Apostila Eletrônica de Potência - UFT

2. - DIODO DE POTÊNCIA.

2.1 INTRODUÇÃO.

Os diodos de potência desempenham um papel importante nos circuitos de

eletrônica de potência. São usados principalmente em retificadores não controlados,
efetuando a conversão de tensões AC para DC fixas, e como diodos de retorno, a fim de
fornecer uma passagem para o fluxo de corrente em sistemas com carga indutivas. São
similares aos diodos de junção PN. Porém, com capacidade de potência, tensão e
corrente maiores.

2.2 DIODO

Um diodo semicondutor é uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de

tensão e de corrente, permite a passagem de corrente em um único sentido. A figura 2.1
mostra simplificadamente, a estrutura interna de um díodo.

Figura 2.1 – Estrutura interna de um diodo.

Aplicando-se uma tensão entre as regiões P e N, a diferença de potencial
aparecerá na região de transição, uma vez que a resistência desta parte do semicondutor
é muito maior que a do restante do componente (devido à concentração de portadores).
 Polarização reversa
Quando se polariza inversamente um díodo, ou seja, se aplica uma tensão
negativa no ânodo (região P) e positiva no cátodo (região N), mais portadores positivos
(lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da região de
transição aumenta, elevando a barreira de potencial. Por difusão ou efeito térmico, certa
quantidade de portadores minoritários penetra na região de transição. São, então,
acelerados pelo campo elétrico, indo até a outra região neutra do dispositivo. Esta
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corrente inversa independe da tensão inversa aplicada, variando, basicamente, com a

temperatura.
Se o campo elétrico na região de transição for muito intenso, os portadores em
trânsito obterão grande velocidade, ao chocarem com átomos da estrutura, produzirão
novos portadores, os quais, também acelerados, produzirão um efeito de avalanche.
Dado o aumento na corrente, sem redução significativa da tensão na junção, produz-se
um pico de potência que destrói o componente.
 Polarização direta.
Uma polarização direta leva ao estreitamento da região de transição e à redução
da barreira de potencial. Quando a tensão aplicada superar o valor natural da barreira,
cerca de 0,7 V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N serão atraídos pelo
potencial positivo do ânodo e vice-versa, levando o componente à condução.
Na verdade, a estrutura interna de um díodo de potência é um pouco
diferente desta apresentada. Existe uma região N intermediária, com baixa dopagem. O
papel desta região é permitir ao componente suportar tensões mais elevadas, pois
tornará menor o campo elétrico na região de transição (que será mais larga, para manter
o equilíbrio de carga). Esta região de pequena densidade de dopante dará ao diodo uma
significativa característica resistiva quando em condução, a qual se torna mais
significativa quanto maior for à tensão suportável pelo componente. As camadas que
fazem os contatos externos são altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha
um contato com característica ôhmica e não semicondutor (como se verá adiante nos
díodos Schottky). O contorno arredondado entre as regiões de ânodo e cátodo tem como
função criar campos elétricos mais suaves (evitando o efeito de pontas).

2.3 CARACTERÍSTICA TENSÃO-CORRENTE

O diodo ideal é o que apresenta resistência infinita quando polarizado de modo

inverso e resistência nula quando diretamente. A figura 2.2 apresenta as características
ideais v x i do diodo.
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Figura 2.2 – Características estáticas ideais.

Mas de fato o díodo real apresenta uma característica do tipo, apresentado na
figura 2.3.

Figura 2.3 – Características estáticas reais.

