Rs se necesita para la resistencia dinámica del JFET de rm= 250 en
el circuito de la figura.Idss= 16mA, Vp= -4 V
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*32.- Complete el diseño de de la figura de manera que se logre una ganancia de voltaje de
ca de al menos 10
Rs
*33.- Complete el diseño del circuito amplificador con MOSFET que se muestra en la
figura para una operación de ID= ½ IDSS de manera que se logre una ganancia
de magnitud mayor que 3.5
*34.- a) Hallar R1 y R2 de modo que ICQ= 10 mA

c) Hallar la máxima excursión simétrica posible de la corriente de colector con
estos valores de R1 y R 2.
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*35.- Hallar R1, R2 , Rc y R e de modo que en la carga puede circular una corriente de
cresta de 40 mA siendo el valor de la resistencia de carga de 100  Observese que la
solución no es unica..
*36.- Hallar R1 y R2 para obtener una excursión máxima de la corriente de carga . Hallar
la excursón de las corrientes de colector y de carga en estas condiciones.
*37.- Hallar el punto de reposo y la excursión simétrica máxima de VL
*38.- a) Hallar Vbb de modo que VEQ=0

b) Hallar el valor máximo de VL
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*39.- a) Trazar las características de base común de ic un funcion de Vcb del transistor.
b) Hallar el punto de reposo y trazar las rectas de carga de corriente continua y
corriente alterna sobre las características de base común.
c) Halla la amplitud simétrica máxima de VL.
*40-Én el circuito de la figura hallar la variación de la corriente de reposo cuando 

aumenta de 50 a 200 , el transistor es de silicio.
*41.-El amplificador de la figura tiene dimensiones de modo que permita obtener una
excursión simétrica máxima . Si  varia de 50 a 150 para este tipo de transistor ,hallar
VBB. Re., y la excursión máxima.
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*42.- El amplificador de la figura debe dimensionarse de modo que permita una excursión
simétrica máxima. La temperatura está comprendida entre –55 y +125 ºC . ICBO= 0.1 A,
 , ICQ 1mA.
a) Hallar VBB y Re
b) Hallar la excursión máxima.
*43.- En el circuito de la figura 50<<200,

25ºC<T<75ºC
Vcc= 6V + 0.2 V
ICBO= 0.001 A a 25ºC
Hallar la corriente de reposo , las factores de estabilidad pertinentes, y la variación de
corriente de reposo en el peor de los casos.
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*44.- Un Transistor de 50 W (cuya curva de reducción de potencia admitida se a

representado en la figura) de disipar 6W en un circuito determinado . La temperatura
ambiente es de 85ºC .
a) Hallar  ca de modo que el trasnsistor no se sobre caliente
b) Hallar Tc en estas condiciones.
c) Sise dispusiera de un radiador infinito de calor , ¿qué potencia podría disipar este
transistor?.
*45.- a) Trazar Av en función de ri para 0<ri< (RL=1 K).

b)Trazar Av en función de RL para 0 < RL < (ri=1 K)
c) Trzar Zi en función de RL para 0<RL<
d) Trazar Zo en función de ri para 0< ri <
Con:
Hfe=100, hie=1 k, hoe=hre=0, Rb, Re= 1 K.
*46.- En el circuito de la figura R1 = 10 k , R2=20 K, , R3= 100K, Vcc= 20 V, Re= 1

K y hfe= 50.
a) Hallar las condiciones de reposo del circuito Téngase en cuenta R3.
b) Demostrar que
Zi= R3II hie
1 - Av
donde Av es la ganancia de tensión VL/Vb . Aveces se utiliza este sistema para
aumentar el nivel de impedancia de entrada.
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*47.- La característica Vi del amplificador JFET de la figura viene dada por el gráfico .
El punto Q esta situado en VGSQ= 4 V, VDSQ= 10 V
Hallar el valor máximo de Vt para el cual la distorsión relativa es menor que 20 dB.
*48.- El JFET de la figura se conecta como un elemento con dos terminales . Para
tensiones de drenador menores que Vpo, se comporta como una resistencia para señales de
ca . Para tensiones drenador surtidor mayores que Vpo, se comporta como un limitador de
corriente.
a) Si el JFET viene descrito para tensiones situadas por debajo del punto de restricción
por la ecuación
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Hallar la resistencia para señal debil en ca.
b) Por encima del comportamiento JFET viene descrito por la ecuación
Trazar VL en función de VDD.
49.- a) Utilizando 2N3796 hallar el punto Q.

