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Física de semiconductores, Curso 2016

Sensores semiconductores

Sensores: características y propiedades

En forma general un sensor es un dispositivo que recibe y responde a un estímulo o

señal; es un conversor de energía. Para aplicaciones en electrónica se considera que un
sensor es un dispositivo que recibe un estímulo o señal física y responde con una señal
eléctrica. El estímulo es la propiedad o condición que es sensada y convertida a una señal
eléctrica compatible con un circuito electrónico en el cual será procesada: amplificada,
modificada en amplitud o fase, etc. Por ello, la señal de entrada de un sensor es una
cantidad física: calor, fuerza, radiación, etc. y la señal de salida es una magnitud eléctrica:
tensión, corriente o carga.
Una vez que la señal del sensor es procesada por el sistema electrónico se puede
convertir la señal eléctrica de salida del sistema electrónico en una señal física: onda
acústica, radiación luminosa, etc. por medio de un dispositivo denominado actuador,
Figura 1.

Figura 1

Los sensores semiconductores basados en silicio son muy utilizados debido a que pueden
ser construidos en dimensiones muy pequeñas, e incluidos junto con un sistema
electrónico de procesamiento y acondicionamiento de la señal de entrada y de salida en
un mismo chip formando parte de un circuito integrado.
Básicamente, para sensores con materiales semiconductores basados en silicio se
utilizan las propiedades de los mismos asociados con la variación de la resistividad, o de
la conductividad, con la temperatura y la radiación luminosa producidos por el efecto de
generación de portadores.

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Procesos de generación y recombinación de portadores

Los procesos de generación y de recombinación de portadores que se producen en un

material semiconductor cambian la concentración de portadores y, por lo tanto, afecta a
los mecanismos de arrastre y difusión modificando el número de portadores y en
consecuencia la corriente intensidad de la corriente I.
En forma simple se puede definir la generación en un material semiconductor como el
proceso por el cual se producen portadores: electrones y huecos. El proceso contrario es
la recombinación; mecanismo por el cual electrones y huecos desaparecen.
En un semiconductor estos procesos se pueden producir por varios modos. Un típico
mecanismo para la generación de portadores es el efecto de la temperatura sobre el
material semiconductor. Electrones y huecos se generan debido a la energía térmica que
produce la ruptura de los enlaces covalentes. Este tipo de proceso se denomina
generación térmica directa, resultado de la cual habrá una velocidad de generación Gn
[1/cm-3s] de electrones y una velocidad Gp [1/cm-3s] de huecos. En el proceso de
generación directa banda a banda, como electrones y huecos se generan de a pares,
resultará: Gn = Gp. A mayor energía térmica mayor será la generación de portadores.
Otro proceso de generación banda a banda es el de fotogeneración por el cual al incidir
un fotón de energía E = h  EG se producen pares electrón-hueco por rotura de los
enlaces. En la ecuación anterior h es la constante de Planck y  la frecuencia de la
radiación incidente. Estos procesos se muestran esquemáticamente en la Figura 2.

Figura 2

Asimismo, cuando un electrón libre encuentra en su camino a un hueco se produce el

proceso de recombinación por el cual ambos portadores se combinan para formar un
enlace covalente, desapareciendo como portadores de carga. En este tipo de proceso
habrá una velocidad de recombinación Rn [1/cm-3s] de electrones y una velocidad de

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recombinación Rp [1/cm-3s] de huecos. En el proceso de recombinación directa banda a

banda los electrones y huecos se recombinan en pares resultando Rn = Rp. Si aumenta la
cantidad de electrones y huecos generados también lo hace la recombinación, de modo
que a una dada temperatura se producirá un equilibrio, resultando que la velocidad de
generación de portadores se iguala a la velocidad de recombinación. Si aumenta la
generación de portadores varía la conductividad del material al producirse mayor número
de portadores de carga. La Figura 3 muestra una representación esquemática de un
proceso de recombinación banda a banda.

