TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR

TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR

INTRODUCCIÓN

TEORÍA DEL SEMICONDUCTOR

INTRODUCCIÓN
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede considerarse
situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente

Los semiconductores más conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos más adelante, el comportamiento del siliceo es más estable que el germanio frente a todas
las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, será el primero (Si) el elemento
semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes electrónicos de estado solido. A él
nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente
similar.

Como todos los demás, el átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo, como electrones
en las órbitas que le rodean. (En el caso del silicio este número es de 14). El interés del semiconductor
se centra en su capacidad de dar lugar a la aparición de una corriente, es decir, que haya un
movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrón se siente más ligado al núcleo
cuanto mayor sea su cercanía entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de
atracción por parte del núcleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se
encuentran en las órbitas exteriores. Estos electrónes pueden, según lo dicho anteriormente, quedar
libres al inyectarles una pequeña energía. En estos recaerá nuestra atención y es así que en vez de
utilizar el modelo completo del átomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representación simplificada
(figura 2) donde se resalta la zona de nuestro
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un
conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el
silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros
semiconductores son el germanio y el selenio. Los átomos de silicio tienen su orbital externo
incompleto con sólo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos forman
una red cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro
átomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de
valencia absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a
través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto
el enlace covalente, se les somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

Semiconductores P y N En la práctica, para mejorar la conductividad eléctrica de los

semiconductores, se utilizan impurezas añadidas voluntariamente. Esta operación se denomina
dopado, utilizándose dos tipos: • Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen
cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el
antimonio y el arsénico. • Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres
electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.

¿Qué es Un Diodo Ideal?

Un diodo ideal es un diodo que actúa como un conductor perfecto cuando el voltaje se
aplica hacia adelante sesgado y como un aislante perfecto cuando el voltaje se aplica en
polarización inversa.

Así que cuando el voltaje positivo se aplica a través del ánodo al cátodo, el diodo conduce
la corriente delantera inmediatamente. Cuando se aplica voltaje a la inversa, el diodo no
conduce ninguna corriente.

A continuación se muestra un gráfico de la curva de características I-V de un diodo ideal:

Curva de Características del Diodo Ideal

Características diodo ideal

Diodos están hechos de semiconductores tales como el silicio o el
germanio. Su función más básica es bloquear la corriente en una
dirección pero permitir que en otro. Un diodo tiene dos terminales, y
cuando se coloca dentro de un circuito en una dirección en la que permite
el flujo de corriente, se denomina polarizado. Cuando se coloca de la
manera opuesta de modo que la corriente se bloquea, se llama
polarización inversa.
diodos reales no siguen este comportamiento con precisión, y por lo que
este modelo se llama ideal.
Operación Ideal

diodos Ideal ofrecen conductividad perfecta cuando están polarizado

directamente, de modo que no hay resistencia en absoluto a las
corrientes. Cuando se les polarización inversa, tienen una resistencia
infinita. Esto significa que el diodo se comporta como un interruptor que
se abre cuando polarizado directamente y cerrado cuando polarización
inversa. diodos reales no tienen conductividad perfecta y resistencia
infinita.
Tensión de la rodilla

Diodos no comienzan a operar hasta que se alcanza una cierta tensión.

La tensión de la rodilla es donde un diodo comienza a conducir cuando se
está sesgado hacia adelante. Para el silicio, esto es lo ideal y 0,7 voltios
para el germanio, es idealmente 0,3 voltios. La corriente del diodo más
allá de los aumentos de tensión de la rodilla rápidamente hacia arriba de
manera que tenga una tasa exponencial positivo.
Cortocircuito

El voltaje de ruptura de un diodo ordinario es el punto en que se

autodestruirá. Que podría derretirse, agrietarse o provocar un incendio.
Esto ocurre cuando se alcanza un umbral de tensión cuando el diodo está
polarizado inversamente en un circuito. Lo que este voltaje es depende
del tipo de diodo, y las especificaciones del fabricante.
Corriente directa

Cuando polarizado, un diodo real, también se autodestruyen si hay

demasiada corriente. Por esta razón, una resistencia a menudo se utiliza
para limitar el flujo de corriente en los circuitos. modelos diodo ideal
pueden descuidar el uso de resistencias.
Curva diodo ideal

