Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor

utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una
Transistor
señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de
transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente en
todos los aparatos electrónicos de uso diario tales como radios,
televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos
integrados.

Índice
Historia
Funcionamiento
Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Transistor de unión bipolar El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia
Transistor de efecto de campo que es capaz de manejar
Fototransistor Tipo Semiconductor
Transistores y electrónica de potencia Invención John Bardeen, Walter Houser
Construcción Brattain y William Bradford Shockley
Material semiconductor (1947)
El transistor bipolar como amplificador Símbolo electrónico
Emisor común
Diseño de una etapa en configuración emisor
común
Base común
Colector común
El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
Véase también
Terminales Emisor, base y colector
Referencias
Bibliografía
Enlaces externos

Historia
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una patente para lo que él denominó "un
método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto
campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados
Unidos en los años 19262 y 1928.3 4 Sin embargo, Lilienfeld no
publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus
patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo.
Debido a que la producción de materiales semiconductores de alta
calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld
sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico
en los años 1920 y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo
de este tipo.5

En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran

Bretaña6 un dispositivo similar. Cuatro años después, los también
alemanes Robert Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron experimentos en la
Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro de potasio,
usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de Réplica del primer transistor en actividad, que
señales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos hoy pertenece a la empresa Lucent
Technologies
prácticos.7 Mientras tanto, la experimentación en los Laboratorios
Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las explicaciones
sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del alemán Walter Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar
en 1938 a William Shockley que era posible lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de
tubos de vacío.7

Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos estadounidenses John Bardeen y Walter Houser
Brattain de los Laboratorios Bell8 llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro
eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida mayor que la de entrada.9 El líder del
Grupo de Física del Estado Sólido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para
ampliar en gran medida el conocimiento de los semiconductores. El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero
estadounidense John R. Pierce, basándose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y el varistor
y basándose en la propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo.10 Según una biografía de John Bardeen, Shockley
había propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía estar basado en el efecto de campo y que
él fuera nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido años atrás, los
abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no
era nueva. En su lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer transistor de contacto de punto,
cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1946,11 a la cual siguieron otras patentes acerca
de aplicaciones de este dispositivo.12 13 14 En reconocimiento a éste logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados
conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del
efecto transistor".15

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker,
mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré
tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el
desarrollo de un radar alemán durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el
fenómeno de la "interferencia" que había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Mataré
produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo que
Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios
Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a poner en producción su dispositivo llamado
"transistron" para su uso en la red telefónica de Francia.16 El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del
transistor bipolar de unión17 y el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,18 tal
como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey
e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,19 cuya nueva patente fue solicitada el 31 de
octubre de 1952.20 Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney Darlington solicitó la patente del arreglo de dos
transistores conocido actualmente como transistor Darlington.21

El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio desarrollado por los estadounidenses
John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en 1953,22 capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.23 Para fabricarlo,
se usó un procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran grabadas depresiones en una base de
germanio tipo N de ambos lados con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El
Indio electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor.24 El primer receptor de radio para automóviles que fue
producido en 1955 por Chrysler y Philco; usó estos transistores en sus circuitos y también fueron los primeros adecuados para las
computadoras de alta velocidad de esa época.25 26

El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954 por el químico Morris
Tanenbaum.27 El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por
ambos para producir dispositivos semiconductores.28 El primer transistor de silicio comercial fue producido por Texas
Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el
crecimiento de cristales de alta pureza.29 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon
Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.30 31

Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que
forman dos uniones bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les
considera un elemento activo,32 a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el
transistor solo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base
para que circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia
Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente
de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones)
básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza
la corriente que se inyecta en el terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el
terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y
el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en
el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga
conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al
funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala disponible hoy en día; para tener una
idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias
capas superpuestas.

Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Llamado también "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor
capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter
Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces
mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se
apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se
Distintos encapsulados de transistores.
«ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en
efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de
unión debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias
entre las de un conductor eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de
cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-
N-P, dando lugar a dos uniones PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores
de carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos aceptadores
de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.