Figura 3

Otro mecanismo de generación-recombinación de portadores se produce por el agregado

de centros de generación-recombinación. Los centros de generación-recombinación (G-R)
consisten en átomos de impurezas particulares (oro, hierro, cobre) que se constituyen en
trampas que crean niveles de energía cercanos al centro de la banda prohibida. Un
electrón que se mueve en la región cercana al centro de G-R pierde energía y es atrapado
por el centro. Un hueco, por el mismo proceso, es atrapado por el centro y aniquila al
electrón. En el caso de la generación si un electrón absorbe energía térmica puede saltar
al nivel del centro de G-R dejando un hueco en la banda de valencia. Luego el electrón
absorbe energía térmica adicional y puede llegar a la banda de conducción.
Estas propiedades de los semiconductores pueden ser utilizados en la fabricación de
sensores semiconductores con varios tipos de aplicaciones en circuitos electrónicos.

Fotoconductores. Resistores dependientes de la radiación luminosa (LDR)

Un ejemplo de dispositivo sensor semiconductor donde se aprovecha el fenómeno de

generación de portadores es el fotoconductor.

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El fotoconductor es el más simple de los detectores ópticos que convierte una señal óptica
en una señal eléctrica. Básicamente, la operación del fotodetector se debe a la
generación de portadores por medio de la radiación incidente, el transporte y
multiplicación de portadores para proveer ganancia y la interacción con un circuito externo
para proporcionar una señal de salida adecuada.
El dispositivo básico fotodetector, Figura 4, consiste en una barra de material
semiconductor con contactos óhmicos en sus extremos a los cuales se aplica una
diferencia de potencial VBB.

Fotones incidentes

W
VBB

d
Área A
L

Figura 4

Cuando incide radiación luminosa de frecuencia adecuada (E = h   EG) se crean pares

electrón-hueco que cambian la conductividad del material. Debido al campo eléctrico
aplicado (Ɛ = VBB/L) los portadores contribuyen a la corriente eléctrica. Los portadores
están presentes en el sistema hasta que se recombinan o son colectados por los
contactos.
Si no hay radiación incidente, la corriente por el dispositivo está dada por la concentración
de portadores en equilibrio térmico no y po. Para un semiconductor intrínseco la
conductividad se expresa:
o = q (n no + p po)

n y p son las movilidades de electrones y huecos respectivamente, no y po las

concentraciones de electrones y huecos en ausencia de radiación para una dada
temperatura. La expresión anterior se denomina conductividad a oscuras (o). Conviene
que o sea lo más baja posible (alta resistividad).
Si la señal óptica genera una densidad de portadores en exceso n = p, la conductividad
cambia a:
 = q [n (no + n)+ p (po +p)]

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El cambio en la conductividad del material debido a la señal óptica estará dado por:

 = q n (n + p)

La Figura 5 es una representación esquemática del proceso de generación de portadores.

Puede verse que por sobre la concentración de equilibrio no y po hay un exceso de
portadores n = p generados por la excitación luminosa.

Figura 5

En presencia del campo eléctrico Ɛ, la densidad de corriente será:

J = Jo + JL = (o + ) Ɛ

Jo es la densidad de corriente en oscuridad y JL es la densidad de corriente fotogenerada.

Las propiedades anteriores se utilizan en la construcción de celdas fotoconductivas LDR

(Light Dependent Resistors), resistores dependientes de la luz. Los mismos son
componentes electrónicos cuya resistencia disminuye al exponerse a una fuente
luminosa. En la oscuridad presentan una resistencia muy elevada del orden de algunos
M. Debe aclararse que el nombre es genérico, dado que el término luz es aplicado al
rango del espectro electromagnético visible al ojo humano. En general, los LDR son
sensibles a otros rangos del espectro electromagnético, por ejemplo infrarrojo.
Los resistores LDR se fabrican a partir de Sulfuro de Cadmio, que convenientemente
tratado, contiene pocos o ningún electrón libre en completa oscuridad, por lo que en estas

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condiciones su resistencia es muy elevada. Al absorber energía luminosa se libera cierto

número de electrones provocando el aumento de la conductividad  del material
(disminuye la resistencia) justificando la denominación que recibe de fotoconductor o
fotorresistencia.
La relación Resistencia-Iluminación puede expresarse:

-
R=AL

A: constante que depende de las características constructivas y del material

L: iluminación en Lx (Lux)
: constante que depende del material y del proceso de fabricación (varía entre 0.7 y 0.9).

