TRANSISTOR IGBT

INTRODUCCIÓN

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar

Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como

interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las

características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la

capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar,

combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar

como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el

del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
 MARCO TEORICO

Los japoneses Yamagami y Akakiri, propusieron en 1968 un dispositivo de cuatro capas

alternas semiconductoras P-N-P-N cuyo funcionamiento fuera controlado mediante una

estructura de "puerta" de semiconductor de óxido metálico (MOS), sin acción

regenerativa. Esta patente fue concedida en 1972 bajo el código 47-21739.1Este modo

de operación fue reportado experimentalmente por vez primera en 1978 en un

rectificador controlado de silicio (SCR) por Scharf y Plummer, quienes no persiguieron

la comercialización de sus ideas sobre el dispositivo.2El modo de operación descrito por

ambos investigadores también fue descubierto de manera experimental por J. Jayant

Baliga, en 1979, en un dispositivo al que llamó "dispositivo MOSFET con surco vertical

con la región de drenaje reemplazada por una región de ánodo de tipo P".3 Plummer

solicitó una patente para el dispositivo que propuso en 1978.4

Un dispositivo idéntico, fue inventado por Hans W. Becke y Carl F. Wheatley quienes

presentaron una solicitud de patente en 1980, y que se denominaron "MOSFET de

potencia con una región de ánodo".5Esta patente ha sido llamada "la patente seminal del

transistor bipolar de puerta aislada." 6 En la patente se afirmó que "ninguna acción de

tiristores se produce en todas las condiciones de funcionamiento del dispositivo." Esto

significa sustancialmente que el dispositivo exhibe operación de IGBT sin

enclavamiento a lo largo de todo el rango de funcionamiento del dispositivo.

El transistor IGBT (del inglés, Insulated Gate Bipolar Transistor, Transistor Bipolar de

Puerta Aislada) procede esencialmente de la tecnología MOSFET de potencia; por lo

que su estructura y funcionamiento son similares. Es un transistor híbrido que combina

un MOSFET y un BJT, por eso tiene terminales puerta (del MOSFET), colector y

emisor (de BJT) El material de partida es una oblea tipo P. Su estructura consiste en 4

capas (PNPN), la unión adicional PN creada reduce la resistividad y la caida de tensión

Vce(on) en conducción, esto se conoce como "Modulacion de la resistividad" y permite

aumentar la intensidad. Sin embargo la unión adicional P introduce un transistor

parásito, que en caso de ser activado puede destruir el dispositivo.

Hay dos versiones de IGBT conocidas como IGBT PT (Punch Through, "estructura de

perforacion") e IGBT NPT (Non Punch Through, "estructura de no perforación"), la

diferencia radica en que el IGBT NPT no tiene capa de separación n+ y presenta una

caída de tensión en estado on, menor. Un IGBT con estructura de PT presenta

velocidades de conmutación más bajas.

 APLICACIONES

El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y ha

sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias

energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de

inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en

paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con

voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.

EVALUACIÓN ECONÓMICA

Estos materiales son:

 Fuente de poder DC, con un costo aproximado de S/200

 Multímetro (donde podemos obtener diferentes escalas eléctricas), con un

costo que varía desde los S/30 – S/200

 Resistencia; paquetes con diversas resistencias cuestan S/10

 Cables y conectores, que no es necesario comprarlos porque podemos tener

unos que no usemos.

 Transistor IGTB, con un costo de S/1

 RECOMENDACIONES Y CONCLUSIONES

Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con tensión. Para el encendido se da una

tensión positiva en puerta respecto al emisor, los portadores n son atraídos a la región p

de la puerta; así se polariza en directa la base del transistor NPN permitiendo la

circulación de corriente colector-emisor. Para el apagado basta con quitar la tensión de la

puerta. Esto requiere de un circuito de control simple para el transistor IGBT.

BIBLIOGRAFIA

https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par%C3%A1met

ros_caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT

https://es.scribd.com/document/358469819/informe-IGBT