Diagrama de Transistor NPN

La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada
y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más
básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le
llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el
drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una -Símbolo del transistor JFET, en el
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con que se indican: drenador, surtidor y
compuerta
un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento,
cesa la conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta
impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante
un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso
la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su
flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor
normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo
de iluminación).

Transistores y electrónica de potencia

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada
vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los
transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente
inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

Construcción

Material semiconductor

Características del material semiconductor

Tensión Movilidad de Movilidad de Máxima
Material directa electrones huecos temperatura de
semiconductor de la unión unión
m2/(V·s) @ 25 °C m2/(V·s) @ 25 °C
V @ 25 °C °C
Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100
Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200
GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200
Al-Si 0.3 — — 150 a 200

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los transistores de Silicio (Si) actualmente
predominan, pero ciertas versiones avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor
de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un
elemento (Ge y Si) se describe como elemental.

Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes utilizados para fabricar transistores se dan en la tabla
adjunta; estos parámetros variarán con el aumento de la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la tensión, y otros
factores diversos.
La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un transistor bipolar de unión con el fin de hacer que
la base conduzca a una corriente específica. La corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta la tensión en
directa de la unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una corriente de 1 mA (los mismos valores se aplican a
los diodos semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión de la unión en directa, mejor, ya que esto significa que se requiere
menos energía para colocar en conducción al transistor. La tensión de unión en directa para una corriente dada disminuye con el
aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es de –2.1 mV/°C.34 En algunos circuitos deben usarse
elementos compensadores especiales (sensistores) para compensar tales cambios.

La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del campo eléctrico que forma el canal y de
varios otros fenómenos tales como el nivel de impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento eléctrico.

Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la velocidad media con que los electrones y
los huecos se difunden a través del material semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro, aplicado a través del
material. En general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede funcionar más rápido. La tabla indica que
el germanio es un material mejor que el silicio a este respecto. Sin embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en
comparación con el silicio y arseniuro de galio:

1. Su temperatura máxima es limitada.

2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los huecos para todos los materiales
semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado tiende a ser más rápido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de
galio tiene el valor más alto de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es por esta razón que se utiliza en
aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta movilidad de
electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión entre diferentes materiales semiconductores) de arseniuro de galio-
aluminio (AlGaAs)-arseniuro de galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una unión de barrera
GaAs-metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT se utilizan en los receptores de satélite que trabajan a
frecuencias en torno a los 12 GHz. Los HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT)
proporcionan una movilidad de los electrones aún mayor y se están desarrollando para diversas aplicaciones.

Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido tomados a partir de las hojas de datos de varios
fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida o el transistor puede dañarse.

Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal-semiconductor de alta velocidad (de aluminio-
silicio), conocidos comúnmente como diodos Schottky. Esto está incluido en la tabla, ya que algunos transistor IGFET de
potencia de silicio tienen un diodo Schottky inverso "parásito" formado entre la fuente y el drenaje como parte del proceso de
fabricación. Este diodo puede ser una molestia, pero a veces se utiliza en el circuito del cual forma parte.

El transistor bipolar como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en
directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión
igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = β IB, es
decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Existen tres configuraciones
para el amplificador transistorizado: emisor común, base común y colector común.
Emisor común
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El
emisor se conecta al punto de tierra (masa) que será común, tanto de la
señal de entrada como para la de salida. En esta configuración, existe
ganancia tanto de tensión como de corriente. Para lograr la estabilización
de la etapa ante las variaciones de la señal, se dispone de una resistencia de
emisor, (RE) y para frecuencias bajas, la impedancia de salida se aproxima
a RC. La ganancia de tensión se expresa:

El signo negativo, indica que la señal de salida está invertida con respecto
a la señal de entrada.

