Número 41

Revista Electrónica de Daganzo

INTRODUCCION:

Es imposible imaginar nuestro mundo si no hubiera existido el transistor y su predecesor, la válvula

triodo. Todo nuestro mundo gira en torno a la electrónica y su componente básico es el transistor.
La continua miniaturización de los componentes ha llevado a los circuitos integrados que componen
nuestros ordenadores, televisores, lavadoras y un largo etc.

Bibliografía:
Textos e imágenes de Google y de Wikipedia
Portada: Popular Radio
Wikipedia, El Transistor
ON semiconductor, JFET 2N3819 Datasheet
SGS-THOMSON, 2N3055, 2N2955 Datasheet
COMSET SEMI CONDUCTORS, 2N2646 Datasheet
Microsemi, BFR90 Datasheet
NXP Semiconductors, BFG540 Datasheet
Semicron, IGBT Modules
https://www.euroresidentes.com/tecnologia/avances-tecnologicos/transistores-de-nanotubos

A.Gonzalez 2019
En 1906 a Lee De Forest inventó el Triodo al añadir una rejilla entre el
cátodo y el ánodo de la válvula diodo.

El objetivo de De Forest era el de descubrir un método para amplificar

las ondas y al mismo tiempo, controlar el volumen del sonido. Construyó
una delgada tira de alambre de platino (a la que dio el nombre de
"rejilla"), la dobló en zigzag y la colocó entre el filamento y la placa.
Después encerró todo el aparato en una bombilla de vidrio.

El triodo, de tri (tres) y hodós (vías), es una

válvula electrónica de amplificación que consta
de tres electrodos dispuestos en el interior de
una envoltura de vidrio en la que se ha hecho el
vacío: un filamento calentado o cátodo, una
rejilla, y una placa o ánodo.

Al inventar el triodo, el primer componente activo amplificador, podemos considerar a De Forest

como el “padre de la electrónica”.

En la imagen un antiguo receptor de galena de 1914 cuya sensibilidad a las señales de radio
dependía de la cantidad de antena. Y un receptor de radio con dos triodos de 1916.
La invención del triodo coincidió con una necesidad de amplificación de las señales de radio en los
receptores.
Básicamente, la conexión de un triodo en modo amplificador clase A consiste en una polarización de
rejilla C, una alimentación de filamento A, y una tensión de alimentación de placa B.
Con estas tensiones de alimentación conseguimos amplificar las señales de entrada en rejilla sobre una
carga resistiva en la placa.

Podemos encontrar otros

modos de amplificador con
triodos:
En paralelo para aumentar
la corriente cátodo-ánodo
O en push-pull donde cada
triodo amplifica media
fase de onda de entrada. Amplificador de potencia con triodos en paralelo Amplificador de potencia con triodos en push-pull

En la imagen un doble triodo encendido, observamos el cátodo encendido al rojo

mediante un fino filamento en su interior.

Es importante destacar la función del tinte plateado en la parte superior de la válvula,

nos indica que la válvula mantiene su vacío. En caso de rotura del vidrio y entrada de
aire, esta pintura se vuelve blanca.

La válvula triodo evolucionó a otros tipos de válvulas, tetrodos, pentodos y largo etc. Para más
información consultar el numero 30 de la revista, dedicado a la válvula electrónica.
La palabra transistor es un acrónimo que viene de las palabras Transfer y Resistor.

El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 1925 una patente para lo
que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se considera el
antecesor de los actuales transistores de efecto campo. Debido a que la producción de materiales
semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre
amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930.

En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en

Alemania y Gran Bretaña un dispositivo similar.
Cuatro años después, los también alemanes Robert
Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron experimentos en la
Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro
de potasio, usando tres electrodos, con los cuales
lograron la amplificar señales de 1 Hz, pero sus
investigaciones no condujeron a usos prácticos.

Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de

diciembre de 1947, los físicos estadounidenses
John Bardeen y Walter Houser Brattain de los
Laboratorios Bell llevaron a cabo diversos
experimentos y observaron que cuando dos
contactos puntuales de oro eran aplicados a un
cristal de germanio, se produjo una señal con una
potencia de salida mayor que la de entrada.