b) Calcular , rds, y gm
c) Calcular la ganancia VL/Vi
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*50.- Calcular un amplificador con una ganancia de 10 , la tensión de la fuente de

alimentación es 24 V. Utilizar el JFET 2N3796.
2N3796
*51.- Trazar Vs en función de

vg. Hallar Vg cuando Vds= 20
Vy
a) El FET viene dado por la
ecuación de Shokley
b) El FET es un 2N3796.
*52Debe proyectarse un seguidor de surtidor utilizando el circuito de la figura . Utilizar

un JFET 2N4223 . La ganancia debe ser mayor que 0.8 . Hallar R1, Rs1, Rs2.
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*53.- La característica vi del amplificador de puerta común de la figura viene dada

aproximadamente por la ecuación.
a) Trazar la característica
b) Hallar el punto Q graficamente
c) Calcular gm
d) Haciendo rds = 10 k calcular 
e) Determinar Zi, Zo y la ganancia Vd/Vi
Multietapa y Respuesta en Frecuencia Ing. David Molina
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MULTIETAPA Y RESPUESTA EN FRECUENCIA
1.- Para el amplificador con acoplamiento capacitivo RC de dos etapas

a) Determine Zi y Zo
b) Calcule las ganancias de voltaje Av
c) Determine la ganancia de corriente Ai
2.- Determine Zi , Zo Avt, y Ait , Apt en el amplificador con acoplamiento RC de la ffigura

anterior si Rb1= 56 k y Rb2=5.6 K en cada uno de los transistores y Rc1= 6.8 K ,
RC2=3.3 K , RE1=RE2= 0.56 k , RL=2.2 K . Todos los valores de los capacitores son
los mismos . Para cada uno de los transistores =120 . Puesto que no se brinda el valor de
hie y re , tendra que determinarse para cada transistor. Use todas las aproximaciones
apropiadas.
3.-Diseñe un amplificador con acoplamiento RC de dos etapas para que brinde una
ganancia total de 2000 . El circuito operará con una carga de 10 k ; la señal se alimenta
desde una fuente de voltaje ideal (Rs=0) . Muestre los valores típicos de lso componentes
para cada elemento y calcule la ganancia de voltaje dl circuito resultante como un medio de
verificación.
4.- Determine lo siguiente para el amplificador Cascode de la figura:
a) Vo
b) Zi y Zo
c) Io, Ii, y Ai
d) Apt
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5.- Determine lo siguiente para el amplificador cascode de la figura:

a) re1, y re2 para 1=2=50
b) Avt y Vo si Vi = 10 mV
c) Zi y Zo
6.- Determine Ai, zi, zo y Av para la configuración Darlington de la figura:

Q1: hie 3.5 k hfe=50 hoe =10S
Q2: hie 0.13 k hfe=50 hoe =10S
7.- En la figura hfe y hie se han incluido para el par de Darlington en lugar de para cada
transistor.
a) Determine Av1=vo1/vi
b) Calcule Av2= Vo2/vi
c) Determine Avs=Vo1/Vs
d) Encuentre Av1 si se conecta una carga de 10 k en paralelo con la carga de 0.56k.
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8.-Para la red de la figura :

a) Determine las frecuencias de corte a bajas Flc, fls, fle.
b) Calcule la ganancia de voltaje de banda media
c) Determine las frecuencias de corte a altas fh1 y fHo.
d) Dibuje una grafica aproximada de Av =Vo/Vi en una hoja logarítmica.
Cw1= 8pF Cw2= 4pF Cbc=2 pF Cce= 5 pF Cbe= 30 pF
9.-a)Determine las frecuencias de corte a bajas para el amplificador de dos etapas de la