Si el emisor está conectado directamente a masa, la ganancia queda

expresada de la siguiente forma:

Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, Emisor común.
entre ellos se puede suponer que existe una tensión constante, denominada
y que el valor de la ganancia (β) es constante. Del gráfico adjunto, se
deduce que la tensión de emisor es:

Y la corriente de emisor:

La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

Despejando la corriente de colector:

La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:

Como β >> 1, se puede aproximar:

y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:

La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada), y la restante expresa la señal de salida. El signo
negativo indica que la señal de salida está desfasada 180º respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia es expresada como:

La corriente de entrada, , si puede expresarse como sigue:

Suponiendo que , podemos escribir:

Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada queda como:

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más elaborados. Es muy frecuente usar el
modelo en pi.

Diseño de una etapa en configuración emisor común

Recta de carga

Esta recta se traza sobre las curvas características de un transistor que proporciona el fabricante. Los puntos para el trazado de la

misma son: y la tensión de la fuente de alimentación

En los extremos de la misma, se observan las zonas de corte y de
saturación, que tienen utilidad cuando el transistor actúa como interruptor.
Conmutará entre ambos estados de acuerdo a la polarización de la base.

La elección del punto Q, es fundamental para una correcta polarización.

Un criterio extendido es el de adoptar , si el circuito no posee

. De contar con como es el caso del circuito a considerar, el valor de
se medirá desde el colector a masa.

El punto Q, se mantiene estático mientras la base del transistor no reciba

una señal. Recta de carga de un transistor en
configuración de emisor común
Ejercicio

Procederemos a determinar los valores de

Datos:

Esta aproximación se admite porque

Amplificador de emisor común

Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a través del divisor de voltaje y , debe ser mucho mayor que
la corriente de base; como mínimo en una relación 10:1

utilizando el valor de obtenido anteriormente

La resistencia dinámica del diodo en la juntura del emisor , se calcula tomando el valor del voltaje térmico en la misma, y está
dado por:

Con este valor, se procede a calcular la ganancia de voltaje de la etapa;

No se toma en cuenta ya que el emisor se encuentra a nivel de masa para la señal por medio de , que en el esquema se
muestra como ; entonces, la impedancia de salida , toma el valor de si el transistor no tiene carga. Si se considera la
carga , se determina por considerando que tiene el valor ,
Al considerar la , la ganancia de tensión se ve modificada:

La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, está dada por

Mientras que la impedancia de entrada a la etapa, se determina:

La reactancia de los capacitores no se ha tenido en cuenta en los cálculos, porque se han elegido de una capacidad tal, que su
reactancia en las frecuencias de señales empleadas.

Base común
La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La
base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida.
En esta configuración se tiene ganancia solo de tensión. La impedancia de
entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a
que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una
resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor
común, da como resultado que la ganancia aproximada es:

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja

impedancia de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

Colector común
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El
colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de
Base común
salida. En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de
tensión que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada
es alta, aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga. Además, la
impedancia de salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la
fuente de señal.

El transistor bipolar frente a la

válvula termoiónica
Antes de la aparición del transistor, eran usadas las válvulas termoiónicas.
Las válvulas tienen características eléctricas similares a la de los
transistores de efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende
de la tensión en el terminal llamado rejilla. Las razones por las que el
transistor reemplazó a la válvula termoiónica son varias:

Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las Colector común
centenas de voltios, que son peligrosas para el ser humano.
 Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco útiles para el uso con baterías.
El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores requeridos para su funcionamiento
sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy corto comparado con el de los
transistores, sobre todo a causa del calor generado.
Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que necesitan
estar calientes para establecer la conducción.
El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los transistores, que son intrínsecamente
insensibles a él.
Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque existe unanimidad sobre este punto,
conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo
que el tamaño que se ha de considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más el del disipador. Como las
válvulas pueden funcionar a temperaturas más elevadas, la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los
transistores, con lo que basta un disipador mucho más pequeño.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y corrientes altas; mientras que
las válvulas presentan impedancias elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.
Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su lanzamiento inicial y se contó con la
promesa de las empresas fabricantes de que su costo continuaría bajando (como de hecho ocurrió) con
suficiente investigación y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital, llamada ENIAC, la cual pesaba más
de treinta toneladas y consumía 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequeña ciudad, a causa de sus aproximadamente
18 000 válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día, necesitando una logística y una organización importantes para
mantener este equipo en funcionamiento.