El término "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, basándose en la
propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo. Lo que Bardeen, Brattain y Shockley
inventaron en 1943 fue el primer transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los
dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1946.

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los

físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker. El 26 de junio de 1948,
Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor bipolar de unión y el 24 de
agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de efecto de
campo. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los
Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, cuya nueva
patente fue solicitada el 31 de octubre de 1952. Ese año, el ingeniero Sidney
Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido
actualmente como transistor Darlington.
El primer transistor de alta frecuencia fue el
transistor de barrera de superficie de germanio
desarrollado por los estadounidenses John Tiley y
Richard Williams de Philco Corporation en 1953, capaz
de operar con señales de hasta 60 MHz.

Para fabricarlo, se usó un procedimiento mediante el

cual eran grabadas depresiones en una base de
germanio tipo N de ambos lados con chorros de sulfato
de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de
pulgada de espesor formando el colector y el emisor.

El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en

los Laboratorios Bell en enero 1954 por el químico Morris
Tanenbaum. El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin
Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento
inventado por ambos para producir dispositivos
semiconductores.

El primer transistor de silicio comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al
trabajo del experto Gordon Teal quien había trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el
crecimiento de cristales de alta pureza. El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-
estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en
1960.
El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica

Antes de la aparición del transistor, eran usadas las válvulas termoiónicas. Las válvulas tienen
características eléctricas similares a la de los transistores de efecto campo (FET): la corriente que
los atraviesa depende de la tensión en el terminal llamado rejilla. Las razones por las que el transistor
reemplazó a la válvula termoiónica son varias:

• Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que son
peligrosas para el ser humano.
• Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco útiles para el uso
con baterías.
• El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores requeridos para su
funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a decenas de kilos.
• El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy corto comparado con el
de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
• Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya
que necesitan estar calientes para establecer la conducción.
• El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los transistores, que son
intrínsecamente insensibles a él.
• Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque existe unanimidad sobre
este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos de potencia, estos deben
llevar un disipador, de modo que el tamaño que se ha de considerar es el del dispositivo (válvula
o transistor) más el del disipador. Como las válvulas pueden funcionar a temperaturas más
elevadas, la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta
un disipador mucho más pequeño.
• Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y corrientes
altas; mientras que las válvulas presentan impedancias elevadas y por lo tanto trabajan con
altas tensiones y pequeñas corrientes.
• Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su lanzamiento inicial y se contó
con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo continuaría bajando (como de hecho
ocurrió) con suficiente investigación y desarrollo.

Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la

primera computadora digital, llamada ENIAC, la cual pesaba más
de treinta toneladas y consumía 200 kilovatios, suficientes para
alimentar una pequeña ciudad, a causa de sus aproximadamente
18 000 válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día,
necesitando una logística y una organización importantes para
mantener este equipo en funcionamiento.
El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la década de 1950,
pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando válvulas
termoiónicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplazó a la
válvula de los transmisores pero no del todo en los amplificadores de radiofrecuencia. Otros
fabricantes de instrumentos eléctricos musicales como Fender, siguieron utilizando válvulas en sus
amplificadores de audio para guitarras eléctricas. Las razones de la supervivencia de las válvulas
termoiónicas son varias:

• Falta de linealidad: El transistor no tiene las características de linealidad a alta potencia de la

válvula termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisión de
radio profesionales y de radioaficionados sino hasta varios años después.
• Generación de señales armónicas: Las señales armónicas introducidas por la falta de linealidad
de las válvulas resultan agradables al oído humano, como demuestra la psicoacústica, por lo que
son preferidos por los audiófilos.
• Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los efectos
electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando válvulas
termoiónicas en algunos sistemas de control y comando de aviones caza de fabricación soviética.
• Manejo de altas potencias: Las válvulas son capaces de manejar potencias muy grandes, a
diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin embargo a través de los años se
desarrollaron etapas de potencia con múltiples transistores en paralelo capaces de conseguir
manejo de potencias mayores.

En la imagen un amplificador que comparte tanto transistores como válvulas.

