Capítulo 2: Gí D D Lí DT Iió Guías de Onda y Líneas de Transmisión

Capítulo 2:
G í de
Guías d onda
d y lí
líneas de
d transmisión
t i ió
En el presente capítulo se va a analizar una solución general

de las ecuaciones de Maxwell, en un medio sin fuentes,en el
que se permitirá
i i á la
l existencia
i i de
d variación
i ió de
d las
l magnitudes
i d
con las tres coordenadas espaciales.
Dada la complejidad
p j del problema
p completo
p nos centraremos
en problemas que pueden ser descritos sistemas curvilíneos
ortogonales con simetría de traslación.
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 1

Tema 2: Líneas de transmisión y guías
Transmisión de energía electromagnética por soporte
físico Medios de Transmisión
Emisor Línea Bifilar, Cable coaxial

Receptor
Guías de onda metálicas
Estructuras planares
Guías de onda dieléctricas: fibra óptica
Teoría electromagnética de las ondas guiadas

Field Theory of Guided Waves Transparencia tomada de referencia 6

Medio de Transmisión Tipo
Frecuencias λ Denominación Onda Guiada
Distancia Circuitería
1 KHz A di
Audio
100 Km
Muy Baja
10 KHz Frecuencia
Línea
10 Km Baja
Bifilar
100 KHz Circuitos
Ci it
Frecuencia
1 Km Impresos
Frecuencias P.C.B.
1 MHz Medias
100 m
Alta
10 MHz Frecuencia
10 m Cable
Muy alta Coaxial
100 MHz Frecuencia
1 m Lí
Línea strip
t i
Ultra alta
1 GHz Frecuencia
10 cm Línea μ strip
Guías
10 GHz Microondas
de Líneas
1 cm
onda coplanares
100 GHz Milimétricas
1 mm
100 THz Infrarrojos

1 μ
μm Fibra guías
Visible Ó
Óptica di lé i
dieléctricas
1 PHz planas
Transparencia tomada de referencia 6 Ultravioleta
CLASIFICACIÓN DE LOS MEDIOS DE TRANSMISIÓN
Dieléctrico
Homogéneo
g
Guía
rectangular Guía Guía
Cerrados circular coaxial
Multi-
dieléctricos Guía imagen Línea microstrip Fin-line
Línea trifásica
Línea bifilar
Dieléctrico
Homogéneo
Línea microstrip Línea coplanar
Abiertos Multi-
Multi
dieléctricos
Guía acanalada
Fibra salto de índice
Transparencia tomada de referencia 6

INTRODUCCIÓN (I)
• Definición: medio sin fuentes donde pueden variar las magnitudes electromagnéticas con
tres coordenadas espaciales. Limitaciones:
– Complejidad del problema EM completo
– Descripción del problema mediante
sistema curvilíneo ortogonal (u1, u2, u3)
– Simetría de traslación: u3=cte,
planos paralelos entre sí.
– Los factores de escala quedan:
∂h1 ∂h2
h3 = 1; = = 0; uˆ3 = zˆ
∂u3 ∂u3
• Ecuaciones de Maxwell en el dominio de la frecuencia en un medio homogéneo
caracterizado por ε y μ en donde no existen fuentes: r r
r r
∇ × E = − jωμ ⋅ H ⎫ ⎧ 2
⎪ ΔE − γ o E = 0
r r ⎪ ⎨ r 2
r (1)
∇ × H = jωε ⋅ E ⎪ Tomando rotacionales en las ⎪
⎩ Δ H − γ o H =0
r ⎬ dos primeras y considerando 2 2
∇⋅E = 0 ⎪ las otras dos γ o = −ω ⋅ μ ⋅ε
r ⎪
∇⋅H = 0 ⎭
INTRODUCCIÓN (II)
• Resolución de las ecuaciones (1) (tomamos la del campo eléctrico)

– Separación
S ió ddell campo
r en componentes
r r longitudinal
l r i di l y transversal:
l
ΔET + ΔE z − γ o2 ET − γ o2 E z = 0
– Sistema conrsimetría r de traslación
⎧⎪ΔET − γ o2 ET = 0 r ⎛ ∂ 2 ⎞
⎨ r r ⇒ ΔE z = (ΔE z ) ⋅ ˆ
z = ⎜
⎜
Δ E
T z +
Ez ⎟ ⋅ zˆ
⎟
2
⎪⎩ΔE z − γ o E z = 0 ⎝ ∂z 2 ⎠
• Aplicando la técnica de separación de variables: Δ T FE 1 ∂ 2 Z
E z = FE (u1 , u 2 ) ⋅ Z ( z ) + − γ 2
o =0 (2)
FE Z ∂z 2
• L ecuaciones
Las i diferenciales
dif i l han
h de
d ser igual
i l a una constante
t t
Δ T FE 1 ∂2Z k c2 = k 2 − β 2
= γ c2 (3); = γ 2
(4); ⇒ γ 2
=γ −γ ⇒γ +γ =γ
2 2 2 2 2
Z ∂z 2
c o c o
FE (Pozar)
– constante en la dirección transversal
– constante en la dirección longitudinal

