Sei sulla pagina 1di 83
f Introduzione all’analisi e progetto dei transistori bipolari Corso di Microelettronica A.A. 2000/2001 a Principio di funzionamento e modelli ele- mentari Iniziamo V'analisi del funzionamento del transistore bipolare considerando la. struttura estremamente semplificata mostrata in Fig. 1. In questa analisi preliminare faremo ricorso ad aleune ipotesi: 1. Drogaggi costanti. Questa ipotesi non @ evidentemente verificata nei dispositivi realizzati con tecnologia planare. 2. Processi di ricombinazione trascurabili nelle regioni neutre di emetti- tore, base, collettore. Questa ipotesi é verificata se, come spesso accade nei moderni dispositivi, lo spessore della regione neutra @ inferiore alla lunghezza di diffusione dei portatori minoritari. 3. Processi di ricombinazione trascurabili nelle regioni di svuotamento base-emettitore e base-collettore. Questa ipotesi é verificata ai medi o alti livelli di corrente, ma non per deboli polarizzazioni dirette o per polarizzazioni inverse. 4, Bassi livelli di iniezione nelle regioni neutre. Assumeremo che la concen- trazione dei portatori minoritari nelle regioni neutre di base, emettitore e collettore risulti molto minore della concentrazione dei portatori mag- gioritari (praticamente coincidente con la concentrazione di drogaggio). Inoltre, V'ipotesi di bassi livelli di iniezione consente di ritenere trascur- abili le cadute ohmiche relative alle regioni neutre ed ai contatti. 1 5. Spessore della regione neutra di base Wz indipendente dalla polarize zazione. Approssimeremo Wz al valore Wap relativo alla condizione di equilibrio termodinamico (Vs = 0, Vac = 0), trascurandone la dipendenza dalle tensioni applicate. Si consideri un dispositive npn (Fig. 1) in cui le giunzioni base-emettitore e base-collettore siano polarizzate direttamente (Vaz > 0, Vac > 0). Questo modo di funzionamento @ detto, come @ noto, condizione di saturazione, e consente di esaminare agevolmente le diverse componenti di corrente. La corrente di elettroni nella regione di base [,, @ una corrente di diffu- sione, ed @ data da’ Ing = GAD es = GAD ya 8! GAD g OBS Co) le We = ~ AD (<# - 1) - ( -)| = ~ 1((F-)-(7*-) 0 dove nao = n3,/Np @ la concentrazione di elettroni nella regione di base all’e- quilibrio termodinamico”, e Is = qAD,st.s0/W @ la corrente di saturazione inversa associata a J,5. Anziché considerare la corrente Ing si preferisce usual- mente definire una corrente Icr orientata dal collettore verso ’emettitore, e quindi pari a Jor = —Jpy. La correaté di lacune iniettata dalla base nel- Yemettitore risulta Tn base alle ipotest I e 4 la corrente di deriva dei minoritari pud ritenersi trascurabile. Si noti inoltre che, avendo trascurato i fenomeni di ricombinazione nella regione neutra di base, la corrente di elettroni risulta castante, come si deduce facilmente dallequazione di contimuita: 8n/Ot = 0 = -U + q10J,/62 => OJn/Oz = QU = qn’ [ras = 0 => Jn cost. Essendo Jn = gDndn/dr =cost, si vede che la concentrazione di elettroni presenta un andamento lineare. Analogamente si deduce che J, é costante nelle regioni neutre di emettitore e collettore. E anche utile osservare che nelle Fig. 1-4 il verso delle correnti Ipe; Ino, € Ize & concorde con il verso dell’asse x nelle regioni di emettitore, base, e collettore. 2Nel caso in cui gli effetti di drogaggio elevato risultino rilevanti ngo = n2./Nz = el Naess » dove peo = n2,/Nz = n2,/Neess Ja concentrazione di lacune nella regione di emettitore all’equilibrio termodinamico, ¢ Ips = ¢ADpeP 50/We @ la corrente di saturazione inversa associata a Ipe. Analogamente si ricava la corrente di lacune Ipe iniettata nel collettore = GAD p22 (e- 1) = Io (oF —1 @ We * dove poo = n2,/Ne @ la concentrazione di lacune nella regione di collettore allequilibrio tetmodinamico, e Ipo = GADpePoo/Wo. Adottando le conven- zioni per Iz, Ip e Ic mostrate in Fig. 1, le correnti ai terminali risultano Jp = Qoanenm gum exiemrs | eee ee eet lon () fe Teaewact alee he~loe 6) Te Te = Ion + Ipc (0) Si osservi come il flusso di lacune provenienti dal terminale di base con- senta di sostenere V'iniezione di lacune nelle regioni di emettitore e collettore. Una pit profonda comprensione del funzionamento del dispositive pud essere ottenuta dall’analisi delle distribuzioni dei portatori minoritari uti- lizzando un metodo di *sovrapposizione degli effetti”. In questo approccio le distribuzioni dei minoritari, ¢ le relative correnti, vengono ottenute dalla sovrapposizione di due soluzioni elementari relative al caso di polarizzazione *diretta” (Vaz #0, Vac = 0) ed inversa (Vac # 0, Vaz = 0). “ Polarizzazione “diretta” (Vee #0, Vac = 0). La Fig, 2a mostra la distribuzione di minoritari relativa a questo caso (per semplicita la figura si riferisce ad una polarizzazione diretta della ginnzione base-emettitore: Vaz > 0). Poiché Vac = 0, non vié iniezione di lacune della regione di collettore (p(z) = poo => p(x) = 0 => I, = 0). Inoltre, dalla legge della giunzione si ha n'(0g) = neo (exp(Vac/Vr) —1] = 0. Pertanto, la distribuzione di elettroni nella regione neutra di base é data da (05) (1 - 8) 10D (\-&), ®) dove n!(03) = n0 [exp (Vaz/Vr) ~ 1]. Dalla (1) si ricava facilmente la cor- rente di diffusione di elettroni, e quinidi le correnti di collettore ed emettitore: “Exo fe(E)-] Tor = ~Ine = —GADw step = Te=Ipe— ae = eg CSB) yn) of ovate Ine = Tie tra es (SEE) =| i) Si pud notare che la corrente di emettitore —Ig¢ coincide con la corrente Tp associata al diodo base-emettitore (v. Fig. 2a); la corrente di collettore Icp = —Insp coincide con la componente di Jp relativa alla regione di base, ¢ la corrente di base Ig coincide con la componente di Ip relativa alla regione di emettitore (Ipe)- Tl rapporto bl _ Is Telvscho, Tred (12) @ detto guadagno di corrente (diretto) ad emettitore comune,'mentre il rap- porto (a3) @ detto guadagno di corrente (diretto) ad base consune. I] circuito,equivalente che descrive il transistore in queste condizioni di-funzionamento @ mostrato in Fig. 2b. In conclusione, si pud osservare che per effetto delle polarizzazioni appli- cate si induce una corrente di diffusione nella regione ‘neutra di base Inyr (in quanto n(0$) > n(0g)). Gli elettroni che giungono al bordo della regione di caryica spaziale base-collettore vengono accelerati dal campo elettrico ivi presente, e sono trascinati nella regione di collettore (Fig. 2c). La corrent di collettore @ quindi costituita dalla corrente dei portatori minoritari in base. Questa corrente di elettroni deve essere naturalmente alimentata dal terminale di emettitore come mostrato in Fig. 2c. Inoltre, la polarizzazione diretta della giunzione base-emettitoze provoca un’iniezione di lacune nel- Vemettitore. La corrente di diffusione [pe @ alimentata dalle lacune proveni- enti dal contatto di base. Se i fenomeni di ricombinazione sono trascurabili nella regione neutra di emettitore, *tutte” le lacune iniettate nella regione di emettitore giungono in prossimita del contatto dove si ricombinano con glielettroni. Pertanto, la corrente di emettitore deve sostenere sia l'iniezione di elettroni nella regione di base, sia la ricombinazione degli elettroni in prossimita del contatto di emettitore. 4 Polarizzazione "inversa” (Vac # 0, Vaz = 0). La Fig, 3a mostra Ja distribuzione di minoritari relativa a quésto caso (assumendo una polariz~ zazione diretta della giunzione base-collettore: Vac > 0), che evidentemente @ del tutto simmetrico al modo diretto di cui sopra. Pdiché Vag = 0, non vi é iniezione di lacune#Mella regione di emettitore (p(x) = peo => p(z) = 0 => Tpe = 0). Dalla legge della giunzione si ha n!(0£) = mao [xp (Vae/Vr) - 1] = 0, e la-distribuzione di elettroni nella regione neutra di base @ data da a ie a4) mala) = ni(0. essendo n!(0g) = naolexp (Vac/Vr) — 1]. Le correnti di collettore, base ed emettitore “inverse” risultano Ter? = (15) Tor = (16) Isr = a7) La corrente di collettore Icr coincide con la corrente Ip associata al diodo base-collettore (v. Fig. 3a); la corrente di emettitore Iga coincide con la componente di Ip relativa alla regione di base (npr), € la corrente di base Inn coincide con la componente di Ip relativa alla regione di collettore (Ipe)- Tl rapporto Ip Ig = = = =k 18) Pa Tee Bligeo” Tee as) & detto guadagno di corrente (inverso) ad emettitore comune, mentre il Tapporto I, I; I. fer __ Is -_ts_ Pa (a9) oR Io\vpgen Ipc ts 1+3p 8 detto guadagno di corrente (inverso) ad base comune. I] circuito equivalente che descrive il transistore in queste condizioni di funzionamento & mostrato in Fig. 3b. Caso generale (Vac # 0, Vee # 0). La Fig. 4a mostra la distribuzione di minoritari relativa a questo caso (assumendo per semplicita una polar- izzazione diretta per entrambe le giunzioni: Vaz > 0, Vac > 0). La dis- tribuzione dei minoritari e le relative correnti possono essere semiplicemente ottenute dalla sovrapposizione delle soluzioni "diretta” ed "inversa”. La con- centrazione di elettroni (in eccesso) nella regione di base é quindi data da’: ni(c nip(z) + ip(z) (20) Le correnti ai terminali risultano (Etuwon > FBE#S- reat) Ip = Tep+Ior=—Ir+Ter= = —Ips [ee () -| 41s [esp () -]= (21) ~ wae foe) a Io = lor + aa -In= = , = Is [= CE Ve ) “ —Ies [ew (ee (23) ~ 1-5 [em E) «] % tn, = eon (E) -- (E)) ” Vee Is Veco t= tse on) + ow) dove Ins = Is + Ipeo = Is + Is/Bp @ la corrente di saturazione inversa associata al diodo basé-emettitore, e os = Is + Ino = Is + Is/Bp @ la cor rente di saturazione inversa associata al diodo base-collettore. La corrente Tor = Ins rappresenta la corrente di elettroni nella regione di base. La rap- presentazione circuitale di queste equazioni é mostrata in Fig. 4b. Le correnti di saturazione inversa Is € Ipe9 = Is/8p possono essere ottenute sperimen- talmente dal ”Gummel plot”, ovvero riportando in scala semi-logaritmica la 3 evidente che sen’; e n'z sono soluzioni dell’equazione della diffusione dn! /dz* ni/LRy © 0, anche nf nip + nlp @ soluzione di tale equazione. Inoltre, @ immediato verificare che n! = n/p + n’g Soddisfa alle condizioni al contorno imposte dalla legge dell giunzione in Of ¢ 05. corrente di collettore ¢ la corrente di base in funzione della tensione Vee (con Vgc = 0), come mostrato in Fig. 5. Come si vede, il valore di Is © Ineo = Is/Bp @ ottenuto dall’estrapolazione delle curve relative a Ic e Tp nella regione di medie correnti (regione II), in cui entrambe le correnti mostrano una dipendenza “ideale” « exp(Vsz/Vr). Da un grafico analogo si pud estrarre Sp. ud essere completato fel secondo ordine fin Il modello statico del primo ordine cosi_ottenut« in modo da meludere qui trascurati. fl Correnti di ricombinazione-generazione nelle regioni di svuotamento = (1 /7e¢1 3) Le componenti di corrente relative ai processi di generazione-ricombinazione nelle regioni di svuotamento base-emettitore (Ip) e base-collettore (Tac) devono essere aggiunte alle componenti ideali che definiscono le correnti Ip e Ip, rispettivamente associate ai diodi base-emettitore e base-collettore’: Trait, Ine ~ Jnoz E08) (27) Thea Ive + Inv + Tac (28) dove Ir < 0 ¢ Inn > 0, ¢ inoltre = Vee Jas = Isp [es (#4) _ | (29) = Vee) _ be = telw(S)-} essendo ng € ne i fattori di idealita associati a Ige ¢ Inc. I valori dei parametri Isp, Iso, Tur, No possono essere ricavati dal Gummel plot (diretto ed inverso). Ad esempio il parametro ng pud essere estratto dalla pendenza della curva relativa a Ig nella regione I (basse correnti), mentre la corrente di saturazione Isz pud essere estratta dall’estrapolazione di tale curva (v. Fig. 5). Dallanalisi del grafico di Gummel diretto in Fig. 5 @ facile ricavare Tome noto dalla teoria delle giunzioni pn, tali correnti sono definite dalle relazioni Tap = 9A [05 Ude, ¢ Inc = 9A Igo Vee Yandamento del guadagno di corrente ad emettitore comune hy mostrato in Fig. 6. B possibile osservare il crollo del guadagno nelle regioni di basse (0 e alte (III) correnti. Le correnti ai terminali valgono Ig = —Ipt+Ier=_ (31) = —Ies [ew () -1] -Ise [esp (22) - | +Is [ew () 5 | To = Iop-In= (82) Ig = lexp = lexp f Ip Ip Vee Vac I 14/1; - +Ise [ee (ai so jexe (7) — (33) facile verificare che le componenti di generazione-ricombinazione pos- sono essere rappresentate dai diodi "non ideali” mostrati in Fig. 7. & Capacita di giunzione La regione di svuotamento relativa giunzione base-emettitore rappresenta un dipolo di cariche, Nel caso di giunzione a gradino, la carica associata alla regione p della regione di svuotamento @ pari a Que = —GANBWpe (34) essendo (35) Fampiezza dello svuotamento dal lato p (Wye =e ~ tye). Variazioni della tensione Vag inducono variazioni della carica Qze, ¢ quindi una corrente capacitiva. Nella Fig. 8 viene mostrata la variazione del bordo della regione di svuotamento base-emettitore ze relativo ad una tensione Vag > 0 rispetto al valore pp relativo a Vag = 0. Come @ noto, la capacita di giunzione Age Wyeo = dQpe/dVpp = Ac/Wee pud essere espressa da Cie (a Vas. Ces 9) dove Cjgo rappresenta il valore di Cjz per Vaz = 0, ed il coefficiente my dipende dal profilo di drogaggio della giunzione base-emettitore e val caso di giunzione a gradino e 1/3 nel caso di giunzione a gradiente lineare." I parametri Cjzo, mz, ed il'potenziale di barriera Vise possono essere ri-* cavati sperimentaimente dall’analisi della dipendenza di C;z-dalla tensione Veg. Per polarizzazioni dirette della giunzione base-emettitore (Vaz > 0). il modello di giunzione graduale descrive pid accuratamente la capacité di giunzione rispetto al modello di giunzione a gradino. ‘Analogamente, nel caso di giunzione a gradino, la carica associata alla giunzione base-collettore risulta Qac = —gANBWpci (37) essendo 2 Vieso — Vac 2 7 38) @ Ng (1+ Ne/Ne) (98) Lampiezza dello svuotamento dal lato p (Wee = "20 ~ ta). La capacita di giunzione Cid: = dQc/dVac-= Ae/Wac pud essere espressa da ' a . Wie = (39) Nel caso di polarizzazioni dirette delle’ giunzioni le equazioni precedenti presentano una singolarita per Vie — Virps e Vac > Viwzc. Questo compor- tamento anomalo @ dovuto al fatto che le (36) e (39) sono basate sull’' approssi- mazione di svuotamento. Per evitare la singolarita il modello SPICE della capacita di giunzione approssima la capacita tramite una linearizzazione delle (36) e (39) per Vez > FCVune e Vac > PCVinc, dove FC @ un parametro del modello (per default pari a 1/2). © Le capacita di giunzione sono mostrate nel circuito equivalente di Fig. 9. 9 a Gre = Caco (4s Me vee. Wee Caer ©. Ay \ ane ‘eee ) FER DECAMT — Te etle 2 433 x Capacita di diffusione Variazioni delle tensioni Vag ¢ Vac inducono variazioni delle cariche minori- tarie immagazzinate nelle regioni di emettitore (Qpe), base (Qne) € collettore (Qpe), € quindi danno luogo a correnti capacitive. Nel modo diretto di funzionamento (Vag > 0, Vac = 0), si ha Qpe = 9, e la carica minoritaria associata alla giunzione basé-emettitore @ data da Qr=Qye + nies dove — plea pel (1%) Wa < A A % Qe = 9A fi (p'(2)dz = FaWep'(Og) = 54Wepen (“* = 1) (40) W eo Au, A Ye Gar = 04 [” delalio = Satvon(os) = Satvonen (c# —1}4 Sermo) La capacita differenziale di diffusione totale associata alla giunzione base- emettitore é definita da Cpe = dQr/dVar..Cpg pud essere facilmente rica~ vata derivando le espressioni di Qye, @ Qnur- Un'espressione equivalente di Core @Q, ep _ dQp dep Mee Oe MCF _ anh 49) Ver dior dVse"°"* () dove la transconduttanza differenzialé diretta @ data da b dior _ 4 ‘ge Is “BE 2 Ip(e'@ <1) = Be ote as Im Wen Wow 8 ern + ie (48) Coe dQr- WR, Wii = = 44) dice 2Dys'* Bye Be ~ a dove Tyr @ detto tempo di transito in basé” (diretto), e pud essere ottenuto facilmente dalle espressioni di Qnsr ¢ Icr: a Fappresenta il tempo medio impiegato dagli elettroni per attra versare la regione di base, si pud esprimere la corrente di elettroni come [Juve] = Tor = qAnpp, dove vq rappresenta la velocita degli elettroni. Il tempo necessario per attraver- sare Ia regione di base @ dato da [°e Wa gAnrdz Qnbr bm Jee lor 10 Wa Dr Jor. e dato da Tg @ detto tempo di ritardo dell’emettitore, Qpi Ipc’ _ Qype 1 _ WB Qre Tye’ _ Qpe 1 _ We 1 45) Tre Tor” Tye Bp 2D Bp 6) Analogamente la capacita differenziale di diffusione Cp¢ associata alla giunzione base-collettore pud essere espressa da una relazione simile dQe _ Wao ~ TRIN Cpe (48) dove la transconduttanza differenziale inversa é data da dex BME, a a - 2 Wa, We Woo 7 Ve , oer Mee Ue (47) Dua rch e Tp rappresenta il tempo di transito inverso. In conclusione, per descrivere le capacita differenziali di diffusione occorrono die parametri aggiuntivi: 7 erp. La rappresentazione circuitale delle capacita di diffusione @ mostrata in Fig. 9. Si vede come la capacita totale relativa alla giunzione base-emettitore sia data dalla somina di Cpg e Cz. Si noti che la capacita complessiva_base- collettore Coc + Cyc sia suddivisa, nelle componenti Case Coy (cfr. Par.8). § Effetto Early (Trees 5) Nella trattazione del paragrafo 1 abbiamo trascurato la dipendenza dello spessore della regione neutra di base Wz dalle tensioni Var e Vac (effetto Early) dovute alle variazioni degli svuctamenti W,s(Vee) e Wyc(Vac)- Lo . spessore della base neutra @ dato da Wa(Vae,Vec) = tc(Vac) — 2e(Vbe) (48) a Gmk d . Fig. 8) arent ETRE R es em OF EERETTOLE ove (v. Fig. 8) OE ene apna uanned of wormeensd BE Z - te(Vas) = Gd+Wpe Vac) en (49) z0(Vec) = (tie WeeVec) (60) 11 Geisha ast fytentamsear URE rappresentano i bordi della regione neutra di bae. Il valore di Wp pud essere approssimativamente valutato dallo sviluppo in serie di Taylor considerando solo i termini del primo ordi —_——_ Wa(Vee,Vec) ~ Vac = PY BVac|Yee-e Weel ys Weclypen °° © dove Wao = Wa(Vae = 0,Vac"= 0) = 26(Vac = 0) ~ te(Vaz = 8) = 200 ~ Zao tappresenta lo spessore di base a polarizzazione nulla. Poiché pér una variazione dVpg nell’intorno di Vag = 0 risulta—gANsdWye = dQak ~ Cye(Vee = 0)dVap, e analogamente —gANgdWye = dQac ~ Cic(Vac 5 “ Wee & Mp £288 O)aVac, possiamo serivete ay AMP = - Ne Ease Gs ; Wa(Vee,Vac) = Wao'+ Wao" Vae + Wap Vee ; 0 = Wo ( #) (52) dove Qay = GANpWeo. Il termine[Var = Qpo/Cya} prende il’ nome di tensione di Barly direita, mentre il te Oa rappresenta la tensione di Early inversa. Le tensioni di Early sono dell'ordine di diverse decine di volt. Si noti che se il transistore @ polarizzato in regione attiva diretta (Vee > 0, Vac < 0), con Vep = —Veo >> Vos, si ha We ~ Wao (t — ¥en) < Woo: In altri termini la variazione di Wye (e quindi di Wa) indotta dalla tensione diretta Vag @ trascurabile rispetto alla variazione di W,c indotta dalla tensione inversa Vos. Per includere l'effetto Early nella trattazione del paragrafo 1, occorre sostituire la precedente espressione di Wp nellespressione di Is: = GADunBo Lh _(gADuwnzo BO 2 We dove Iss rappresenta il valore di'Is per Vaz = Tor diventa I. Yen % Ter = Type IG oF 1) = (# = )] (54) Van” Var 12 “te Seo Bas Nel caso di polarizzazione in regione attiva diretta (Veg > 0, Vac = —Vep <0), Vespressione di lor si semplifica come segue Mee ; : on Tor ™ pglShogce Hx Iss (: a) eff = 1¢(0) Oe Var Eee) ‘ (55) dove Io(0) = Ic(Vec =.0). Questa equazione ammette la semplice inter- pretazione grafica mostrata in Fig. 10a.. L’intercetta di una-caratteristica a Vag=cost con Passe delle tensioni Vog @ data da Vor = Vee + Von = Vee — Var = —Vip. Poiché Var >> Vae, Vintercetta delle caratteristich® per diversi valori di Vge pud essere approssimata con Var, come mostrato in Fig. 105. L'incremento della corrente di collettore con la tensione di con- tropolarizzazione Veg @ evidentemente dovuto all’aumento della pendenza della distribuzione di elettroni nella regione di base (Fig. 11). ‘Oceorre notare che il parametro fp che descrive la componente Ipe della corrente di base non viene alterato dall’effetto Early (infatti J,. non risente delle variazioni dello spessore di base). Del resto, 8 rappresenta il guadagno di corrente per Vac = ler Iss Bp = SE eeeeey 56 P= Teelvpouo ” Toe (56) Analogamente, il guadagno inverso @ dato da By = Iss/Ipeo. In conclusione, il funzionamento statico é descritto dai parametri Iss, Bp, Bry Var, Van, € dai 4 parametri che descrivono le compénenti di generazione- ricombinazione. { & Modello di Gummel e Poon (tore: 1) ‘Le espressioni per le correnti statiche ricavate nei paragrafi precedenti fanno riferimento ad una struttura a drogaggi costanti-polarizzata in bassi livel {nieione. T transistori realizzati con tecnologia planare presentano prohli di EFogaggio Hon uniforme. Inoltre, Tipotesi di bassi Hvelli di iniecione nisulks Fequentemente violata®. La Fig. 12 mostra la condizione di alta iniezioné ~ per un transistore planare a drogaggi variabili, e per un transistore a drogaggi Ad esempio, per pilotare elevati carichi capacitivi pud essere necessaria un'elevata. corrente di collettore, ed il dispositive pud in tal caso trovarsi in condizioni di alti livelli i iniezione. 