La Figura 6 muestra la característica resistencia en función de la iluminación para un LDR

típico y el símbolo circuital esquemático.

Resistencia vs. Iluminación

Figura 6

Al aplicar una tensión a un LDR se medirá una pequeña corriente aunque el dispositivo se
encuentre en oscuridad, pues debido a la agitación térmica a temperaturas por encima de
0 °K algunos electrones pasan de la banda de valencia a la de conducción. La resistencia
en oscuridad aumenta con la temperatura ambiente, su valor es elevado pero no infinito.
La Figura 7 a) muestra un corte esquemático de un LDR típico y la Figura 7 b) la
fotografía de un dispositivo real.

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Al pasar un LDR de cierto nivel de iluminación a oscuridad total o viceversa, puede

observarse que el valor de su resistencia no cambia inmediatamente sino que debe
transcurrir un cierto tiempo.

Electrodo
Superficie sensible

Contacto de
electrodo
Cubierta plástica
protectora Capa fotoconductiva

Base cerámica

Figura 7 b)
Figura 7 a)

La respuesta temporal de la celda queda determinada por los tiempos de subida (rise
time) y de caída (decay time), como se aprecia en la Figura 8. El tiempo de subida es el
necesario para que la conductancia crezca a aproximadamente el 63% del valor de pico
una vez que fue iluminada la celda. Cuando se pasa a oscuridad el tiempo de caída
queda definido como el tiempo que transcurre para que la conductancia caiga
aproximadamente al 37% de su valor de pico.

63 %
37 %

Tiempo de subida Tiempo de caída

Figura 8

La curva de respuesta espectral representa la relación entre la resistencia y la longitud de

onda de la radiación incidente, y está determinada por las propiedades del material
fotosensible. En frecuencias en el rango visible (0.4 a 0.75 m) y del infrarrojo muy
cercano (0.75 a 1.4 m) se utilizan materiales basados en compuestos de Cadmio (SCd,

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SeCd, TeCd). En frecuencias correspondientes al infrarrojo cercano (1.4 a 3 m) se

utilizan compuestos de plomo (SPb, SePb, TePb). Para la región del infrarrojo medio y
lejano se utilizan compuestos de Indio, Telurio y Mercurio.
En la Figura 9 se muestra una característica típica de un LDR. Se observa que la curva
tiene un máximo en las cercanías de 550 nm. Generalmente se expresa la curva de
sensibilidad relativa para la cual en ordenadas se indica la relación entre la resistencia a
la longitud de onda dada y la que corresponde a la longitud de onda para la cual dicha
resistencia es máxima. Es un dato característico dado en la hoja de datos del dispositivo

Figura 9

La Figura 10 compara la Curva de sensibilidad relativa (%) para: CdS (sulfuro de cadmio),
CdSe (seleniuro de cadmio), CdS-Se (compuestos de cadmio y selenio), comparadas con
el factor de luminosidad, frecuentemente usado para sustituir la respuesta del ojo
humano. Se utilizan en variadas aplicaciones de poca precisión y bajo costo.

Figura 11

Figura 10
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La Figura 11 muestra la hoja de datos dada por el fabricante para una celda
fotoconductora típica (http://www.datasheetcatalog.org/datasheets2/37/37792_1.pdf).