INTRODUCCIÓN (III)
• La solución de la ecuación (3) tiene sólo componentes transversales y (4)

longitudinales
• La forma de esta solución puede ser
Z ( z ) = A ⋅ exp(− γ ⋅ z ) + B ⋅ exp(γ ⋅ z )
Z ( z ) = C ⋅ cosh (γ ⋅ z ) + D ⋅ senh (γ ⋅ z )
– Solución A: formada por ondas progresivas y regresivas: componente
longitudinal
– Solución B: constituye una onda estacionaria
estacionaria.:: componente transversal
• El campo en la dirección longitudinal será:
r
⎧⎪ E z = zˆ ⋅ FE (u1 , u 2 ) ⋅ exp(− γ ⋅ z )
⎨r
⎪⎩ H z = zˆ ⋅ FH (u1 , u 2 ) ⋅ exp(− γ ⋅ z )
d d se hha considerado
donde id d sólo
ól la
l onda
d progresiva
i
CLASIFICACIÓN DE LAS SOLUCIONES (I)
• MODOS TEM: transversales electromagnéticos, no hay campo r eléctrico ni magnético

r
v v
longitudinal E z = 0; H z = 0 ∇ × E t = − jω ⋅ μ ⋅ H t
– las ecuaciones de Maxwell quedan r r
∇ × H t = jω ⋅ ε ⋅ E t
– calculando el rotacional en sentido longitudinal y utilizando la otra ecuación
v 2
v
Δ z ET − γ o ⋅ ET = 0
v r
ETEM = FET (u1 , u 2 ) ⋅ exp
p(− γ o ⋅ z )
– Introduciendo esta expresión en el correspondiente rotacional se puede extraer el
r
valor del campo magnético transversal como: r zˆ × ET μ
HT = ; Z TEM = η = ((3))
r r Z TEM ε
– Los vectores E , H están contenidos en planos perpendiculares a z.
r
– El vector H se obtiene a partir de la expresión (3)
– No confundir la impedancia del modo TEM que coincide con la intrínseca del
medio y sólo depende de las características del medio con la impedancia
característica que depende del material que rellena la línea y de la forma de la
misma
i
CLASIFICACIÓN DE LAS SOLUCIONES (II)
• MODOS TM: transversales magnéticos, no existe componente

v longitudinal del campo
magnético por lo que también se les llama modos E: H z = 0
r
⎧ E z = zˆ ⋅ FE (u1 , u 2 ) ⋅ exp(− γ ⋅ z )
• La componente longitudinal es de la forma: ⎪ ⎨
⎪⎩con FE (u1 , u 2 ) :Δ T FE − γ c2 FE = 0
• Tomando las expresiones de los rotacionales,
r multiplicando
r por rjwε la primera y tomando
la segunda Δ z H T − γ o2 H T = jωε∇ T × E z
– Ecuación diferencial completa cuya solución homogénea es el modo TEM.
– La solución para modos TM:
r jωε r jωε ⎫
HT = ∇ × E = − ∇ E × ˆ⎪
z
γ 2 − γ o2 γ c2
T z T z
⎪ r jωε r
⎬ ⇒ HT = zˆ × ET
r γ ⎪ γ
ET = 2 ∇ T E z
γc ⎪⎭
v zˆ × ET γ
– H está contenido en pplanos perpendiculares
p p az Z TM = r =
HT jωε
CLASIFICACIÓN DE LAS SOLUCIONES (III)
• MODOS TE: transversales eléctricos, no existe componente longitudinal

r
del
campo eléctrico por lo que también se les llama modos H: E z = 0
r
⎧⎪ H z = zˆ ⋅ FH (u1 , u 2 ) ⋅ exp(− γ ⋅ z )
p
• La componente longitudinal
g es de la forma:⎨
⎪⎩con FH (u1 , u 2 ) :Δ T FH − γ c2 FH = 0
• Tomando las expresiones de losrrotacionales,
r multiplicando
r por jwε la primera y
tomando
d lla segunda
d Δ z ET − γ o2 ET = − jωμ∇ T × H z
– Ecuación diferencial completa cuya solución homogénea es el modo TEM
– La solución para modos TM: Er = jωμ μ
∇ ×H
r ⎫
z⎪
γ c2
T T
⎪ r γ r
⎬ ⇒ HT = zˆ × ET
r γ ⎪ jωμμ
H T = 2 ∇T H z
r γc ⎪⎭
– E está contenido en planos perpendiculares a z zˆ × ET jωμ
Z TE = r =
– Se
S puede
d ddefinir
fi i una impedancia
i d i deld l modo
d como HT γ
CLASIFICACIÓN DE LAS SOLUCIONES (IV)
• Cuando no se satisface ninguna de las condiciones anteriores la solución se forma por

superposición
i ió de
d los
l casos anteriores.
t i La
L técnica
té i de d separación
ió de
d variables
i bl deja
d j de
d
ser válida cuando la sección no es un cilindro recto.
• Las condiciones de contorno laterales definen la variación de los modos.
• Las condiciones en planos z=cte determinan cuántos y cuáles son los modos.
• La constante de propagación viene determinada γ = γ o = jω με
– Por las características del medio: modos TEM
2 2
– Por las características del medio y las condiciones de contorno γ = γ o − γ c
• La constante de propagación es una función compleja de ω: γ (ω ) = α (ω ) + jβ (ω )
– Constante
C t t de d atenuación
t ió describe
d ib cómo
ó varían
í las
l amplitudes
lit d ded los
l campos
– Constante de fase la forma cómo varía la fase del campo 2π v f (ω )
λ (ω ) = =
– Longitud de onda: distancia entre dos puntos de igual fase: β (ω ) ω
2π
– Velocidad de fase: velocidad con que se desplazan los planos de fase constante
– Dos situaciones:
propaga. α (ω ) ≥ β (ω )
• Modo no se propaga Modo se propaga α (ω ) ≤ β (ω )