13 i) my TernO mye Mae costanti. I] modello di Gumiel e Poon (1970) descrive in maniera compatta dispositivia_drogaggio non uniforme in condizioni di iniezione arbitrarie. Tl programma di simulazione circuitale SPICE utilizza il modello GP “per descrivere il transistore bipolare. Il circuito equivalente relativo al modello GP @ ancora quello mostrato in Fig. 9. La differenza fondamentale rispetto alla trattazione precedente consiste nella descrizione della corrente Jer. Consideriamo le equazioni delle correnti, (vgcer Base) oe ae : owe “(ho dpBEL— Dyas (87) nee a Jn = OblynB + Din Se (68) Ricavando il campo elettrico dall’equazione di J, e sostituendo il risultato nell’equazione di Jn si ottiene © s(t: une) = wn (22+) = os (oz rede | HPI pdc dx * ok qDny a Bde P" Poiché hrg ~ Inf Jp, si vede che il secondo termine a primo, > ffaembro @ trascurabile se ,7/Hpp << hye. Ai bassi livelli di iniezione (a<<-p), 4 precedente disuguaglianza é-certamente verificata. Agli alti livelli (n >> Na = p= n+Na& n) @ verificata se risulta hrs >> fin/H4;- Moltiplicando ambo i membri per p/qDnty si ha d P. Een = won, (yun ee) Ritenendo trascurabili i processi di riconibinazione (= Jn =cost), ed integrando tra xp e Zc, si ottiene 20 Jp - = LP ag me prlsg ~ Paley f qDus In [ ro pp Jr [ ee ~ 2 P Lax iz q Jag Drv qDrv/Jon an dove Das rappresenta un valore medio per la diffusivita. Osservando ch pnl., = nd,exp (Vpe/Vr) e pnl,,, = nj, exp (Vac/Vr), la corrente Tor = (59) Tin questa trattazione trascuriamo gli effetti di elevato drogaggio, analizzati pid avanti. Pertanto nella legge dell'azione di massa, e nella legge della giunzione, compare nj, anziché 4 Ke eer BUlirom’ een Dace In = ~AJn 2 data da ler =Is [(c#* -1)- (4 | (60) Bind el gADaynig (61) dove Osserviamo che essendo I, = In? + Inn, risulta evidentemente Ine = —Is {exp (Vez/Vr).— 1), € Ing = Is {exp (Vac/Vr) = 1). Dall’equazione di neutralita all'equilibrio termodinamico, pp = no + Nz, ed in condizioni di polarizzazione, p = n-+Np, si trae p’ = p—py % N—Ng = 7's La carica associata alle lacune nella regione di base Qg pud essere scritta come > Qe 4 aA * pdac= 0A [wrote +04 f pote Bs = ~ GA { ride +A [ Node = Qn+ Qo Detti zz € co i valori di zg e xc a polarizzazione nulla (Vez = Vac = 0), posto a a Qa “24 [” Node, (62) siha . peo ie qADani,\gA fr Ned Qz0 Ig -f $ADain OA apg 2S 15,988 JE Nodal oA [ade °° Qe dove eh " = Om , & 4 * aADrant, un & Iss = age ao Ga. EE “oo Nedz La carica Q'gp dipende dalle tensioni Vag e Vac, € pud essere approssi- mativamente espressa dallo sviluppo in serie di Taylor arrestato al primo ordine: . 22 Qp0(Vae, Vac) = Q'x0(0, 0) + , Vz Vi = Qpo + CyeqVae + CiceVec +yet ¥) (66) dove per Vac = 0, dQ'g9 = dQne ~ Cjx(Vae = 0)dV5e,e analdgamente per Veo = 0 dQlpo = deo = Osc(Vac = 0)aNy, a Posto g = Qp/Qzo; siha lor = a|(e - 1}r Ga 7 I = {neh Inn ot : Applicando il metodo della sovrapposizione si ha n! = njp + nig, da cui (67) 6 ach eo Qn = Qur-+Qun= 04 f nide—aA [neta aA fo nate = = tor [noel + Tonlnoe = 2S (“# = 9) + Tonle C Qnr/ \Far| © inverso Tox = ca % ‘26/Var, & avendo definito il texmpo di transito dirétto Tor Qur/ Tan. Posto a = Qp/Qze0 = 1+ Ver/Var (er sjerge ea) RE = G5 -@ Hate (68) siha % B=ntS 7 4 % . La soluzione di questa equazione & hn ge =2(14,/144%. 69) * 2( a) ‘Avendo espresso 4% in funzione delle tensioni applicate, la corrente Jor pud essere facilmente caleolata dalla (67). ‘Analizziamo la soluzione ottenuta per il caso di funzionamento diretto (Vor = 0): 1 = Qp/Qa0 = 1+ Ven/Var ~ 1, lor = Icr, % = Terlss [exp (Voe/Vr) — 1] /Qao. Per bassi livelli di iniezione (ie. per bassi valori di Veg e quindi di’ q) si ha @ << q (il che equivale a Qn, << Qa, come era lecito aspettarsi), ovvero 5 ~ 4x ~ 1, ¢ quindi dalla (67) To(bassi livelli) ~ Ise (70) 16 ‘Ad alti livelli di iniezione si ha gz: >> qi (ovvero Qn >> Qzo), da cui % ~ VG. La corrente di collettore agii alti livelli é quindi data da Tor (alti livelli) (71) Si vede quindi che ai bassi livelli Icr « exp(Vex/Vr), mentre aglt alti livelli Jor oc exp (Vae/2Vr) (v. Fig. 13). Lavcorrénte di base (in polariz- zazione diretta) Ipp dipehde da Vgg secondo la legge Ipp x exp (Vaz/neVr) ai bassi livelli di dorrente (Ip ~ Igz), mentre Ipp x exp(Vge/Vr) ai medi ed alti livelli di corrente (Ip & Jpe). Pertanto, la dipendenza del guadagno di corrente ad emettitore comme hr dalla tensione base-emettitore pud essere divisa in 3 regioni. Ai bassi livelli di corrente (Ior = Iss exp (Vee/Vr); In = Ise exp(Vas/niVr)) hire cxesce con Vag [x éxp(Vae/Vr— Vee /neVr))- ‘Ai medi livelli di corrente (ler = Issexp (Vae/Vr), Ip ~ Ipeo exp (Vee /Va)) hpe risulta approssimativamente costante [hrs = Isf/Ipeo}- Agli alti livelli di corrente (Iop « exp (Vae/2Vr), Ip = Ipeo exp (Vae/Vr)) hre decresce con Var [oc exp (—Vae/2Vr)} (v. Fig. 6). Infine, osserviamo che il crollo del guadagno alle elevate correnti non @ solo dovuto agli effetti di alta iniezione nella regione di base, ma anche ad effetti di alta iniezione nel collettore, come vedremo pil avanti. T'intersezione della corrente relativa ai bassi livelli con la corrente rela~ tiva al regime di alte iniezioni rappresenta la corrente di ginocchio Ix che definisce Pinizio dei fenomeni di alte iniezione (Fig. 13). La corrente Ix, e la corrispondente tensione base-emettitore Vi possono essere facilmente ottenute uguagliando le (70) e (71): Ing = S28 ce) Una analisi del tutto analoga, relativa al modo di funzionamento inverso (Veo > 0, Vaz = 0) fornisce la corrente inversa di innesco dei fenomeni di alta iniezione Qp0 TR 73) Txr= ‘SE interessante osservare che il modello di GP fornisce solo un valore approssimato per la corrente agli alti livelli di iniezione. La corretta espressione @ stata ottenuta in (3) To(alti livelli) = $42°222", lt ‘Lespressione di gz pud quindi essere riscritta in termini dei parametri misurabili Ig e Tr: Yap Yas n= ° Tes (74) Ti modello GP @ quindi basato sui parametri Iss, Ixy In, Var, Var, tutti determinabili attraverso semplici misure, La corrente di collettore diretta agli alti livelli di iniezione pud essere espressa in termini di Iss, Ix: Tep(alti livelli) = Viigiase™s, (75) Il Nel caso in cui gli effetti di "drogaggio clevato” risultino rilevanti, si pud dimostrare che l’espressione di Iss deve essere modificata come segue 2,3} poe Mei eta ae. (76) dove nz = mipexp(AEg/2kT) reppresenta la concentrazione intrinseca efficace. Il termine Gp = J2° Nndz prende il nome di numero di Gumnntel Considerando anche gli effetti di drogaggio elevato la definizione di numero di Gummel-diventa Gp = [20 n2, Sede = [PS Npeydx. Occorre notare che Np rappresenta il drogaggio netto di base: A ee ne we a8 Na(a) = Naa(a) — Nps(2) — Noo AGC: OG, (6 # VERE) Fete By ere ms ms ee dove: Naz(z) = concentrazione di atomi accettori relativi alla diffusione di base Npe(z) = concentrazione di atomi donatori relativi alla diffusione di emettitore Noe = concentrazione di atorni conatori relativi allo strato epitassiale (@ gence) & Iniezione nell’emettitore Come si é visto, il guadagno di corrente diretto 6p = Iss/Iped dipende dalla corrente Jp. iniettata nella regione neutra di emettitore. Nel paragrafo prece- dente abbiamo ricavato un’espressione generale di Iss, valida per dispositivi a drogaggio di base non uniforme. Un’analisi analoga pu essere effettuata 18 per ricavare l’espressione di Ije per emettitore a drogaggio variabile...La strut- tura ed il profilo di drogaggio netto relativi ad un transistore planare sono mostrati in Fig. 14. Nel’analisi seguente si assume che Vorigine dell’ asse 2 (x = 0) coin- cida con il bordo Og della regione di svuotamento, mentre Pascissa’ c = We definisca il contatto di emettitore..Consideriamo ancora una volta le espr sioni delle correnti®'Ricavando il campo elettrico dall’equazione di J, € sos- tituendo il risultato nell’equazione di J, si ottiene (p << Nz) risulta sempre verificata nell’emettitore, e quindi n p+ Ne Ng, Essendo rg = Jn/Jp, si vede che secondo termine @ primo membro é frascurabile (,phre/ pj <<'1), in quanto il rapporto p/n & molto piccolo. ‘Moltiplicando ambo i membri per Nz/qDpe, ¢ ritenendo trascurabili i processi di ricombinazione® (=> Jp ~cost), integrando tra 0g e We, si ottiene We Ne Ni IN; =f NE ae ~ PNelog— PNelve = ff” Be wf Neue q Dye ~ Ve isle = shew (22) (77) La ricombinazione di lacune al contatto di emettitore é descritta dalla velocita di ricombinazione al contatto: 3] processi di ricombinazione sono trascurabili se lo spessore dell'emettitore We risulta minore della lunghezza di diffusione delle lacume. Questa ipotesi risulta critica per emet- titori di spessore superiore a qualche frazione-di micron. Infatt la vita media delle lacune quindi la Junghezza di diffusione Ly.) assume valori molto bassi a causa 5) Sei process di ricombinazione nont sono trascurabili la trattazione @ %: va Cn NE Yo 19 We slog, Weds er Cela’ A 08) Da queste relazioni si ricava ficilmente la corrente Aye: us 15 ps L qAni, ee + 1 pe We Nee) ge Hegel ° > We Nel) (We) Jog” Bee Jog” web — dove la seconda espressione include gli effetti di drogaggio elevato. II fattore pre-esponenziale definisce evidentemente la corrente di saturazione inversa Je. Come abbiamo visto, il guadagno di corrente diretto a base comune si pud caloolare da 3 = Iss/Ipio. Si noti che Ng rappresenta il drogaggio netto di emettitore: Ne(2) = Npz(2) — Nav(z)’ Per un contatto metallico S, assume valori relativamente elevati (~ 5x 10° cm/s), ed il secondo termine che appare nel denominatore é trascurabile. ‘Assumendo un valore medio per la diffusivita Dy. nell’emettitore, nel caso di contatti metallici, il guadagno di corrente 8, dipende dal rapporto dei numeri di Gummel in basé e nell’emettitore © (80) dove Gp = JO" Neespd = So ni,Ng/n?.dx rappresenta il numero di Gum- mel nell’emettitore. La precedente relazione definisce il guadagno diretto per Veg = 0. Nel caso di funzionamento in regione attiva diretta (Vac < 0) si lia Io _ DuGs ( #2) ( #2) Ape == 1+ = 144 81 aT me DECe] air) mae Va @) Benché I'effetto Early produca un incremento del guadagno di corrente, ® comunque un effetto indesiderato nelle applicazioni analogiche, in quanto determina un incremento della conduttanza differenziale di uscita g,, e quindi una riduzione del guadagno differenziale di tensione””. “TDi uno stadio elementare ad emettitore comune il guadagno di tensione Ay @ dato da Ay = ~—9nr (Rr//9o), essendo Ry la resistenza di carico. I valore massimo di Ay si ot- tiene per Ry, >> 1/9: Ay(max) = —Gmr/go. Come vedremo pid avanti g, & inversamente proporzionale a Vap. Per aumeniare Var occore ridurre il drogaggio di collettore. 