Caracterización de Transistores de Unión

Bipolar BJT
Bonilla Pico Cristhian. Universidad Nacional de Colombia.

Abstract—In the next report the characterization of a bipolar

junction transistor is performed. The caracterisiticas curves and
opercion regions were analyzed. The characteristics curves will be
obtained in a practical manner.

Palabras clave— Bipolar, diodo, corriente, voltaje.

I. INTRODUCCIÓN
A continuación se presenta la caracterización de un
transistor BJT, determinando curvas características y
regiones de operación. Esto le logra con ayuda de dos
circuitos de caracterización, con los cuales se logra obtener
las curvas características punto a punto.
IMAGEN 2. ESTUCTURA BASICA DE UN BJT PNP.
Una forma más fácil de analizar el transistor BJT, es
representarlo como la unión de dos diodos, dado que estos
están compuestos por dos capas una n y una p. Dado esto se
obtiene una configuración para los npn y otra para los pnp
como se muestra en la imagen 3.

II. MARCO TEORICO

A. EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT

El transistor de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés

(Bipolar Junction Transistor). Es el más comúnmente
usado en circuitos electrónicos. Debido a que su
funcionamiento es bastante estable.

El BJT está constituido por tres capas, que pueden ser dos
de tipo n y una de tipo p (npn), o dos de tipo p y una tipo n
(pnp). Cada una de estas capas recibe un nombre, Emisor,
Colector o base. Generalmente la base se encuentra en la
capa del centro del transistor. En las imágenes 1 y 2 se
observa lo mencionado anteriormente.
IMAGEN 3. BJT COMO UNION DE DIODOS
Al observar de esta manera el BJT se logra determinar las
regiones de operación, estas regiones de operación se
obtienen de polarizar los diodos en inverso o directo. Para
lo cual se obtiene cuatro combinaciones distintas. Pero solo
se hablara de tres debido a que la configuración inversa-
directa aún sigue en estudio. Esto nos deja tres
combinaciones que se observan en la imagen 4.

IMAGEN 1. ESTRUCTURA BASICA DE UN BJT NPN.

IMAGEN 4. REGIONES DE OPERACIÓN DEL BJT

 B. CURVA CARACTERISITICA VS III. ANALISIS DE RESULTADOS

Esta curva característica se obtiene cuando el emisor del A. ETAPA DE SIMULACION

transistor está conectado a tierra es decir está en
configuración de emisor común. En este caso se obtiene que
el transistor esté en la región de corte debido a que está
conectado de forma inversa- directa.
En este caso se obtiene una curva característica como la que
se presenta en la imagen 5.
Para comenzar el análisis de las curvas caracterisiticas
del transistor BJT es necesario el uso de un circuito con
el que se puedan determinar los valores , y .
Se utilizaran dos circuitos uno para cada gráfica. Los
circuitos propuestos se observan a continuación en las
imágenes 7 y 8.

IMAGEN 7. PRIMER CIRCUITO PARA CARACTERIZACION.

IMAGEN 5. CURVA CARACTERISITCA VS

C. CURVA CARACTERISITCA VS
IMAGEN 8. SEGUNDO CIRCUITO PARA CARACTERIZACION
Al igual que en el caso anterior el transistor está en emisor
común. La curva característica vs se muestra en la Al realizar la simulación del primer circuito de
imagen 6. caracterización se obtiene la gráfica de la imagen 9.
Donde se observa en amarillo la señal de entrada y en
azul la señal de salida.

IMAGEN 6. CURVA CARACTERISITICA VS

IMAGEN 9. SIMULACION PRIMER CIRCUITO
 Para el segundo circuito propuesto se obtiene la De la tabla 1 se obtiene la gráfica 1. Donde se observa que
simulación de la imagen 10, donde en amarillo se hay un crecimiento logarítmico en Vbe a medida que la
muestra la señal de entrada y azul la señal de salida. amplitud de Vs aumenta.
Esto sin tener en cuenta la variación del potenciómetro.