Região de polarização direta. Na região de polarização direta VF>0. A corrente
do diodo IF será muito pequena se a tensão do diodo VF for menor que um valor
específico V(TO) (tipicamente 0,7 V). O diodo conduzirá plenamente se VF for maior que
o valor V(TO), que é referido como tensão de limiar (do inglês threshold voltage) ou
tensão de corte (do inglês cut-in voltage) ou tensão de ligamento (do inglês turn-on
voltage). Assim, a tensão limiar é aquela na qual o diodo conduz completamente.
Região de polarização reversa. Na região reversa VF<0.
Região de ruptura reversa. Na região de ruptura reversa (do inglês break-
down) a tensão reversa é muito alta, normalmente maior que 1000 V. A amplitude da
tensão reversa excede uma tensão específica, conhecida como tensão de ruptura reversa
(do inglês breakdown voltage - VBR). A corrente reversa aumenta rapidamente com a
pequena variação na tensão reversa além de VBR. A operação na região de ruptura
reversa não será destrutiva se a dissipação de potência estiver dentro de um “nível
seguro”, que é especificado pelas folhas de dados do fabricante. Entretanto, é sempre
necessário limitar a corrente reversa na região de ruptura reversa para limitar a
dissipação de potência a um valor permissível.
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O seu circuito equivalente para regime contínuo e baixa frequência é

apresentado na figura 2.4.

Figura 2.4 – Circuito equivalente diodo.

Assim a tensão que apresenta aos seus terminais VF (F de forward) é função da

barreira de potencial e da corrente mostrada na equação (2.1).
𝑉𝐹 = 𝑉𝐹(𝑇𝑂) + 𝑅𝑇 ∙ 𝐼𝐹 (2.1)
 Principais valores nominais para os diodos.

 Tensão de pico inversa (PIV)

O valor nominal da tensão de pico inversa (peak inverse voltage –
PIV) é a tensão inversa máxima que pode ser ligada nos terminais
do diodo sem ruptura. Se for excedido a PIV, o diodo começa a
conduzir na direção inversa e pode ser danificado. Os valores da
PIV são também denominados tensão de pico reversa (peak
reverse voltage-PRV) ou tensão de ruptura (breakdown voltage
V(BK)).
 Corrente direta média máxima (If(avg)max).
A corrente direta média máxima é a corrente máxima que o diodo
pode aguentar com segurança quando estiver diretamente
polarizado.
 Tempo de recuperação reverso (trr).
O tempo de recuperação reverso de um diodo é bastante
significativo em aplicações de chaveamento em alta velocidade.
Um diodo real não passa, em um único instante, do estado de
condução para o bloqueio. Nesse momento, uma corrente inversa
flui por um breve período, e o diodo não desliga até que a
corrente inversa caia a zero. O diodo conduz inicialmente a
corrente IF; essa corrente decresce e passa fluir, então, a corrente
IR quando o diodo se acha inversamente polarizado. O intervalo
durante o qual a corrente inversa flui é chamado de tempo de
recuperação reverso. Nesse período são removidos os
portadores de carga armazenados na junção quando a condução
direta cessou.

A figura 2. 5 apresenta as características da recuperação reversa de um diodo.

 Temperatura máxima da junção (Tj(max)).
Este parâmetro define a temperatura máxima que o diodo pode
suportar, sem apresentar defeitos. As temperaturas nominais de
um diodo de silício estão na faixa normalmente de -40° a +200° .
Os diodos são em geral montados sobre dissipadores de calor
para que haja melhora nas condições de temperatura.
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 Corrente máxima de surto (IFSM).

O valor nominal da corrente direta máxima de surto é a corrente
máxima que o diodo suporta durante um transitório fortuito ou
diante de um defeito no circuito.

Figura 2.5 – Características de recuperação reversa de um diodo.