CONDICIONES DE CONTORNO LATERALES (I)
• Determinan cuántos y cuáles modos son necesarios considerar para obtener la solución
completa.
completa
• Casos más comunes
– Región limitada por un conductor perfecto sin discontinuidades.
– Características de buen conductor
– Parte de la superficie límite se encuentra en el infinito n
– Discontinuidades en el medio ((línea microstrip)
p)
• Condiciones de conductor perfecto: τ
– La región de contorno es un conductor perfecto:
r
r r r ⎧nˆ × ET ]C = 0
nˆ × E ]C = 0 ⇒ nˆ × (ET + E z )]C =0⇒⎨ (4)
⎩E z = 0
– Modos TE: la segunda condición la cumplen automáticamente
• De la primera se deriva:
r r r r r
nˆ × ET ]C = nˆ × (H T × zˆ )]C = H T (nˆ ⋅ zˆ ) − zˆ (nˆ ⋅ H T )]C = 0 ⇒ (nˆ ⋅ H T )]C = 0
(nˆ ⋅ H T ) = γ2 ⋅ ⎛⎜ ∂H z nˆ + ∂H z τˆ ⎞⎟ ⋅ nˆ ⇒ ∂H z = ∂FH = 0
r
γ c ⎝ ∂n ∂τ ⎠ ∂n ∂n
CONDICIONES DE CONTORNO LATERALES (II)
• Condiciones de conductor perfecto:

– Modos TM:
• La condición Ez=0 supone C es una línea de Ez cte, su gradiente es normal
r
• Tomando la segunda condición de (4):ET tiene dirección normal
– Modos TEM:
r r
]
• Las condiciones nˆ × ET C = 0; ∇ T × FE = 0 coinciden con el planteamiento de un
T
problema estático.
• Los campos transversales coinciden con los campos estáticos entre conductores
r
FET = −∇T Φ(x, y )⎫⎪ ⎧⎪Δ T Φ (x, y ) = 0
C1 r r ⎬ ⇒ ⎨⎪Φ (x, y ) = cte
∇ ⋅ D = ∇ ⋅ εE ⎪⎭ ⎩
( )
C
• El campo TEM coincide con la solución de un problema electrostático Δ T Φ x, y = 0
C2 • En una región limitada por un recinto simplemente conexo no puede haber modos TEM
2 r r
• En una región multiplemente conexa:
∫
V12 = Φ1 − Φ 2 = E ⋅ dl
1
• El número de modos TEM independientes es el número de partes de la frontera menos 1.
1
r r
• La corriente que fluye viene dada por la ley de Ampere
∫
I = H ⋅ dl
C
• En cada punto de la línea se puede definir unívocamente un voltaje y una corriente

CARACTERÍSTICAS DE LOS MODOS PARA
CONDICIONES DE CONDUCTOR PERFECTO (I)
• Teorema de Green:
r
– Sea un campo vectorial definido a partir de un potencial como: = F (x, y ) ⋅ ∇F (x, y )
*
A
r
– Cálculo de la divergencia ∇A = ∇F * (x, y ) ⋅ ∇F (x, y ) + F * (x, y ) ⋅ ΔF (x, y )
– Teorema de Green para dos dimensiones
r r r r
∫∇A = A ⋅ dl ⇒ ∇F * (x, y ) ⋅ ∇F (x, y ) + F * (x, y ) ⋅ ΔF (x, y ) = F * (x, y ) ⋅ ∇F (x, y ) ⋅ dl
∫ ∫ ∫
St C St C
∂F r
∫ ∫
* * *
∇T F ⋅ ∇T F + F ⋅ ΔT F = F ⋅ ⋅ dl
St C ∂n
• Condiciones de contorno de conductor perfecto
(TM ) :FE = 0 ⎫
⎪
∂F
(TE ) : H
⎬Δ T F = γ c ⋅ F ⇒
= 0⎪
2
∫St ∫
∇ T F * ⋅ ∇ T F = −γ c2 ⋅ F * ⋅ F ⋅ ds
St
∂n C ⎭
Ambas integrales son positivas luego tiene que cumplirse γ c < 0
2
•
– la
l constante
t t de ió es reall sii ω<
d propagación < ωc luego
l no se propaga y ell modo
d está
tá all corte
t
– la constante de propagación es imaginaria si ω> ωc , el modo se propaga
• La propagación es de tipo paso alto con − γ c2
fc =
2π με
CONDICIONES DE CONDUCTOR PERFECTO (II)
• En función del valor de la frecuencia de corte se puede poner:
f c2 η f c2
γ = ±γ o ⋅ 1 − 2 ; Z TE = ± ; Z TM = ±η ⋅ 1 − 2
f f c2 f
1− 2
f
– El signo + corresponde a f>fC.
– El signo - corresponde a f<fc Así ZTE , por debajo del corte, será inductivo y ZTM capacitivo.
• Representación de la constante de propagación: diagrama de dispersión
• Existe un número infinito de soluciones (autofunciones) cada una correspondiéndose con

un valor de γ c2 (autovalores).
(autovalores) El menor de dicho autovalor corresponde a un modo TE