El Transistor bipolar como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre
base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto
quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo,
es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la

corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales
de señal, β varía entre 100 y 300. Existen tres configuraciones para el amplificador
transistorizado: Emisor común, Base común y Colector común.

Durante la fabricación de un transistor, el material semiconductor se procesa con la adición de

pequeñas cantidades de impurezas químicas, como arsénico o antimonio. Este proceso fue referido
como "dopaje". Se requiere para crear una estructura cristalina adecuada en el semiconductor para
permitir la acción del transistor. Dependiendo de los elementos dopantes utilizados en el material
semiconductor, los transistores se pueden clasificar como PNP o NPN.

• El emisor ha de ser una región muy dopada (de ahí la indicación p+).
Cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá
aportar a la corriente.

• La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar
poca recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que
proviene de emisor pase a colector. Además, si la base no es estrecha, el
dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si
de dos diodos en oposición se tratase.

• El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las

características de esta región tienen que ver con la recombinación de los
portadores que provienen del emisor.

De ahí que una forma de identificar el emisor, la base y el colector de un transistor desconocido
mediante un polímetro (al ser posible analógico) es que la medida de la resistencia en conducción
entre la base y el emisor es mayor que la de la base y el colector.
Emisor común: La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el
colector. El emisor se conecta al punto de tierra (masa) que será común, tanto de
la señal de entrada como para la de salida. En esta configuración, existe
ganancia tanto de tensión como de corriente. Para lograr la estabilización de la
etapa ante las variaciones de la señal, se dispone de una resistencia de emisor,
(RE) y para frecuencias bajas, la impedancia de salida se aproxima a RC. La
ganancia de tensión se expresa:

El signo negativo, indica que la señal de salida está invertida con respecto a la
señal de entrada.

Recta de carga de un transistor en configuración de emisor común Amplificador de emisor común

Base común: La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el

colector. La base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a
la de salida. En esta configuración se tiene ganancia solo de tensión. La
impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno,
debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos
una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común,
da como resultado que la ganancia aproximada es:

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja

impedancia de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
Colector común: La señal se aplica a la base del transistor y se extrae
por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la señal de
entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia de
corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta, aproximadamente β+1 veces la
impedancia de carga. Además, la impedancia de salida es baja,
aproximadamente β veces menor que la de la fuente de señal.

Características del material semiconductor

Tensión directa Máxima

Material Movilidad de electrones Movilidad de huecos
de la unión temperatura de unión
semiconductor m2/(V·s) @ 25 °C m2/(V·s) @ 25 °C
V @ 25 °C °C

Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100

Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200

GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200

Al-Si 0.3 — — 150 a 200

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los transistores de
Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones avanzadas de microondas y de alto
rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación
semiconductora de silicio-germanio (SiGe).
Entre los primeros transistores comerciales se
encuentran los AF 114 hasta el AF127 transistores
PNP de germanio con una frecuencia de transición de
unos 75Mhz y una ganancia de 150. Estos transistores
se emplearon en pequeños receptores de radio como
amplificadores de radio-frecuencia y en etapas
intermedias de amplificación.

Los transistores de germanio NPN AC127, PNP AC128

y los OC75 y OC74 se usaban también en los pequeños
receptores de radio en las etapas finales de
amplificación de audio. Con una potencia máxima de
0.5w y una ganancia de 40.

Receptor de radio de onda media con seis transistores de

germanio 2SA30, 2SA31, 2SA31, 2SB32, 2SB33, 2SB33.
Tipo PNP con una masa a positivo.

Los transistores de germanio permitieron producir pequeños

receptores de radio con un bajo consumo y muy buena
fidelidad, una pila de 9v les permitía funcionar durante
largas horas.
También se fabricaron transistores de
germanio tipo PNP con potencias de
disipación de 75w, tensiones de 60v y
corrientes de 50A como el 2N1523.

Esquema de un regulador de fuente de alimentación que

utiliza el transistor de germanio 2N1523 como regulador.

El transistor de silicio es más rápido, permite tensiones y

corrientes mas elevadas, y le influye menos la temperatura que el
transistor de germanio.

En la imagen tenemos la curva de respuesta aplicando tensión en

base, de un transistor de germanio y otro de silicio. El punto de
saturación de un transistor de germanio es mucho mas bajo que
el de silicio.

