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Diodo

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Diodo

Diodo en primer plano. Nótese la forma cuadrada


del cristal semiconductor (objeto negro de la
izquierda).

Tipo Semiconductor

Principio de Efecto Edison


funcionamiento

Invención John Ambrose


Fleming (1904)

Símbolo electrónico

Terminales Ánodo y Cátodo

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Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la
circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. 1 Este
término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más
común en la actualidad; consta de una pieza de
cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de
vacío (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta
potencia) es un tubo de vacío con dos electrodos: una lámina como ánodo, y
un cátodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con
una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les
suele denominarrectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la
parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir
una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está
basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas
termoiónicas constituidos por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de
cristal, con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue
desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa
Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen
un filamento (el cátodo) a través del cual circula la corriente, calentándolo
por efecto Joule. El filamento está tratado con óxido de bario, de modo que al
calentarse emite electrones al vacío circundante los cuales son
conducidos electrostáticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble,
cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción.
Evidentemente, si el cátodo no se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa
razón, los circuitos que utilizaban válvulas de vacío requerían un tiempo para
que las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las válvulas se
quemaban con mucha facilidad.

Índice
[ocultar]

 1Historia

 2Diodos termoiónicos y de estado gaseoso

 3Diodo semiconductor

o 3.1Polarización directa de un diodo

o 3.2Polarización inversa de un diodo

o 3.3Curva característica del diodo

o 3.4Modelos matemáticos
 4Tipos de diodo semiconductor

 5Aplicaciones del diodo

 6Referencias

 7Enlaces externos

Historia[editar]

Diodo de vacío, usado comúnmente hasta la invención del diodo


semiconductor, este último también llamado diodo de estado sólido.
Aunque el diodo semiconductor de estado sólido se popularizó antes del diodo
termoiónico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo.
En 1873 Frederick Guthrie descubrió el principio de operación de los
diodos térmicos. Guhtrie descubrió que un electroscopio cargado positivamente
podía descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de
que éste lo tocara. No sucedía lo mismo con un electroscopio cargado
negativamente, reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente
en una dirección.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el
principio. A su vez, Edison investigaba por qué los filamentos de carbón de las
bombillas se quemaban al final del terminal positivo. Él había construido una
bombilla con un filamento adicional y una con una lámina metálica dentro de la
lámpara, eléctricamente aislada del filamento. Cuando usó este dispositivo,
confirmó que una corriente fluía del filamento incandescente a través del vacío
a la lámina metálica, pero esto sólo sucedía cuando la lámina estaba
conectada positivamente.
Edison diseñó un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un
voltímetro de DC, y obtuvo una patente para este invento en 1884.
Aparentemente no tenía uso práctico para esa época. Por lo cual, la patente
era probablemente para precaución, en caso de que alguien encontrara un uso
al llamado Efecto Edison.
Aproximadamente 20 años después, John Ambrose Fleming (científico asesor
de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el
efecto Edison podría usarse como un radio detector de precisión. Fleming
patentó el primer diodo termoiónico en Gran Bretaña el 16 de noviembre de
1904.
En 1874 el científico alemán Karl Ferdinand Braun descubrió la naturaleza de
conducir por una sola dirección de los cristales semiconductores. Braun patentó
el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de óxido de
cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la
década de los 1930.
El científico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal
semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal
semiconductor fue desarrollado en un dispositivo práctico para la recepción de
señales inalámbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quién inventó un detector
de cristal de silicio en 1903 y recibió una patente de ello el 20 de noviembre de
1906. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las
cuales se usó ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un
rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que más se usó porque
tenía la ventaja de ser barato y fácil de obtener. Al principio de la era de la
radio, el detector de cristal semiconductor consistía de un cable ajustable (el
muy nombrado bigote de gato) el cual se podía mover manualmente a través
del cristal para así obtener una señal óptima. Este dispositivo problemático fue
rápidamente superado por los diodos termoiónicos, aunque el detector de
cristal semiconductor volvió a usarse frecuentemente con la llegada de los
económicos diodos de germanio en la década de 1950.
En la época de su invención, estos dispositivos fueron conocidos como
rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acuñó el término diodo del
griego dia, que significa separado, y ode (de ὅδος), que significa camino.

Diodos termoiónicos y de estado gaseoso[editar]

Símbolo de un diodo de vacío o gaseoso. De arriba a abajo, sus componentes


son, el ánodo, el cátodo, y el filamento.
Los diodos termoiónicos son dispositivos de válvula termoiónica (también
conocida como tubo de vacío), que consisten en un arreglo de electrodos
empacados en un vidrio al vacío. Los primeros modelos eran muy parecidos a
la lámpara incandescente.
En los diodos de válvula termoiónica, una corriente a través del filamento que
se va a calentar calienta indirectamente el cátodo, otro electrodo interno tratado
con una mezcla de Bario y óxido de estroncio, los cuales son óxidos
alcalinotérreos; se eligen estas sustancias porque tienen una pequeña función
de trabajo (algunas válvulas usan calentamiento directo, donde un filamento de
tungsteno actúa como calentador y como cátodo). El calentamiento causa
emisión termoiónica de electrones en el vacío. En polarización directa, el ánodo
estaba cargado positivamente por lo cual atraía electrones. Sin embargo, los
electrones no eran fácilmente transportados de la superficie del ánodo que no
estaba caliente cuando la válvula termoiónica estaba en polarización inversa.
Además, cualquier corriente en este caso es insignificante.
En la mayor parte del siglo XX, los diodos de válvula termoiónica se usaron en
aplicaciones de señales análogas, rectificadores y potencia. Actualmente, los
diodos de válvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como
rectificadores en guitarras eléctricas, amplificadores de audio, así como equipo
especializado de alta tensión.

Diodo semiconductor[editar]

Formación de la región de agotamiento, en la gráfica z.c.e.


Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el
silicio con impurezas en él para crear una región que contenga portadores de
carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una región en
el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite
dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la
importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de
electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es
decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al
flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al
p (Je). Al establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una
zona a ambos lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de
agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de
tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V D) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.[cita requerida]
La anchura de la región de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele
ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más
dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el
diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.
Polarización directa de un diodo[editar]

Polarización directa del diodo pn.


En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión;
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo
positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas
condiciones podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones


libres del cristal n, con lo que estos electrones se
dirigen hacia la unión p-n.

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones


de valencia del cristal p, esto es equivalente a
decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.

 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes


de la batería es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los
electrones libres del cristal n, adquieren la energía
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la
unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a
la zona p atravesando la zona de carga espacial,
cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez
ocurrido esto el electrón es atraído por el polo
positivo de la batería y se desplaza de átomo en
átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el
cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta
la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente
eléctrica constante hasta el final.
Polarización inversa de un diodo[editar]

Polarización inversa del diodo pn.