CARACTERÍSTICAS DE LOS
MODOS PARA CONDICIONES DE
ω2 β2
Frecuenciaa
CONDUCTOR PERFECTO (III) 2
− 2
=1
⎛ − γ2 ⎞ ⎛ − γ2 ⎞
⎜ c ⎟ ⎜ c ⎟
⎜ με ⎟ ⎝ ⎠
⎜ ⎟ β = ω με
⎝ ⎠
β
fc ω2
+
α2
=1
2 2
vf vg= c2 ⎛ − γ2 ⎞ ⎛ − γ2 ⎞
vf =
ω
=
c α ⎜
⎜ με
⎜
c ⎟
⎟
⎟
⎜
⎝ c ⎟
⎠
β ⎝ ⎠
f c2
1−
f2
α(nep / m), β(1 / m)
frecuencia
c
β6
∂ω 2
fc6
vg = = c 1−
f c
β5
∂β f 2
fc5
fc4 β4
fc3 β3
fc 2 fc 3 fc Frecuencia β2
fc2 α6
β1 α α5
fc1 α3 4
α2
T
Transparencia
i tomada
t d de
d referencia
f i 6 α1
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. α(nep / m
Microondas-2- 16), β(1 / m)
CONDICIONES DE CONDUCTOR PERFECTO (IV)
• Conclusiones:
– Si se traza una recta ω=cte se verán inmediatamente los modos que se propagan.
– También se puede obtener la velocidad de fase, que depende de la frecuencia
(dispersión) y es siempre mayor que la velocidad de la luz en el medio.
– Si la frecuencia es menor qque la frecuencia correspondiente
p al menor γ c2 no existe
ningún modo que se propague constituyendo dicha fc la frecuencia de corte absoluto.
– El modo de menor fc se denomina modo dominante y el resto modos superiores.
– En los sistemas capaces de soportar modos TEM no existe frecuencia de corte absoluta
• Medio con pérdidas (se supone que no hay pérdidas magnéticas):
– La constante de propagación será: γ (ω ) = α (ω ) + jβ (ω )
– La permitividad se modifica como: ε = ε '− jε ' '
– Luego queda:
⎧⎪2αβ = ω ⋅ με ' '
2
γ = (α + jβ ) = γ − γ = −ω ⋅ μ (ε '− jε ' ') − γ ⇒ ⎨ 2
2 2 2
o
2
c
2 2
c
– Frecuencia de corte: valor de f que hace α=β ⎪
⎩α − β 2
= −ω 2
⋅ με '−γ 2
c
− γ c2 f c2 ε ' η f c2 ε '
fc = γ = γ o ⋅ 1 − 2 ⋅ ; Z TE = ; Z TM = η ⋅ 1 − 2 ⋅
2π με ' f ε fc ε '
2 f ε
1− ⋅
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. f 2
ε Microondas-2- 17
CONDICIONES DE CONDUCTOR PERFECTO (V)
• Las constantes de atenuación y fase quedan entonces:
αd =
1 ⎡
(
⋅ ⎢ − ω 2 ⋅ με '−γ c2 +
2 ⎣
) (− ω 2
⋅ με '−γ c) + (ω
2 2 2
)
⎤
⋅ με ' ' ⎥
2
β=
1 ⎡
(
⋅ ⎢− − ω 2 ⋅ με '−γ c2 +
2 ⎣
) (− ω 2
⋅ με '−γ c ) + (ω
2 2 2
)
⎤
⋅ με ' ' ⎥
2
⎦
ε ' ' << ε '
• En el caso que las pérdidas dieléctricas sean pequeñas:
– La constante de fase coincide con la obtenida despreciando las pérdidas
– La
L constante
t t de
d atenuación
t ió vale:
l ω 2 ⋅ με ' ε ' ' ω 2 ⋅ με '
αd = ⋅ = ⋅ tg δ
2β ε' 2β
• Para modos TEM, considerando ε ' ' << ε ' resulta:
ω ⋅ με ' ε ' ' ω ⋅ με ' k

αd = ⋅ = ⋅ tgδ = ⋅ tgδ
2 ε' 2 2
ESTUDIO DE LA GUÍA RECTANGULAR (I)
Condiciones de contorno para conductor perfecto

⎧ ∂H z ⎧ ∂2 X
⎪⎪ ∂x = 0 en x = 0, a ∂ 2Y
⎪Y ⋅ ∂x 2 + X ⋅ ∂y 2 − γ c XY = 0
2
∂H z
TE : =0⇒ ⎨ F ( x, y ) = X ( x)Y ( y ) ⇒ ⎨
∂n ⎪ ∂H z = 0 en y = 0, b
⎪⎩ ∂y ⎪− k 2 − k 2 = γ 2
⎩ x y c
TM : E z = 0 en x = 0, a ; y = 0, b
Aplicando separación de variables y las condiciones de contorno para despejar

las constantes, resulta: X ( x, y ) = ( Asenk x x + B cos k x x )⎫ ⎧⎪
A=C =0
⎬⇒ ⎨ mπ nπ
Y ( x, y ) = (Csenk y y + D cos k y y )⎭ ⎪k x = ;ky =
⎧ 2
⎪ γ0 −γc
2 2
⎛ mπ ⎞ ⎛ nπ ⎞
2
⎩ a b
γ m ,n =⎨ = − ω με + ⎜
2
⎟ +⎜ ⎟ r mπ nπ
⎪⎩ j ⋅ k − k c
2 2 ⎝ a ⎠ ⎝ b ⎠ TE : H z ,mn = zˆ ⋅ P cos x ⋅ cos y ⋅ exp(− γ mn z )
a b
r mπ nπ
N
Nomenclatura
l P
Pozar TM : E z ,mn = zˆ ⋅ Qsen x ⋅ sen y ⋅ exp(− γ mn z )
a b
ESTUDIO DE LA GUÍA RECTANGULAR (II)
jωμa π
E y ,10 = − P cos x ⋅ exp(− γ 10 z )
Modo dominante TE10 π a
E x ,10 = E z ,10 = 0
1 γa π
f c10 = H x ,10 = P ⋅ sen x ⋅ exp(− γ 10 z )
2a με π a
H y ,10 = 0
Banda X: a=22.86 mm, b=10.16mm H z ,10 = P cos
π
x ⋅ exp(− γ 10 z )
a
Distribución de campo Distribución de corriente
Ubicación de modos para el caso a=2b