Una curva de diodo ideal es un gráfico de tensión frente al actual. En

forma, es similar a una "z" acostado de lado, pero con la parte media de
una línea recta en lugar de una diagonal, y con curvas en las curvas de
sus dos piernas.
El lado negativo de la trama muestra el comportamiento de polarización
inversa del diodo, y se llama la región inversa. La línea hacia abajo de la
Z es la tensión de ruptura, que es como una curva exponencial negativa.
Esto muestra que el diodo tiene una corriente negativa, ya que está
llevando a cabo. La línea recta es en gran parte a lo largo de la línea cero
de la tensión del eje x negativo, para demostrar que el diodo está
bloqueando completamente el flujo de corriente.
Una vez que la línea alcanza el lado positivo de la trama, que muestra el
comportamiento de polarización. Esto se denomina la región hacia
adelante. La línea se extiende hasta que alcanza la tensión de la rodilla, y
luego se curva hacia arriba o puntos de forma exponencial, para mostrar
que el diodo está conduciendo. Cuando el diodo es conductor, la
corriente ya no es cero.
Como se señaló anteriormente, en la vida real, el diodo llegará a ser
destruida si la corriente es demasiado grande cuando se está sesgado
hacia adelante. Esto no se muestra normalmente en los gráficos diodo
ideal.
Las décadas que siguieron a la introducción del transistor en los años cuarenta
han atestiguado un cambio sumamente drástico en la industria electrónica. La
miniaturización que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus
límites. En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles
de veces menor que el más sencillo elemento de las primeras redes. Las
ventajas asociadas con los sistemas semiconductores en comparación con las
redes con tubos de los años anteriores son , en su mayor parte, obvias: más
pequeños y ligeros, no requieren calentamiento ni se producen pérdidas
térmicas (lo que sí sucede en el caso de los tubos), una construcción más
resistente y no necesitan un periodo de calentamiento.

La miniaturización de los últimos años ha producido sistemas

semiconductores tan pequeños que el propósito principal de su encapsulado es
proporcionar simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y
para asegurar que las conexiones permanezcan fijas a la oblea del
semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los límites de la
miniaturización: la calidad del propio material semiconductor, la técnica del
diseño de la red y los límites del equipo de manufactura y procesamiento.

El primer dispositivo electrónico que se presentará se denomina diodo. Es el

más sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempeña un papel
vital en los sistemas electrónicos, con sus características que se asemejan en
gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrará en una amplia
gama de aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente
complejas. Aparte de los detalles de su construcción y características, los
datos y gráficas muy importantes que se encontrarán en las hojas de
especificaciones también se estudiarán para asegurar el entendimiento de la
terminología empleada y para poner de manifiesto la abundancia de
información de la que por lo general se dispone y que proviene de los
fabricantes.

Antes de examinar la construcción y características de un dispositivo real,

consideremos primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base
comparativa. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el
símbolo y las características que se muestran en la figura 1.1a y b,
respectivamente.
 (a)

(b)

Figura 1.1 Diodo ideal: (a) símbolo; (b) característica.

En forma ideal, un diodo conducirá corriente en la dirección definida por la

flecha en el símbolo y actuará como un circuito abierto para cualquier intento
de establecer corriente en la dirección opuesta. En esencia.

Las características de un diodo ideal son las de un interruptor que puede

conducir corriente en una sola dirección.

En la descripción de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la

definición de los símbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones
de corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con la que se
muestra en la figura 1.1.a, la parte de las características que se consideran en
la figura 1.1.b, se encuentra a la derecha del eje vertical. Si se aplica un voltaje
inverso, las características a la izquierda son pertinentes. En el caso de que la
corriente a través del diodo tenga la dirección que se indica en la figura 1.1.a,
la parte de las características que se considerará se encuentra por encima del
eje horizontal, en tanto que invertir la dirección requerirá el empleo de las
características por debajo del eje.

Uno de los parámetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o

región de operación. Si consideramos la región definida por la dirección de
ID y la polaridad de VD en la figura 1.1.a (cuadrante superior derecho de la
figura 1.1.b), encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de
acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:

(corto circuito)

donde VF es el voltaje de polarización directo a través del diodo e IF es la

corriente en sentido directo a través del diodo.

El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la región de

conducción.

Si consideramos la región del potencial aplicado negativamente (tercer

cuadrante) de la figura 1.1.b,

(circuito abierto)

donde VR es el voltaje de polarización inverso a través del diodo e IR es la

corriente inversa en el diodo.

El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la región en la que

no hay conducción.

En síntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 1.2.

Figura 1.2 Estados (a) de conducción y (b) de no conducción del diodo ideal.

En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la

región de conducción o en la de no conducción observando tan solo la
dirección de la corriente ID establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo
convencional (opuesto al de los electrones), si la corriente resultante en el
diodo tiene la misma dirección que la de la flecha del mismo elemento, éste
opera en la región de conducción. Esto se representa en la figura 1.3a. Si la
corriente resultante tiene la dirección opuesta, como se muestra en la figura
1.3b, el circuito abierto equivalente es el apropiado.
 Figura 1.3 (a) Estado de conducción y (b) de no conducción del diodo
ideal determinados por la dirección de corriente de la red aplicada.