20 Yee +S & Resistenze Analizziamo Veffetto delle resistenze associate alle cadute di tensione ohmiche ed ai contatti. La Fig. 14a mostra la struttura di un transistore realizzato con tecnologia planare, mentre in fig. 14b sono mostrate le distribuzionii di portatori in condizioni di polarizzazione in regione attiva (Vae > 0, Vac <0); sono anche evidenziate le regioni di carica spaziale base-emettitore e base- collettore. La Fig. 15 mostra i parametri resistivi e capacitivi relativi ad un transistore bipolare. Si vede in particolare, che alla regione neutra di base viene associata una resistenza Rp. Resistenza di base. A causa della resistivita non nulla della regione di basé, 1 flusso di portatori maggioritari (lacune) che costituisce la corrente Gi base! determina una caduta ohmica che si distribuisce lungo ’intera re- gione di base. A causa di questa caduta di potenziale, la tensione "interna’ che insiste ai capi della regione di svuotamento base-emettitore risulta in- feriore alla tensione "esterna” applicata ai morsetti di base e emettitore. Inoltre, la tensione "interna” assume i valori pitt bassi nella regione centrale della diffusione di base.” Questo fenomeno prende il nome di depolarizzazione della regione di base. Inoltre, poiché la densita di corrente di elettroni iniet- tata nella regione di base J, dipende dal potenziale applicato alla giunzione base-emettitore, si vede che il fenomeno di depolgrizzazione della giunzione provoca una riduzione della corrente di collettorel/La resistenza di base pud essere suddivisa iri due componenti: una componente associata alla regione intrinseca di base (responsabile de} fenomeno della depolarizzazione), ed una componente estrinseca (Fig. 17).'L’espressione della resistenza di base in- trinseca 8 estremamente complessa. a causa della depolarizzazione. Con rifer- imento alla struttura in Fig. 16, in prima approssimazione Rp; @ data da Le 12Hp (82) Rpr = Ro dove Lg é la larghezza della finestra di emettitore (ovvero della regione trinseca” del dispositive), He rappresenta la larghezza del dispositivo e Ra é la resistenza di strato, data‘da (83) Win regione attiva diretta (Vaz > 0, Vac <0) questo fusso di lacune, proveniente dal contatto di base, alimenta la corrente J, iniettata nella regione di emettitore. 21 Conner Crowe Ai bassi livelli di iniezione Rar é indipendente dalla corrente di collettore (p © Ng). Agli alti livelli di iniezione Rp decresce al crescere di Ic (p Ng +n> Nz). “ SPICE utilizza un’espressione empirica di Rg basata sui parametri RB (=valore di Rp"Bife"basse correnti), RBM.(=valore minimo di Rp alle alte correnti), IRB (=valore di Ip al quale Rp si dimezza). G) Resistenza di emettitore Ry. A causa dell’elevaia conducibilta della re- gione di emettitore, le cadute ohmiche sono trascurabili, ed il contributo principale @ dovuto alla resistenza di contatto (v. Fig. 17). Resistenza di colletore Re. Il contributo principale @ dato dalla resistenza ohmica associata al percorso degli elettroni (v. Fig. 15) dalla regione intrin- seca al terminale di collettore. In Fig. 15 sono mostrate le diverse componenti di Re. Per ridurre ai capi di Rca, viene inserito uno strato sepolto (buried layer) a bassa resistivit tra lo strato epitassialg ed il substrafo (w Fig. 15). A ejasev0 Fromme Ii circuito equivalente SPICE (Fig. 9) include le resistenze di emettitore, base e collettore, poste tra i nodi interni E’, B’ e C’ con i terminali esterni E, B, eC. Si noti che anche la capacita di giunzione Cjc pud essere decomposta in una componente intrinseca ed estrinseca (Fig. 18). Il cireuito SPICE descrive la natura distribuita della rete RC costituita dalla resistenza di base e dalla capacita di collettore attraverso la suddivisione della capacita totale di collettore (Cac = Cc+Cpc) in una parte intrinseca C'g2 = XescCac ed una parte estrinseca C's; = (1 ~ Xesc)Czc, dove Xeyc < 1 rappresenta il parametro di suddivisione. Nel circuito equivalente si pud osservare anche la presenza della capacita Cos, che descrive la giunzione collettore-substrato che risulta sempre contropolarizzata. ‘A causa della caduta di tensione ai capi di Rp e Rr, la tensione base- emettitore interna Viz (che determina la corrente Ic ¢ le componenti di Ip, si veda il circuito in Fig. 9), 2 inferiore alla tensione esterna applicata Ver: Virw = Vor - Relp— Rela. Questo fenomeno determina della corrente di base e collettore alle elevate correnti (Fig. 19). f Effetti di alta iniezione nel collettore (:orm «| Alle elevate correnti, oltre agli effetti di alta iniezione nella regione di base, possono verificarsi effetti di alta iniezione nel collettore. Vi sono due mec- canismi diversi che possono provocere gli effetti di alta iniezione nel collet- 22 tore quando il transistore @ polarizzato in regione attiva diretta (Vae > 0, Vex > 0). L’effetto complessivo di questi due fenomeni @ lo stesso: la giun- zione base-collettore risulta polarizzata direttamente (Vpicr > 0), anche se la tensione esterna é tale da contropolarizzare la’ giunzione (Vac = Ves > 0). Esaminlir i due fenomeni. . : © Quasi-saturazione. Consideriamo un transistore npr polarizzato in re- gione attiva diretta. A causa della ceduta ohmica sulla resistenza di collet tore, risulta (v. Fig. 20a) . Ven = Von + Role” » om ~ Re Te - (84) Per basse tensioni Vee (e quindi per basse correnti di collettore) il termine Role é trascurabile, e quindi Vorg ~ Veg > 0, ela giunzione base-collettore & contropolarizzata. Al crescere di Ic, il termine Rec pud diventare maggiore di Vea, e quindi Vorg = Voz — ReTe <.0, owvero la giunzione base-collettore diventa polarizzata direttamente. La distribuzione di elettroni é mostrata in Fig. 20b. La polarizzazione diretta della giunzione base-collettore provo: Tiniezione di Tacune nella regione epitassiale. Tale regione pud essere suddi visa in una regione di iniezione (n = p+No ~ p, con p >> Nc) e una regione chmica (n ~ Ne) in cui é presente un campo elettrico che sostiene la ten- sione inversa Von. Si vede che Viniezione di elettroni nel collettore (dovuta al valore positivo di Vgrcr) pud essere interpretata come un’estensione dello spessore di base Wp (base widening o base pushout). Di conseguenza, vari- ano tutte le grandezze che dipendono da Wg. “In particolare, Io (« 1/Wa) diminuisce, mentre il tempo di transito in base 74p aumenta (o W3). 0 fenomeno della quasi-saturazione é rilevante per dispdsitivi con resistenza di collettore elevata, ovvero per ridotti valori di drogaggio ed spessore elevato dello strato epitassiale (dispositivi di potenza). Effetto Kirk. A causa dell’elevato campo elettrigo presente nella regione di svuotamento base-collettore in condizioni di contropolarizzazione, la cor- rente di elettroni ivi iniettati @ una corrente di trascinamento, la cui velocita di deriva é pari alla velocita di saturazione vjge. La concentrazione di elettroni @ quindi data da n = Jco/qvaa, € risulta praticamente costante nella regione di carica spaziale base-collettore (Fig. 21a). La concentrazione di elettroni altera'la densita di carica all'interno della regione di carica spaziale, modifi- candone l’estensione. In particolare, la concentrazione di cariche negative dal lato di base aumenta [p = —¢(Ng + n)], mentre la concentrazione di cariche positive dal lato di collettore diminuisce [p = ¢(Nc — n)]. Per valori elevati 23 di Vag (owvero di Jc) risulta n = Je/qvea, > Ne.-In tal caso la densité di carica nel collettore diventa negativa, e la regione di carica spaziale si sposta dalla giunzione base-strato epitassiale alla giunzione strato epitassiale-strato sepolto (Fig. 21b). La tensione inversa Vac cade ai capi della regione. di carica spaziale. Nella regione dello strato epitassiale prossima alla giunzione base-collettore si verifica un‘iniezione che provoca effetti simili a quelli visti nel caso del fenomeno della quasi-saturazione. L’effetto Kirk si verifica per valori di Je maggiori di un valore critico dato da 22 JK = Wao (85) Ad esempio, assumendo vs = 107 em s“}, per No = 10% om”, si ha J =1.6 x 10¢ A cm™: Tl modello SPICE descrive questi fanomeni in modo empirico (e spesso del tutto insoddisfacénte), utilizzando un’espressjone empirica che descrive V’in- cremento del tempo di transito diretto rp; Tp(alta I¢)=B(Ic, Vac)rr(bassa Ic), dove il fattore B rappresenta I’ ‘incremento del tempo di transito, @ viene descritto in funzione di Ic ¢ Vep da un’espressione empirica che impiega 3 parametri (ITF, XTF e VTF). Il tempo di transito compare nell’espressione della capacita Coe = TF9nir, € nell’espressione di go, che deve essere modi- ficata come segue Ps \btee ( “ee -x) raed (# = 1) (86) La Tabella 1 mostra la lista dei parametri del modello SPICE. + fo Frequenza di transizione La Fig. 22 mostra il ben noto circuito equivalente a piccolo segnale del tran- sistore bipolare in regione attiva diretta. Come é noto il circuito descrive le relazioni tra le componenti a piccolo segnale (i.e. Je variazioni) delle correnti e delle tensioni, e pud essere ottenuto dalla linearizzazione del circuito