INGENIERIA ELECTRONICA

ANALOGICA II LABORATORIO DE ANALOGICA II

TEMA: Definición del momento de inercia

PRÁCTICA N° FECHA INTEGRANTES FIRMA

TIEMPO: 2hr RESPONSABLE: Ing. Luis Abad

1. OBJETIVOS

1.1. Objetivo General:

• Diseñar, calcular y medir los valores de corriente y voltaje en los diferentes tipos de
polarización utilizando el transistor FET.

1.2. Objetivos Específicos:

• Realizar la curva de transferencia del transistor FET.

• Reconocer los pines del transistor mediante el uso del multímetro.
• Encontrar los parámetros de corriente y voltaje del transistor FET.
• Verificar que los valores calculados concuerden con los medidos.

2. EQUIPO Y MATERIALES

• Fuente de corriente continua.

• Bananas
• Multímetro
• Resistencias
• Transistor FET MPF 102

3. FUNDAMENTO TEÓRICO

Polarización fija

Figura 1. Esquema de polarización fija

La configuración de polarización más simple para el JFET de canal n aparece en la figura 1. Conocida como
configuración de polarización fija, es una de las pocas configuraciones de FET de un modo directo tanto
con un método matemático como con un gráfico.

La resistencia Rc limita la corriente máxima que circula por el transistor cuando este se encuentra en
saturación, mientras que la resistencia de base RB regula la cantidad de corriente que ingresa a la base del
transistor (IB), la cual determina en que zona se polarizará el transistor (saturación, activa o corte).

Polarización auto polarizada

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Figura 2. Esquema de polarización en auto polarizado

La configuración de auto polarización elimina la necesidad de dos fuentes de cd. El voltaje de control de la
compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a través de un resistor RS introducido en la rama de la
fuente de la configuración como se muestra en la figura 2.[1]

Polarización por medio del divisor de tensión

Figura 3. Esquema de polarización por divisor de tensión

La configuración del divisor de voltaje aplicada a amplificadores con transistores BJT también se aplica a
amplificadores con FET como se demuestra en la figura 3. La construcción básica es exactamente la misma, pero
el análisis de cada una es muy diferente. IG = 0A para amplificadores con FET, pero la magnitud de IB para
amplificadores con BJT en emisor común puede afectar los niveles de cd de la corriente y voltaje tanto en los
circuitos de entrada como en los de salida. Recuerde que IB vincula los circuitos de entrada y salida para la
configuración del divisor de voltaje del BJT, mientras que VGS hace lo mismo para la configuración del FET. [1]

Figura 4. Esquema de la ecuación de Shockley

La curva que resulta de al unir los puntos que se obtienen al realizar las medidas en la malla de entrada del circuito
visto en el tema anterior, se conoce como curva de transferencia o de transconductancia, esto porque se transfiere
corriente ID por el drenador del JFET en este caso uno de canal n, al variar la VGS, en otras palabras sería algo
así, la corriente que se circule por el drenador va a depender de la tensión que esté presente entre la compuerta y
la fuente; como se ve es una curva parabólica y esa curva obedece en forma aproximada a una ecuación cuadrática,

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se dice aproximada porque en los circuitos con JFET reales los valores obtenidos con la ecuación muchas veces
se alejan del valor medido, esta ecuación es conocida como ecuación de Shockley.

Figura 5. Esquema de curvas en entrada y de salida del transistor FET

4. CALCULOS Y RESULTADOS

Parte 1

VDS VGS VDG

Polaridad mas a menos No registra valor No registra valor No registra valor
Polaridad menos a mas 0.652 0.217 0.654
Tabla 1. Mediciones de cada uno de los terminales del transistor FET

Parte 2

VCC

RD
1K

D
G Q1
0Vdc

VGS
S

Figura 4. Esquema de polarización fija

Determinación de IDSS

Vcc VGS VDS VRD IDSS = VRD/RD

15 Vcc 5.07 V 9.89 V 9.89 mA
0V
20 Vcc 9.80 V 10.1 V 10.12 mA

Determinación de Vp

Vcc VGS = VP VDS VRD ID = VRD/RD

15 Vcc 14.99 V 0.01 V 0.0 mA
3.2 V
20 Vcc 19.99 V 0.01 V 0.0 mA

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Parte 3

Parte 4

Esquema 1 (Auto polarización) Cálculos

(𝑽𝑪𝑪 = 𝟏𝟓𝑽 𝑰𝑫 = 𝟏𝒎𝑨 𝑰𝑫𝑺𝑺 = 𝟗, 𝟗𝟗𝒎𝑨 𝑽𝑷 = −𝟑, 𝟐𝑽 )

𝑰𝑫
𝑽𝑮𝑺 = 𝑽𝑷 (𝟏 − √ )
𝑰𝑫𝑺𝑺

1𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −3.2 (1 − √ )
2,89𝑚𝐴
𝑽𝑮𝑺 = −𝟐. 𝟏𝟗