figura.
b)Determine las frecuencias de corte a altass en la red (f=5 MHz).
c) Calcule la ganacia de voltaje de banda media y realice un dibujo aproximado de
Av=Vo/Vi frente a la frecuencia.
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10.- Calcule la ganancia a frecuencias medias en una etapa de un amplificador FET como
el de la figura con los v alores: gm= 6000mhos , rd= 50 k(Q1 y Q2) ; Rd1=Rd2=
10k; Rg1=RG2=1 M , Cs=10FF, Rs= 1 k, Cc=0.1F, Cgs=Cgd=4pF, Cw=7pF.
11.- Para la red de la figura:

a) Calcule las frecuencias de corte de alta y baja según se determinen mediante los
valores de capacitancia proporcionados Use Vcc = 20 V rb=0
b) ¿Qué valor de Ci dará lugar a la frecuencia de corte baja de 10 Hz?
c) Determine Vo a la frecuencia de corte alta. Si gm =2mS
SCHILLING
12.- a)Hallar Ai= IL/Ii.
b)Hallar la excursion simétrica máxima en IL.
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13.- a) Hallar R11, R21, R12, R22 para que Vl alcance la máxima amplitud.
b)Hallar VL/ii
14.- a) Hallar R de modo que Vo1/ii= -Vo2/ii

b) Hallar Vo1/ii
Hie= 1 k
Hfe= 100
15.- La existencia de transistores npn y pnp proporciona muchas e interesantes

posibilidades para los transistores de corriente continua en cascodo.
Calcular la ganancia para seal debil del amplificador de la figura:
16.- a) Hallar las condiciones de reposo del circuito de la figura hfe1=hfe2=100.
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b)Calcular VL/T
17 .-Hallar iL en función de las señales de modo común y diferencial.
18.- Hallar el circuito equivalente híbrido (hi, ho, y g) de la conexión compuesta de

transistores de la figura . Utilícese el circuito de simplificado híbrido para cada uno de
los transistores , pero supóngase que los parámetros no son idénticos.
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19.- Repítase el problema 18 para la conexión en paralelo de la figura . Supóngase

transistores idénticos y coméntese las posibles ventajas de éste circuito.
20.- Repítase el problema 19 para la conexíon en serie de la figura . Supóngase hoe=0
21.- a) Hallar las condiciones de reposo de todo el circuito

b) Hallar Ai= iL/ii
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22.- Hallar:
a) Las condiciones de reposo
b) Vl/ii
c) Zi
d) Zo
23.- a) Hallar R1. R2, Rc, Re, Rb y RL para obtener una excrusión máxima de VL y una
ganancia máxima de Vl/ii
b) Calcular VL/ii
24.- Los dos FET tienen valores idénticos de gm, , rds .Calcular:
a) iL como función de V1, y V2.
b) Vo1, Vo2 y Vo3
c) LA resistencia de salida considerada desde la terminales S2 y S´2.
Etn503
25.- T1 y T2 son idénticos:

a) Hallar Vd2 en función de v1 y v2
b) ¿La relación de rechazo de modo común será menor para el amplificador
diferencial con FET que para el amplificador diferencial con transistores? ¿Por
qué ¿
26.- Utilizando el JFET y el transistor de la figura puede construirse un amplificador

Darlington
a) Determinar Lif, y Zof
b) Obtener una expresión para la ganancia V/vi
27.- Los transistores T1, T2, T3 forman un amplificador diferencial . El JFET es un

amplificador Darlington utilizado para producir una impedancia de entrada elevada.
a) Si la resistencia considerada desde el colector de T3 es infinita , calcular Zi
b) Calcular VL/Vi
Etn503
28.- a) Hallar R1 y r2 para obtener una amplitud simétrica máxima )