equiv- alente ad ampi segnali'La transconduttanza differenziale diretta @ data dalla (43): ge © Ic/Vr dove Ic @ data dalla (53). La conduttanza differenziale di ingresso risulta ai medi livelli di corrente (Ize trascurabile) alp Vee on = aie (87) wien tee VE 24 ela conduttanza di uscita @ pari a (88) La capacita di ingresso coincide con la somma C, = Cpg+Cye = Cig, mentre quella di uscita coincide con Cjc: Cy, trascurabile). La frequenza di transizione rappresenta la frequenza alla quale il mod- ulo“del_guadagno di corrente a piccolo segnale [Aj] = |i-/is] diviene uni tario (v. Fig. 23). Tl guadagno di corrente diminuisce a causa dell incre- mento della corrente di base dovuto alla componente capacitival?: i, = {gx + jw(Cx + C,)] tie. La frequenza di transizione fr descrive la_velocita del _dispositivo, ed @ una figura di merito molto utilizzata. Per evitare che ipenda da eventuali c: i in uscita, la frequenza di transizione viene definita in condizioni di corto cireuito, ovvero vee = 0 = vce =cost. Si verifica facilmente che FGmE+ Che (essendd Coe ee eee _i_--__ | PO aCG) eet Get Gavel] La variazione di fr con la corrente di collettore Ic presenta 3 regioni (Fig. 24), Per basse correnti rp é trascurabile rispetto al secondo termine, e quindi fr aumenta con la‘corrente. Al crescere di Ic il secondo termine diminuisce, e fr = 1/2nrp. Alle elevate correnti rr aumenta a causa dei fenomeni di alta iniezione nel collettore, e fr crolla. Il tempo di transito diretto rp pud essere estratto dal grafico mostrato in Fig. 25. Il tempo di transito in base, che rappresenta una componente di TP, as- sume un’espressione diversa in un transistore con drogaggio variabile. In par- ticolare, a causa della presenza del campo elettrico che agevola il trasporto degli elettroni verso il collettore, il tempo di transito in base diminuisce rispetto al caso di un transistore a drogaggi costanti. In prima approssi- mazione il tempo di transito in base pud essere espresso da _ © Das (2) Ter WLYefietto delle componenti capacitive sulla corrente di collettore é praticamente trascurabile: ig = [ome ~ 5uCy] Ye ~ OmFUee- or [Xr Ge seette | sto%e + an (ae (Ce We ace a dove Dj» = 18 cm? s“}, ed 7 & un parametro che dipende dal profilo di drogaggio e varia da 2 (drogaggio costante) a 6 8. ra ~ Tensioni di rottura Come @ noto si definiscono 3 tensioni di rottura 1. BVogo: tensione di rottura della giurizione base-collettore ad emetti- tore aperto (Ig = 0). eterna 2. BVogo: tensione di rottura della giunzione base-collettore ad base aperta (Iz = 0). 3. BVepo: tensione di rottura della giunzione base-emettitore a collettore aperto (Ic = 0). Quando i processi di moltiplicazione ® valanga nella regione di svuota- mento sono significativi l’equazione di Bbers-Moll per la corrente di collettore i generalizza come segue Ic = M (~arlg + Iczo) (91) dove Igo rappresenta la corrente di saturazione inversa della giunzione base- collettore, ed M @ il coefficiente di mottiplicazione, approssimativamente dato da 1 oe 7 M= ( = Ee omit) (92) Per il caleolo di M utilizziamo l’approssimazione di Fulop per il coeffi- ciente di ionizzazione aio = 1.8 x 10-®E7 cm$ V~7, ed assumiamo che la giunzione base-collettore sia assimilabile ad una giunzione a gradino unilat- erale (Wace = »/2eVes/gNoc). Il campo elettrico presenta un andamento lineare, e l'integrale di ionizzazione risulta pari a: V5 fespressione corretta del tempo di trarsito rsp = Qnor/Invr per un profilo variabile si ottiene integrando la (59) [3]. 6 dove Em = qNocWac/e é il valore massimo del campo [B(t) ~ Em(1_= x/Wac))- Nel caso di emettitore aperto, la giunzione base-eméttitore @ contropo- larizzata. La giunzione base-collettcre @ quindi "isolata” dalla giunzioné base-emettitore e la tensione di rottura BVogo coincide con la tensione di rottura di tale giunzione (ed in pratica dipende dal drogaggio di collettore). Del resto, per Ip = 0 la corrente di collettore risulta Ig = MJcgo. Quindi la rottura della giunzione (Zc > 00) si ha quando M — 00, ovvero per Fig, = 1. vale quindi 01 x 10° (Npe)* (94) Nel caso di base aperta (Ig = 0° Ig = —Ic),-si ha Ie = MIco/(1- Ma), e la rottura della giunzione si ha quando Ma ="1 => Tiga = 1- 1/(1 + he), da cui si ricava il campo critico [4] : Nog_\'” Et, =4.01 x 108 5 im = 4.01 x G + =) (98) Si vede che il campo critico (e quindi la tensione di rottura) é inferiore rispetto al caso precedente a causa dell'effetto transistore. ‘Una volta calcolato il cathpo critico dalle precedenti relazioni, la tensione di rottura (BVczo 0 BVcgo) pud essere calcolata facilmente. Big ‘Assumendo la giunzione unilaterale (Nap >> Noc), si ha ze BV 2E?, —— => BV = a 96; @ Noe 2qgNoo 8) Si ha quindi : Ey ) i im) =, 97) & (1+ are) oo Per hrs = 100 il rapporto é peri a 1/3. L’equazione precedente sta- bilisce un compromesso progettuale tra la tensione BVogo ed il guadagno di corrente. Infine, osserviamo che la tensione di rottura della giunzione base-emettitore BVeao @ dovuta all’effetto tunnel ed assume valori relativamente bassi (2-6 ‘V). Tale terisione dipende dal drogaggio di pico di base, e decresce al crescere del drogaggio. Pra Perforazione della base. Un fenomeno di rottura del transistore non as- sociato alla moltiplicazione a valanga o all’effetto tunnel é il fenomeno della perforazione ‘punchthrough). Tale fenomeno é dovuto all'incremento del svuotamento Wc al crescere della tensione Ven?” Quando il bordo della regione di svuotamento base-collettore xg raggiunge il bordo zp, un ulte- riore incremento di Ves provoca una riduzione della tensione di bartiera base-emettitore, e quindi un elevato flusso di elettroni (Fig. 26). Poiché to = to — Wyc(Voe), € te = t)n + Wye (Voz), la tensione di perforazione é definita dalla condizione~ VeyeNor yest # Wycl Ver) = (250 ~ 232) ~ Wye(Vae) (98) e pud essere calcolata come segue. Posto 1 Naw (ae) b=———__ hg He- te ° Noo’ Lo svuotamento complessivo Wag e quello dal lato di base Wc, espressi in cm, sono approssimativamente dati da [7] 12, [@ Wee = iE + [B+ 8x5 Wa Veo)] (99) 1 Woe = (100) dove Vi; ¥ 0.8 V rappresenta la tensione di barriera base-collettore. Proce- dendo per tentativi successivi, la tensione di perforazione pud essere agevol- mente calcolata. 2 Emettitori in silicio policristallino La Fig. 27 mostra il processo di realizzazione di un emettitore in silicio poli- cristallino. Uno strato di polisilicio (0.1-0.3 zm) non drogato viene depositato sul dispositive dopo Fimpiantazione della regione di base (p). Il polisilicio viene successivamente drogato impiantando atomi di arsenico. ‘Segue un ciclo di diffusione effettuato ad una temperatura di circa 900 °C, durante il quale Yarsenico diffonde nello strato di polisilicio e nella regione monocristallina.\pi 44 Segue un processo di deposizione di ossido di silicio e la realizzazione del contatto, Questa tecnica consente di realizzare giunzioni pn estremamente 28 eo Verner RECHE' 1 FURBO Dy Comenie pumenta | sottili e riproducibili (sono stati riportati valori di zjz pari a persino 0.01 am). I passi successivi comprendono la rimozione del polisilicio dalle regioni esterne, e la realizzazione del contatto (tramite attacco dry). I vantaggi di un emettitore realizzato con questa tecnica possono essere cos) riassunti: 1. Si riescono a realizzare giunzioni base-emettitore molto sottili ed affid- abili. 2. Si evitano i problemi connessi ai contatti alluminio-silicio ed il consumo di silicio che si verifica nei contatti che utilizzano siliciuri. 3. La regione monocristallina non @ soggetta all'impiantazione di arsenico. Si evita cosi il danno cristallino dovuto all’impiantazione, e quindi si riducono i difetti che degradano il guadagno alle basse correnti. 4. Tvalori del guadagno di corrente sono fino a 10 volte superiori a quelli ottenibili con contatti in alluminio o siliciuri. 5. E possibile realizzare strutture “autoallineate” con emettitori in polisi- licio, come vedremo pid avanti. La Fig. 28 mostra la struttura di un emettitore in silicio policristallino, in cui é possibile distinguere la regione monocristallina, quella policristallina e il film di ossido nativo all'interfaccia poly/mono. La Fig. 29 mostra la differenza tra un dispositivo con contatto in Al ed uno con emettitore in polisilicio. Assumiamo che lo strato di ossido non sia presente o comunque che non modifichi in modo significativo la distribuzione di portatori. Assumiamo inoltre che la tensione Vpg ed il profilo di drogaggio siano identici nei due Tn tal caso la concentrazione p(0g) sara la stessa. Nel caso di contatto in alluminio la velocita di ricombinazione S, all'interfaccia Si-Al @ molto elevata (~ 5 x 10° cm s~*), determinando una distribuzione di lacune molto “ripida” e quindi un’elevata corrente Ine. Nel secondo caso si vede che la regione policristallina rappresenta un “prolungamento” dell’emettitore, e la pendenza della distribuzione di lacune al bordo della regione di emettitore e quindi la corrente I,e, & pid basse. In termini matematici Ja veloc te di ricombinazione S, all’interfaccia, rispetto al valore relativo all'interfaec SL Assimilando P’iniezione di lacune nella regione policristallina all'iniezione di lacune nella regione n "lunga” di un diodo pn, la corrente di lacune all’in- terfaccia polisilicio-monosilicio (e = Wz) é pari a Je = We) dove Dyp ¢ Ly» rappresentano la diffusivita e la lunghezza di diffusione delle lacune nel polisilicio. La velocita di ricombinazione all’interfaccia pud essere facilmente ricavata Sole = We) _ Dons, We) Lin, ‘A causa della presenza dei bordi di grano, caratterizzati da valori es- ‘tremamente degradati per la mobilita e vita media, i valori ”medi” di Dn ¢ Lp, sono generalmente pitt bassi di quelli relativi aregioni morristalline. Ad setipio, per un drogaggio pari a 10° cm-%, si ha [5] ty, = 26 em? V-* s-*, Lyp = 90 nm, da cui S, ~ 7.5 x 104 cm s~1, Nelle simulazioni in Fig. 14b si asstihto un valore di $, ~ 10¢ cms“. I] trasporto di lacune negli emettitori in polisilicio pud essere complicato da numerosi altri fattori™*, come la preseriza di uno strato di ossido nativo all’interfaccia polisilicio-monosilicio (Fig. 