DIODO DE POTENCIA
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los
diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son
dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido
contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el
voltaje entre ánodo y cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben

ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión.
En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa
de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensión inversa máxima

VD: tensión de codo.

A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del

diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
 Características estáticas:
 o Parámetros en bloqueo (polarización inversa).
o Parámetros en conducción.
o Modelo estático.
 Características dinámicas:
o Tiempo de recuperación inverso (trr).
o Influencia del trr en la conmutación.
o Tiempo de recuperación directo.
 Potencias:
o Potencia máxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
 Características térmicas.
 Protección contra sobreintensidades.
Características estáticas :
 DIODO ZENER

La corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a la de un diodo

polarizado directamente.

El diodo Zener es un diodo que ha sido diseñado para trabajar en la región

Zener.

De acuerdo con la definición, se puede decir que el diodo Zener ha sido

diseñado para trabajar con voltajes negativos (con respecto a él mismo).

Es importante mencionar que la región Zener (en un diodo Zener) se controla

o se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el número de
impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.

Así, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde 1.8
V a -200 V y potencias de 1/4 a 50 W.

El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado

su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que
se activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.
En el circuito que se muestra, se desea proteger la carga contra sobrevoltajes,
el máximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un
diodo Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activará cuando el voltaje
en la carga sea 4.8 volts, protegiéndola de esta manera.

DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se

encuentra polarizado.

El voltaje de polarización de un LED varía desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la

corriente necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.

Principio de Funcionamiento:

En cualquier unión P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y

principalmente cerca de la unión, ocurre una recombinación de huecos y
electrones (al paso de la corriente). Esta recombinación requiere que la
energía que posee un electrón libre no ligado se transfiera a otro estado. En
todas las uniones P-N una parte de esta energía se convierte en calor y otro
tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y
la luz emitida es insignificante. Por esta razón se utiliza otro tipo de materiales
para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o
fosfuro de Galio (GaP).
 DIODO REAL

La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la

siguiente ecuación:

-------- K = 11,600/h -------- h = 1 para Ge

TK = TC° + 273° ----------------------------------------------- h = 2 para Si

Para un diodo de silicio la corriente de saturación inversa IS aumentará cerca
del doble en magnitud por cada 10° C de incremento en la temperatura.

Debido a la forma que tiene la curva característica del diodo, mostrada

anteriormente, y la forma compleja de la ecuación, con frecuencia se utiliza un
modelo simplificado:
El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red
y/o de los dispositivos junto a los cuales se conectará el diodo sea mucho
mayor que la resistencia promedio del diodo rd, la cual se podría calcular
como rd, en promedio, la resistencia de un diodo de pequeña señal es de 26W.
Red >> rd.

DIODO OPTOACOPLADOR
Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un
fotoemisor, un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se
transmite la luz. Todos estos elementos se encuentran dentro de un
encapsulado que por lo general es del tipo DIP.

Funcionamiento del Optoacoplador :

La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del
fotoreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una señal
eléctrica en una señal luminosa modulada y volver a convertirla en una señal
eléctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento
eléctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida.
Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son
diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser
tiristores o transistores.

Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED, este emite
un haz de rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guía-ondas
de plástico o cristal hacia el fotorreceptor. La energía luminosa que incide
sobre el fotorreceptor hace que este genere una tensión eléctrica a su salida.
Este responde a las señales de entrada, que podrían ser pulsos de tensión.
Diferentes tipos de Optoacopladores :
Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida
formada por un transistor BJT.

Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada

por un triac
Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se
encuentra un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero
conmuta al triac sólo en los cruce por cero de la corriente alterna.

Transistor
Transistor
 El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia que es capaz de

manejar

Tipo Semiconductor

Invención John Bardeen, Walter Houser Brattain y

William Bradford Shockley (1947)

Símbolo electrónico

Terminales Emisor, base y colector

[editar datos en Wikidata]

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar
una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.1 El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»).
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de
uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre
las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,33a diferencia
de los resistores, condensadores e inductoresque son elementos pasivos.34
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través de
sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la
carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia
Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los
distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base
Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para
utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta y
gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada
entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de
impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la
compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tipos de transistor
Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual[editar]

Llamado también "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain.
Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido
que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre
de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía
desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión
debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unión bipolar[editar]
Artículo principal: Transistor de unión bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre
las de un conductor eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se
contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando
lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores
de carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con
átomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho
más contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de
dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de
la unión.
Transistor de efecto de campo[editar]

-Símbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto

de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico,
tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial
negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la
corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se aísla del canal mediante un dieléctrico.
 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor[editar]
Artículo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias

cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

 Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
Tipos de transistores. Simbología

Transistor bipolar de unión (BJT)

Transistor de efecto de campo, de union (JFET)

R
ESUMEN

El objetivo de esta actividad es conocer los conceptos ycaracterísticas

de los diodos, también se hablará sobresus aplicaciones y se investigará
de los diferentescircuitos con aplicación de diodos, donde se
realizaránmediciones necesarias para su observación ycomentarios, al
final se dará una conclusión sobre todo loinvestigado.
I
NTRODUCCIÓN
Como tema principal en este reporte es el diodo en el cualse darán
características, conceptos y aplicaciones para sucorrectacomprensión.
Seguidamente se implementarán gráficas y secomprensión. Seguidamente se
implementarán gráficas y serealizaran algunos circuitos electrónicos, donde el
principalelemento utilizado es el diodo, también se podrá apreciar lamedición
de estos circuitos por medio de un instrumento demedición. Se realizará una
investigación sobre una herramientadel N Multisim. Al final se dará una
conclusión general sobrelo tratado. La elaboración de este reporte es con la
finalidad decomprender la utilización y obtener los conocimientosnecesarios
sobre un elemento, tan importante como es el diodoy su utilización, también el
de obtener experiencia en lautilización del N Multisim.
1.

Describe el concepto, características y clasificaciónde un transistor

Los transistores bipolares se usan generalmente en lasalgunas
aplicaciones de electrónica digital como latecnología TTL
o BICMOS. Se considerandispositivos activos porque pueden obtener
una mayorcorriente de salida a partir de, corriente o tensión deentrada,
y por lo tanto corrientes y tensiones.Disponen de 3 terminales,
pudiendo adoptar variasconfiguraciones: considerándose como
entrada dos deellos y de salida el tercero.El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor quecumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador orectificador. El término "transistor" ("resistencia
detransferencia"). Actualmente se les encuentra prácticamente
entodos los enseres domésticos de uso diario: radios,
televisores,grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornosde
microondas
, lavadoras, reproductores mp3, celulares, etc.El transistor consta de
un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente
(contaminadascon materiales específicos en cantidades específicos)
queforman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores,el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que estáintercalada
entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). El
transistor es un dispositivo controlado porcorriente y del que se
obtiene corriente amplificada.
Características de un transistor:
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductorutilizado para
entregar una señal de salida en respuesta a unaseñal de entrada.
Cumple funcionesde amplificador, oscilador, conmutadoro rectificador.
Eltérmino «transistor» es la contracción en inglés de transferresistor
(«resistor de transferencia»).
Clasificación de un transistor:
Es en realidad una familiade transistores que se basan en elcampo
eléctrico paracontrolar la conductividad de un "canal" en unmaterial
semiconductores. Los FET pueden plantearsecomo resistencias
controladas por diferencia de potencial. Lamayoría de los FET están
hechos usando las técnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando laoblea mono cristalina
semiconductora como la región activa ocanal. La región activa de
losTFT (
thin-film transistor
, otransistores de película fina) es una película quese deposita sobre
un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de
los TFT es como pantallas de cristallíquido o LCD).Los transistores de
efecto de campo o FETmás conocidos son los JFET (Junction Field
Effect

Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) yMISFET

(Metal-Insulator-Semiconductor FET).Tienen tresterminales,
denominadas puerta (
gate
), drenador (
drain
) yfuente (
source
). La puerta es la terminal equivalente a la basedel BJT (
Bipolar Junction Transistor
). El transistor de efectode campo se comporta como un interruptor
controlado portensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite
hacer quefluya o no corriente entre drenador y fuente. El
funcionamientodel transistor de efecto de campo.
Clasificación de transistor.
ELECTRONICA DE POTENCIA: TIRISTORES

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de

cuatro capas (pnpn), que se utilizan para controlar grandes cantidades
de corriente mediante circuitos electrónicos de bajo consumo de
potencia.

La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre

es fiel reflejo de la función que efectúa este componente: una puerta
que permite o impide el paso de la corriente a través de ella. Así como
los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y
saturación, los tiristores en cambio sólo conmutan entre dos estados:
corte y conducción.
Dentro de la familia de los tiristores, trataremos en este tutorial los
tipos más significativos: Diodo Shockley, SCR (Silicon Controlled
Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled
Switch), Diac y Triac.

1 EL DIODO SHOCKLEY

El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: ánodo y cátodo.

Está constituido por cuatro capas semiconductoras que forman una
estructura pnpn. Actúa como un interruptor: está abierto hasta que la
tensión directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra y
permite la conducción. La conducción continúa hasta que la corriente
se reduce por debajo de un valor específico (IH).