c) Determinar Ce de modo que la frecuencia inferior de corte se alle en el punto w= 10
rad/s
29.- Hallar Cc1 de modo que la frecuencia inferior de corte sea f= 10 Hz Trazar VL/Vi )
(Representación asintótica).
30.- Hallar la función de transferencia Vl/Ii. Trazar las asíntotas de la magnitud y fase.
31.- Hallar Cc1 de modo que la frecuencia inferior de corte para w= 5 rad/s.
Etn503
32.- a) Hallar Cc1 y Cc2 para obtener un doble polo de Av=vl/vi para 5 rad/s.
Cual es la frecuenci inferior de corte.
b)Hallar nuevos valores de Cc1= Cc2 de modo que la frecuencia inferior de corte
sea de 5 rad/s.
33.- Trazar Ai( en corte magnitud y fase) y hallar la frecuencia inferior de corte.
34.- a) Hallar Av
b) Hallar Av si el condensador de desacoplamiento de surtidor se conecta en
paralelo con las dos resistencias de 250  . Compárese el resultado con el de
a)
35.- En el transistor de la figura w T= 10e9 rad/s , hfe = 100 ,Cbć= 5 pF, rbb´= 0, y Ieq=
10 mA
Hallar :
a) Aim= iL/ii para la banda media.
Etn503
b) La frecuencia superior de corte fh.
36.- En el transistor de la figura , wt= 10e9 rad/s , Cob= 6 pF, rbb´= 0, Ieq= 1 mA y
hfe=20 . Hallar la ganancia de la banda media y la frecuencia superior de corte.
37.- Hallar la ganancia de corriente para la banda media y la frecuencia superior de corte
para el amplificador en cascada de la figura. Supongase que los transistores tienen las
características dadas en el problema 36.
38.- En el transistor de la figura rbb´= 20  rbé= 1 k , Cbé= 1000 pF , Cbć= 10 pF, y

gm =0.05 S.Hallar y trazar la característica asintótica de ganancia de tensión.
Etn503
39.- En el seguidor de surtidor de la figura trazar:

a) El módulo de Zi en función de w.
b) El módulo de Zo en función de w.
c) El módulo de Av= en función de w.
40.- Calcular y graficar el módulo de Yo para el seguidor de surtidor de la figura.
41.- En el triodo de la figura  = 20 rp=10 k, Cgk= 10pF, Cgp= 5pF y Cpk= 5 pF.
a) Hallar las respuestas para las altas frecuencias , suponiendo que la
impedancia de Miller es una capacitancia pura.
b) Repetir a) sin suponer la impedancia de Miller como capacidad pura.
42.- En los transistores de la figura rbé= 1 k , Cbé= 1000 pF , Cbć= 10 pF y gm= 0.05S.
Determinar el producto ganancia-anchura de banda para cada configuración.
43.- Los transistores de la figura son idénticos a los del problema 42 . Hallar el producto
ganancia-anchura de banda del
par en cascada.
Etn503
Amplificadores Realimentados
1. Si la ganancia de un amplificador cambia a partir de un valor de 1000 en 10%,

calcule el cambio en la ganancia si en el amplificador se emplea un circuito de
realimentación en el que  = -1 / 20.
2. Calcule la ganancia con y sin realimentación en un amplificador FET, con conexión

de realimentación de corriente en serie, para los valores de circuito R1 = 800 k, R2
= 200 k, R0 = 40 k, RD = 8 k y gm = 5000 s.
3. En un circuito amplificador BJT con realimentación de corriente en serie, calcule la

ganancia y la impedancia de entrada y salida del circuito con y sin realimentación,
con los siguientes valores: RB = 600 k, RE = 1.2 k, RC = 4.7 k y  = 75. Use
VCC = 16 v.
4.
(a)
Calcular la ganancia de bucle. Supóngase hob = 0.

(b) Calcular la ganancia de tensión vL / vi.
Etn503
hob 1,2 = 0 ; hib 1 = 20  ; hie 2 =1 k ; hfe 1,2 = 40
5. (a) Calcular la ganancia de bucle.

(b) Calcular la ganancia de corriente iL / ii.
hie 2 =1 k ; hfe 1,2 = 40
6. Calcular:
Etn503
(a) La ganancia de bucle.