28). Benché sia possibile calibrare i processi di annealing in modo da eliminare lo strato di ossido all’interfaccia (che viene “assorbito”), comunque impor- tante esaminare I'effetto della presenza di tale ossido. Lo strato di ossido non blocca del tutto il flusso di lacune, poiché queste possono attraversarlo per effetto tunnel. La piesénza dello strato di ossido contribuisce a ridurre ulteriormente il valore di . La Fig. 30 mostra il Gummel plot relativo ad uma struttura Sa ossido interfacciale e ad una struttura priva dello strato di ossido. Liespressione generale del guadagno di corrente per Vop = 0 risuita ee Hele — de + Bap). Seen FF ) Doel) A wa Bp mS fos Nall Jeno WE(e)Dasl@) (101) (102) * 7 sa = Per’S, — 00,,ed introducendo le diffusivita, medie!? Day & Dye, Vespres- 2 preceddiite si riduce alla (80). Pe + 22 S4 mne precedente si riduce alla (80). -* Pe ee 14 Altri fenomeni sono ricombinazione in centri di ricombinazione all'interfaccia (trap- pole), effetti di emissione termoionica ed effetti di segregazione. WEvidentemente, Day & definita da Dyy = [2° ro Sede | fee Fo sa da. espressione analoga si trova per Dye. a Fabbricazione dei circuiti integrati bipo- Jari Analizziamo il processo di realizzazione di un transistore bipolare con iso- lamento a giumzione. Fino alla meta degli anni 70 la tecnologia bipolare tilizzava Tsolamento ’ giunzione, strato epitassiale e strato sepolto (buried layer). Questo processo viene indicat con il termine Standard Buried Col- lector Process (SBC), ed ha rappresentato il "cavallo da battaglia” per la realizzazione di circuiti bipolari analogici e digitali. Analizziamo i diversi passi relativi al processo SBC (v. Fig. 31). Definizione dello strato sepolto. Il substrato di partenza @ silicio di tipo p con drogaggio pari a circa 10"° cm~. L’orientazione era inizialmente (111), ora si preferiscono substrati (100). Il primo passo é la diffusion (0 impiantazione) dello strato sepolto con successivo drive in. La funzione dello strato sepolto é di ridurre la resistenza di collettote. Si accresce uno strato ‘Wowido dr spessore O.-1 pm sul substrato. Come mostrato in Fig. 31, utilizzando la maschera #1 si apre una finestra nell’ossido, e si introduce il drogante di tipo n per impiantazione o diffusione termica (a concentrazione superficiale costante). Pgiché Jo strato sepolto é sottoposto_a tutti i cicli termici successivi occorre utilizzare droganti a basso coefficiente di diffusione, quali As 9b, Segue Ta Tase di drive-in, che prevede una prima fase condotta inrambiente ossidante, ed una fase finale in ambienté inerte. A causa della maggiore velocita di ossidazione nelle regioni n*, in quanto non ricoperte dallo strato di ossido, si forma uno scalino sulla superficie del substrato. Questo scalino si propaga durante la fase di crescita epitassiale, e pud essere quindi utilizzato per lallineamento della maschera successiva. L’antimonio & stato inizialmente_utilizzato per la realizzazione dello strato sepolto, perché Timeno soggetto al fenomeno del eutodrogagsio. Oggi si preferisce Parseni poiché introduce hore distorsione nel reticolo disilicio. La resistenza di strato 8 uno dei parametri di progetto, ed assume tipicamente valori compresi tra 15 e 50 2/sq. Prima della crescita epitassiale viene rimosso lo strato di ossido, e si effettua di solito un attacco della regione superficiale in HCl. Crescita epitassiale. Lo strato epitassiale é tipicamente poco drogato (20%-10"8 cm), per garantire un’adeguata tensione di réttura, e ridurre la capacita di giunzione base-collettore. Lo spessore dello strato viene scelto in modo che in corrispondenza della tensione BVogo, il bordo della regione di svuotamento dal lato del collettore non penetri nella regione n*. Se cid 31 Raz is aso RY accadesse la rottura del dispositivo si verificherebbe per tensioni pid basse. ZS Nelle applicazioni analogiche le tensioni inverse (15-30 V) sono generalmente maggiori rispetto alle applicazioni digisali (con tensione di alimentazione pari a 5 V). Di conseguenza lo spessore dello strato epitassiale.é maggiore (7-15 yum), come pure la resistivita (1 9 cm). Nei dispositivi digitali lo strato epi @ caratterizzato da uno spessore inferiore (2-5 um, 0 minore), come pure la resistivita (0.3-0.8 © cm). Inoltre, occorre eumentare il drogaggio epitas- siale per aumentare la cortente critica relativa all’effetto Kirk e ridurre la + 4q< 1%" Ne_ resistenza di collettore. D'altra parte, un drogaggio elevato produce un in- 7 cremento della capacita di giunzione base-collettore ed una riduzione della tensione di rottura. ‘A causa della minore diffusivita ’ersenico viene preferito come drogante. Nei primi processi la crescita epitassiale veniva realizzata attraverso la riduzione in idrogeno del tetracloruro di silicio (SiCly). A causa dell’elevata temper- atura richiesta (~1200 °C), nei processi di produzione si preferisce la decom- posizione termica del dicloresilano (SiH2Clz) che avviene a temperature pit, basse (~1050 °C). Durante la crescita epitassiale, e durante tutte le fasi suc- cessive, lo strato sepolto diffonde all'interno dello strato epitassiale, pertanto lo spessore dello strato epi deve essere determinato anche in funzione della diffusione dello strato sepolto. Formazione delle diffusioni di isolamento. Dopo la crescita epi- tassiale si forma un nuovo strato di ossido. Successivamente, per mezzo della maschera #2, si apre la finestra relativa alla diffusione di isolamento. Segue la predeposizione e il drive-in. Il drive in prevede una fase in ambi- ente ossidante, ed una in ambiente inerte ad elevata temperatura (1200 °C), in quanto la diffusione di boro deve attraversare Pintero strato epitassiale (Fig. 31). Spesso il passo di drive-in viene "sovra-dimensionato”, in modo da garantire V'isolamento dei dispositivi anche in presenza di fluttuazioni dei parametri del processo (spessore dello strato epi, ...). Formazione della diffusione di collettore profonda. Questo 2 un passo facoltativo, e viene adottato nei processi in cui @ necessario un valore ridotto per la resistenza di collettare (Fig. 31). La diffusione di collettore richiede un ingombro ulteriore di area ed una maschera aggituntiva. Il fosforo viene utilizzato come drogante a causa della maggiore diffusivita rispetto all'arsenico. (a. We) Diffusione di base.VE questo ua passo critico, in quando la diffusione di base determina molti parametri importanti queli: Numero di Gummel in base (ovvero, il guadagno di corrente), tempo di transito in base, tensione 32 di perforazione di base, resistenza della base intrinseca, resistenza di strato dei resistori diffusi, tensione di rottura base-emettitore. Spesso @ necessario realizzare un compromesso tra questi parametri. La finestra di base viene aperta con la maschera #3, e la base viene for- mata per impiantazione o diffusione. Si pud anche aprire simultaneamente una finestra in corrispondenza delle conduce ad una tiduzione del numero di Gummel in base Gg = Wp Np” e quindi un incremento del guadagno di cotrente hg = Gz/Gs. Tuttavia, la riduzione di Gg provoca diversi problemi: 1) Riduzione della tensione di perforazione di base. Tale tensione, infatti, dipende da Gp. v 2) Incremento della resistenza di base intrinseca - L, 1 L Rg = Row Le te (103) °12He ditgWENe He qupGall2He Per owviare a questi inconvenienti occorre incrementare il drogaggio di base Nz in modo che Gz rimanga approssimativamente costante. I dispos- itivi allo stato dell’arte, infatti, precentano un pico del drogaggio di base maggiore di 10° cm’. Tuttavia, Vincremento di Ng provoca una tiduzione della tensione di rottura base-emettitore BVzzo e un incremento della capac- ita di giunzione Cjg e della corrente di saturazione inversa associata a questa giunzione Ingo (legata all’effetto tunel). Questi problemi limitano il valore massimo del drogaggio di base a circa’ x 10! cm*. Questi problemi uniti alla difficolta di realizzare profili impiantati molto sottili, rappresentano un limite al processo di scaling, La riduzione dello spessore di base Wg rende necessaria una proporzionale riduzione dello spessore della diffusione di emettitgre Ws, per problemi legati alla riproducibilita della giunzione base-emettitore e per ridurre la compo- nente perimetrale della capacita Cz: ‘Tuttavia, in dispositivi convenzionali Ja riduzione di We provoca una riduzione inaccettabile del guadagno di cor- rente hre = Gz/Ga. Per minimizzare la riduzione di hgg occorre realizzare emettitori in silicio policristallino. Per quanto riguarda lo strato epi, particolarmente cruciale é la scelta del drogaggio No, in quanto richiede un compromesso tra velocité ¢ massima tensione inversa. Infatti, elevati valori di Nc sono necessari per incrementare la corrente critica J’ e quindi evitare il crollo di fr ad elevate correnti. 