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2.2 REGIME DINÂMICO

O comportamento dinâmico de um díodo de potência é, na verdade, muito

diferente do de um interruptor ideal, como se pode observar na figura 2.5. Suponha-se
que se aplica uma tensão vi ao díodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes
poderão alterar alguns aspectos da forma de onda). Durante t1, remove-se a carga
acumulada na região de transição. Como ainda não houve significativa injeção de
portadores, a resistência da região N- é elevada, produzindo um pico de tensão,
indutâncias parasitas do componente e das conexões também colaboram com a sobre
tensão.
Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a redução da tensão para cerca de
1V. Estes tempos são tipicamente da ordem de centenas de ns.
No desligamento, a carga espacial presente na região N- deve ser removida antes
que se possa reiniciar a formação da barreira de potencial na junção. Enquanto houver
portadores transitando, o diodo se mantém em condução. Quando a corrente atinge seu
pico negativo é que foi retirado o excesso de portadores, iniciando-se, então, o bloqueio
do diodo. A taxa de variação da corrente, associada às indutâncias do circuito, provoca
uma sobre tensão negativa.
Diodos rápidos possuem trr (tempo de recuperação reversa) da ordem de, no
máximo, poucos microssegundos, enquanto nos diodos normais é de dezenas ou
centenas de microssegundos.
O retorno da corrente a zero, após o bloqueio, devido à sua elevada derivada e ao
fato de, neste momento, o diodo já estar desligado, é uma fonte importante de sobre
tensões produzidas por indutâncias parasitas associadas aos componentes por onde
circula tal corrente. A fim de minimizar este fenômeno foram desenvolvidos os diodos
"soft-recovery", nos quais esta variação de corrente é suavizada, reduzindo os picos de
tensão gerados. A figura 2. 5 e 2.6 apresentam as características dinâmicas de um
diodo.
A corrente na junção diretamente polarizada do diodo deve-se ao efeito dos
portadores majoritários e minoritários. Uma vez que o diodo esteja no modo de
condução direta e então sua corrente direta seja reduzida a zero (em função do
comportamento natural do circuito do diodo ou pela aplicação de tensão reversa), o
diodo conduz devido aos portadores minoritários que permanecem armazenados na
junção pn e no material semicondutor propriamente dito. Estes portadores minoritários
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necessitam de um certo tempo para se recombinar com as cargas opostas e serem

neutralizados. Esse tempo é chamado de tempo de recuperação reversa (do inglês
reverse recovery time) do diodo.
A Figura 2.6 mostra duas curvas características de recuperação reversa de diodos
de junção. O tempo de recuperação reversa é denotado por trr e é medido a partir do
cruzamento inicial com zero da corrente do diodo até 25% da corrente reversa máxima
(ou de pico), IRR. O trr consiste de dois componentes ta e tb. O ta deve-se ao
armazenamento de cargas na região de depleção da junção e representa o tempo entre o
cruzamento com zero e o pico da corrente reversa, IRR. O tb deve-se ao armazenamento
de cargas no material semicondutor.
A relação tb/ta é conhecida como fator de suavidade (do inglês softness fator –
SF).

Figura 2.5 – Características dinâmicas do diodo.

Figura 2.6 – Curvas características de recuperação reversa.

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O pico da corrente reversa pode ser expresso na di/dt reversa como mostra a
equação (2.2).

(2.2)
A carga de recuperação reversa Qrr é a quantidade de portadores de
cargas que fluem através do diodo no sentido reverso devido à mudança na condição de
condução direta para bloqueio reverso. Seu valor é determinado a partir da área
abrangida pelo caminho da corrente de recuperação reversa.
A carga armazenada, que é a área abrangida pelo caminho da corrente de
recuperação, é de aproximadamente:

(2.3)
Ou:

(2.4)
Substituindo (2.3) em (2.2) tem-se (2.4).

(2.5)
Se tb for desprezível, quando comparado com ta, o que normalmente é o caso,
trr≈ta, a equação (2.4) torna-se (2.5).

(2.6)

(2.7)
Pode-se notar a partir das equações (2.6) e (2.7) que o tempo de recuperação
reversa trr e o pico reverso da corrente de recuperação IRR dependem da carga
armazenada QRR e do di/dt reverso (ou reaplicado). A carga armazenada é dependente da
corrente direta do diodo IF. O pico da corrente de recuperação reversa IRR, a carga
reversa QRR e o fator de suavidade são todos de interesse do projetista do circuito, sendo
esses parâmetros normalmente incluídos nas folhas de especificações dos diodos.
Se um diodo estiver na condição de polarização reversa, uma corrente de fuga
fluirá devido aos portadores minoritários. A aplicação de tensão direta forçaria o diodo a
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conduzir corrente no sentido direto. Entretanto, é necessário um certo tempo, conhecido

