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1. DESCRIPCIÓN
Se espera que los estudiantes tengan listo el circuito de disparo del Mosfet. Se sugiere simular los circuitos previos a la práctica
para comparar con los resultados prácticos. Todos los montajes de potencia, se deben realizar con una tensión DC de 100V.
2. OBJETIVOS
Analizar e implementar las señales de control directa y flotante de semiconductores Mosfet.
3. MATERIALES
Mosfet, Transistores NPN, PNP, resistencias, condensadores, diodos, transformadores de pulso.
Circuito de control de señal cuadrada,
Carga resistiva de 100 W.
Utilizando los circuitos de disparo propuestos en a y b, controle una carga de 100W utilizando un Mosfet que permita variar el ciclo
útil desde un 10% hasta el 100% en por lo menos 10 pasos. Frecuencia de conmutación, f=20 kHz
3. Disparo con optoacoplador. Exige una fuente del circuito de control diferente del circuito de potencia. El
optoacoplador aísla la señal de control pero aún se requiere el circuito de acondicionamiento para generar
el disparo del dispositivo.