ESTUDIO DE LA GUÍA RECTANGULAR (III)
Tomado de referencia 4 Distribución de campos en la guía rectangular

GUÍA ESTRANGULADA (REENTRANTE O RIDGED)
• Ancho
A h dde bbandad dde lla guía
í rectangular
t l
está limitado a una octava.
• Los “raíles” disminuyen la frecuencia
de corte del fundamental.
• La capacidad de transmitir potencia
decrece
• Posibilidad de adaptar impedancias

GUÍAS CIRCULARES (I)
Utilización de coordenadas cilíndricas.

Condiciones de contorno para conductor perfecto
∂Hz ⎫
TE : = 0⎪
∂ρρ =a ⎬ ⇒ F ( ρ , ϕ ) = R ( ρ ) ⋅ P (ϕ )
ẑ TM : Ez ρ =a = 0 ⎪
⎭
rˆ
1 ∂ ⎛ ∂F ⎞ 1 ∂2 F 2 ⎫ ⎧ 1 ∂2 P 2
ρ⋅ + − γ F = 0⎪ ⎪− = kϕ
ρ ∂ρ ⎜⎝ ∂ρ ⎟⎠ ρ 2 ∂ϕ 2 c ⎪ ⎪ P ∂ϕ
ẑ
r̂
2
φˆ
φˆ ⎬⇒⎨ 2 2
ρ ∂ R ρ ∂R 2 2
2 2
1 ∂ P ⎪ ⎪ ρ ∂ R ρ ∂R
2
+ ⋅ − γ ρ = − + ⋅ − ( γ c2 ρ 2 + kϕ2 ) ⋅ R = 0
R ∂ρ R ∂ρ P ∂ϕ ⎭ ⎪⎩ R ∂ρ R ∂ρ
2 ⎪
2 c 2
Las soluciones de ambas ecuaciones son del tipo:

P (φ ) = Asen ( kφ φ ) + B cos( kφ φ )
R ( ρ ) = CJ n (γ c ρ ) + DYn (γ c ρ )
Modos TE Modos TM
FH ( ρ ,φ ) = ( Asen(nφ ) + B cos(nφ ) )J n (γ c ρ ) FE ( ρ ,φ ) = ( Asen(nφ ) + B cos(nφ ) )J n (kc ρ )

GUÍAS CIRCULARES (II)
Modos TE Modos TM
∂H z
= 0 ⇒ J n' (γ c ρ ) = 0
⎫
⎪
E z ( a ,φ ) = 0 ⇒ J n ( k c a ) = 0 pnm
∂ρ ρ =a ⎪ ' f cmn =
⇒ f c ,nm =
pnm 2πa με
2⎬
2
'
⎛ pnm ⎞ ⎪
' 2πa με ⎛p ⎞
γ c ,nm =
p
⇒ γ = γ 02 − ⎜⎜
nm
⎟⎟ ⎪ γ nm = γ − k = γ − ⎜ nm ⎟
2
0
2
c
2
0
a ⎝ a ⎠ ⎭ ⎝ a ⎠
n p’n1 p’n2 p’n3 n pn1 pn2 pn3
0 3.832 7.016 10.174 0 2.405 5.520 8.654
1 1 841
1.841 5 331
5.331 8 536
8.536
1 3.832 7.016 10.174
2 3.054 6.706 9.970
2 5.135 8.417 11.620
Distribución de modos

GUÍAS CIRCULARES (III)
Distribución de campos
p en la gguía circular
Tomado de referencia 4

GUÍAS CIRCULARES (IV)

GUÍA DIELÉCTRICA
• Guía de ppermitividad εr2 sobre dieléctrico

de permitividad εr1. Todo sobre plancha
Metálica.
• Los campos quedan confinados en el
dieléctrico de mayor permitividad.
• Soporta modos TE y TM en la medida que toda
l energía
la í se concentre en ell dieléctrico.
di lé i
• Ventaja: poco peso, reducidas dimensiones
• Problema: grandes pérdidas en empalmes y
en dobleces.

CONCEPTO DE LÍNEA DE TRANSMISIÓN
• Dos características importantes como sistemas de transmisión:

C1 C2
– Capacidad
p de propagarse
p p g a cualquier
q frecuencia
– Constancia de velocidad de fase lo que supone ausencia de dispersión
2 r r
• Retomando la expresión V12 = Φ1 − Φ 2 = E ⋅ dl = V (z ) = Vo exp(− γ ⋅ z )
∫
1
– Vo no depende
d d dde los
l puntos
t elegidos
l id
– La magnitud V(z) define de forma unívoca el potencial entre los dos conductores
• Ambos conductores están recorridos por corrientes iguales en sentido contrario
r r
I = H ⋅ dl = I o ⋅ exp(− γ ⋅ z )
∫
• Se puede definir una impedancia
C característica r r
2
– η depende del medio V 1 ∫