Vs vs VBE
0.2

VBE voltaje de salida

0.15
0.1
0.05
0

0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Voltaje de entrada Vs

IMAGEN 10. SIMULACION SEGUNDO CIRCUITO. GRAFICA 1. Vs VS Vbe.

B. ETAPA DE MONATAJE Al conectar una señal DC que puede variar se determinan la

1. CURVA CARACTERISTICA VS curva característica de Ic vs Vbe. Al variar esta señal desde
5v hasta 0v. Se obtienen valores puntuales con lo que se
Al realizar el respectivo montaje del primer circuito se puede construir la curca característica punto a punto. Los
obtienen las imágenes 11. Donde la imagen 11 se muestra valores obtenidos se consignaron en la tabla 2, y la gráfica 2
las señales de entrada y salida, en el modo XY del se obtiene de ubicar estos puntos.
osciloscopio para obtener directamente la curva
TABLA 2. VARIACION DE IC Y VBE CON RESPECTO A VS
característica vs .
Vs V Ic mA Vbe V
5 24 0,837
4.5 22.9 0.826
4 21.31 0.823
3.5 19.85 0.816
3 17.78 0.808
2.5 15.13 0.796
2 11.63 0.785
1.5 7.94 0.773
1 3.22 0.746
0.5 0 0.475
IMAGEN 11. CURVA CARACTERISITCA VS .

Al variar la amplitud de la señal de entrada en valores desde

0.01v hasta 10 v se obtiene un cambio en el voltaje de
Ic vs Vbe
como se muestra en la tabla 1. 30
Corriente por colector Ic

25
TABLA 1. VALORES DE VBE RESPECTO A VS
20
Vs VBE 15
0.01 0 10
1 0.009
2 0.046 5
3 0.077 0
4 0.1
5 0.117
6 0.131
Voltaje de base emisor Vbe
7 0.142
8 0.152
GRAFICA 2. IC VS VBE
9 0.162
10 0.169
 2. CURVA CARACTERISTICA VS El transistor se enciende cuando Vbe es
aproximadamente de 0.7 voltios.
Realizando el montaje propuesto en el segundo circuito se
obtiene la imagen 12, donde se observa la señal de entrada, 3. ¿Qué regiones de operación puede identificar en
señal triangular recortada por la parte inferior debido al los gráficos?
diodo, y la señal de salida similar de menor amplitud.
En la imagen 11 se logran identificar la región de
saturación y la región activa.

V. CONCLUISONES

1. La curva característica de Ic vs Vbe esta diferente

a la propuesta teóricamente debido a que para
poder visualizarla se debió invertir con respecto al
eje y.

IMAGEN 12. SEÑAL DE ENTRADA Y SALIDA CIRCUITO 2

Colocando el osciloscopio en la función XY se obtiene la

imagen 13, curva característica Ic vs Vce. VI. BIBLIOGRAFÍA

1. Electrónica teoría de circuitos, edición 6.

Robert L. Boylestad. Capítulo 3 pág. 117-
150.
2. Circuitos micro electrónicos, edición 4.
Adel S. Sedra. Capítulo 4. Pág. 221-250.

IMAGEN 13. CURVA CARACTERSIRTICA IC VS VCE.

Al variar el potenciómetro se obtiene un leve cambio en la

pendiente de la curva característica, este cambio es casi
imperceptible, por esto no se tomaron imágenes debido a
que serían idénticas.

IV. PREGUNTAS SUGERIDAS

1. ¿Qué comportamiento se observa en Vo? En

comparación con la entrada sinusoidal Vs.

Se comporta de manera lineal pero cuando la señal

sinusoidal tiene un pico positivo, Vo tiene un pico
negativo muy leve.

Al aumentar la amplitud de Vs, Vo aumenta de manera

logarítmica.

2. ¿Para cual valor mínimo de VBE el transistor

cambia su estado a encendido?