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DIODOS EN DC

Ing. Milagros Mejías

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REPASO

• Unión PN
• Corriente de difusión
• Región de agotamiento
• Corriente de desplazamiento
• Unión PN en directo
• Unión PN en inverso
• Ruptura
• Zener
• Avalancha

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UNIÓN P-N EN DIRECTO

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UNIÓN P-N EN INVERSO

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DIODO

Es la unión de un semiconductor de
tipo P con otro de tipo N

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CURVA C ARACTERÍSTIC A DEL
DIODO

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CARACTERÍSTICAS DE LOS
DIODOS DE SILICIO Y
GERMANIO

Los diodos de silicio tienen valores nominales de VPI y de


corriente más altos e intervalos de temperatura más
amplios que los diodos de germanio.

Silicio Germanio
VPI 1000 V 400 V
Vumbral 0.7 V 0.3 V
Temp. max 200C 100C

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COMPARACIÓN ENTRE EL DIODO
DE SILICIO Y EL DE GERMANIO

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RESISTENCIA DEL DIODO

A medida que el punto de operación de un diodo se


mueve desde una región a otra, la resistencia del
diodo cambiará debido a la forma no lineal de la
curva característica.

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RESISTENCIA ESTÁTICA O DC

Se obtiene al aplicar voltaje directo, el punto de


operación no cambia con el tiempo.
I

VD
ID Q RD 
ID
VD V

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RESISTENCIA DINÁMICA O AC

I Se obtiene al aplicar un voltaje alterno

Q V
rD 
I
VD V

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CAPACITANCIA DE
TRANSICIÓN Y DIFUSIÓN

En la región de polarización inversa tenemos


la capacitancia de la región de agotamiento o
transición CT.
En la polarización directa tenemos la
capacitancia de difusión CD

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C APACITANCIA DE TRANSICIÓN

En la región de polarización inversa hay una


región de agotamiento (libre de portadores)
que en esencia se comporta como un
aislador entre las capas de carga opuesta.
La región de agotamiento aumentará con el
incremento de potencial de polarización
inversa y por lo tanto la capacitancia de
transición disminuirá porque d aumenta.

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C APACITANCIA DE TRANSICIÓN

Donde:
*A
CT  ε constante de permitividad
A área entre las placas
d d distancia entre las placas

+ + + - + - - -

+ + + - + - - -

+ + + - + - - -

P - Vo + N

V 15
C APACITANCIA DE DIFUSIÓN

Cuando el diodo está polarizado en sentido directo


cierta cantidad de exceso de carga de portadores
minoritarios se almacenan en la mayor parte de cada
una de las regiones p y n.
Si cambia el voltaje, cambia la cantidad de carga
almacenada hasta que se llega a un nuevo estado
estable.
Este fenómeno de carga y almacenamiento da lugar a
otro efecto capacitivo.

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C APACITANCIA DE DIFUSIÓN

La capacitancia de difusión se define como:

dQ
CD 
dV
t
CD  I
V
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CAPACITANCIA DE
TRANSICIÓN Y DIFUSIÓN

Capacitancia

CT CD

Inverso Directo
Voltaje

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MODELOS DE DIODOS

Existen tres aproximaciones para el diodo,


cada una de ellas es útil en ciertas
condiciones:
• Primera aproximación (diodo ideal)
• Segunda aproximación
• Tercera aproximación

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PRIMERA APROXIMACIÓN

• Se utiliza esta aproximación cuando la magnitud de la


señal de trabajo es mucho mayor que 0.7 V o cuando
se quiere obtener respuestas rápidas, es muy utilizada
en la detección de fallas.
• El diodo ideal se comporta como un cortocircuito
cuando está polarizado en directo y como un circuito
abierto cuando está polarizado en inverso.

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DIODO IDEAL

Diodo Ideal

Polarizado en directo
ID

VD

Polarizado en inverso

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SEGUNDA APROXIMACIÓN

En esta aproximación se toma en cuenta el valor de Vo, el cual


es 0,7V para el diodo de silicio y 0,3V si el diodo es de
germanio. El diodo no conduce hasta que se supere este
voltaje. Polarizado en directo
ID

Vo

Vo
VD

Polarizado en inverso
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TERCERA APROXIMACIÓN

En esta aproximación se toma en cuenta la resistencia


interna del diodo.
Polarizado en directo

ID rD Vo

Vo
VD

rI

Polarizado en inverso 23
CURVA DEL DIODO REAL

I es la corriente que atraviesa el diodo


VD es la tensión del diodo.
IS es la corriente de saturación inversa
q es la carga del electrón (1.6 * 10 − 19 coulomb)
T es la Temperatura absoluta
k es la constante de Boltzmann (1.38 x 10 –23 J/K)
n es el coeficiente de emisión, vale 1 (para el
germanio) y del orden de 2 (para el silicio).

El término VT = kT/q = T/11600 es la tensión debida a


la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura
ambiente (300 K ó 27 ºC). 24
EJERCICIOS

1. Para el siguiente circuito, determine voltaje y corriente


en la resistencia R, usando los siguientes modelos para
el diodo.
a) Diodo ideal
b) Diodo de Germanio
c) Diodo de Silicio, rD=15Ω y rI=200MΩ
D1

DIODE_VIRTUAL
V1 R1
10 V 1kOhm
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EJERCICIOS

1. Invierta el diodo en el circuito anterior, calcule voltaje y


corriente en la resistencia R usando los mismos
modelos del diodo.

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EJERCICIOS

Calcule VR2

R1 D1 D3

2kΩ Si
R2 V2
V1 2kΩ 12 V
12 V
D2 D4 R3

Ge rd=500, ri=2M Ge 2kΩ

Solución VR2 = 7.32V


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