En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería,
tal y como se explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a


los electrones libres de la zona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro
del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A
medida que los electrones libres abandonan la
zona n, los átomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su electrón en el
orbital de conducción, adquieren estabilidad (8
electrones en la capa de valencia,
ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica
neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.

 El polo negativo de la batería cede electrones


libres a los átomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos átomos sólo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una vez que han
formado los enlaces covalentes con los átomos de
silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electrón que falta el denominado hueco.
El caso es que cuando los electrones libres
cedidos por la batería entran en la zona p, caen
dentro de estos huecos con lo que los átomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en
su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta
de -1, convirtiéndose así en iones negativos.

 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la


zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo,
debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco
(ver semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña
corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación.
Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la
cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están
rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie
del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de
valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través de ellos. No
obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial
de fuga es usualmente despreciable.
Curva característica del diodo[editar]

Curva característica del diodo.

 Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).


La tensión umbral (también llamada barrera de
potencial) de polarización directa coincide en valor
con la tensión de la zona de carga espacial del
diodo no polarizado. Al polarizar directamente el
diodo, la barrera de potencial inicial se va
reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. Sin
embargo, cuando la tensión externa supera la
tensión umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para pequeños
incrementos de tensión se producen grandes
variaciones de la intensidad de corriente.

 Corriente máxima (Imax ).


Es la intensidad de corriente máxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
Dado que es función de la cantidad de calor que
puede disipar el diodo, depende sobre todo del
diseño del mismo.

 Corriente inversa de saturación (Is ).


Es la pequeña corriente que se establece al
polarizar inversamente el diodo por la formación de
pares electrón-hueco debido a la temperatura,
admitiéndose que se duplica por cada incremento
de 10 °C en la temperatura.

 Corriente superficial de fugas.


Es la pequeña corriente que circula por la
superficie del diodo (ver polarización inversa), esta
corriente es función de la tensión aplicada al diodo,
con lo que al aumentar la tensión, aumenta la
corriente superficial de fugas.

 Tensión de ruptura (Vr ).


Es la tensión inversa máxima que el diodo puede
soportar antes de darse el efecto avalancha.
Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente
inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la
tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto
avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la
ruptura puede deberse a dos efectos:

 Efecto avalancha (diodos poco dopados). En


polarización inversa se generan pares electrón-
hueco que provocan la corriente inversa de
saturación; si la tensión inversa es elevada los
electrones se aceleran incrementando su energía
cinética de forma que al chocar con electrones de
valencia pueden provocar su salto a la banda de
conducción. Estos electrones liberados, a su vez,
se aceleran por efecto de la tensión, chocando con
más electrones de valencia y liberándolos a su
vez. El resultado es una avalancha de electrones
que provoca una corriente grande. Este fenómeno
se produce para valores de la tensión superiores a
6 V.
 Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más
dopado está el material, menor es la anchura de la
zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E
puede expresarse como cociente de la tensión V
entre la distancia d; cuando el diodo esté muy
dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo
eléctrico será grande, del orden de 3·10 5 V/cm. En
estas condiciones, el propio campo puede ser
capaz de arrancar electrones de valencia
incrementándose la corriente. Este efecto se
produce para tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales,
como los Zener, se puede producir por ambos efectos.
Modelos matemáticos[editar]
El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William
Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la
mayoría de las aplicaciones. La ecuación que relaciona laintensidad de
corriente y la diferencia de potencial es:
Donde:

 I es la intensidad de la corriente que atraviesa el


diodo

 VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.

 IS es la corriente de saturación (aproximadamente )

 n es el coeficiente de emisión, dependiente del


proceso de fabricación del diodo y que suele
adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del
orden de 2 (para el silicio).
El Voltaje térmico VT es aproximadamente 25.85 mV en 300 K, una temperatura
cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulación
de circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:
Donde k es la constante de Boltzmann, T es la
temperatura absoluta de la unión pn, y q es la
magnitud de la carga de un electrón (la carga
elemental).
La ecuación de diodo ideal de Shockley o la ley de
diodo se deriva de asumir que solo los procesos
que le dan corriente al diodo son por el flujo
(debido al campo eléctrico), difusión, y la
recombinación térmica. También asume que la
corriente de recombinación en la región de
agotamiento es insignificante. Esto significa que la
ecuación de Shockley no tiene en cuenta los
procesos relacionados con la región de ruptura e
inducción por fotones. Adicionalmente, no describe
la estabilización de la curva I-V en polarización
activa debido a la resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la
ecuación del diodo es insignificante. y la corriente
es una constante negativa del valor de I s. La región
de ruptura no está modelada en la ecuación de
diodo de Shockley.
Para voltajes grandes, en la región de polarización
directa, se puede eliminar el 1 de la ecuación,
quedando como resultado:
Con objeto de evitar el uso de exponenciales,
en ocasiones se emplean modelos aún más
simples, que modelan las zonas de
funcionamiento del diodo por tramos rectos;
son los llamados modelos de continua o
de Ram-señal. El más simple de todos es
el diodo ideal.

Tipos de diodo semiconductor[editar]

Varios diodos semiconductores, abajo:


un puente rectificador. En la mayoría de los
diodos, el terminalcátodo se indica pintando
una franja blanca o negra.
Existen varios tipos de diodos, que pueden
diferir en su aspecto físico, impurezas, uso de
electrodos, que tienen características eléctricas
particulares usados para una aplicación
especial en un circuito. El funcionamiento de
estos diodos es fundamentado por principios
de la mecánica cuántica y teoría de bandas.
Los diodos normales, los cuales operan como
se describía más arriba, se hacen
generalmente de silicio dopado o germanio.
Antes del desarrollo de estos diodos
rectificadores de silicio, se usaba el óxido
cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio
una caída de tensión muy alta (desde 1,4 a
1,7 V) y requerían de una gran disipación de
calor mucho más grande que un diodo de
silicio. La gran mayoría de los diodos pn se
encuentran en circuitos integrados CMOS, que
incluyen dos diodos por pin y muchos otros
diodos internos.

 Diodo avalancha (TVS): Diodos que


conducen en dirección contraria cuando el
voltaje en inverso supera el voltaje de
ruptura, también se conocen como diodos
TVS. Electricámente son similares a los
diodos Zener, pero funciona bajo otro
fenómeno, el efecto avalancha. Esto
sucede cuando el campo eléctrico inverso
que atraviesa la unión p-n produce una
onda de ionización, similar a una
avalancha, produciendo una corriente. Los
diodos avalancha están diseñados para
operar en un voltaje inverso definido sin que
se destruya. La diferencia entre el diodo
avalancha (el cual tiene un voltaje de
reversa de aproximadamente 6.2 V) y el
diodo zener es que el ancho del canal del
primero excede la "libre asociación" de los
electrones, por lo que se producen
colisiones entre ellos en el camino. La única
diferencia práctica es que los dos tienen
coeficientes de temperatura de polaridades
opuestas (la disipación de calor máxima es
mayor en un diodo zener, es por ello que
estos se emplean principalmente en
circuitos reguladores de tensión). Este tipo
de diodos se emplean para eliminar voltajes
y corrientes transitorios que pudieran
provocar un mal funcionamiento de un bus
de datos que conecte dos dispositivos
sensibles a voltajes transitorios.