E ⋅ dl
– k depende de la geometría de la línea Z o = = r r = η ⋅ cte
– Resultado independiente de z
I
C
∫
H ⋅ dl
• El concepto de línea de transmisión se asocia a cualquier sistema transmitiendo un modo
TEM.
• Permite introducir los sistemas funcionando como circuitos con las constantes R, G, L y C
cuando las dimensiones transversales sean pequeñas.
CONCEPTO DE LÍNEA DE TRANSMISIÓN (II)
• Consideremos un cuadripolo simétrico (a=d)
I1 I2
Si es recíproco
í
V1 = aV2 + bI 2 ⎫ 2 ⎧V2 = V1 ⋅ exp(− γ o l )
⎬ ⇒ a − bc = 1⎨
⎩ I 2 = I1 ⋅ exp(− γ o l )
V1 V2
I1 = cV2 + aI 2 ⎭
• Introduciendo las ecuaciones de propagación en las del cuadripolo

⎧b = Z o senh (γ o l )
⎧⎪exp(γ l ) = a 2 + bc ⎪
⎪ senh (γ o l )
⇒ =
o
⎨ ⎨ c
⎪⎩exp(− γ o l ) = a − bc
2
⎪ Zo
⎪⎩a = cosh (γ o l )
a z11 − z12 z11 − z12
• Formando la red en T: z11 =
c
1
z12 a 2 −bc =1 = z 21 = z12
c
a
z 22 =
c
CONCEPTO DE LÍNEA DE TRANSMISIÓN (III)
• Introduciendo los valores:

coshh (γ o l ) − 1
cosh (γ o l ) − 1 Z = Zo
Z = Zo senh (γ o l )
senh (γ o l )
senh (γ o l )
Y=
Zo
• En el caso en que l sea muy pequeña:

μ
(γ ol ) Z o = η ⋅ cte = cte ⋅
Z = Zo
(γ ol ) Z = Zo ε
2
2 (γ ol )
Y=
Zo γ o = − ω 2 ⋅ μ ⋅ε
l ⎫
Carácter inductivo Z = jωμ ⋅ k ⋅ ⎪⎪
2
⎬ε = ε '− jε ' ' = ε '⋅(1 − j tg δ )
⎛ ωε ' ' ε'⎞
Capacidad más conductancia Y =⎜ + jω ⋅ ⎟ ⋅ l ⎪
⎝ k k ⎠ ⎪⎭
CONCEPTO DE LÍNEA DE TRANSMISIÓN (IV)
• El circuito equivalente (en ausencia de pérdidas en conductores) queda:
Zo ⎫ L
l L= μ⋅ ⎪ Zo =
l η C
L L ⎪
2 2 ⎪ Z
ωε ' 'η γ o = G ⋅ o + jω ⋅ LC
Gl Cl G= = ω ⋅ C ⋅ tan δ ⎬ 2
Zo ⎪ Expresiones sin pérdidas
η ⎪ en los conductores
C = ε '⋅ ⎪ y con bajas pérdidas
Zo ⎭
• Simplificaciones adicionales: en el dieléctrico
– A: Líneas de muy alta impedancia: carácter inductivo Z = L

o
– B: Líneas de muy baja impedancia: carácter capacitivo C
Zo R
– C: Pérdidas en los conductores γ = G ⋅ + + jω ⋅ LC = α d + α c + jβ
2 2⋅Z o
l l l
Ll R l L R
2 L 2 2
Cl 2 Cl
A
Gl
B
C
LÍNEA COAXIAL (I)
• Dos formas de resolución: a p

partir del problema
p electrostático o a partir
p de la
ecuación de Helmholtz. ωε ' ' ω 2πε ' '
⎧
• Problema electrostático: b ⎪ G = =
ln K b
2πε ' ε ' η b ⎪ ln
C= = ⇒ K = a ⇒ Z0 = η ⋅ K = ln ⇒ ⎨ a
b K 2π 2π a ⎪
ln μ b
a ⎪ L = μK = ln
⎩ 2π a
• El cable coaxial es capaz de soportar modos superiores TE o TM
LÍNEA COAXIAL (II)
• Es necesario conocer los valores de la función potencial Φ(ρ,φ)

• E
Ecuaciones
i a considerar:
id
ρ ∂ ⎛ dR ⎞ − 1 d 2 P
⎜ρ ⎟=
1 ∂ ⎛ ∂Φ ( ρ , φ ) ⎞ 1 ∂ 2 Φ ( ρ , φ )
⎜ρ ⎟+ R ∂ρ ⎜⎝ dρ ⎟⎠ P dφ 2
=0
ρ ∂ρ ⎝⎜ ∂ρ ⎠⎟ ρ 2 ∂φ 2
d 2P ρ ∂ ⎛ dR ⎞ 2
+ kφ2 P = 0 ⎜ρ ⎟ − kφ = 0
Φ ( ρ , φ ) = R ( ρ ) P (φ ) dφ 2 R ∂ρ ⎜⎝ dρ ⎟⎠
• Soluciones: ∂ ⎛ dR⎞ V lnb ρ

⎜⎜ ρ ⎟⎟ = 0 ⇒Φ(ρ,φ) = 0
∂ρ ⎝ dρ ⎠ lnb a
P (φ ) = Asen ( kφ φ ) + B cos( kφ φ ) e(ρ,φ) = −∇t Φ(ρ,φ) =
V0
ρˆ
ρ lnb a
1 I
h(ρ,φ) = zˆ ×e(ρ,φ) = 0 φˆ
ZTEM 2πρ
V0 η ln b a
Z0 = =
I0 2π
TECNOLOGÍAS PLANAS
• Características:
– Coste
C económico.
ó i Chapa
Ch barata
b y proceso de
d fabricación
f b i ió sencillo
ill mediante
di
fotograbado.
– Reducido p peso qque los hace ligeros.
g
– Dimensiones reducidas
– Permiten la integración de circuitos MIC (Microwave integrated circuits) y
MMIC (M (Monolithic
li hi Mi
Microwave IIntegrated
d Ci
Circuits)
i )
– Están formados por materiales metálicos y dieléctricos.
• Opciones tecnológicas:
– Línea stripline (triplaca)
– Línea microstrip
– Línea coplanar
– Línea de ranura

LÍNEA STRIPLINE (TRIPLACA): INTRODUCCIÓN
• Se puede considerar derivada de la coaxial.