El mercado nos ofrece miles de modelos de transistores de silicio. Al

escoger un determinado modelo para una determinada función, hemos de
tener en cuenta: La polaridad del transistor, La corriente de
funcionamiento, La tensión que ha de soportar, La ganancia que queremos
obtener, La frecuencia de la señal que amplifica y Su disipación de calor.

Como los campos más importantes a tener en cuenta

En la imagen una pequeña emisora de señal en la frecuencia de 27MHz construida con cuatro
transistores de silicio.

Hoy día podemos encontrar transistores con frecuencias de transición en torno a varios GHz

Un ejemplo de transistor de alta frecuencia, los

encontramos en el BFR90 que con una frecuencia
de transición de 5GHz permite realizar
preamplificadores de radiofrecuencia en las
bandas de HF, VHF y UHF.
 El mercado nos ofrece transistores de silicio de potencia como el
2N3055, es un transistor NPN que permite tensiones de 60v y 15A
en colector con una potencia de disipación de hasta 115w.

Ha tenido mucho uso en las etapas finales de los amplificadores de

audio de HiFi. Donde lo encontramos con varios transistores en
paralelo para aumentar la corriente. Las resistencias en los emisores
sirven para compensar las ganancias de los transistores. El transistor
complementario es el 2N2955 (PNP)

Otro ejemplo de
transistor de silicio de
potencia lo tenemos en
el BU208. Permite
tensiones de hasta
1500v y 8A en colector
con una potencia de
disipación de 150w

Un ejemplo de uso de este transistor como driver de salida de líneas de un televisor

Los transistores de silicio de potencia DARLINGTON esto es

dos o más transistores como amplificador de corriente.

Un ejemplo lo tenemos en los MJ2500 (NPN) y el MJ3000

(PNP) con 60v y 10A de corriente en colector y una disipacion
de hasta 150W de potencia.
El transistor uniunión o transistor unijuntura (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de
transistor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (E),
base uno (B1) y base dos (B2). Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n.
Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n.

El UJT presenta un fenómeno de modulación de

resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por
el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello,
también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se
llama región de resistencia negativa. Este es un proceso
con realimentación positiva, por lo que esta región no es
estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para
circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de
relajación.

El 2N2646 es un transistor uniunion de baja potencia (300mW)

con una tensión max de 30v. El diagrama muestra un oscilador
acústico basado en este transistor.

Entre los transistores MOSFET, encontramos el JFET (Junction Field-Effect Transistor), en español
transistor de efecto de campo de juntura o unión) posee tres terminales, comúnmente llamados
drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S).

A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un voltaje de
entrada, no necesita de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un canal
semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensión
eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso
de la corriente eléctrica.

Un JFET conduce entre los terminales D y S

cuando la tensión entre los terminales G y S
(VGS) es igual a cero (región de saturación),
pero cuando esta tensión aumenta en módulo
y con la polaridad adecuada, la resistencia
entre los terminales D y S crece, entrando
así en la región óhmica, hasta determinado
límite cuando deja de conducir y entra en
corte. La gráfica de la tensión entre los
terminales D y S (VDS) en el eje horizontal
contra la corriente del terminal D.
 El 2N3819 es un ejemplo de este tipo de transistores, de
baja potencia (350mW) y baja tensión, sus características son
muy buenas para su utilización como preamplificador de
radiofrecuencia en las bandas de HF y VHF.

Transistores HFET o HEMT (High electron mobility transistor) Su composición es una combinación de
Arseniuro de galio, GaAs, con Arseniuro de galio-aluminio, AlGaAs; aunque existe una gran variabilidad
en función de la aplicación a la que se destine. Existen transistores que contienen Indio, que
generalmente presentan mejores rendimientos a altas frecuencias, mientras que recientemente se han
introducido transistores con Nitrito de Galio, GaN, que presentan mejor rendimiento en alta potencia.

Las aplicaciones de estos transistores son similares a los transistores MOSFET, telecomunicación en
las bandas de microondas y de onda milimétrica, radar, radioastronomía y en general en cualquier
aplicación que requiera de alta ganancia y bajo ruido a altas frecuencias.