 Diodo de Silicio: Suelen tener un tamaño


milimétrico y, alineados, constituyen
detectores multicanal que permiten obtener
espectros en milisegundos. Son menos
sensibles que los fotomultiplicadores. Es un
semiconductor de tipo p (con huecos) en
contacto con un semiconductor de tipo n
(electrones). La radiación comunica la
energía para liberar los electrones que se
desplazan hacia los huecos, estableciendo
una corriente eléctrica proporcional a la
potencia radiante.

 Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de


contacto. El diodo cristal consiste de un
cable de metal afilado presionado contra un
cristal semiconductor,
generalmente galena o de una parte
de carbón. El cable forma el ánodo y el
cristal forma el cátodo. Los diodos de cristal
tienen una gran aplicación en los radio a
galena. Los diodos de cristal están
obsoletos, pero puede conseguirse todavía
de algunos fabricantes.

 Diodo de corriente constante: Realmente


es un JFET, con su compuerta conectada a
la fuente, y funciona como un limitador de
corriente de dos terminales análogo al
diodo Zener, el cual limita el voltaje.
Permiten una corriente a través de ellos
para alcanzar un valor adecuado y así
estabilizarse en un valor específico.
También suele llamarse CLDs (por sus
siglas en inglés) o diodo regulador de
corriente.

 Diodo túnel o Esaki: Tienen una región de


operación que produce una resistencia
negativa debido al efecto túnel, permitiendo
amplificar señales y circuitos muy simples
que poseen dos estados. Debido a la alta
concentración de carga, los diodos túnel
son muy rápidos, pueden usarse en
temperaturas muy bajas, campos
magnéticos de gran magnitud y en entornos
con radiación alta. Por estas propiedades,
suelen usarse en viajes espaciales.

 Diodo Gunn: Similar al diodo túnel son


construidos de materiales como GaAs o InP
que produce una resistencia negativa. Bajo
condiciones apropiadas, las formas de
dominio del dipolo y propagación a través
del diodo, permitiendo osciladores de ondas
microondas de alta frecuencia.

Ledes de distintos colores.

 Diodo emisor de luz o LED del acrónimo


inglés, light-emitting diode: Es un diodo
formado por un semiconductor con huecos
en su banda de energía, tal como arseniuro
de galio, los portadores de carga que
cruzan la unión emiten fotones cuando se
recombinan con los portadores mayoritarios
en el otro lado. Dependiendo del material, la
longitud de onda que se pueden producir
varía desde el infrarrojo hasta longitudes de
onda cercanas al ultravioleta. El potencial
que admiten estos diodos dependen de la
longitud de onda que ellos emiten: 2.1V
corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los
primeros ledes fueron rojos y amarillos. Los
ledes blancos son en realidad
combinaciones de tres ledes de diferente
color o un led azul revestido con
un centelleador amarillo. Los ledes también
pueden usarse como fotodiodos de baja
eficiencia en aplicaciones de señales. Un
led puede usarse con un fotodiodo o
fototransistor para formar un optoacoplador.
 Diodo láser: Cuando la estructura de
un led se introduce en una cavidad
resonante formada al pulir las caras de los
extremos, se puede formar un láser. Los
diodos láser se usan frecuentemente en
dispositivos de almacenamiento ópticos y
para la comunicación óptica de alta
velocidad.

 Diodo térmico: Este término también se


usa para los diodos convencionales usados
para monitorear la temperatura a la
variación de voltaje con la temperatura, y
para refrigeradores termoeléctricos para
la refrigeración termoeléctrica. Los
refrigeradores termoeléctricos se hacen de
semiconductores, aunque ellos no tienen
ninguna unión de rectificación, aprovechan
el comportamiento distinto de portadores de
carga de los semiconductores tipo P y N
para transportar el calor.

 Fotodiodos: Todos los semiconductores


están sujetos a portadores de carga
ópticos. Generalmente es un efecto no
deseado, por lo que muchos de los
semiconductores están empacados en
materiales que bloquean el paso de la luz.
Los fotodiodos tienen la función de ser
sensibles a la luz (fotocelda), por lo que
están empacados en materiales que
permiten el paso de la luz y son por lo
general PIN (tipo de diodo más sensible a la
luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas
solares, en fotometría o en comunicación
óptica. Varios fotodiodos pueden
empacarse en un dispositivo como un
arreglo lineal o como un arreglo de dos
dimensiones. Estos arreglos no deben
confundirse con los dispositivos de carga
acoplada.

 Diodo con puntas de contacto: Funcionan


igual que los diodos semiconductores de
unión mencionados anteriormente aunque
su construcción es más simple. Se fabrica
una sección de semiconductor tipo n, y se
hace un conductor de punta aguda con un
metal del grupo 3 de manera que haga
contacto con el semiconductor. Algo del
metal migra hacia el semiconductor para
hacer una pequeña región de tipo p cerca
del contacto. El muy usado 1N34 (de
fabricación alemana) aún se usa en
receptores de radio como un detector y
ocasionalmente en dispositivos analógicos
especializados.

 Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una sección


central sin doparse o en otras palabras una
capa intrínseca formando una estructura p-
intrínseca-n. Son usados como
interruptores de alta frecuencia y
atenuadores. También son usados como
detectores de radiación ionizante de gran
volumen y como fotodetectores. Los diodos
PIN también se usan en la electrónica de
potencia y su capa central puede soportar
altos voltajes. Además, la estructura del PIN
puede encontrarse en dispositivos
semiconductores de potencia, tales
como IGBTs, MOSFETs de potencia
y tiristores.