• Proceso de construcción: superposición de
placas
• Recinto doblemente conexo: modos TEM
• También soporta modos TE y TM que
conviene eliminar
– Tornillos entre los planos de masa
– Separación entre planos menor de λ/4
• Análisis:
– Expresiones semiempíricas
– Ábacos y curvas
– Aproximación electrostática.
• Formulación:
ϖ 1 2π ⋅ f vp ϖ 1
vp = = = ⇒λ = β= = ϖ μ0ε 0ε r = γ 0 ε r Z0 =
L
=
LC
=
β με 2π f vp C C v pC
λ
LÍNEA STRIPLINE: FORMULACIÓN
⎧ W
30π We W ⎪⎪ 0 for > 0.35
Impedancia
peda c a ca
característica
ac e s ca Z0 =
b
= −⎨ b
ε r We + 0.441b b b ⎪ W
⎪⎩( 0.35 − W b ) 2
for < 0.35
b
⎧
W ⎪x for ε r Z 0 < 120
Anchura de la línea =⎨ 30π
b ⎪ x= − 0.441
ε r Z 0 > 120 ε r Z0
⎩0.85 − 0.6 − x for
⎧ 2.7 ⋅10 −3 ⋅ Rsε r Z o

Atenuación en los conductores ⎪⎪ A para ε r Z 0 < 120
αc = ⎨ 30 π (b − t ) p/m
Np
⎪ 0.16 Rs
B para ε r Z 0 > 120
⎪⎩ Z 0b
2W 1 (b + t ) (2b − t )
A = 1+ + ⋅ ln
(b − t ) π (b − t ) t
b ⎛ 0.414t 1 4πW ⎞
B = 1+ ⋅ ⎜ 0.5 + + ln ⎟
(0.5W + 0.7t ) ⎝ W 2π t ⎠

LÍNEA STRIPLINE: ÁBACOS
Impedancia
p característica de la línea triplaca
p en función de
sus parámetros: anchura (W), grosor (b) y espesor de metal (t)
LÍNEA MICROSTRIP: INTRODUCCIÓN
• Proceso de construcción: placa fotograbada

• Recinto NO doblemente conexo
conexo*:: no soporta
modos TEM sino cuasi TEM que son una
superposición híbrida de modos TE y TM que
conviene eliminar.
• Aplicaciones:
– Estructuras de transmisión: pocos campos
desbordados, altas permitividades, bajos
espesores.
– Estructuras radiantes: gran campo
desbordado bajas permitividades, espesores
grandes.
grandes
• Análisis:
ϖ 1 c – Expresiones semiempíricas
vp = = =
β με εe – Ábacos y curvas
– * Recinto simplemente conexo es aquel en el
ϖ
β = = ϖ μ0ε 0ε e = k0 ε e que se puede ir desde cualquier punto del
vp recinto a otro ppor cualquier
q línea sin salirse
del recinto
LÍNEA MICROSTRIP (II)
Concepto de permitividad efectiva

1 < εe < εr
εr +1 εr −1 1
εe = +
2 2 1 + 12 d W
Modelo con medio homogéneo de permitividad efectiva εe Impedancia característica

⎧ 60 ⎛ 8d W ⎞
⎪ ln⎜ + ⎟ for W d ≤ 1
⎪ ε ⎝ W 4 d ⎠
Z0 = ⎨ e
⎪ 120π
for W d ≥ 1
⎪ ε e [W d + 1.393 + 0.667 ln (W d + 1.444 )]
Anchura de línea ⎩
⎧ 8e A Z0 ε r + 1 ε r − 1 ⎛ 0.11 ⎞
⎪ for W d < 2 A= + ⎜⎜ 0.23 + ⎟
W ⎪ e2 A − 2 60 2 εr +1⎝ ε r ⎟⎠
=⎨
d ⎪2 ⎡ εr −1 ⎧ 0.61 ⎫⎤ 377π
⎢ B − 1 − ln (2 B − 1) + ⎨ln( B − 1) + 0.39 − ⎬⎥ for W d > 2 B=
⎪⎩π ⎣ 2ε r ⎩ ε r ⎭⎦ 2Z 0 ε r
k tan δ ε r (ε e − 1) k0 tan δ ε r (ε e − 1) Rs ϖμ0
αd = = Np m αc = Np m Rs =
At
Atenuación
ió 2 ε e (ε r − 1) 2 ε e (ε r − 1) Z 0W 2σ

LÍNEA MICROSTRIP (III)
Impedancia característica y permitividad efectiva de la línea microstrip en función de

sus parámetros: anchura (W), altura de substrato (h)
LÍNEA DE RANURA
• Es la línea dual de la microstrip pero con campos magnéticos

• Soporta modos cuasi TEM
• La eficiencia es menor que la microstrip
• Modificando
M difi d la l separación
ió entre placas
l se consigue
i variar
i lal impedancia.
i d i Se S
consiguen fácilmente impedancias altas aumentando la separación entre placas.