El 3SK240 es un transistor de efecto de campo,

con estructura GaAs y doble puerta tipo N. Con
una frecuencia de transición de 1GHz permite
realizar preamplificadores de radiofrecuencia en la
bandas de HF, VHF y UHF.
 El IRF3205 es un transistor MOSFET de potencia,
utilizado como driver de conmutación.

La soldadura superficial en los circuitos impresos

permite utilizar en la cara de las pistas
transistores de muy pequeño tamaño, y aprovechar
las mismas pistas como disipador de calor.

En la imagen un preamplificador de radiofrecuencia de 1296 MHz que cuenta con el transistor

BFG540, un transistor cuya frecuencia de transicion se encuentra en torno a 9GHz.
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos
de electrónica de potencia.

El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido
al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente
conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT
consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del
orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.

Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de
corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción.
Sin embargo las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser igualmente altas. En
aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los tiristores y los MOSFET. Maneja
más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de

puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una
señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

El modulo IGBT SKM300GB123 consta de dos

transistores tipo IGBT puestos a modo de medio
puente tipo H. Sus características son de 300A
de corriente max. en colector y 1200v de tensión
max. Permite realizar convertidores de baja
frecuencia (max. 30Khz) y control de motores.

Cada transistor tiene un diodo de protección contra las corrientes producidas por las cargas
inductivas.

En la imagen, el diagrama de bloques de un controlador de motor de bicicleta electrica con IGBT.

Por primera vez, un grupo de científicos ha construido un transistor de nanotubos de carbono más
pequeño del mundo. El transistor en cuestión mide solo 18 nanometros se pueden ejecutar casi el doble
de rápido que sus homólogos de silicio.

Los científicos cultivaron en un proceso controlado nanotubos de carbón con un diámetro cada uno de
0,7 a 1,1 nanometros. Un pelo humano es 100.000 veces más grueso que estos nanotubos.

Las propiedades características de los nanotubos de carbón hacen que sea el material ideal para
muchas aplicaciones microelectrónicas. Los nanotubos llevan corriente eléctrica prácticamente sin
fricción sobre la superficie gracias al transporte balístico de electrones, por lo que pueden llevar 1000
veces más que cable de cobre. Además pueden ser conductores o semiconductores.

Ifineon fue una de las pioneras del desarrollo de nanotubos de carbón y fue una de las primeras en
demostrar cómo se cultivan nanotubos de carbón en puntos definidos con precisión y cómo se pueden
construir transistores para cambiar corrientes más grandes.

El transistor de nanotubo que acaba de inventar los investigadores de Ifineon es capaz de trasladar
corrientes en exceso de 15 µAa un voltaje de solo 0.4 V (lo normal es 0,7 V). Se ha observado una
densidad superior en unas 10 veces a la de silicona.

Sobre la base de pruebas en el laboratorio, los investigadores de Infineon creen que podrán seguir
reduciendo el tamaño de transistores. Según su nota de prensa, con la aplicación de nanotubos de
carbón se podrán lograr voltajes de suministro tan bajo como 0,35V.

Ifineon fue una de las pioneras del desarrollo de nanotubos

de carbón y fue una de las primeras en demostrar cómo se
cultivan nanotubos de carbón en puntos definidos con
precisión y cómo se pueden construir transistores para
cambiar corrientes más grandes.

El transistor de nanotubo que acaba de inventar los

investigadores de Ifineon es capaz de trasladar corrientes
en exceso de 15 µAa un voltaje de solo 0.4 V (lo normal es
0,7 V). Se ha observado una densidad superior en unas 10
veces a la de silicona.

Sobre la base de pruebas en el laboratorio, los investigadores de Infineon creen que podrán seguir
reduciendo el tamaño de transistores. Según su nota de prensa, con la aplicación de nanotubos de
carbón se podrán lograr voltajes de suministro tan bajo como 0,35V.

Y aquí está la mejor parte: al igual que otro súper material de un átomo de grosor, el grafeno, los
nanotubos de carbono son uno de los materiales más conductores que se han descubierto.