Figura 11

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Termistores NTC

Los termistores son dispositivos cuya comportamiento eléctrico se basa en el cambio de

la resistividad o conductividad del material con la temperatura debido a la generación de
portadores, es decir se comportan como resistores dependientes de la temperatura en los
cuales dentro de un determinado rango la resistencia disminuye al aumentar la
temperatura. En el caso de los termistores NTC la resistencia eléctrica disminuye con el
aumento de la temperatura en un rango bastante amplio. Este efecto de coeficiente
térmico negativo puede obtenerse por un cambio externo de la temperatura ambiente o un
calentamiento interno producido por efecto de la corriente a través del dispositivo (efecto
Joule), Figura 12.

Figura 12

Se fabrican a partir de mezclas sintetizadas de óxidos metálicos. Los materiales típicos

son compuestos de óxido de manganeso con cobre y óxido de níquel con cobre.
Modificando las proporciones de óxido se puede variar la resistencia básica del termistor.
Los valores pueden variar desde pocos Ohms hasta valores de Megaohms a 25 °C.
La sensibilidad a variaciones de temperatura lo hace muy adecuado para mediciones

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precisas de temperatura. Se usa en aplicaciones de control y compensación en el rango

de 50ºC a 450ºC, aproximadamente.
La dependencia de la resistencia con la temperatura puede aproximarse por la relación:

1 1
R = Ro exp [B ( - )]
T To

Ro es el valor de la resistencia a 25 C (temperatura de referencia) y To es el valor de la

temperatura de referencia expresada en grados Kelvin. El parámetro B se denomina
temperatura característica del dispositivo.
La Figura 13 muestra la característica de la resistencia en función de la temperatura para
termistores NTC con distintos valores de B. Se muestra también el símbolo circuital
esquemático.

Figura 13

El parámetro B posee valores típicos comprendidos entre 2000 K y 5000 K. Tiene

dependencia con la temperatura de modo que aumenta su valor al aumentar la
temperatura y también depende del material. Para un termistor NTC el parámetro B puede
calcularse midiendo la resistencia del dispositivo a dos temperaturas T1 y T2, resultante
R1(T1) y R2(T2):
ln 𝑅1⁄𝑅2
𝐵=
1 1
−
𝑇1 𝑇2

En dichas condiciones de medida el valor de B suele especificarse teniendo en cuenta las

temperaturas T1 y T2. Por ejemplo: B25/85.

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Se define un coeficiente de temperatura equivalente o sensibilidad relativa:

𝑑𝑅⁄
𝛼= 𝑑𝑇
𝑅
Utilizando la ecuación dada anteriormente resulta:
𝛼 = −𝐵/ 𝑇 2
Se deduce que el valor de  depende de la temperatura de trabajo T, Figura 14.

Figura 14

En la Figura 15 se muestra la variación resistencia-temperatura para termistores de la

familia 2322 633 5/8.... de BCcomponents. El parámetro de cada curva es el valor de la
resistencia a la temperatura de 25 C.

Figura 15

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La Figura 16 muestra la característica tensión-corriente de un resistor NTC. Para

corrientes bajas la característica es aproximadamente lineal, dado que en esas
condiciones el efecto de autocalentamiento es pequeño. Al aumentar la corriente
comienza a ser importante el efecto de autocalentamiento (punto A) alcanzando una
temperatura por encima de la temperatura ambiente (puntos B, C, D). En estas
condiciones la resistencia del dispositivo disminuye y por lo tanto también la tensión a
través del dispositivo.

Figura 16

En la región de autocalentamiento el dispositivo es sensible a cualquier efecto físico que

modifique las características térmicas. Por eso puede ser utilizado en distintos tipos de
mediciones: nivel, caudal, conductividad, etc.
Debido a la inercia térmica del material se presenta un retardo de tiempo hasta alcanzar el
estado estacionario para llegar a una dada temperatura. Este comportamiento lo hace útil
en aplicaciones para supresión de transitorios. Se define una constante de tiempo térmica
 que es el tiempo necesario para que la temperatura del dispositivo cambie un 63% de la
diferencia entre la temperatura inicial y final cuando se lo somete a un cambio de
temperatura del tipo escalón.
Los termistores NTC se utilizan en aplicaciones basadas en el autocalentamiento del
dispositivo o en calentamiento externo adosando el dispositivo al lugar donde se pretende
medir la temperatura. Por ello se encuentran muchos tipos constructivos de acuerdo a la
aplicación particular, Figura 17.