Figura 1: Construcción básica y símbolo del diodo Shockley

1.1 CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD

Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, sólo

habrá una corriente muy pequeña hasta que se alcance la tensión de
ruptura (VRB).
 Figura 2: Característica I-V del diodo Shockley

En polarización positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor

de tensión VB0. Una vez alcanzado este punto, el diodo entra en conducción, su tensión
disminuye hasta menos de un voltio y la corriente que pasa es limitada, en la práctica,
por los componentes externos. La conducción continuará hasta que de algún modo la
corriente se reduzca por debajo de la corriente de mantenimiento IH.

La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarización directa tiene un límite

impuesto por el propio componente (IMAX), que si se supera llevará a la destrucción del
mismo. Por esta razón, será necesario diseñar el circuito en el que se instale este
componente de tal modo que no se supere este valor de corriente. Otro parámetro que
al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es VRB, ya que provocaría un
fenómeno de avalancha similar al de un diodo convencional.

1.2 EJEMPLO DE APLICACION: DETECTOR DE SOBRETENSION

En esta aplicación, se ha seleccionado un diodo Shockley con una tensión de

conducción de 10 V. Por tanto, si la tensión de la fuente es correcta, es decir, de 9 V,
el diodo está abierto, no circula corriente por él y la lámpara estará apagada. Pero si la
tensión de la fuente supera, por una falla en su funcionamiento una tensión de 10 V, el
diodo entra en saturación y la lámpara se enciende. Permanecerá encendida (y el
diodo cerrado) aunque la tensión vuelva a 9V, mostrando de esta manera que ha
habido una falla. La única forma de apagar la lámpara sería desconectar la
alimentación.
 Figura 3: Detector de sobretensión

2 SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la

diferencia de poseer tres terminales: ánodo, cátodo y puerta (gate). Al igual que el
diodo Shockley, presenta dos estados de operación: abierto y cerrado, como si se
tratase de un interruptor.

Figura 4: Construcción básica y símbolo del SCR

2.1 CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD

Tal y como se aprecia en la Figura 5, la parte de polarización inversa de la curva es

análoga a la del diodo Shockley.
 Figura 5: Característica del SCR

En cuanto a la parte de polarización positiva, el diodo no conduce hasta que se recibe

un pulso de tensión en el terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la tensión entre
ánodo y cátodo cae hasta ser menor que un voltio y la corriente aumenta rápidamente,
quedando limitada en la práctica por componentes externos.

Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarán la

destrucción del SCR si se superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown Voltage) es, al
igual que en el diodo Shockley, la tensión a partir de la cual se produce el fenómeno de
avalancha. IMAX es la corriente máxima que puede soportar el SCR sin sufrir daño. Los
otros dos valores importantes son la tensión de cebado VBO (Forward Breakover
Voltage) y la corriente de mantenimiento IH, magnitudes análogas a las explicadas
para el diodo Shockley.

2.2 METODOS DE CONMUTACION

Para que el dispositivo interrumpa la conducción de la corriente que circula a través del
mismo, ésta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay
dos métodos básicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupción de corriente
anódica y conmutación forzada. Ambos métodos se presentan en las figuras Figura 6 y
Figura 7.
 Figura 6: Apertura del SCR mediante interrupción de la corriente anódica

En la Figura 6 se observa cómo la corriente anódica puede ser cortada mediante un

interruptor bien en serie (figura izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El
interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de
conducir. El interruptor en paralelo desvía parte de la corriente del SCR, reduciéndola a
un valor menor que IH.

En el método de conmutación forzada, que aparece en la Figura 7, se introduce una

corriente opuesta a la conducción en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor
que conecta una batería en paralelo al circuito.

Figura 7: Desconexión del SCR mediante conmutación forzada

2.3 APLICACIONES DEL SCR

Una aplicación muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en

reguladores (dimmer) de lámparas, calentadores eléctricos y motores eléctricos.
En la Figura 8 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia
variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia
de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una lámpara). R1 es
una resistencia limitadora de la corriente y R2 es un potenciómetro que ajusta el nivel
de disparo para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en
cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y 180º, como se aprecia
en la Figura 8.

Figura 8: (a) Conducción durante 180º (b) Conducción durante 90º

Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0º), como
en la Figura 8 (a), conduce durante aproximadamente 180º y se transmite máxima
potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la
Figura 8 (b), el SCR conduce durante aproximadamente 90º y se transmite menos
potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo puede retardarse,
transmitiendo así una cantidad variable de potencia a la carga.

Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el

siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo
como se ilustra en la Figura 9. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en
AC sea aplicado a la gate del SCR.