El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la década de 1950, pero no del todo. En efecto,
durante los años 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama alta, como
Collins y Drake; luego el transistor desplazó a la válvula de los transmisores pero no del todo en los amplificadores de
radiofrecuencia. Otros fabricantes de instrumentos eléctricos musicales como Fender, siguieron utilizando válvulas en sus
amplificadores de audio para guitarras eléctricas. Las razones de la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:

Falta de linealidad: El transistor no tiene las características de linealidad a alta potencia de la válvula
termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisión de radio profesionales y de
radioaficionados sino hasta varios años después.[cita requerida]
Generación de señales armónicas: Las señales armónicas introducidas por la falta de linealidad de las válvulas
resultan agradables al oído humano, como demuestra la psicoacústica, por lo que son preferidos por los
audiófilos.
Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los efectos electromagnéticos de las
explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control y
comando de aviones caza de fabricación soviética.[cita requerida]
Manejo de altas potencias: Las válvulas son capaces de manejar potencias muy grandes, a diferencia de la que
manejaban los primeros transistores; sin embargo a través de los años se desarrollaron etapas de potencia con
múltiples transistores en paralelo capaces de conseguir manejo de potencias mayores.
Véanse también: Válvula termoiónica y Transistor bipolar.

Véase también
Historia del transistor
Quiteron
Semiconductor
Transistor de aleación
Transistor de película delgada
Transistor de unión bipolar
Transistor IGBT
Transistor uniunión
Válvula termoiónica
 Datasheet
Referencias
1. «Patent 272437 Summary» (http://brevets-patents.ic.
gc.ca/opic-cipo/cpd/eng/patent/272437/summary.htm
l) (en inglés). Canadian Intellectual Property Office.
Consultado el 19 de febrero de 2016.
2. «Patent US 1745175: Method and apparatus for
controlling electric currents» (https://docs.google.co
m/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/
pdfs/US1745175.pdf) (en inglés). United States
Patent Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.
3. «Patent US 1877140: Amplifier for electric currents»
(https://docs.google.com/viewer?url=patentimages.st
orage.googleapis.com/pdfs/US1877140.pdf) (en
inglés). United States Patent Office. Consultado el 19
de febrero de 2016.
4. «Patent US 1900018: Device for controlling electric
current» (https://docs.google.com/viewer?url=patenti
mages.storage.googleapis.com/pdfs/US1900018.pdf)
(en inglés). United States Patent Office. Consultado
el 19 de febrero de 2016.
5. Vardalas, John (mayo de 2003). «Twists and Turns in
the Development of the Transistor» (https://web.archi
ve.org/web/20160302014224/http://te.ieeeusa.org/20
03/May/history.asp). Today's Engineer. Archivado
desde el original (http://te.ieeeusa.org/2003/May/hist
ory.asp) el 2 de marzo de 2016. Consultado el 19 de
febrero de 2016.
6. «Patent GB439457: Improvements in or relating to
electrical amplifiers and other control arrangements
and devices.» (http://worldwide.espacenet.com/public
ationDetails/originalDocument?CC=GB&NR=439457
A&KC=A&FT=D&ND=1&date=19351206&DB=&local
e=en_EP) (en inglés). European Patent Office.
Consultado el 19 de febrero de 2016.
7. «1926 - Field Effect Semiconductor Device Concepts
Patented» (http://www.computerhistory.org/semicond
uctor/timeline/1926-field.html) (en inglés). Computer
History Museum. 28 de diciembre de 2015.
Consultado el 19 de febrero de 2016.
8. Vardalas, John. «Twists and Turns in the
Development of the Transistor» (https://web.archive.o
rg/web/20160302014224/http://te.ieeeusa.org/2003/
May/history.asp). Today's Engineer Online (en
inglés). Archivado desde el original (http://te.ieeeusa.
org/2003/May/history.asp) el 2 de marzo de 2016.
Consultado el 7 de marzo de 2016.
9. «November 17 - December 23, 1947: Invention of the
First Transistor» (http://www.aps.org/publications/aps
news/200011/history.cfm) (en inglés). American
Physical Society. Consultado el 7 de marzo de 2016.
10. Braun, Ernest; MacDonald, Stuart (1982). Revolution
in miniature: the history and impact of semiconductor
electronics (https://books.google.co.ve/books?id=03c
4wldf-k4C&printsec=frontcover#v=onepage&q&f=fals
e) (en inglés) (2nd ed. edición). Cambridge [etc.]:
Cambridge University Press. p. 45. ISBN 0521247012.
Consultado el 7 de marzo de 2016.
11. «Patent US2524035: Three-electrode circuit element
utilizing semiconductive materials» (https://docs.goog
le.com/viewer?url=patentimages.storage.googleapis.
com/pdfs/US2524035.pdf) (en inglés). United States
Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
12. «Patent US2569347: Circuit element utilizing
semiconductive material» (https://docs.google.com/vi
ewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdf
s/US2569347.pdf) (en inglés). United States Patent
Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