como tempo de recuperação direta ou tempo de ligamento (do inglês forward recovery
time), antes que todos os portadores majoritários, distribuídos por toda a junção, possam
contribuir para o fluxo da corrente. Se a taxa de crescimento da corrente direta é elevada
e a própria corrente direta esta concentrada em uma pequena área da junção, o diodo
pode falhar. Assim, o tempo de recuperação direta limita a taxa de crescimento da
corrente direta e a velocidade de chaveamento.

2.3 PROTEÇÕES

Há que proteger os diodos contra transitórios, ou seja, contra ocorrências não

normais. Há também que os proteger contra excesso de temperatura na junção, mas isso
será falado.
Os transitórios inversos traduzem-se em sobre tensões inversas. Ocorrem
normalmente quando se desligam os circuitos com características indutivas.
Podem-se utilizar malhas RC que absorvam a energia desses transitórios para
proteção. Podem-se utilizar também diodos supressores, normalmente dois em oposição
e em paralelo com o díodo a proteger. Porém, o preço e as características das VDR,
resistências variáveis com a tensão, tornaram-nas muito populares.
As VDR podem ser aplicadas em paralelo com cada díodo ou normalmente são
aplicadas logo à entrada ou à saída dos circuitos retificadores.
Os transitórios diretos traduzem-se em sobre correntes diretas. Ocorrem
normalmente quando se ligam os circuitos com características capacitivas. Podem essas
sobre correntes ser limitadas com a introdução de uma bobina em série com os diodos
de modo a reduzir a taxa de variação da corrente.
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2.5 DÍODOS SCHOTTKY

Quando é feita uma junção entre um terminal metálico e um material

semicondutor, o contato tem, tipicamente, um comportamento ôhmico, ou seja, a
resistência do contato governa o fluxo da corrente. Quando este contato é feito entre um
metal e uma região semicondutora com densidade de dopante relativamente baixa, o
efeito dominante deixa de ser o resistivo, passando a haver também um efeito
retificador.
Um díodo Schottky é formado colocando-se um filme metálico em contato
direto com um semicondutor, como indicado na figura 2.7. O metal é usualmente
depositado sobre um material tipo N, por causa da maior mobilidade dos portadores
neste tipo de material. A parte metálica será o ânodo e o semicondutor, o cátodo.
Numa deposição de Al (3 elétrons na última camada), os elétrons do
semicondutor tipo N migrarão para o metal, criando uma região de transição na junção.
Note-se que apenas elétrons (portadores majoritários em ambos materiais) estão em
trânsito. O seu chaveamento é muito mais rápido do que o dos díodos bipolares, uma
vez que não existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo necessário
apenas refazer a barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A região N tem uma
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dopagem relativamente alta, a fim de reduzir as perda de condução, com isso, a máxima
tensão suportável por estes díodos é de cerca de 100V.
A aplicação deste tipo de díodos ocorre principalmente em fontes de baixa
tensão, nas quais as quedas sobre os retificadores são significativas.

Figura 2.7 – Diodo Schottky.

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2.6 UMA REFERÊNCIA MUITO RÁPIDA A OUTROS DÍODOS.

Os díodos de avalanche controlada são díodos que podem suportar alguma

potência inversa, ou seja, não são nem zener nem supressores, mas o fabricante fornece
a sua tensão de breakdown, por exemplo, V(BR)<1500 V, e fornece também a potência
máxima inversa não repetitiva, por exemplo P(RSM)<3 kW, em dadas circunstâncias de
temperatura de caixa e de largura desse impulso de potência. São díodos retificadores
cuja fiabilidade é superior, pois, podem suportar transitórios inversos consideráveis.
Os zener são díodos não retificadores usados para muito baixas potências que
podem funcionar continuamente na sua zona inversa. Funcionam com um balastro e é
fundamental o valor da sua potência em regime permanente.
Os díodos supressores de transitórios são díodos que suportam uma potência
inversa razoável. Os fabricantes fornecem a sua tensão inversa de trabalho V(BR)T e a
tensão inversa máxima para o máximo pico absorvido V(BR)SM. Também fornecem a
corrente inversa máxima de pico não repetitivo I(RSM) e a potência correspondente
P(RSM). Devido serem sempre utilizados em transitórios, a potência dos transitórios é
determinante, ou seja a energia e a duração do impulso. É portanto determinante a sua
capacidade térmica de dissipação.