Figura 9: Disparos cíclicos para control de potencia

3 GCS (GATE CONTROLLED SWITCH)

Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de que el GCS puede interrumpir el
paso de corriente con una señal en el terminal de gate.

Igual que el SCR, no permitirá el paso de corriente hasta que un pulso positivo se
reciba en el terminal de puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS puede pasar
al estado de corte mediante un pulso negativo 10 ó 20 veces mayor que el pulso
positivo aplicado para entrar en conducción.
 Figura 10: Símbolo del GCS

Los GCS están diseñados para cargas relativamente pequeñas y pueden soportar sólo
unas pocas decenas de amperios.

4 SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH)

Es similar en cuanto a construcción al SCR. La diferencia está en que posee dos

terminales de puerta, uno para entrar en conducción y otro para corte. El SCS se suele
utilizar en rangos de potencia menores que el SCR.

Figura 11: Símbolo del SCS

El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este último tiene la ventaja de
poder abrirse más rápido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero
el inconveniente que presenta respecto al SCR es que se encuentra más limitado en
cuanto a valores de tensión y corriente. También se utiliza en aplicaciones digitales
como contadores y circuitos temporizadores.

5 EL DIAC
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos
terminales que funciona básicamente como dos diodos Shockley que conducen en
sentidos opuestos.

Figura 12: Construcción básica y símbolo del diac

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que

funciona como un diodo Shockley tanto en polarización directa como en inversa.

Cualquiera que sea la polarización del dispositivo, para que cese la conducción hay que
hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes
izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma análoga, no tienen por
qué ser simétricas.

Figura 13: Característica V-I del diac

6 EL TRIAC
Este dispositivo es simular al diac pero con un único terminal de puerta (gate). Se
puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el
voltaje VBO como el diac.

Figura 14: Construcción básica y símbolo del TRIAC.

En la curva característica se indica que para diferentes disparos, es decir, para

distintas corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de
polarización positiva, la curva de más a la izquierda es la que presenta un valor
de VBO más bajo, y es la que mayor corriente de gate precisa en el disparo. Para que
este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los casos, hay que hacer bajar la
corriente por debajo del valor IH.

Figura 15: Característica V-I del triac

Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El
triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la
carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que se
puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera
que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.

Rectificador controlado de silicio (SCR)

Los rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo

de control.
El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos
estados estables: en uno conduce, y en otro está en corte (bloqueo directo, bloqueo
inverso y conducción directa).
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en
conducción del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio
SCR se hace conductor no sólo cuando la tensión en sus bornes se hace positiva
(tensión de ánodo mayor que tensión de cátodo), sino cuando siendo esta tensión
positiva, se envía un impulso de cebado a puerta.
El parámetro principal de los rectificadores controlados es el ángulo de retardo, a.
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente
sólo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el
semiciclo en que el ánodo del SCR es mas positivo que el cátodo. Esto significa que
el SCR no puede estar encendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad
del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el
SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.

Rectificador controlado de silicio SCR (silicon

controlled rectifier)
Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la
disposición pnpn Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y
Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de
puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único),
conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el ánodo es positivo en relación al

cátodo no circulará la corriente hasta que una corriente positiva se inyecte en la
puerta. Luego el diodo se enciende y no se apagará hasta que no se remueva la
tensión en el ánodo-cátodo, de allí el nombre rectificador controlado.

Funcionamiento básico del SCR

El siguiente gráfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su
funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se
producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su
vez causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido
del SCR.

Operación controlada del rectificador controlado de

silicio
Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de
silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogió el silicio debido a
sus capacidades de alta temperatura y potencia.
La operación básica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos
capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina
cuándo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado.
No es suficiente sólo la polarización directa del ánodo al cátodo del dispositivo. En
la región de conducción la resistencia dinámica el SCR es típicamente de 0.01 a 0.1

La resistencia inversa es típicamente de 100 k o más. Un SCR actúa a

semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de
flujo de corriente de baja resistencia del ánodo al cátodo. Actúa entonces como un
interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de corriente
del ánodo al cátodo. Por tanto, actúa como un interruptor abierto. Dado que es un
dispositivo de estado só1ido, la acción de conmutación de un SCR es muy rápida.

Triac
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de
la familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que
el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían
dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso
pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta (gate). El disparo del TRIAC
se realiza aplicando una corriente al electrodo de gate/puerta.

Modos de activación. Cuadrantes, 1 (arriba a la derecha), 2 (arriba a la izquierda), 3 (abajo a

la izquierda), 4 (abajo a la derecha)

Funcionamiento
La sensibilidad relativa depende de la estructura física de un triac particular, pero
por regla general, el cuadrante I es el más sensible (menor corriente de puerta
requerida), y el cuadrante 4 es el menos sensible (la mayoría de la corriente de
puerta requerida).