𝑉𝑐𝑐
𝐼𝐷𝑆𝐴𝑇 =
𝑅𝐷 + 𝑅𝑆
𝑰𝑫𝑺𝑨𝑻 = 𝟏. 𝟕𝟖𝒎𝑨

𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑅𝑆

𝑽𝑹𝑺
𝑹𝑺 =
𝑰𝑫
2𝑉
𝑅𝑆 =
1𝑚𝐴
𝑹𝑺 = 𝟐𝑲𝛀

𝑽𝑹𝑫
𝑹𝑫 =
𝑰𝑫
6.5𝑉
𝑅𝑆 =
1𝑚𝐴
𝑹𝑺 = 𝟔. 𝟓𝑲𝛀

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )

𝑉𝐷𝑆 = 15𝑉 − 1𝑚𝐴(6,5𝐾Ω + 2𝐾Ω)

𝑽𝑫𝑺 = 𝟔. 𝟓𝑽

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Simulación Tabla de comparaciones

Calculado Medidos Simulado

VGS -2.19 V -1.99 V -2.11 V
VD 6.5 V 6.34 V 6.53 V
ID 1 mA 1.07 mA 0.98 mA

Esquema 2 (Partidor de tensión

Cálculos
para Source - Común)
(𝑽𝑪𝑪 = 𝟏𝟓𝑽 𝑰𝑫 = 𝟏𝒎𝑨 𝑽𝑮𝑺 = −𝟐. 𝟏𝟖𝑽 𝑽𝑹𝑺 = 𝟐. 𝟓𝑽 𝑽𝑹𝑫 =
𝟔. 𝟓𝑽 )

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆
𝑉𝐺 = −2,18𝑉 + 2,5𝑉

𝑽𝑮 = 𝟎. 𝟑𝟐 𝑽

𝑉𝑅𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
𝑹𝑫 = 𝟔, 𝟐𝑲𝛀

𝑉𝑅𝑆
𝑅𝑆 =
𝐼𝐷
𝑹𝑺 = 𝟐, 𝟓𝑲𝛀

Se impone el valor de 𝑹𝟐 = 𝟐. 𝟐𝑲

(𝑹𝟐 ∗ 𝑽𝑪𝑪 ) − (𝑹𝟐 ∗ 𝑽𝑮 )

𝑹𝟏 =
𝑽𝑮

(2.2𝐾 ∗ 15) − (2.2𝐾 ∗ 0.32)

𝑅1 =
0.32

𝑹𝟏 = 𝟏𝟎𝟎𝑲

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )

𝑉𝐷𝑆 = 15𝑉 − 1𝑚𝐴(6,2𝐾Ω + 2,5𝐾Ω)

𝑽𝑫𝑺 = 𝟔. 𝟐𝟓𝑽

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Simulación Tabla de comparaciones

Calculado Medidos Simulado

VGS -2.19 V -2.1 V -2.04 V
VD 6.25 V 6.15 V 6.46 V
ID 1 mA 0.94 mA 1.07 mA

Esquema 3 (Partidor de tensión para

Cálculos
Drain - Común)
(𝑽𝑪𝑪 = 𝟏𝟓𝑽 𝑰𝑫 = 𝟏𝒎𝑨 𝑽𝑹𝑺 = 𝟕. 𝟓𝑽 )

𝑉𝑅𝑆
𝑅𝑆 =
𝐼𝐷
𝑹𝑺 = 𝟕, 𝟓𝑲𝛀

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝑆
𝑉𝐺 = −2,18𝑉 + 7,5𝑉
𝑽𝑮 = 𝟓. 𝟑𝟐𝑽

Se impone el valor de 𝑹𝟐 = 𝟏𝟐𝑲

(𝑹𝟐 ∗ 𝑽𝑪𝑪 ) − (𝑹𝟐 ∗ 𝑽𝑮 )

𝑹𝟏 =
𝑽𝑮
(12𝐾 ∗ 15) − (12𝐾 ∗ 5.32)
𝑅1 =
5.32
𝑹𝟏 = 𝟐𝟐𝑲

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝑆 )

𝑉𝐷𝑆 = 15𝑉 − 1𝑚𝐴(7.5𝐾Ω)
𝑽𝑫𝑺 = 𝟕. 𝟓 𝑽

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Simulación Tabla de comparaciones

Calculado Medidos Simulado

VGS -2.18 V -2.1 V -2.10V
VS 7.5 V 7V 7.3 V
ID 1 mA 0.99mA 0.98 mA

5. CONCLUSIONES

• Primero se debe medir los valores de voltaje de estrangulamiento (VP) y la corriente de saturación
(IDSS) del transistor FET.

• Que para encontrar cualquier valor de resistencia, voltaje o corriente siempre se obtendrán los
valores mediante el cálculo por mallas.

• Si el VGS se acerca al valor de VP la corriente ID será de 0 mA

• La simulación de los circuitos no es muy exacta debido a que el transistor con el que se trabajó no
hay en el simulador.

6. BIBLIOGRAFIA

[1] R. L. Boylestad, Teoria de circuitos y dispositivos electrónicos, Mexico: Pearson, 2009.