2.7 – EFEITOS DOS TEMPOS DE RECUPERAÇÃO DIRETO E REVERSO.

A importância desses parâmetros pode ser explicada pela figura 2.8 (a). Se a
chave CH for ligada em t=0 e permanecer ligada por um tempo grande o suficiente, uma
corrente de regime permenente de Io=VS/R fluirá através da carga e o diodo de
comutação Dm será polarizado reversamente. Se a chave for desligada em t=t1, o diodo
Dm conduzirá e uma corrente circulará através de Dm. Agora, se a chave for ligada
novamente em t=t2, o diodo Dm comportará em um curto-circuito. A taxa de
crescimento da corrente direta da chave (e diodo D1) e a taxa de decaimento da corrente
direta do diodo Dm seriam muito elevadas, tendendo para infinito. A figura 2.8 (b)
mostra as várias formas de onda para as correntes dos diodos. Esse problema é
normalmente superado pela conexão de um indutor de limitação de di/dt, Ls. Como
mostrado na figura 2.9 (a). Os diodos práticos requerem um certo tempo de entrada em
condução, antes que toda a área da junção se torne condutiva, e o di/dt deve ser mantido
baixo para se alcançar o limite de tempo de ligamento. Esse tempo é também conhecido
como tempo de recuperação direta, trf (do inglês recovery forward time)
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Figura 2.8 – Circuito chopper sem indutor de limitação di/dt.

A taxa de crescimento da corrente através do diodo D1, que deve ser a mesma
que a de decaimento da corrente através do diodo Dm, é:

(2.8)
Se trr é o tempo de recuperação reversa de Dm a corrente reversa de pico de Dm é
(2.9).

(2.9)

E a corrente de pico através do indutor LS seria (2.10).

(2.10)
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Figura 2.9 – Circuito chopper com indutor de limitação di/dt.

Quando a corrente do indutor torna Lp, o diodo Dm desliga-se subitamente
(assumindo recuperação abrupta) e interrompe o caminho do fluxo de corrente. Devido
à carga altamente indutiva, a corrente de carga não pode mudar subitamente de Io para
Ip. A energia armazenada em excesso em LS induziria uma tensão reversa elevada em
Dm e isto poderia danifica-lo. O excesso de energia armazenada como resultado do
tempo de recuperação reversa é encontrado a partir de (2.11).

(2.11)

2.8 PERDAS NO DIODO.

2.8.1 Perdas em condução.

Quando o diodo encontra-se em condução, a potência que nele é perdida e

convertida em calor é dada pela expressão (2.12).
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(2.12)

Onde:
IDmed=valor médio da corrente
IDef=valor eficaz da corrente.
A expressão (2.12) é genérica, podendo ser empregada para qualquer forma de
onda.

2.8.2 – Perdas na Comutação.

As perdas nos diodos em condução são representadas pela expressão (2.13).

(2.13)

Para frequencias inferiores a 40 Hz essas perdas podem ser desprezadas

As perdas que ocorrem no bloqueio são expressas pela equação (2.14).
(2.14)
f representa a frequência das comutações e E a tensão aplicada no diodo após a
comutação.

2.9 REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS.

• [1] BARBI, I. Eletrônica de potência, Florianópolis-SC: 4a. Edição 1992.
• [2] Pomílio J. A. Componentes Semicondutores de Potência. Disponível em: <
http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/pdffiles/eltpot/cap1.pdf. Acesso em:
junho de 2014.