En los cuadrantes 1 y 2, MT2 es positivo, y la corriente

fluye de MT2 a MT1 a través de capas P, N, P y N. La región N
unida a MT2 no participa significativamente. En los
cuadrantes 3 y 4, MT2 es negativo, y la corriente fluye de
MT1 a MT2, también a través de capas P, N, P y N. La región N
unida a MT2 está activa, pero la región N unida a MT1 sólo
participa en el disparo inicial, pero no contribuye al flujo
inicial de corriente.

El TRIAC es un componente electrónico semiconductor de tres

terminales para controlar la corriente. Su nombre viene del
término TRIode for Alternating Current = Triodo Para
Corriente Alterna.

Podríamos decir que un triac se utiliza para controlar una carga

de CA (corriente alterna), semejante a como un transistor se
puede utilizar para controlar una carga de CC (corriente
continua). En definitiva es un interruptor
electrónico pero para corriente alterna. Los triac se utilizan
en muchas ocasiones como alternativas al relé.

Su funcionamiento básico es cerrar un contacto entre dos

terminales (ánodo 1 y 2) para dejar pasar la corriente (corriente
de salida) cuando se le aplica una pequeña corriente a otro
terminal llamado "puerta" o Gate (corriente de activación).

Se seguirá permitiendo que la corriente fluya hasta que la

corriente de salida disminuya por debajo de un valor
determinado, llamada corriente umbral, o se corte la corriente
totalmente de alguna forma, por ejemplo con un interruptor o
pulsador como luego veremos.
Símbolo del Triac y Circuito Equivalente

Si te fijas en el símbolo es como si fueran dos tiristores o scr

(son lo mismo) en antiparalelo ( o dos diodos).
Funcionamiento del Triac
El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente a
la patilla puerta. Un pulso (corriente) en la puerta y el triac
funcionará como un conductor. Conducirá corriente en una u
otra dirección. Veamos porqué.

Fíjate cuando tenemos polarizado el MT1 al positivo y el MT2

al negativo (representado en la imagen de color rojo). Hemos
llamado a los dos tiristores SCR1 y SCR2. Podemos pensar
también que son dos diodos aunque sean dos tiristores.

Si pensamos como si tuviéramos dos diodos (scr1 y scr2),

resulta que el scr2 está polarizado directamente y
conduce, el scr1 está polarizado inversamente y no
conduce o no permite el paso de la corriente a través de
él. En este caso el sentido de la corriente de salida será hacia
arriba, representada de color rojo.

Si ahora cambiamos la polaridad del triac, es decir ponemos el

- en MT1 y el + en MT2 (de color azul) ahora el que conduce
es el scr1 y scr2 no conduce. La corriente de salida tendrá el
sentido hacia abajo o la representada de color azul.

Como ves, cualquiera que sea la dirección (o polaridad) de la

corriente de salida que intenta pasar por el triac, esta puede
pasar.

Cualquiera que sea la dirección de la corriente que

intenta pasar por el triac, si el triac está activado, se
comportará como un conductor, dejando que esta fluya. Se
comporta como un interruptor cerrado.

Si trabajamos con una corriente alterna, la polaridad del triac

irá cambiando según el ciclo de la onda senoidal de la ca, pero
en ambos casos el triac funciona. Por este motivo es ideal para
utilizar
Como ves en la imagen el triac conduce en las zonas marrones de la grafica. Al
principio no conduce ya que al ser dos scr o tiristores necesitan una corriente
mínimo para que se comporten como conductores. Ojo esta corriente mínima
no tiene nada que ver con la de activación (Igt). Es una corriente que necesita
el tiristor para comportarse como conductor. Recuerda que la onda de
corriente alterna senoidal tiene una frecuencia (se repite) de 50Hz, es decir se
repita 50 veces cada segundo, por lo que ese pequeño espacio que no conduce
casi no se nota.

¿Cuando dejará de circular corriente por el triac? Solo cuando la

corriente que pasa por los diodos caiga por debajo de un cierto valor
llamado corriente umbral o de mantenimiento, o si de alguna forma somos
capaces de cortar la corriente totalmente. Esta segunda forma se podría hacer
colocando a la salida del triac un pulsador o interruptor cerrado y al pulsarlo
que se abra y corte la corriente por el triac (como en la siguiente imagen).
¡OJO! Aunque ahora dejemos otra vez el interruptor cerrado, en su
posición inicial, ya no circulará corriente por el triac hasta que de
nuevo volvamos a meter la corriente de activación por la puerta.

Entonces tenemos una corriente de activación, necesaria para activar el

triac a través de la puerta. Esta corriente se suele llamar Igt.