 Diodo Schottky: El diodo Schottky están


construidos de un metal a un contacto de
semiconductor. Tiene una tensión de
ruptura mucho menor que los diodos pn. Su
tensión de ruptura en corrientes de 1mA
está en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual
los hace útiles en aplicaciones de fijación y
prevención de saturación en un transistor.
También se pueden usar como
rectificadores con bajas pérdidas aunque su
corriente de fuga es mucho más alta que la
de otros diodos. Los diodos Schottky son
portadores de carga mayoritarios por lo que
no sufren de problemas de almacenamiento
de los portadores de carga minoritarios que
ralentizan la mayoría de los demás diodos
(por lo que este tipo de diodos tiene una
recuperación inversa más rápida que los
diodos de unión pn. Tienden a tener una
capacitancia de unión mucho más baja que
los diodos pn que funcionan como
interruptores veloces y se usan para
circuitos de alta velocidad como fuentes
conmutadas, mezclador de frecuencias y
detectores.
 Stabistor: El stabistor (también
llamado Diodo de Referencia en Directa) es
un tipo especial de diodo de silicio cuyas
características de tensión en directa son
extremadamente estables. Estos
dispositivos están diseñados especialmente
para aplicaciones de estabilización en bajas
tensiones donde se requiera mantener la
tensión muy estable dentro de un amplio
rango de corriente y temperatura.

 Diodo Varicap: El diodo Varicap conocido


como diodo de capacidad variable o
varactor, es un diodo que aprovecha
determinadas técnicas constructivas para
comportarse, ante variaciones de la tensión
aplicada, como un condensador variable.
Polarizado en inversa, este dispositivo
electrónico presenta características que son
de suma utilidad en circuitos sintonizados
(L-C), donde son necesarios los cambios
de capacidad.

Aplicaciones del diodo[editar]

 Rectificador de media onda

 Rectificador de onda completa

 Rectificador en paralelo

 Doblador de tensión

 Estabilizador Zener

 Led

 Limitador

 Circuito fijador

 Multiplicador de tensión

 Divisor de tensión

Referencias[editar]
2 3
1. Volver arriba↑ Montaje de componentes
y periféricos microinformáticos.
IFCT0108, en Google libros

2. Volver arriba↑ Tooley, Mike


(2012). Electronic Circuits:
Fundamentals and Applications, 3rd Ed.
Routlege. p. 81. ISBN 1-136-40731-6.

3. Volver arriba↑ Motorola Master


Selection Guide TVS/Zeners 5.2–1
TVS/Zeners Transient Voltage
Suppressors Zener Regulator and
Reference Diodes.

 El contenido de este artículo incorpora


material de una entrada de la Enciclopedia
Libre Universal, publicada en español bajo
la licencia Creative Commons Compartir-
Igual 3.0.

Enlaces externos[editar]

 Wikimedia Commons alberga contenido


multimedia sobre diodos.

 Wikcionario tiene definiciones y otra


información sobre diodo.

 Símbolos de Diodos

 Comprobación de diodo en YouTube


Categorías:
 Diodos
 Dispositivos semiconductores
 Ciencia de los años 1900
 1904
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Resistor
Para el fenómeno físico, véase Resistencia eléctrica.

Resistor
Tipo Termoeléctrico
Pasivo

Principio de funcionamiento Efecto Joule

Invención Georg Ohm (1827)

Símbolo electrónico

Terminales Entrada y salida (sin polaridad)

[editar datos en Wikidata]

Se denomina resistencia (sobre todo en España) o resistor (en algunos países


de Hispanoamérica, aunque también se usa resistencia en el argot eléctrico y electrónico)
al componente electrónico diseñado para introducir una resistencia eléctrica determinada
entre dos puntos de un circuito eléctrico. En otros casos, como en las planchas,
calentadores, etc., se emplean resistencias para producir calor aprovechando el efecto
Joule. Es un material formado por carbón y otros elementos resistivos para disminuir la
corriente que pasa. Se opone al paso de la corriente.
La corriente máxima y diferencia de potencial máxima en una resistencia viene
condicionada por la máxima potencia que pueda disipar su cuerpo. Esta potencia se puede
identificar visualmente a partir del diámetro sin que sea necesaria otra indicación. Los
valores más comunes son 0.25 W, 0.5 W y 1 W.
Existen resistores cuyo valor puede ser ajustado manualmente
llamados potenciómetros, reostatos o simplemente resistencias variables. También se
producen dispositivos cuya resistencia varía en función de parámetros externos, como
los termistores, que son resistores que varían con la temperatura; los varistores que
dependen de la tensión a la cual son sometidos, o las fotorresistencias que lo hacen de
acuerdo a la luz recibida.

Índice
[ocultar]
 1Comportamiento en un circuito

 2Sistemas de Codificación

o 2.1Código de colores

 2.1.1Como leer el valor de una resistencia

 2.1.2Ejemplos

o 2.2Codificación de los resistores de montaje superficial

o 2.3Codificación en Resistencias SMD

o 2.4Codificación para uso Industrial

 3Resistencias de precisión

o 3.1Efecto piezorresistivo

 4Referencias

 5Véase también

 6Enlaces externos

Comportamiento en un circuito[editar]
Los resistores se utilizan en los circuitos para limitar el valor de la corriente o para fijar el
valor de la tensión, según la Ley de Ohm. A diferencia de otros componentes electrónicos,
los resistores no tienen polaridad definida.

Sistemas de Codificación[editar]
Código de colores[editar]
Figura 2: Diferentes resistencias todas ellas de empaquetado tipo axial.

Artículo principal: Codificación de colores

Para caracterizar un resistor hacen falta tres valores: resistencia eléctrica, disipación
máxima y precisión o tolerancia. Estos valores se indican normalmente en el encapsulado
dependiendo del tipo de éste; para el tipo de encapsulado axial, el que se observa en las
fotografías, dichos valores van rotulados con un código de franjas de colores.
Estos valores se indican con un conjunto de rayas de colores sobre el cuerpo del
elemento. Son tres, cuatro o cinco rayas; dejando la raya de tolerancia (normalmente
plateada o dorada) a la derecha, se leen de izquierda a derecha. La última raya indica la
tolerancia (precisión). De las restantes, la última es el multiplicador y las otras indican las
cifras significativas del valor de la resistencia.
El valor de la resistencia eléctrica se obtiene leyendo las cifras como un número de una,
dos o tres cifras; se multiplica por el multiplicador y se obtiene el resultado en Ohmios (Ω).
El coeficiente de temperatura únicamente se aplica en resistencias de alta precisión o
tolerancia menor del 1%.

Valor Valor Coefci


Color
de la de la ente
de la Multipl Toler
1°cifra 2°cifra de
band icador ancia
signif signif tempe
a
cativa cativa ratura

Neg
0 0 1 - -
ro

Mar 100pp
1 1 10 ±1%
rón m/°C

Rojo 2 2 100 ±2% 50ppm


/°C

Nar 15ppm
3 3 1 000 -
anja /°C

Ama 25ppm
4 4 10 000 ±4%
rillo /°C

Verd ±0,5 20ppm


5 5 100 000
e % /°C

1 000 0 ±0,25 10ppm


Azul 6 6
00 % /°C

Mor 10 000 ±0,1 5ppm/


7 7
ado 000 % °C

100 000 ±0.05 1ppm/


Gris 8 8
000 % °C

Blan 1 000 0
9 9 - -
co 00 000

Dor
- - 0,1 ±5% -
ado

Plat
ead - - 0,01 ±10% -
o

Ning
- - - ±20% -
uno

Como leer el valor de una resistencia[editar]


En una resistencia tenemos generalmente cuatro líneas de colores, aunque podemos
encontrar algunas que contenga cinco líneas (4 de colores y 1 que indica tolerancia).
Vamos a tomar como ejemplo la más general, las de cuatro líneas. Con la banda
correspondiente a la tolerancia a la derecha, leemos las bandas restantes de izquierda
a derecha, como sigue:
Las primeras dos bandas conforman un número entero de dos cifras:

 La primera línea representa el dígito de las decenas.