(b) La impedancia de entrada y salida.
(c) La ganancia VL / ii.
hfe = 50 ; hib =50
7. (a) Calcular la ganancia de bucle.

(b) Calcular Zef.
(c) Calcular la ganancia de tensión.
(d) Si se conecta a los terminales de salida un resistor de carga RL, calcular VL en
función de RL.
hib 1 = 10  ; hfe = 20 ; todas las C
Etn503
8. Calcular:
(c) La ganancia iL / ii.
hfe = 100 ; hib = 10
9. Calcular:
hob = 0 ; hib = 10 ; hef = 40
Etn503
10. Utilizando la figura anterior, calcular:

(a) La ganancia de tensión.
(b) VL en función de RL , cuando esta a la salida.
11. Calcular:
(c) La ganancia VL / Vi.
hfe = 50 ; hib =50
Etn503
12. Calcular:
(c) La ganancia VL / Vi.
hfe = 50 ; hib =25
13. (a) Hallar VC / Vi(calcular T) y la impedancia del colector.

(b) Hallar Ve / Vi(calcular T) y la impedancia del emisor.
hie = 0
Etn503
14. (a) Hallar VC / Vi(calcular T) y la impedancia del colector.

(b) Hallar Ve / Vi(calcular T) y la impedancia del emisor.
hie1 = 0 ; hfe1 = hfe2
15. El amplificador del circuito integrado representado se utiliza como amplificador con
control automático de volumen controlando VB. Calcular y trazar VL / Vi en función
de VB (para valores positivos y negativos).
hfe = 40
Etn503
16. El amplificador representado puede utilizarse como amplificador con control

automático de volumen controlando la corriente contínua de base de T1.
Trazar VL / Vi en función de ICAv .
hfe = 40
Etn503
17. El circuito de la figura es un atenuador controlado por corriente utilizado a menudo

en los amplificadores con control automático de volumen. Calcular iL / ii en función
de ICAv .
18. En el circuito control automático de volumen representado, hallar:

(a) Los puntos de reposo de T1, T2, T3.
(b) La impedancia dinámica de D1, D2, D3, D4.
(c) La ganancia ICav / iL (valor de cresta).
(d) El circuito equivalente para señal débil.
(e) La ganancia iL / ii del amplificador con control automático de volumen.
hfe=100
Etn503
Amplificadores de Potencia
1. Para el amplificador en cascada de la figura con FET, cuyas especificaciones son

IDSS=12mA, Vp=-3V e yos=25ms,calcule la impedancia de entrada (Zi) y la
impedancia de salida(Zo) del circuito.
2. Calcule la ganancia de voltaje para cada una de las etapas y la ganancia de voltaje
de ca total, para el circuito amplificador en cascada de BJT de la figura.
Etn503
3. Para el circuito de la figura, calcule la ganancia del amplificador.
Etn503
4. Para el circuito con par de realimentación de la figura, calcule los valores de

polarización de cd para VB1, VC2 e IC.
5. Calcule el voltaje de ca de salida para el circuito de la figura anterior.

6. Determine cuales transistores se encuentran apagados y cuales encendidos en el
circuito de la figura, para una entrada de:
(a) V1=0V, V2=0v.
(b) V1=+5V, V2=+5v.
(c) V1=0V, V2=+5v.
Etn503
7. Calcule al corriente a través de la carga de 2k, en el circuito de la figura.
8. Calcule la corriente I en el circuito de la figura.
Etn503
9. En el circuito de la figura, calcular:

(a) La potencia máxima disipada en la carga.
(b) La potencia total suministrada por la fuente de alimentación Vcc.
(c) La potencia disipada en el colector.
(d) El rendimiento.
10. En el circuito anterior, el transistor tiene 200 <  <60. obtener nuevos valores de R1
y R2 que permitan hallar la potencia máxima disipada por la carga. Resolver de
nuevo el anterior problema para los nuevos valores.
Etn503
11. Determinar los valores constantes del transistor para funcionamiento en clase A. La
potencia máxima requerida es de 2W. Despreciar Re y las pérdidas en el circuito de
polarización.
(a) Hallar Pcc suponiendo que el amplificador se ha calculado para obtener el