13. «Patent US2502479: Semiconductor amplifier» (http
s://docs.google.com/viewer?url=patentimages.storag
e.googleapis.com/pdfs/US2502479.pdf) (en inglés).
United States Patent Office. Consultado el 13 de
marzo de 2016.
14. «Patent US2600500: Semiconductor signal
translating device with controlled carrier transit
times» (https://docs.google.com/viewer?url=patentim
ages.storage.googleapis.com/pdfs/US2600500.pdf)
(en inglés). United States Patent Office. Consultado
el 13 de marzo de 2016.
15. «The Nobel Prize in Physics 1956» (http://www.nobel
prize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/) (en
inglés). Nobel Media AB. Consultado el 7 de marzo
de 2016.
16. «1948: The European Transistor Invention» (http://w
ww.computerhistory.org/siliconengine/the-european-tr
ansistor-invention/) (en inglés). Computer History
Museum. Consultado el 7 de marzo de 2016.
17. «Patent US2569347: Circuit element utilizing
semiconductive material» (https://docs.google.com/vi
ewer?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdf
s/US2569347.pdf) (en inglés). United States Patent
Office. Consultado el 30 de marzo de 2016.
18. «Patent US2744970: Semiconductor signal
translating devices» (https://docs.google.com/viewe
r?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US
2744970.pdf) (en inglés). United States Patent
Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
19. Robinson, C. Paul (2013). «GEORGE C.
(CLEMENT) DACEY» (http://www.nap.edu/read/1847
7/chapter/13). Memorial Tributes (en inglés) (The
National Academies Press) 17. doi:10.17226/18477 (htt
p://dx.doi.org/10.17226%2F18477). Consultado el 14 de
marzo de 2016.
20. «Patent US2778956: Semiconductor signal
translating devices» (https://docs.google.com/viewe
r?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US
2778956.pdf) (en inglés). United States Patent
Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
21. «Patent US2663806: Semiconductor signal
translating device» (https://docs.google.com/viewer?
url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US26
63806.pdf) (en inglés). United States Patent Office.
Consultado el 30 de marzo de 2016.
22. «Patent US2885571» (https://docs.google.com/viewe
r?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US
2885571.pdf) (en inglés). United States Patent
Office. Consultado el 8 de marzo de 2016.
23. Bradley, William (8 de enero de 2007). «The Surface-
Barrier Transistor: Part I-Principles of the Surface-
Barrier Transistor» (http://ieeexplore.ieee.org/xpl/artic
leDetails.jsp?arnumber=4051260). Proceedings of
the IRE (en inglés) 41 (12).
doi:10.1109/JRPROC.1953.274351 (http://dx.doi.org/10.1109%
2FJRPROC.1953.274351).
24. Bohr, Edwin (agosto de 1957). «The Amazing
Surface Barrier Transistor» (http://www.rfcafe.com/ref
erences/radio-news/amazing-surface-barrier-transist
or-august-1957-radio-tv-news.htm). Radio & TV
News (en inglés) 58 (2). Consultado el 7 de marzo de
2016.
25. «Electrónica al día» (http://www.mimecanicapopular.c
om/vergral.php?n=417). Mecánica Popular 16 (5).
mayo de 1955. Consultado el 7 de marzo de 2016.
26. Rosen, Saul (1991). «PHILCO: Some Recollections
of the PHILCO TRANSAC S-2000» (http://docs.lib.pu
rdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=1890&context=c
stech) (en inglés). Purdue University. Consultado el 7
de marzo de 2016.
27. «1954: Silicon Transistors Offer Superior Operating
Characteristics» (http://www.computerhistory.org/silic
onengine/silicon-transistors-offer-superior-operating-c
haracteristics/) (en inglés). Computer History
Museum. Consultado el 7 de marzo de 2016.
28. «Patent US2861018» (https://docs.google.com/viewe
r?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US
2861018.pdf) (en inglés). United States Patent
Office. Consultado el 7 de marzo de 2014.
29. Riordan, Micheal. «The lost history of the transistor»
(http://spectrum.ieee.org/biomedical/devices/the-lost-
history-of-the-transistor) (en inglés). IEEE Spectrum.
Consultado el 7 de marzo de 2016.
30. «Patent US3102230» (https://docs.google.com/viewe
r?url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US
3102230.pdf) (en inglés). United States Patent
Office. Consultado el 7 de marzo de 2016.
31. «1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor
Demonstrated» (http://www.computerhistory.org/silico
nengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-d
emonstrated/) (en inglés). Computer History
Museum. Consultado el 7 de marzo de 2016.
32. Diccionario de Electrónica, Informática Y Energía
Nuclear, pág. 10. (https://books.google.es/books?id=
BVDd8xRNQ3IC&pg=PA10&dq=transistor+elemento
+activo&hl=es&sa=X&ved=0ahUKEwikz6r8rp3LAhV
M7hoKHQVJA_wQ6AEIMzAC#v=onepage&q=transi
stor%20elemento%20activo&f=false) En Google
libros.
33. [https://books.google.es/books?
id=BVDd8xRNQ3IC&pg=PA10&dq=transistor+elemento
Diccionario de Electrónica, Informática Y Energía
Nuclear, pág 425. En Google libros.
34. Smith, Kenneth C.; Sedra, Adel (2004).
Microelectronic circuits (5 edición). New York: Oxford
University Press. p. 397. ISBN 0-19-514251-9.