38 1 PY kos a55 Cones ‘Tuttavia, un valore elevato di Ne provoca una riduzione di BVcgo ¢ un incremento di Cc. Nelle strutture SIC (Selective Implanted Collector) il drogaggio di collettore viene incrementato con una impiantazione ionica nella sola regione intrinseca, evitando coat il degrado di BVogo e Cyc nella regione estrinseca del dispositivo. - * Scaling orizzontale. Lo scaling verticale consente di migliorare la velocita. intrinseca del dispositivo (fr), legata ai tempi di attraversamento del dispos- itivo intrinseco. Tuttavia, la velocita complessiva del transistore @ anche lim- itata dai parametri parassiti capacitivi e resistivi. Tali parametri dipendono non solo dai parametri fisici (drogaggi) ma anche dai parametri geometrici. Obiettivo dello scaling orizzontale & mezzo della ri spositivo. Tale processo consente ovvi amente di aumentare anche i hivello di integrazione. Innanzitutto, occorre distinguere la regione intrinsega del dispositive da quella estrinseca. Dalla larghezza della regione estrinseea Le dipendono sia la resistenza di base in- trinseca Rg; che le componenti intrinseche delle capacita di emettitore e collettore (Fig. 15 e 18). Pertanto, occorre ridurre Le. Analogamente, riducendo la larghezza della regione estrinseca si riduce la componente es- trinseca della resistenza di base Rx e della capacita di collettore e la ca~ pacita di substrato Cys. Tuttavia, la larghezza della regione estrinseca 6 limitata dalla distanza tra i contatti Lcon (v. Fig. 17) che rappresenta una regola di progetto ed é limitata dal processo fotolitografico. Anche la min- ima larghezza del contatto di base rappresenta una limitazione. Per superare queste limitazioni sono state introdotte.le strutture autoallineate. Il processo di fabbricazione @ mostrato in Fig. 41. Dopo la realizzazione dello strato sepolto, la crescita epitassiale e l’isolamento, si esegue un’operazione fotoli- tografica cui segue Pimpiantazione ci fosforo per realizzare la regione pro- fonda di collettore. La formazione della regione di collettore profonda serve a ridurrg Ja resistenza Ros in Fig. 15. Segue la litografia e Pimpiantazione di bast Si'deposita poi un film CVD di ossido di silicio e successivamente un film di silicio policristallino che viene drogato con una impiantazione a dose elevata di atomi di boro. Si esegue poi un’operazione fotolitografica e un attacco anisotropo per rimuovere i due film dalle regioni ative del dispos- itivo, Si effettua quindi una seconda deposizione CVD di ossido di silicio, cui segue un proceso di attacco anisotropo (dry). A causa dell’elevato grado di anisotropia dell’attacco, viene rimossa la parte superficiale del secondo film di ossido CVD, mentre le porzioni laterali, dette ossidi distanziatori (spacer) sono conservati. Si effettua a questo punto la deposizione di un secondo strato 39 di silicio policristallino che viene impiantato con As. Segue un ciclo di anneal- ing e un proceso fotolitografico relativo al strato di silicio policristallino n*. Si osservi che durante il ciclo di annealing gli strati di silicio policri nt €p* svolgono il ruolo di sorgenti di drogante. La diffusione di atomi Ase B porta quindi alla formazione della diffusione n* di emettitore e alla. diffusione p* di base estrinseca. Si osservi che la distanza tra le diffusioni dipende solo dallo spessore dell’ossido distanziatore (tipicamente dell’ordine di frazioni di pm) ¢ dal processo di annealing. In questa struttura lo strato poly p* svolge il ruolo di contatto di base, Si noti che la distanza tra la re- gione di base estrinseca ¢ la regione estrinseca non é pit limitata dal proceso fotolitografico. Pertanto la larghezza della regione estrinseca del dispositivo é stata ridotta drasticamente, con conseguente riduzione di tutti i parametri parassiti, Nelle Tasi successive del processo sono realizzati i contatti metallic sui film di silicio policristallino. La Fig. 42 mostra il confronto tra un dis- positivo realizzato con proceso autoallineato e un dispositivo realizzato con processo convenzionale. La Fig. 43 mostra Varea occupata da dispositivi di generazione 0.5 e 0.3 um. Come osservato in precedenza esistono diversi problemi relativi al processo di scaling verticale. Un prima limitazione é legata al compromesso robustezza- velocita relativa al drogaggio di collettore. Elevati valori di Nc sono necessari per ridurre l'effetto Kirk e incrementare quindi fr. D’altra parte elevati valori di No provocano una riduzione della tensione di rotture BVego. Il compro- messo tra fr ¢ BVogo & mostrato in Fig. 44. Impiantando atomi di drogante di tipo n nella regione intrinseca del dispositive Gi incrementa il drogaggio di collettore in tale regione, evitando il degrado della capacita di giunzione e della tensione di rottura nella regione estrinseca. L’incremento di drogaggio localizzato permette di contenere effetto Kirk e di ridurre ulteriormente lo spessore di base, come evidenziato in Fig. 45, Un altro problema é la realizzazione di basi sottili. A tale scopo @ pos- sibile: 1) utilizzare impiantazione di BF, anziché B (Fig. 46); 2) effet- tuare impiantazioni a bassa energia; 3) utilizzere cicli di annealing RTA. Nonostante la tecnologia bipolare sia progredita in modo continuo (Fig. 47), queste limitazioni ostacolano seriamente ulteriori progressi. [dispositivi ad 40 & Transistori bipolari silicio-germanio La regione di base di questi transistori é costituita da una lega silicio-germanio, in cui una frazione di atomi di silicio @sostituita con atom! d! germanio. La concentrazione di atomi di Ge é di solito espressa come frazione molare yee (5- 15%). La regione di SiGe viene realizzata con un processo di crescita epitas- siale. Il drogaggio pud essere effettuato in situ, oppure tramite impiantazione successiva. La costante reticolare della struttura cristallina SiGe @ maggiore della costante reticolare del silicio. La struttura SiGe @ caratterizzata da un valore di Bg = Ec — By inferiore rispetto al Sis ‘o(SiGe) = Eo(Si) - AEe (104) dove la riduzione AE @ proporzionale alla concentrazione di germanio, ovvero AEg = ay Quésti dispositivi presentano diversi vantaggi: 1) La corrente di collettore e quindi il guadagno di corrente @ maggiore. Infatti la oa di collettore @ costituita dalla corrente di elettroni in base Jny & Rigg & n3,, dove ni, rappresenta il valore della concentrazione intrinseca nella base. Poiché n3, = Aexp[—Eg(base)/KT], risulta ni(SiGe) _ (2889 Jo(SiGe) Te(Si) “ne (205) La Fig. 50 mostra il confronto tra il grafico di Gummel relativo ad un tran- sistore Si ed un SiGe. Si osserva una corrente maggiore per il dispositivo ad eterogiunzione, mentre la corrente di base risulta identica in’ quanto i due dispositivi presentano lo stesso profilo di drogaggio nella regione di emetti- tore. 2) Se la concentrazione di germanio non é uniforme, ma assume un gradi- ente positivo (Fig. 49) si forma un campo elettrico nella regione di base che ha Peffetto di ridurre il tempo di transito in base re (ovvero il parametro 7 nella (90) risulta maggiore di 2). Infatti, un incremento della concentrazione di germanio verso il collettore provoca una riduzione di Eg ovvero di Hc come mostrato in Fig. 51. La riduzione di Ec (energia potenziale degli elettroni) @ associata alla presenza di un campo elettrico B nella regione di base: _ldBo_1dEg__1dAEg__ advice 9 de qde g ¢ (106) 41 Essendo dyge/da > 0, nella regione di base é presente un campo elettrico negativo che accelera gli elettroni verso il collettore, con drastica riduzione del tempo di transito in base. Per un fissato valore di fr (ad esempio 30 GHz nella Fig. 52), la corrente di polarizzazione del transistore SiGe risulta” minore rispetto al transistore in Si, con drastica riduzione del consumo di potenza. Infine, la Fig. 53 mostra il miglioramento delle prestazioni nei dispositivi SiGe per diversi profili di Ge, in cui la quantita totale di Ge risulta costante. Il profilo di Ge varia da un profilo rettangolare ad uno triangolare. In corrispondenza di questi profili si osserva una variazione della differenza B¢(Ws)—Eo(0). Ovviamente, per un profilo costante di germanio tale differenza e nulla, mentre risulta massima per il profilo triangolare. Bibliografia [1] P. Ashburn, Design and realization of bipolar transistors, John Wiley, 1987. [2] N. Rinaldi, "Modeling of minority-carrier transport in nonuniformly doped silicon regions with asymptotic expansions,” IEEE Trans. Electron De- vices, ED-40, pp. 2307-2317, 1993. [3] N. Rinaldi, "Modeling of minority-carrier transport in semiconductor re- gions with position-depondent parameters at arbitrary injection levels,” IEEE Trans. Electron Devices, ED-43, pp. 1256-1263, 1996. [4] R. Ryter et al., Optimizing high voltage bipolar transistors in a smart- power complementary BICMOS technology, Solid-State Electron., vol. 39, p. 1185-1191, 1996. [5] N. Rinaldi, "On the modeling of polysilicon emitter bipolar transistors,” IEEE Trans. Electron Devices, ED-44, pp. 395-403, 1997. [6] S. Moinian et al., "BITPAR: Process-derived bipolar transistor para- metrization,” IEEE Journal of Solid-State Cire. SC-21, pp. 344-351, 1986. (7] N. Rinaldi, ” Analysis of the depletion layer of exponentially graded p-n junctions with nonuniformly doped substrates,” IEEE Trans. Electron Devices, in stampa. 43. L a_i P(X) I Sel St ly he | — AX, PO) Pes Tyo’ re <——F oR W, 00 ut W,0 We B Fig. 1. Distribuzione di portatori nel transistore bipolare Vgz>0 € Vy.>0 0:0, 00% rere ———_ W. 00, % W,0 We BR’ Fig. 2a. Distribuzione di portatori nel transistore bipolare in funzionamento “diretto” (Viz*0, Vac=0). Cc Paty Obexp(Va/Vs+1] F Te Fig. 2b. Circuito equivalente del transistore bipolare in funzionamento “diretto” (Voc0, Vp.=0). 8 it Fig. 2c. Componenti di corrente del transistore bipolare in funzionamento diretto”. Wa <<] W, 00 W,0 Wo ‘BRI Fig. 3a. Distribuzione di portatori nel transistore bipolare in funzionamento “inverso” (Var=0, Vec*0). Cc TP ® hlexptValV9)-1 E! Fig. 3b. Circuito equivalente dell transistore bipolare in funzionamento “inverso” 7-5-0, Vacs0). Fig. 4a. Distribuzione di portatori nel transistore bipolare per (Vz.0, Vach0). * Ter key kG) { ; “ce A oe ~ BI @) Ix Tg QM BGI Te ‘ Pa fe B; Fig. 4b. Circuito equivalente del transistore bipo! t ' 1 t t 1 1 1 ' “ regione II regione III Fig. 5. Gummel plot per V.=0 Vac=0 regione |} regione II 1 ' 1 1 ' ' 1 1 t Fig. 6, Dipendenza di h,, da I. le A AE B I Be Vas hee? Le re be Ta regione III In(I.) Cc Tor 7. Cireuit nt rE irewito equivalente del transistore bipolare Fig. 8. Variazione degli svuotamenti per V_.>0 € Vac<0. Cc R.