rendimiento máximo.
(b) Hallar ICQ.
(c) Determinar iC, máx, VCE, máx y PC, máx.
(d) Si RL = 6.25, hallar la relación del número de espiras N.
12. Repetir el anterior problema, suponiendo VCE, sat = 1 V. Inclúyase el efecto de las
pérdidas en el circuito emisor y de polarización. Supóngase Re = 1 y R1 = 10.
13. Hallar N de modo que en la carga pueda disiparse la potencia máxima. Calcular
PL,máx, PC,máx y PCC. Téngase en cuenta el efecto de las perdidas en el circuito de
polarización y emisor.
Etn503
14. En el amplificador push-pull clase B, calcular los valores máximos de i C, iL, VCE, PL,
PC y PCC. Trácense curvas de PL, PC y PCC en función de iOmplificador push-pull
clase B. La fuente de alimentación es de 9 V. Los transistores a utilizar tienen
VCE,sat= 1 V. Determinar el valor adecuado de N, y hallar Pcc y Pc cuando en la
carga se disipan 500mW.
15. El amplificador push-pull clase A. La corriente de reposo es I CQ. Tomando

Vcc=2N2RLICQ. Hallar las expresiones de
(a) Pcc.
(b) PL.
(c) PC.
(d) .
(e) Trácense estos términos en función de la corriente de cresta de colector Icm.
(f) Calcular el factor de mérito Pc,máx / PL,máx.
Etn503
16. El amplificador push-pull de la figura anterior clase A. Si Vcc = 20 V, R L = 100,

Pc,máx de cada transistor es igual a 4 W, BVCE0 = 40 V. Hallar las expresiones de
(a) ICQ para la disipación máxima de potencia en la carga.
(b) Pcc.
(c) PL.
(d) PC.
(e) .
(f) Calcular el factor de mérito Pc,máx / PL,máx.
17. En el amplificador simétrico complementario, hallar

(a) Calcular la potencia máxima disipada en la carga.
(b) Calcular la potencia máxima suministrada por las fuentes de alimentación
Vcc y –VEE.
(c) Calcular la potencia máxima disipada por cada transistor.
(d) trazar PL, PC y PCC en función de Icm en el margen 0 < Icm < 2 A.
Etn503
Amplificadores Operacionales
1. Calcule el voltaje de salida para el circuito de la figura para una entrada de

Vi=3.5mVrms.
2. Calcule el voltaje de salida para el circuito de la figura para una entrada de

Vi=150mVrms.
Etn503
3. Calcule el voltaje de salida en el circuito de la figura.
4. Ilustre al conexión de un amplificador operacional cuádruple LM124 como un

amplificador de tres etapas con ganancias de +15, -22 y –30. Haga uso de un
resistor de realimentación de 420 k para los tres circuitos. ¿Qué voltaje de salida
resultará para una entrada de Vi=80V?.
5. Muestre la conexión de dos etapas de A.O. haciendo uso de un CI LM358 para
proporcionar salidas de 15 y -30 veces mayores que la entrada. Emplee un resistor
de realimentación Rf=150k en todas las etapas.
6. Determine el voltaje de salida para el circuito de la figura.
Etn503
7. Determine el voltaje de salida para el circuito de la figura.
8. Muestre la conexión (incluyendo la información referente a las terminales) de una

etapa con el CI LM124 conectado como amplificador de ganancia unitaria.
9. Calcule la frecuencia de corte de un filtro pasabajos de primer orden en el circuito
de la figura.
10. Escriba un programa Pspice para calcular Vo en el circuito de la figura.
Etn503
11. Escriba un programa Pspice para graficar la respuesta del circuito de filtro
pasabandas en la figura.

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Diodos Ing.