 La segunda línea representa el dígito de las unidades.


Luego:

 La tercera línea representa la potencia de 10 por la cual se multiplica el número.


El resultado numérico se expresa en Ohms.
Por ejemplo:

 Observamos la primera línea: verde= 5

 Observamos la segunda línea: amarillo= 4

 Observamos la tercera línea: rojo= 2 o 100

 Unimos los valores de las primeras dos líneas y multiplicamos por el valor de la
tercera
54 X 102 = 5400Ω o 5,4 kΩ y este es el valor de la resistencia expresada en Ohmios
Ejemplos[editar]

Figura 3: Resistencia de valor 2.700.000 Ω y tolerancia de ±10%.

 La caracterización de una resistencia de 2.700.000 Ω (2,7 MΩ), con una tolerancia


de ±10%, sería la representada en la figura 3:
1ª cifra: rojo (2)
2ª cifra: violeta (7)
Multiplicador: verde (100000)
Tolerancia: plateado (±10%)

Figura 4: Resistencia de valor 65 Ω y tolerancia de ±2%.

 El valor de la resistencia de la figura 4 es de 65 Ω y tolerancia de


±2% dado que:
1ª cifra: azul (6)
2ª cifra: verde (5)
3ª cifra: negro (0)
Multiplicador: dorado (10-1)
Tolerancia: rojo (±2%)
Codificación de los resistores de
montaje superficial[editar]
Esta imagen muestra cuatro resistores de montaje de
superficie (el componente en la parte superior izquierda
es un condensador) incluyendo dos resistores de cero
ohmios. Los enlaces de cero ohmios son usados a
menudo en vez de enlaces de alambre

Resistencia de montaje superficialo SMD

A los resistores cuando se encuentran en


circuitos con tecnología de montaje de superficie
se les imprimen valores numéricos en un código
similar al usado en los resistores axiales.
Los resistores de tolerancia estándar en estos
tipos de montajes (Standard-tolerance Surface
Mount Technology) son marcados con un código
de tres dígitos, en el cual los primeros dos dígitos
representan los primeros dos dígitos significativos
y el tercer dígito representa una potencia de diez
(el número de ceros).
Codificación en Resistencias
SMD[editar]
En las resistencias SMD ó de montaje en
superficie su codificación más usual es:

1ª Cifra = 1º En este ejemplo la


número resistencia tiene un
valor de:
2ª Cifra = 2º
número 1.200 ohmios = 1,2
3ª Cifra = kΩ
Multiplicador

1ª Cifra = 1º
número En este ejemplo la
resistencia tiene un
La "R" indica
valor de:
coma decimal
3ª Cifra = 2º 1,6 ohmios
número

La "R" indica coma En este ejemplo la


decimal ("0,") resistencia tiene un
2ª Cifra = 2º
número valor de:

3ª Cifra = 3º 0,22 ohmios


número

 Por ejemplo:
"334" 33 × 10.000 Ω = 330 kΩ
"222" 22 × 100 Ω = 2,2 kΩ

"473" 47 × 1.000 Ω = 47 kΩ

"105" 10 × 100.000 Ω = 1 MΩ

Los resistores de menos de 100 Ω se escriben:


100, 220, 470, etc. El número cero final
representa diez a la potencia de cero, lo cual es
1.

 Por ejemplo:
"100" = 10 × 1 Ω = 10 Ω
"220" = 22 × 1 Ω = 22 Ω

Algunas veces estos valores se marcan como


"10" o "22" para prevenir errores.
Los resistores menores de 10 Ω tienen una 'R'
para indicar la posición del punto decimal.

 Por ejemplo:
"4R7" = 4,7 Ω
"0R22" = 0,22 Ω

"0R01" = 0,01 Ω

Los resistores de precisión son marcados con


códigos de cuatro dígitos, en los cuales los
primeros tres dígitos son los números
significativos y el cuarto es la potencia de diez.

 Por ejemplo:
"1001" = 100 × 10 Ω = 1 kΩ
"4992" = 499 × 100 Ω = 49,9 kΩ

"1000" = 100 × 1 Ω = 100 Ω

Los valores "000" y "0000" aparecen en algunas


ocasiones en los enlaces de montajes de
superficie, debido a que tienen una resistencia
aproximada a cero.
Codificación para uso Industrial[editar]
Formato: XX 99999 ó XX 9999X [dos
letras]<espacio>[valor del resistor (tres/cuatro
dígitos)]<sinespacio>[código de
tolerancia(numérico/alfanumérico - un dígito/una
letra)]
Power Rating at 70 °C

Potencia MIL-R-
Tipo MIL-R-39008Designación Tolerancia Designación
nominal 11 Industrial MIL
Nº Norma
(vatios) Norma

BB 1/8 RC05 RCR05


5 ±5% J
CB ¼ RC07 RCR07

EB ½ RC20 RCR20 2 ±20% M

GB 1 RC32 RCR32
1 ±10% K
HB 2 RC42 RCR42

GM 3 - - - ±2% G

HM 4 - -
- ±1% F

- ±0.5% D

- ±0.25% C

- ±0.1% B

El rango de la temperatura operacional distingue


los tipos comercial, industrial y militar de los
componentes.

