Orden por máxima corriente

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 5500 6000

Diodos 5000 A
Diodos AV 3500 A
Schottky 300 A
SCR (Tiristor) 5000 A
RCT 1000 A
GATT 400 A
LASCR 1500 A
TRIAC 50 A
GTO 3000 A
SITH 300 A
MCT 100 A
BJT 500 A
FET 150 A
MOSFET 50 A
IGBT 400 A
SIT 300 A

Orden por máxima tensión

0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 9000 10000 11000

Diodos 10000 V
Diodos AV 3000 V
Schottky 100 V
SCR (Tiristor) 6000 V
RCT 2500 V
GATT 1200 V
LASCR 6000 V
TRIAC 800 V
GTO 4000 V
SITH 1200 V
MCT 1000 V
BJT 1200 V
FET 1000 V
MOSFET 1000 V
IGBT 1200 V
SIT 1200 V
 Orden por velocidad
-5 15 35 55 75 95 115 135 155 175 195 215

Diodos 100 µs
Diodos AV 0.02 µs
Schottky
SCR (Tiristor) 200 µs
RCT 40 µs
GATT 8 µs
LASCR 200 µs
TRIAC
GTO
SITH
MCT
BJT 100 µs
FET
MOSFET 10 µs
IGBT 50 µs
SIT 0.25 µs

Características de conmutación de los semiconductores de potencia

Tipo de Dispositivo Compuerta Compuerta Cerrado Abertura Voltaje Voltaje Corriente Corriente
dispositivo continua pulsada controlado controlada unipolar bipolar unidireccional bidireccional

Diodos de
Diodos potencia X X

Transistores BJT X X X X X
MOSFET X X X X X
COOLMOS X X X X X
IGBT X X X X X
SIT X X X X X
Tiristores SCR X X X X
RCT X X X X
TRIAC X X X X
GTO X X X X X
MTO X X X X X
ETO X X X X X
ICGT X X X X X
SITH X X X X X
MCT X X X X X
Tiempo de recuperación directo trf es el tiempo requerido para que la tensión del
diodo VD caiga a un valor particular después de que la corriente directa comience a
fluir.
Partiendo en condición de polarización inversa, fluye por el diodo una corriente de
fuga debido a portadores minoritarios. Se requiere de un tiempo trf antes de que los
portadores mayoritarios de toda la unión puedan contribuir al fujo de corriente.