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Figura 17

Un ejemplo básico es el mostrado esquemáticamente en la Figura 18. Es un circuito típico

usado para medir temperatura en un margen reducido.

Figura 18
La corriente a través del circuito varía en forma no lineal con la temperatura debido a la
variación de la resistencia del NTC, la escala del microamperímetro puede graduarse en
escala de temperatura.
El circuito anterior puede ser utilizado para indicación de nivel de un líquido o fluido,
dando una indicación visual o sonora cuando se baja de cierto nivel prefijado.
Un esquema del funcionamiento anterior se muestra en la Figura 19 a). El dispositivo se
encuentra a cierta temperatura cuando se encuentra sumergido en el líquido y mantiene
una cierta corriente por el circuito. Cuando el nivel del líquido baja de cierto nivel, Figura
19 b), el dispositivo cambia su temperatura modificando su resistencia y por lo tanto la
corriente en el circuito. El relé se utiliza para accionar el indicador.

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Figura 19 a) Figura 19 b)

En algunas aplicaciones es necesario tener una variación lineal con la temperatura. En

ese caso se puede utilizar al termistor NTC en serie con un resistor R común formando un
divisor de tensión como se ve en la Figura 20. De esta forma la tensión de salida del
divisor tiene una variación más lineal. Si R es igual al valor de la resistencia del NTC a 25
C la tensión se mantiene aproximadamente lineal alrededor de la temperatura ambiente.

Figura 20
Bibliografía

Fundamentos de semiconductores, R. Pierret

Dispositivos semiconductores, J. Singh
Sensores y acondicionadores de señal, R. Pallás Areny
Nota de aplicación Panasonic, 2010, Termistores NTC
Maxim Integrated, Tutorial 817, Using Thermistors in Temperature Tracking Power
Supplies, 2001.
VISHAY BCCOMPONENTS, Document Number: 29053, www.vishay.com
http://www.digikey.com/en/pdf/a/api-technologies/api-ntc-thermistor-engineering-notes

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Ejercicios propuestos

1- La figura muestra el circuito equivalente aproximado de un circuito para controlar la

iluminación sobre una lámpara utilizando un fotoconductor. En condiciones de
oscuridad R = 1 M. En condiciones de plena luz R= 0.4 k. Calcular el rango de
corrientes, máxima y mínima, en el circuito.

2- El resistor LDR tiene la característica de la figura. Si se somete a una iluminación

entre 5 Lx y 50 Lx calcular cuál será la indicación del amperímetro.

3- Teniendo en cuenta que la resistencia del

-α
LDR puede aproximarse por: R = A L .
Verificar que la tensión Vo es función de la
iluminación y encontrar la expresión.

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4- Un termistor NTC tiene la característica mostrada en la figura. Calcular los

parámetros del termistor B y  para R25C = 100 k y R25C = 10 k.

5- Se utiliza un NTC como termómetro en un circuito básico como el de la figura. Se sabe

que R25C= 10 k y R50C = 3.5 k. Calcular el valor de B del termistor. Si se mide una
tensión Vo= 0.5 V a T = 50 C ¿cuánto vale R?

6- Se pretende construir un termómetro usando la

configuración puente mostrada en la figura en la
cual el resistor R2 es un termistor NTC cuya
R25C= 10 k y su característica R-T es la del
problema 4.
La medición de temperatura estará comprendida
en el rango 0 C - 100 C. La indicación del
voltímetro deber ser nula para T= 0 C.
La tensión de alimentación del puente es 9 V.
Completar la tabla indicando cuál será la tensión
medida.
El voltímetro es ideal.

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Temperatura [C] R2 [] Tensión medida [V]

0
20
40
60
80
100

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