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TECNOLOGIA DO AMAZONAS.
CAMPUS MANAUS – DISTRITO INDUSTRIAL.
PRÁTICAS DE ELETRÔNICA II
Manaus
2019
INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E
TECNOLOGIA DO AMAZONAS.
CAMPUS MANAUS – DISTRITO INDUSTRIAL.
RELATÓRIO
Manaus
2019
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Sumário
Introdução. .............................................................................................................................................. 4
Introdução
Abaixo ilustramos a estrutura interna, seu símbolo esquemático e o circuito equivalente do UJT.
Como entre B1 e B2 temos apenas uma barra de semicondutor, podemos dizer que temos ali
uma resistência ôhmica, que varia na prática entre 4K e 10KΩ. Isto vale para quando o emissor
estiver aberto. Esta resistência é chamada de Rbb ou resistência interbase, que corresponde a:
Rbb = Rb1 + Rb2
Ao aplicarmos uma tensão entre B1 e B2 teremos um divisor de tensão com RB1 e RB2
calculado por:
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Etapa 1
Etapa 2
– Antes da tensão no capacitor chegar a vBB, o limiar vP é atingido e o UJT entra em condução.
Etapa 3
– O capacitor começa a ser descarregado por meio do diodo.
– Com a condução do diodo, a resistência Rb1 fica muito pequena (como a resistência interna
de um diodo).
– A descarga é rápida pois RB1 é pequeno.
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Etapa 4