 Tipo Comercial : 0 °C a 70 °C

 Tipo Industrial : −40 °C a 85 °C (en ocasiones


−25 °C a 85 °C)

 Tipo Militar : −55 °C a 125 °C (en ocasiones


-65 °C a 275 °C)

 Tipo Estándar: -5 °C a 60 °C

Resistencias de precisión[editar]
Las resistencias de precisión o de hojas
metálicas, conocidas también por su nombre en
inglés foil resistors, son aquellas cuyo valor se
ajusta con errores de 100 partes por millón o
menos y tienen además una variación muy
pequeña con la temperatura, del orden de 10
partes por millón entre 25 y 125 grados Celsius.
Este componente tiene una utilización muy
especial en circuitos analógicos, con ajustes muy
estrechos de las especificaciones. La resistencia
logra una precisión tan alta en su valor, como en
su especificación de temperatura, debido a que la
misma debe ser considerada como un sistema,
donde los materiales que la comportan
interactúan para lograr su estabilidad. Una hoja
de metal muy fino se pega a un aislador como
el vidrio o cerámica, al aumentar la temperatura,
la expansión térmica del metal es mayor que la
del vidrio ocerámica y al estar pegado al aislador,
produce en el metal una fuerza que lo comprime
reduciendo su resistencia eléctrica, como el
coeficiente de variación de resistencia del metal
con la temperatura es casi siempre positivo, la
suma casi lineal de estos factores hace que la
resistencia no varíe o que lo haga mínimamente.
Este componente tuvo su origen en varios países
y en diferentes tiempos. Por los años 50, algunas
empresas y centros académicos de tecnología,
en especial en los Estados Unidos, comenzaron a
investigar nuevas técnicas de componentes que
se adaptaran a la industria naciente de los
semiconductores. Los nuevos sistemas
electrónicos debían ser más estables y más
compactos y la industria de ese tiempo puso más
énfasis en la precisión y en la estabilidad del
comportamiento con los cambios de temperatura.
En la tecnología de resistencias había dos tipos
emergentes, las hechas con películas metálicas
muy finas, depositadas en substratos aislantes,
como el vidrio o la cerámica, y cuyo depósito se
realizaba con técnicas de evaporación metálicas.
Luego estaban las resistencias hechas con hojas
metálicas, cuyos espesores eran mayores que los
realizados con películas metálicas. Las hojas
metálicas se pegaban a substratos aislante, como
el vidrio o la cerámica.
Investigando el origen de esta última tecnología
llegamos a Duncan y John Cox, los cuales
patentaron en 1951, un resistor para uso de
calefacción.1 Si bien el objeto de este
componente era de ser usado como elemento de
calefacción, la novedad del mismo residía en su
construcción geométrica, la forma de las líneas
resistivas fueron adoptadas por empresas
dedicadas a la fabricación de resistencias de
hojas metálicas realizada en 1979 por Benjamín
Solow,2 o en su versión mejorada de 1983
realizada por Josph Szware,3
Efecto piezorresistivo[editar]
Como se indicó inicialmente, hay un efecto de
interacción de fuerzas entre la hoja metálica y el
substrato; la hoja metálica se comporta como una
galga extensométrica, que es un sensor basado
en el efecto piezorresistivo, un esfuerzo que
deforma a la galga producirá una variación en su
resistencia eléctrica.
Este sensor, en su forma básica fue usado por
primera vez en 1936. El descubrimiento del
principio fue realizado en 1856 por Lord Kelvin, el
cual cargo alambres de cobre y de hierro,
produciendo en los mismos una tensión mecánica
y registrando un incremento de la resistencia
eléctrica con la deformación unitaria por tracción
(strain) del alambre, observo que el alambre de
hierro tiene un incremento de la resistencia mayor
que el alambre de cobre, cuando son sometidos a
la misma deformación unitaria.
De los experimentos realizados por Lord
Kelvin en 1856 resulta que cuando se somete un
metal a una fuerza mecánica, se produce un
cambio en su resistencia eléctrica. Así,
sometiendo al metal a una fuerza que lo estire se
produce un aumento de su resistencia, y si le
aplicamos una compresión, su resistencia
eléctrica disminuye. Este efecto, con el tiempo
abrió un nuevo campo de las mediciones. Un
aumento de la temperatura en un metal produce
dos efectos, una dilatación y un aumento de su
resistencia eléctrica.
En 1959, William T. Bean, introduce una galga
extensométrica, o también llamada en
inglés strain gauge de tipo de hoja metálica,4 con
una geometría Cox utilizada para medir la
deformación unitaria, de materiales sometidos a
fuerzas mecánicas, varios puntos hay que
resaltar de este desarrollo: 1) utiliza una hoja
metálica con geometría Cox, 2) utiliza metales
como constantan o nicromo y 3) la utilización de
un método fotográfico y luego el uso de una
erosión química para realizar el modelo resistivo.
Estudiando este desarrollo, se puede especular
que los técnicos que utilizaban las galga
extensométrica, midiento las propiedades
mecánicas de los vidrios y cerámicas,
encontraron una variación muy chica de la
resistencia con la temperatura, debido
precisamente al efecto citado inicialmente.
La primera descripción de este sistema, utilizando
las propiedades geométricas, físicas y químicas,
como la geometría Cox, el efecto Kelvin y el uso
de la aleación níquel-cromo, fueron integradas
todas ellas en un componente, fue realizada por
Zandman en 1970.5

Referencias[editar]
1. Volver arriba↑ Patente USPTO nº 2682596:
«Metal foil heating device»

2. Volver arriba↑ Patente USPTO nº 4176445:


«Metal foil resistor»

3. Volver arriba↑ Patente USPTO nº 4378549:


«Resistive electrical components»

4. Volver arriba↑ Patente USPTO nº 2899658:


«Leaf-type electrical resistance strain
gage»

5. Volver arriba↑ Patente USPTO nº 3517436:


«Precision resistor of great stability»

Véase también[editar]
 Efecto Joule

 Ley de Ohm

 Potencia que disipa una resistencia

Enlaces externos[editar]
 Calculador de resistencias Programa para
calcular el valor de una resistencia.

 Código de colores de resistencias


eléctricas Aplicación web para el cálculo del
código de colores de resistencias eléctricas.

 Lectura del código de las resistencias SMD

 Calculador del valor estándar Aplicación web


que calcula el valor estándar E24 y E96 para
un valor de resistencia determinado.
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 Componentes pasivos
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Transistor
Transistor

El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia que es capaz de manejar.

Tipo Semiconductor

Invención John Bardeen, Walter Houser Brattain y William


Bradford Shockley (1947)

Símbolo electrónico

Terminales Emisor, base y colector


[editar datos en Wikidata]

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar


una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones
deamplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se
encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo,computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Índice
[ocultar]

 1Historia

 2Funcionamiento

 3Tipos de transistor

o 3.1Transistor de contacto puntual

o 3.2Transistor de unión bipolar

o 3.3Transistor de efecto de campo

o 3.4Fototransistor

 4Transistores y electrónica de potencia

 5Construcción

o 5.1Material semiconductor

 6El transistor bipolar como amplificador

o 6.1Emisor común

 7Diseño de una etapa en configuración emisor común

o 7.1Base común

o 7.2Colector común

 8El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica

 9Véase también

 10Referencias

 11Bibliografía
 12Enlaces externos

Historia[editar]
Artículo principal: Historia del transistor

Réplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies.

