TRANSISTOR BIPOLAR NPN CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de

funcionamiento de un transistor bipolar.

Composición del transistor

El transistor es un dispositivo de tres terminales, a diferencia del diodo que solo

tiene dos terminales. El transistor consiste en dos terminales del material de tipo P
y uno de tipo N (transistores PNP) o dos terminales del material de tipo N y uno de
tipo P (transistores NPN), como muestra la figura 1.1.

Figura 1.1

Las tres capas o secciones diferentes se identifican como EMISOR, BASE Y

COLECTOR. El emisor, capa de tamaño medio con altos niveles de dopaje diseñado
para emitir portadores, electrones (NPN) o huecos (PNP), al colector por medio de
la base. La base, con una contaminación baja al igual que el tamaño de su capa,
diseñada para dejar pasar los portadores que inyecta el emisor hacia el colector. El
colector, capa grande con niveles de dopaje medios, diseñada para colectar o recibir
los portadores.

Operación del transistor

Una explicación sencilla pero efectiva de la operación de un transistor npn se lleva

a cabo utilizando la técnica del diagrama de barrera de potencial de la figura 1.2.
Este método ilustra de manera simplificada la operación básica de un transistor
bipolar. Cuando la unión base – emisor se polariza en directo y la unión base –
colector en inverso, los electrones que dejan el material N del emisor sólo ven una
barrera de potencial pequeña en la unión np. Como la barrera de potencial es
pequeña, muchos de los electrones tienen la suficiente energía para llegar al tope de
ella. Una vez en el tope, los electrones se mueven fácilmente a través del material P
(base) a la unión pn (base-colector).
 Figura 1.2

Cuando se acercan a esta unión, los electrones se encuentran bajo la influencia de la

fuente de tensión positiva y se mueven con mucha rapidez conforme descienden en
la barrera de potencial. Si se reduce la polarización en directa de la unión base –
emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial. A los electrones que dejan el
emisor les será más difícil alcanzar el tope. Los electrones que lo alcanzan son
aquellos con mayor cantidad de energía, y los que alcanzaran el colector. Por tanto,
una reducción en la polarización en directo provoca que la corriente a través del
transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al incrementar la
polarización en directo de la unión base – emisor reduce la carrera de potencial y se
permite el flujo de un mayor número de electrones a través del transistor.

El nombre de transistor bipolar se debe a que en el funcionamiento del transistor

existen dos corrientes, la de portadores mayoritarios y minoritario, ya que se
polariza en directa la entrada y en inversa la salida, este es el motivo por el cual se
llama bipolar.

2. De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar 2N3904

 3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento.

Entonces el voltaje de salida será la suma de los voltajes de C1 y C2.

De los manuales tenemos para el transistor 2N3904 (NPN-Si):

 Por ser de Silicio: (VBE Activa)

𝑉𝐵𝐸 = 0,6𝑣

 Ganancia de corriente: (β)

𝛽 = 200

TABLA 2.
Valores(R1=56KΩ) Ic (mA) Ib (μA) Β Vce (v) Vbe (v) Ve (v)
Teóricos 9.281 46.405 200 0,677 0.6 2.052
  del circuito equivalente hallamos Rb y Vbb

𝑽𝒄𝒄 × 𝑹𝟐 12 × 22𝑘
𝑽𝒃𝒃 = = = 3.385𝑣
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 56𝑘 + 22𝑘
𝑹𝟏 × 𝑹𝟐 56𝑘 × 22𝑘
𝑹𝒃 = = = 15.795𝑘Ω
𝑹𝟏 + 𝑹𝟐 56𝑘 + 22𝑘
 hallar Ib (analizando la entrada )

𝑽 − 𝑽𝑩𝑬 3.385 − 0.6

𝑰𝒃 = = = 46.405μ𝐴
𝑹𝒃 + (𝜷 + 𝟏)𝑹𝒆 15.795𝑘 + (200 + 1)220
 hallar Ic

𝑰𝒄 = 𝑰𝒃 × 𝜷 = 46.576μ × 200 = 9.281𝑚𝐴

 hallar Ve (𝑰𝑬 ≅ 𝑰𝑪 )

𝑽𝒆 = (𝑰𝑪 + 𝑰𝒃 )𝑹𝒆 = (9.315𝑚)220 = 2.052𝑣

 hallara VCE (Analizando la salida )

𝑽𝒄𝒆 = 𝑽𝒄𝒄 − 𝑰𝒄 (𝑹𝒄 + 𝑹𝒆 ) = 12 − 9.281𝑚(1000 + 220) = 0.677𝑣