También tenemos una corriente de salida que pasa por el triac, que
puede ser en un sentido o en otro. Esta corriente se suele llamar Ih, positiva
o negativa en función de su sentido. Esta se suele llamar corriente normal
de trabajo.

Estos valores dependen de cada triac y se pueden ver en la hoja de datos

proporcionada por el fabricante.

Es importante conocerlas y saber las corrientes máximas que puede soportar

el triac para no sobrepasarlas ya que podríamos quemar el triac. También
conocer las patillas sin son el ánodo 1, el 2 o la puerta.

Aquí puedes ver un triac real.

 Todo esto que hemos dicho para corrientes podría trasladarse
de idéntica manera para las tensiones. Por ejemplo corriente
mínima de activación, se podría trasladar a tensión mínima de
activación entre la puerta y otro de los dos terminales del triac o
que el triac dejará de conducir cuando la tensión entre los dos
ánodos baje por debajo de un umbral.

Fíjate en la curva de disparo para tensión y corriente en un

triac:
 Lógicamente un triac no tiene solo una tensión de disparo, a
partir de la mínima podemos activarlo con cualquier otra tensión
o corriente por gate.

Pero todo esto explicado con las tensiones lo puedes ver mucho
mejor explicado en el video de la parte de abajo.

Aplicaciones del Triac

El triac es fácil de usar y ofrece ventajas de coste sobre el uso
de dos tiristores para muchas aplicaciones de baja potencia.
Cuando se necesitan potencias superiores, casi siempre se
utilizan dos tiristores colocados en "anti-paralelo".

Son múltiples los usos del triac, pero por citar algunos:

- Para reguladores de luz.

- Para controles de velocidad de un ventilador eléctrico.

- Para los controles de motor pequeños.

- Para el control de pequeños electrodomésticos.

- Para el control de temperatura, control de iluminación, control

de nivel de líquido, los circuitos de control de fase, interruptores
de potencia, etc.

Estas son algunas de sus principales aplicaciones.

Probar Triac con Multímetro

Si queremos comprobar si un triac está en perfecto estado
podemos hacerlo con un simple polímetro o multímetro. Para
ello sigue los siguientes pasos:
 1. Pon el multímetro en una escala de resistencia grande, por
ejemplo la escala R x 100.

2. Conecta el cable positivo del multímetro al terminal MT1 o

Ánodo 1 del triac y el cable negativo al terminal MT2 o Ánodo 2
del triac (no hay ningún problema si se invierte la conexión). El
multímetro mostrará una lectura de alta resistencia o
infinito (indicando que es un circuito abierto). Recuerda el
cable positivo del multímetro es el rojo, el negro el negativo. El
cable negro insertado en el agujero negro que pone COM del
polímetro y el rojo en el agujero rojo. Para saber más sobre el
multímetro visita: Multímetro.

3. Invierte las puntas del medidor, de manera que el terminal

positivo del multímetro esté sobre el terminal principal 1 y el
terminal negativo del multímetro sobre la terminal principal
2. El multímetro debe leer infinito.

4. Ahora poner el interruptor de selección del multímetro en un

modo de baja resistencia. Haz un puente con un simple cable
entre el ánodo 1 o MT1 y la puerta o gate. Conéctalos al cable
positivo del multímetro. Conecta el cable negativo del
multímetro el ánodo 2 o MT2. El multímetro mostrará
ahora una baja resistencia de lectura, prácticamente
cero (que indica el interruptor ON o cerrado).

Si las pruebas anteriores son positivas, entonces podemos

suponer que el triac esta bien. De todos modos, esta prueba no
es aplicable triacs que requieren altas tensiones y altas corriente
de puerta para el disparo.
Tiristor Vs Triac
Mientras que el tiristor solo puede controlar la corriente en uno
de los dos ciclos de una onda de corriente alterna (onda
senoidal, el positivo o el negativo) el triac puede controlar la
corriente en los dos ciclos de la onda. En definitiva podemos
usar el triac en el ciclo completo de la onda senoidal de
corriente alterna.

El tiristor solo puede controlar una de las dos ondas, en la otra

no hay corriente (onda negativa), y el Triac puede controlar el
estado en las dos ondas (+ y -).

Como ves en la curva de la izquierda (tiristor) se activa y

permite el paso de la corriente durante el ciclo positivo de la
onda (ciclo de arriba) en el negativo no hay paso de corriente,
solo tenemos onda positiva de salida.

En la figura de la derecha, el triac, podemos controlar la

corriente en las dos ondas y tenemos onda positiva y negativa
de salida.

Por último os dejamos este video donde se explica muy bien el

triac y con algún circuito de ejemplo.