El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19251 una
patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes
eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo,
ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido deltriodo. Lilienfeld también
solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 19262 y 1928.34 Sin embargo, Lilienfeld
no publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan
algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de
materiales semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas
de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los
años 1920 y 1930, aunque un dispositivo de este tipo ya se había construido. 5
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña 6 un
dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro
de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de señales de
1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos prácticos.7Mientras tanto, la
experimentación en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las
explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del alemán Walter
Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era
posible lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de
tubos de vacío.7
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8llevaron
a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro
eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida
mayor que la de entrada.9 El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William
Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en
gran medida el conocimiento de los semiconductores. El término "transistor" fue sugerido
por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, basándose en dispositivos
semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basándose en la
propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo.10 Según una biografía de John
Bardeen, Shockley había propuesto que la primera patente para un transistor de los
Laboratorios Bell debía estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como
el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido
años atrás, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar, lo
que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer transistor de contacto
de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de
1946,11a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo. 121314En
reconocimiento a éste logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados
conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones sobre
semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor". 15
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos
alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré
tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio
mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemán durante laSegunda
Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de la
"interferencia" que había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra.
En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando
muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían
logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de
Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró
a poner en producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica
de Francia.16El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor
bipolar de unión17 y el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de
efecto de campo,18 tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la
estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los
Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, 19cuya nueva patente fue
solicitada el 31 de octubre de 1952.20 Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero
Sidney Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente
como transistor Darlington.21
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio
desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco
Corporation en 1953,22capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.23 Para fabricarlo, se
usó un procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran
grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de
sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El Indio
electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor. 24El primer receptor de
radio para automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco; usó estos
transistores en sus circuitos y también fueron los primeros adecuados para las
computadoras de alta velocidad de esa época.2526
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero
1954 por el químico Morris Tanenbaum.27El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin
Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir
dispositivos semiconductores.28 El primer transistor de silicio comercial fue producido
por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien había
trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta
pureza.29 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense
Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en
1960.3031

Funcionamiento[editar]
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada
entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las
válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo,32a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través
de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que
circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares
de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor,
de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias
tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión
Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son
emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta
y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión
aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el
responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la
corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la
tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento
del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tipos de transistor[editar]

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual[editar]


Llamado también "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se
basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas
se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.
Transistor de unión bipolar[editar]
Artículo principal: Transistor de unión bipolar
Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o
el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor
eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos aceptadores de
electrones, como elindio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el
colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
Transistor de efecto de campo[editar]

-Símbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de


campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o
P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor
de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno
de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicandotensión positiva
entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente
en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

 Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.

 Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la


compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.

 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-


Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor[editar]
Artículo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas


a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la
luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:

 Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

 Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

Transistores y electrónica de potencia[editar]


Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos
semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha
permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores
son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de
alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la
amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

Construcción[editar]
Material semiconductor[editar]

Características del material semiconductor

Tensión Movilidad de Máxima


Movilidad de
Material directa huecos temperatura de
electrones
semiconductor de la unión m2/(V·s) @ unión
m2/(V·s) @ 25 °C
V @ 25 °C 25 °C °C

Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100

Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200

GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200


Al-Si 0.3 — — 150 a 200

Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones avanzadas de
microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor
de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El
material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se describe como elemental.
Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes utilizados para
fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parámetros variarán con el aumento
de la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la tensión, y otros factores
diversos.
La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un transistor
bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una corriente específica. La
corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta la tensión en directa de
la unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una corriente de 1 mA (los
mismos valores se aplican a los diodos semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión
de la unión en directa, mejor, ya que esto significa que se requiere menos energía para
colocar en conducción al transistor. La tensión de unión en directa para una corriente dada
disminuye con el aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es
de -2.1 mV / ° C.34 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores
especiales (sensistores) para compensar tales cambios.
La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del
campo eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el nivel de
impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento
eléctrico.
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la
velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a través del material
semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro, aplicado a través del material.
En general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede funcionar
más rápido. La tabla indica que el germanio es un material mejor que el silicio a este
respecto. Sin embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con
el silicio y arseniuro de galio:

1. Su temperatura máxima es limitada.

2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.

3. No puede soportar altas tensiones.

4. Es menos adecuado para la fabricación de circuitos integrados.


Debido a que la movilidad de los electrones es más alta que la movilidad de los huecos
para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado tiende a ser
más rápido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio tiene el valor más alto
de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es por esta razón que se utiliza
en aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET de desarrollo relativamente reciente,
el transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), tiene una heteroestructura (unión
entre diferentes materiales semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-
arseniuro de galio (GaAs), que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una
unión de barrera GaAs-metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMTs
se utilizan en los receptores de satélite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz.
Los HEMTs basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT)
proporcionan una movilidad de los electrones aún mayor y se están desarrollando para
diversas aplicaciones.
Los valores de la columna de Máximo valor de temperatura de la unión han sido tomados a
partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no debe ser excedida o
el transistor puede dañarse.
Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de metal-
semiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos comúnmente como diodos
Schottky. Esto está incluido en la tabla, ya que algunos transistor IGFET de potencia de
silicio tienen un diodo Schottky inverso "parásito" formado entre la fuente y el drenaje
como parte del proceso de fabricación. Este diodo puede ser una molestia, pero a veces
se utiliza en el circuito del cual forma parte.

El transistor bipolar como amplificador[editar]


El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll),
uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector,
polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión
igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y
unos 0,4 para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a
la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para
transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Existen tres configuraciones para
el amplificador transistorizado: emisor común, base común y colector común.
Emisor común[editar]

Emisor común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta
al punto de tierra (masa) que será común, tanto de la señal de entrada como para la de
salida. En esta configuración, existe ganancia tanto de tensión como de corriente. Para
lograr la estabilización de la etapa ante las variaciones de la señal, se dispone de una
resistencia de emisor, (RE) y para frecuencias bajas, la impedancia de salida se aproxima a
RC. La ganancia de tensión se expresa:
El signo negativo, indica que la señal de salida está invertida con respecto a la señal de
entrada.
Si el emisor está conectado directamente a masa, la ganancia queda expresada de la
siguiente forma:
Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre ellos se
puede suponer que existe una tensión constante, denominada y que el valor de la
ganancia (β) es constante. Del gráfico adjunto, se deduce que la tensión de emisor es:
Y la corriente de emisor:
.
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:
Despejando la corriente de colector:
La tensión de salida, que es la de colector se calcula así:
Como β >> 1, se puede aproximar:
y, entonces es posible calcular la tensión de colector como:
La parte entre paréntesis es constante (no depende de la señal de entrada), y la restante
expresa la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada
180º respecto a la de entrada.
Finalmente, la ganancia es expresada como:
La corriente de entrada, , si puede expresarse como sigue:
Suponiendo que , podemos escribir:
Al dividir la tensión y corriente en la base, la impedancia o resistencia de entrada queda
como:
Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor
más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Diseño de una etapa en configuración emisor común [editar]

Recta de carga de un transistor en configuración de emisor común.