Bibliografía
1. Alley-Atwood. Ingeniería Electrónica. ISBN 968-18-0967-X
2. Boylestad-Nashelsky. Electrónica. Teoría de circuitos. ISBN 968-880-347-2

Enlaces externos
Wikimedia Commons alberga una categoría multimedia sobre Transistor.
Wikcionario tiene definiciones y otra información sobre transistor.

Transistores Vs. Válvulas para aplicaciones en audio de alta fidelidad (https://web.archive.org/web/20100916183

616/http://hifi.suite101.net/article.cfm/amplificadores-transistorizados-vs-amplificadores-valvulares) - Oscar
Bonello, fundador de la compañía Solidyne y miembro de Audio Engineering Society (AES), propone una
interpretación posible sobre la rivalidad entre entusiastas de una u otra tecnología.
Cómo funcionan realmente los transistores (http://otro-geek-mas.blogspot.com/2008/08/como-funcionan-realmen
te-los.html) Versión original en inglés (http://www.amasci.com/amateur/transis.html)
Símbolos de transistores (http://www.simbologia-electronica.com/simbolos_electronicos/simbolos_transistores.ht
m)

Obtenido de «https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Transistor&oldid=117885442»

Esta página se editó por última vez el 31 jul 2019 a las 14:49.
El texto está disponible bajo la Licencia Creative Commons Atribución Compartir Igual 3.0; pueden aplicarse
cláusulas adicionales. Al usar este sitio, usted acepta nuestros términos de uso y nuestra política de privacidad.
Wikipedia® es una marca registrada de la Fundación Wikimedia, Inc., una organización sin ánimo de lucro.