|| ui Cc Coy ic 4 Ss Be : "Ilex > I Coen Crap Nee B; E R, le Fig. 9. Modello SPICE del transistore bipolare it tt Vee MV ne1°V sce Vag VeesVec2 Var Fig. 10a. Interpretazione geometrica della tensione di Early (grafico non in scala) Vee Vee Fig. 10b. Caratteristiche di uscita ed effetto della modulazione dello spessore di base Fig. 11. Effetto di un incremento della tensione inversa di collettore sul bordo della regione di carica spaziale B-C, e sulla distribuzione Fig. 12. Andamento qualitativo della concentrazione di elettroni ¢ lacune nella regione neutra di base, La regione in prossimita della giunzione B-E si treva in condizioni di alti livelli di iniezione (p=n + N, ~n, con n>>N,) In(I.) in(l,) pendenza=1/2 pendenza=1 VN; VoelVy Fig. 13. Gummel plot in cui sono mostrati gli asintoti per bassi e alti livelli di iniezione. maschera contatti maschera diffusione di base | ¢———— maschera diffusione i ci emettitore } i ToT ae hott al ror ' tot root oe t INo-Nal Fig. 14a. Struttura di un transistore bipolare realizzato con tecnologia planare. Sono mostrate le maschere relative alla diffusione di emettitore, alla diffusione di base e ai contatti; a lato é mostrata la distribuzione verticale del drogaggio netto Concentrazione [atomi/cm’] 10 a A o 02 04 O06 08 1 12 14 16 18 distanza [um] Fig. 14b. Concentrazione di elettroni, lacune e drog: Fig. 15. Parametri parassiti in un transistore realizzato con processo SBC. emettitore base a as Fig. 16. Effetto di depolarizzazione della giunzione base-emettitore: la tensione di polarizzazione diretta @ minore nelle regioni interne; in tali regioni ’iniezione di minoritari risulta een ridotta Fig. 17. Componenti intrinseca e estrinseca della resistenza di base e resistenza di emettitore. Se es 1 1 J A : Strato epi (n-) regione estrinseca | L regione intrinseca Fig, 18. Componenti intrinseca ¢ estrinseca cella capacita di collettore inl.) AVee=le Retle'Re } Ves ~ Fig. 19. Gummel plot in cui sono visualizzati gli effetti delle resistenze parassite I co o<= ¢ - Vee | = Ven g 7 Vea B _ Fig. 20a. Circuito equivalente del transistore in cui é inclusa la resistenza di collettore. E 5, | i | | | N regione di iniezic g.iniezione regione | ohmica Concentrazione [atomi/cm’] 38, ee) 1d Distanza Fig. 20b. Distribuzione di portatori in condizioni di quasi-saturazione m4 Vae=0.8 V 5 10 Vac=-5 V E 0? (a) 2 Sen o 10 5 So ; © = ot /V oO Lacune S 1 elettroni Oo 1° Le V_e=0.95 V Vec=-8 V (b) regione di iniezione Concentrazione [atomi/cm’] L oO 02 04 05 08 1 distanza [um] Fig, 21. Distribuzione di elettroni e lacune per Vpy=0.8 V (a) € Vas=0.95 V (6). Nel secondo caso si nota la formazione di una regione di iniezione quasi-neutra nella regione di collettore prossima alla regione di base (effetto Kirk) Description Units | Default (see MODEL 1 statement) _ 5 “Transpon saturation current [amp br ‘deal maximum forward beta [NF | Forward current emission coefficient [VAR WA) __| Forward Barly voltage [volt infinite IKF (K) [Comer for forward-betahigh-curentroll-off_| amp infinite | [ise C2) Baseemiter leakage satraion arent [amp |__| NE | Base-emitter leakage emission coefficient | BR Teal maximum reverse beta 4 NR Reverse current emission coefficient VAR (VB) Reverse Early voltage (i vole —_—* infinite KR Comer for reverse-beta high-curemtroll-off_| amp | infinite 150 (C#) Base-collector leakage saturation curemt | amp | © | [Nc Base-collector leakage emissioncoefficient | [2 ) NK [ Htigh-cprrent roll-off coefficient 5 158 Substrate p-n saturation current amp {0 NS | Substrate p-n emission coefficient 1 as (maximum) base resistance {ohm [0 __| \[ Ram Minimum base resistance [onm 1 R3 || ilies (Gurren at which Rb falls alfvay v0 [amp | inte |[RO___| Collector ohmic resistance [ohm [o_| [oe { Base-emitter zero-bias p-n capacitance | farad__| 0 | | VJE (PE) | Base-emitter built-in potential [0 |[ Mie aa) __| Base-emitter p-n grading factor CIC | Base-collector zero-bias p-n capacitance | farad | 0 | |[ vac @ey___| Base-collector bun potential Tek 07s | \[Mic (Mc) _| Base-collector p-n grading factor { | 0.33 XCIE | Fraction of Cbe connected intemal toRb_._| [a i Teas ccs) | Subsuate zero-bias p-n capacitance [fad [0 VIS (PS) | Substrate p-n built-in potential Tvor | o7s || IS (MS) __! Substrate p-n grading factor i iol | Fo | Forward-bias depletion capacitor coefficient | Los ' ite | Tdeal forward wansit time isc 10 i | | Transit time bias dependence coefficient fo ve { Transictime dependency on Voe Tveke | infinte te | Transittime dependency onie amp | 0 | PTF ' Excess phase @ i(20-TF)Hz degree 0 (oR Ideal reverse transit ime ~ ise To i aco Epitaxial region charge factor Epitaxial ES Tab. £ Coe SmeMre Ce » oe Fig. 22. Circuito equivalente del transistore bi {rele log(f,) log(f) Fig. 23. Guadagno di corrente in funzione della frequenza. 1h, regione a regione c \ Qnte |e" . 7 regione b > Ae Fig, 25. Metodo di estrazione di t, Energia [eV] J oe B i E Eee Ah polare in regione attiva diretta forfavelorplly, 1 1 ves Que Me 1 1 ---- : Bus Fax. Aes ee on 5 Ve 1 1 1 1 1 1 regione ay t jregione c regione b I Fig, 24. Dipendenza della frequenza di transizione dalla corrente di collettore a3 8a distanza [um] 26, Diagramma delle bande di energia per Vz-=-10 V. E’ evidenziata la posizione del bordo della regione neutra di base x.. ZZTF [77 SiO, © Strato epi n- SiO, < Strato Sepolio nt ‘ & t4 4 bet = or Z. Zz A Me A F777 a SiO, poly Yours pm deposizione poly non drogato impiantazione As anneal e formazione emettitore Crisfallino Te 900% litografia poly (ere dex) ossidazione = (5+) realizzazione contatti Fig. 27. Processo di fabbricazione di un transistore con emettitore in silicio policristallino. bordo di grano Sio, (14%) | regione cristallina di emettitore nt Fig. 28. Emettitore in silicio policristallino: sono mostrati la regione policristallina, la _ Tegione monocristallina e lo strato di ossido all’interfaccia. VELOEITA oy RCO Br nteran Re! sTencacen ve | am Fig. 29. Distribuzione di lacune in un emettitore in silicio poticristallino e in un emettitore con contatto metallico. Si noti che lo spessore della regione cristallina ¢ la fensione Vs applicata sono identici nei due casi. In(I,) = In(I,) I, senza ossido allinterfaccia I jo ossido all'interfaccia Vee Fig. 30. Gummel plot relativo a transistori con emettitore in silicio policristallino in cui sono evidenziati gli effetti dello strato di ossido all’interfaccia SiO, Un pumows DEAS Sune SUTURE >! Cue ca Usisreuin yr Couanoe 2 a) predep strato sepolto (Bue> (maschera #1) caren) b) drive in strato sepolto c) epitassia SCG.» d) predep isolamento (maschera #2) arma e) drive in isolamento e1) passo facoltativo predep e drive-in collettore profondo Fig. 31. Processo di fabbricazione di un transistore bipolare SBC. uaa Bi isoenaente ad oe aa (re urteritel Oe f) predep e drive in base (maschera #3). Sk sears A Raves cadet g) predep e drive in emettitore e collettore (maschera #4) h) contatti (maschera #5) i) interconnessioni (maschera #6) Fig. 31. (continua) Fig. 32. Transistore pnp verticale. Fig. 34. Diodo base-emettitore. Fig. 35. Resistore diffuso. Fig, 36. Resistore strozzato. Fig. 37. Resistore epitassiale. wer resist] _ — SiN, =| <— pad oxide Fig. 38. Processo LOCOS — SiN, “> pad oxide a) formazione pad oxide _¢ deposizione nitruro a Le Su permaro Srente EP TARACE b) litografia c) attacco Si,N, e pad oxide d) attacco strato ‘epi e Ill channel stop e) formazione ossido di campo resist | f) Litografia e Il base g) Litografia (maschera dei contatti) h) Litografia e Il base estrinseca i) Litografia e Il emettitore e collettore TEER !) formazione contatti be EN toes Canin Py TOR ig. 39. Processo di fabbricazione di un BJT con isolamento ad ossido Be $3: a) formazione pad oxide e deposizione Si,N, b) dry etch c) ossido di passivazione ell channel stop d) CVD poly e) deposizione resist Cueynet Soot f) etchback SiO, g) ossidazione Fig. 40. Isolamento trench a) litografia e Il fosforo per il collettore profondo (n+ sink) nt |e b) litografia e Il boro Fone per la base intrinseca Sid. ‘poly p+ c) deposizione poly p+ e deposizione ossido CVD d) attacco anisotropo Fig. 41. Processo di fabbricazione di un transistore autoallineato Be Fig. 41 (continua) SiO, e) deposizione ossido CVD f) attacco anisotropo (formazione spacer) g) deposizione poly n+ ell arsenico h) trattamento termico (formazione diffusioni n+ e pt) i) litografia e attacco n+ poly 1) deposizione ossido CVD m) deposizione metallo e litografia wore con enter Fig. 42. Super Self-Aligned process Technology (Sakai, 1985) 05m U-SICOS ‘Agr = 44 ym? Ae ~ 04x24 pm? ‘CVD Sidz ip'Sub “polycide basa 0.3-44m SPOTEG Atr= 9.4 um? Ag = 02x 1.4 ym? Fig. 43. Sidewall POlycide base Electrode TECnology (Shiba, 1991) BVceo(V) 6 BICMOS —s~ et ae fr(GHz) Fig. 44. Compromesso tra frequenza di transizione (N, elevato) e tensione di rottura (N,, basso). ~~ Strato sepolto (n+) Substrato (p) Fig. 45. Struttura con impiantazione selettiva di colfettore (SIC) cS (8 IMPLANTATION) 2 IEF} IMPLANTATION} 1088 a ° 200 400 600 Depth [nm] Fig. 46. Confronto tra II di B e BF,. NPN Device Cutoff Frequency (GHz) Year 47, Miglioramento delle prestazione dei circuiti bipolari. %, ab) = 35 am Wi, (met) = 90 am Dopant Concentration (cm) 35486463 % 0 200 400 600 800 Depth (am) Fig. 49. Profilo SIMS di un transistore SiGe. 10? Ae0.8x2.5 um™ RyS-8 Ka 10% | Vee00V SiGe HBT Collector and Base Currents (A) 4 04 05 06 Or 0.8 09 10 Emitter-Base Voltage (V) Fig. 50. Gummel plot relativo a dispositivi Si e SiGe Germanium (%) Emettitore Ey Collettore Emettitore Fig. 51. Diagramma delle bande di energia (Ratio THANE OVALE) 80 TI T 50 s 3 40 3 30 s = 20 3 ee 6 10 52. f, in funzione di I, per un dispositivo Si ed uno SiGe. 0 Of 02 03 05 10 20 30 Collector Current (mA) 50 100 E,(0)-E.(Ws) [meV] (TL Fig. 53. Confronto tra le prestazioni 1 di dispositivi Si e SiGe, per diversi tipi 4 di profili di Ge co 1 1 I ! wad co Conc. Ge B70 Yee ton 0.7 * Yee (son? 0.8 (oy Yoetson®0.4V Fig. 12.11 Invertitore con transistore bi ipolare.” (a) Diagramma circvitale. (6) Viste Prospettica dellinvertitore, (c) Caratteristica di traser di tras‘erimento di tensione, w * Gi corrente: (e) scheme eletirico; (6) realiszarione iniegrata fre aunay 9 ssaoOud UY1OdIa THLE so SS300¥d UVIOGIE SL 5 ' } ) | } } J | 1 1 ) Jo wor.95-ss019 P add-d aseq soysisuwsy, yg oan sor4a96-9039 PUSS] seg OunBEE 9 ssdooud wVIowis ali petra reee ye eenpe eenmten aces IIIT 8 sala WTO Aga UV TOE sso) on arensans: poe: persna] 20.01.09 jw) @ 29 Sw Ee \3 | yet a1et AS beet oz°! Tg-m91 9 se saoiaaa uv 10d saolga UTI BIPOLAR DEVICES Figure 3-18: Layout (a) and ¢ | pwrotaR DEVICES ion (b) of the epitaxial and cross-sect Aaa’ Figure 3-17: Layout (a) BIPOLAR DEVICES cor ‘soysisal snoliwa jo sadwexg <1g-g aunty eee Jeseduexg srg-e sandy dud ay) jo(q) woxjae-ss0s9 pue (2) okey :0g-¢ oandia noewoo feu SR ere are a Di Y WA 2 i ey j 1 = | ULIMIT = | Sa | | | @ oe ae —— ey ENOAV101 an do SLNaINOSS ot saornga uvTosit