GUIA DE EJERCICOS PROPUESTOS

3. Describa la diferencia entre los semiconductores tipo p y tipo n

5. Empleando la ecuación I  IS e KV/T - 1 , determine la corriente de diodo a 20 ºC para

el diodo de silicio con IS = 50A y una polarización directa aplicada de 0.6 V

6. Determine la resistencia dinámica (c.a.) del diodo de la figura a una corriente en

7. Dibuje la forma de onda correspondiente a i de la red la de figura si tt= 2ts y el

b) Empleando los resultados del inciso (a) determine el cambio de

9. Si cada diodo en la figura tiene un VT de 0.7 V y una IF de 30 mA. determine la

10. Determine V0 e ID para las redes de la figura

11. Determine V01 y V02 para la red de la figura

14. Dibuje v0 para la red de la figura y determine el voltaje de cd disponible

16. Para la red de la figura

b) Repita el inciso (a) si RL = 470 

19. Diseñe un regulador de voltaje que mantenga un voltaje de salida de 20 V en una

22. Determine T1 para un diodo varctor si C0 = 22pF, TCC = 0.02%C y C = 0.11 pF

24. La tensión de salida dada por

25. Repita el ejercicio 24 utilizando el filtro  de la figura

29. Calcular vL(t), utilizando la característica de la figura

30. Los diodos D1 y D2 son idénticos hallar vL

31. La característica vi de un diodo viene dada por

iD = 10-6   qv D 1.4 kT  1 donde T = 300 ºK

a) Obtener el circuito d Thevenin

a) Hallar ri de modo que VL se mantenga en valor de 18 V mientras

35. La tensión de una fuente de alimentación no regulada varía entre 20 y 25 V y la

a) Hallar ri de modo que el diodo regule continuamente

a) Trazar la característica vz iz para n = 4 y n = 10. Indicación iz / I0 en

tal que el valor absoluto de la diferencia máxima entre la función y su aproximación

39. Proyectar un circuito utilizando resistores y diodos ideales para construir la

40. Proyectar un circuito utilizando resistores y diodos ideales para construir la

41. Proyectar un circuito para resolver la ecuación diferencial no lineal

a) Calcular ri suponiendo VzT = 18 V y RZT  2 

1. Determine la región de operación para un transistor que tiene las características de la

2.- Considerando la figura determine lo siguiente:

3.-Calcule Vc en el circuito de la figura:

4.- Calcule Vce e Ic en el circuito de la figura

5.-Calcule el cambio porcentual de Vc en el circuito anterior si el transistor se sustituye por

7.- Para el circuito de la figura responda lo siguiente:

8.-Responda las siguientes preguntas en torno al circuito de la figura:

15.- Determine el voltaje de polarización de cd , Vd, en el circuito de la figura:

16- Para el circuito de la figura determine la corriente de drenaje.

19.- Determine el valor de VD para el circuito de la figura:

21.- Complete el diseño de la figura :

% de diferencia= Ib(sin hre) - Ib (con hre) x100%

% de diferencia = RL (sin 1/hoe) – RL (con 1/hoe) x 100%

% de cambio = hfe (Ic bajo) - hfe (Ic alto) x 100 %

25.- a) Para la red de la figura determine Zi,Zo, Av, y Ai .

26.- a) Determine Zi, Zo, Av, y Ai para la red de la figura.

. hfe = 100 ; hie = 3200

*29.- Para la configuración de base común de la figura :

*30.- Para la configuración de colector común con retroalimentación de la figura:

*34.- a) Hallar R1 y R2 de modo que ICQ= 10 mA

la excursón de las corrientes de colector y de carga en estas condiciones.

*37.- Hallar el punto de reposo y la excursión simétrica máxima de VL

*38.- a) Hallar Vbb de modo que VEQ=0

*40-´En el circuito de la figura hallar la variación de la corriente de reposo cuando 

*43.- En el circuito de la figura 50<<200,

*44.- Un Transistor de 50 W (cuya curva de reducción de potencia admitida se a

*45.- a) Trazar Av en función de ri para 0<ri< (RL=1 K).

*46.- En el circuito de la figura R1 = 10 k , R2=20 K, , R3= 100K, Vcc= 20 V, Re= 1

Hallar la resistencia para señal debil en ca.

b) Por encima del comportamiento JFET viene descrito por la ecuación