LÍNEA COPLANAR
• Es como una línea slotline pero con un conductor central

• El voltaje de la señal es aplicado entre el conductor central y los planos de masa.
• Soporta modos cuasi-TEM pares o impares ε +1
• Constante
C t t dieléctrica
di lé t i efectiva:
f ti ε e = r
2
• Menos dispersión que la microstrip en bajas frecuencias
• Formulación: ⎧ η ⎛ a ⎞
⎪ ln⎜⎜ 2 ⎟
⎟ for 0 < W a ≤ 0.173
⎪π ε e ⎝ W ⎠
Z0 = ⎨ −1
⎪ πη ⎡ln⎛⎜ 2 1 + W a a ⎞⎤
⎟⎥ for 0.173 < W a < 1
⎪4 ε ⎢ ⎜ 1− W a W ⎟⎠⎥⎦
⎩ e ⎢
⎣ ⎝
TABLA COMPARATIVA (I): tipos de estructuras
de transmisión

TABLA COMPARATIVA (II)
Características Coaxial Guía onda Stripline Microstrip

Modos: Habitual TEM TE10 TEM Cuasi-TEM
Secundario TM,TE TM,TE TM,TE Híbrido TM,TE
Dispersión No Media No Baja

Ancho de Banda Alto Bajo Alto Alto
Pérdidas Medias Bajas Altas Altas
Capacidad de Media Alta Baja Baja
Potencia
Tamaño Grande Grande Medio Pequeño
Dificultad de Media Media Fácil Fácil
Fabricación
Integración con Difícil Difícil Regular Fácil
otros Elementos

MATERIALES EN MICROONDAS

BIBLIOGRAFÍA
1. Wadell, B.C.: "Transmisión Line Design Handbook", Artech House, 1991.

g
2. David M.Pozar: "Microwave Engeneering" g Second Edition 1998,, John Wiley&Sons.
y
(capítulo 3)
3. Robert E. Collin: "Foundations for microwave engineering" New York McGraw-Hill,
99 . (cap
1992. (capítulo
tu o 3)
4. Ramo, Whinnery y Van Duzer: “Fields and waves in communication electronics” John
Wiley 1969.
5 Bahl y Bhartia: "Microwave
5. Microwave Solid State Circuit Design
Design", Wiley Interscience,
Interscience 1988.
1988
(capítulo 2)
6. Harlan Howe: "Stripline Circuit Design"; Microwave Associates Burlington; Artech
House 1974
1974.
7. J. Esteban, M. A. González, M. Lambea y J. Rebollar; “Enfoque para el estudio de ondas
guiadas en la ETSIT-UPM”, URSI Symposium Nacional, Oviedo 2006


Capítulo 2: Gí D D Lí DT Iió Guías de Onda y Líneas de Transmisión

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Capítulo 2:

En el presente capítulo se va a analizar una solución general

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 1

Emisor Línea Bifilar, Cable coaxial

Teoría electromagnética de las ondas guiadas

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 2

100 THz Infrarrojos

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 4

• Resolución de las ecuaciones (1) (tomamos la del campo eléctrico)

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 6

• La solución de la ecuación (3) tiene sólo componentes transversales y (4)

• MODOS TEM: transversales electromagnéticos, no hay campo r eléctrico ni magnético

• MODOS TM: transversales magnéticos, no existe componente

• MODOS TE: transversales eléctricos, no existe componente longitudinal

• Cuando no se satisface ninguna de las condiciones anteriores la solución se forma por

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 11

• Condiciones de conductor perfecto:

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 13

• Existe un número infinito de soluciones (autofunciones) cada una correspondiéndose con

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 15

ω ⋅ με ' ε ' ' ω ⋅ με ' k

Condiciones de contorno para conductor perfecto

Aplicando separación de variables y las condiciones de contorno para despejar

Ubicación de modos para el caso a=2b

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 20

Tomado de referencia 4 Distribución de campos en la guía rectangular

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 22

Utilización de coordenadas cilíndricas.

Las soluciones de ambas ecuaciones son del tipo:

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 23

n p’n1 p’n2 p’n3 n pn1 pn2 pn3

0 3.832 7.016 10.174 0 2.405 5.520 8.654

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 24

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 25

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 26

• Guía de ppermitividad εr2 sobre dieléctrico

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 27

• Dos características importantes como sistemas de transmisión:

– η depende del medio V 1 ∫

• Introduciendo las ecuaciones de propagación en las del cuadripolo

• Introduciendo los valores:

• En el caso en que l sea muy pequeña:

• El circuito equivalente (en ausencia de pérdidas en conductores) queda:

– A: Líneas de muy alta impedancia: carácter inductivo Z = L

• Dos formas de resolución: a p

• Es necesario conocer los valores de la función potencial Φ(ρ,φ)

• Soluciones: ∂ ⎛ dR⎞ V lnb ρ

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• Se puede considerar derivada de la coaxial.

⎧ 2.7 ⋅10 −3 ⋅ Rsε r Z o

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 36

• Proceso de construcción: placa fotograbada

Concepto de permitividad efectiva

Modelo con medio homogéneo de permitividad efectiva εe Impedancia característica

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 39

Impedancia característica y permitividad efectiva de la línea microstrip en función de

• Es la línea dual de la microstrip pero con campos magnéticos

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• Es como una línea slotline pero con un conductor central

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 43

Características Coaxial Guía onda Stripline Microstrip

Dispersión No Media No Baja

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-2- 44