Amplificador de emisor común

Recta de carga
Esta recta se traza sobre las curvas características de un transistor que proporciona el
fabricante. Los puntos para el trazado de la misma son: y la tensión de la fuente de
alimentación
En los extremos de la misma, se observan las zonas de corte y de saturación, que tienen
utilidad cuando el transistor actúa como interruptor. Conmutará entre ambos estados de
acuerdo a la polarización de la base.
La elección del punto Q, es fundamental para una correcta polarización. Un criterio
extendido es el de adoptar , si el circuito no posee . De contar con como es el caso del
circuito a considerar, el valor de se medirá desde el colector a masa.
El punto Q, se mantiene estático mientras la base del transistor no reciba una señal.
Ejercicio
Procederemos a determinar los valores de
Datos:
Esta aproximación se admite porque
Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a través del divisor de
voltaje y , debe ser mucho mayor que la corriente de base; como mínimo en una relación
10:1
utilizando el valor de obtenido anteriormente

La resistencia dinámica del diodo en la juntura del emisor , se calcula tomando el valor del
voltaje térmico en la misma, y está dado por:
Con este valor, se procede a calcular la ganancia de voltaje de la etapa;
No se toma en cuenta ya que el emisor se encuentra a nivel de masa para la señal por
medio de , que en el esquema se muestra como ; entonces, la impedancia de salida , toma
el valor de si el transistor no tiene carga. Si se considera la carga , se determina
por considerando que tiene el valor ,
Al considerar la, la ganancia de tensión se ve modificada:
La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, está dada por
Mientras que la impedancia de entrada a la etapa, se determina:
La reactancia de los capacitores no se ha tenido en cuenta en los cálculos, porque se han
elegido de una capacidad tal, que su reactancia en las frecuencias de señales empleadas.
Base común[editar]

Base común.

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a
las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene
ganancia solo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente
algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si
añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, da como
resultado que la ganancia aproximada es:

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
Colector común[editar]
Colector común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta
a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se
tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta, aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga.
Además, la impedancia de salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la
fuente de señal.

El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica [editar]


Antes de la aparición del transistor, eran usadas las válvulas termoiónicas. Las válvulas
tienen características eléctricas similares a la de los transistores de efecto campo(FET): la
corriente que los atraviesa depende de la tensión en el terminal llamado rejilla. Las
razones por las que el transistor reemplazó a la válvula termoiónica son varias:

 Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios,
que son peligrosas para el ser humano.

 Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco
útiles para el uso con baterías.

 El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores


requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde
algunos kilos a decenas de kilos.

 El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.

 Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a


funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conducción.

 El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los


transistores, que son intrínsecamente insensibles a él.

 Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos
de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamaño que se ha de
considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más el del disipador. Como las
válvulas pueden funcionar a temperaturas más elevadas, la eficiencia del disipador es
mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho más
pequeño.

 Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias elevadas y por lo
tanto trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.

 Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su lanzamiento
inicial y se contó con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo
continuaría bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente investigación y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora
digital, llamada ENIAC, la cual pesaba más de treinta toneladas y consumía 200 kilovatios,
suficientes para alimentar una pequeña ciudad, a causa de sus aproximadamente 18 000
válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día, necesitando una logística y una
organización importantes para mantener este equipo en funcionamiento.
El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la década
de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos fabricantes siguieron
utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake;
luego el transistor desplazó a la válvula de los transmisores pero no del todo en los
amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes de instrumentos eléctricos musicales
como Fender, siguieron utilizando válvulas en sus amplificadores de audio para guitarras
eléctricas. Las razones de la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:

 Falta de linealidad: El transistor no tiene las características de linealidad a alta


potencia de la válvula termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmisión de radio profesionales y de radioaficionados sino hasta
varios años después.[cita requerida]

 Generación de señales armónicas: Las señales armónicas introducidas por la falta


de linealidad de las válvulas resultan agradables al oído humano, como demuestra
la psicoacústica, por lo que son preferidos por los audiófilos.

 Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los efectos


electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando
válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control y comando de aviones caza de
fabricación soviética.[cita requerida]

 Manejo de altas potencias: Las válvulas son capaces de manejar potencias muy
grandes, a diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin embargo a
través de los años se desarrollaron etapas de potencia con múltiples transistores en
paralelo capaces de conseguir manejo de potencias mayores.
Véanse también: Válvula termoiónica y Transistor bipolar.

Véase también[editar]
 Historia del transistor

 Quiteron

 Semiconductor

 Transistor de aleación
 Transistor de película delgada

 Transistor de unión bipolar

 Transistor IGBT

 Transistor uniunión

 Válvula termoiónica

 Datasheet

Referencias[editar]
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Property Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.

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22. Volver arriba↑ «Patent US2885571» (en inglés). United States Patent Office.
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23. Volver arriba↑ Bradley, William (8 de enero de 2007). «The Surface-Barrier


Transistor: Part I-Principles of the Surface-Barrier Transistor». Proceedings of the
IRE (en inglés) 41 (12). doi:10.1109/JRPROC.1953.274351.

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27. Volver arriba↑ «1954: Silicon Transistors Offer Superior Operating


Characteristics» (en inglés). Computer History Museum. Consultado el 7 de marzo de
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Consultado el 7 de marzo de 2014.

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30. Volver arriba↑ «Patent US3102230» (en inglés). United States Patent Office.
Consultado el 7 de marzo de 2016.

31. Volver arriba↑ «1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor


Demonstrated» (en inglés). Computer History Museum. Consultado el 7 de marzo de
2016.

32. Volver arriba↑ Diccionario de Electrónica, Informática Y Energía Nuclear pag 10


en Google libros

33. Volver arriba↑ Diccionario de Electrónica, Informática Y Energía Nuclear pag


425 en Google libros

34. Volver arriba↑ Smith, Kenneth C.; Sedra, Adel (2004). Microelectronic circuits (5
edición). New York: Oxford University Press. p. 397. ISBN 0-19-514251-9.

Bibliografía[editar]
1. Electrónica. Teoría de circuitos. Boylestad - Nashelsky. ISBN 968-880-347-2

2. Ingeniería Electrónica. Alley - Atwood. ISBN 968-18-0967-X

Enlaces externos[editar]

 Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Transistor.

 Wikcionario tiene definiciones y otra información sobre transistor.

 Transistores Vs. Válvulas para aplicaciones en audio de alta fidelidad, Oscar


Bonello, fundador de la compañía Solidyne y miembro de Audio Engineering Society
(AES), propone una interpretación posible sobre la rivalidad entre entusiastas de una u
otra tecnología.

 Como funcionan realmente los transistores Versión original en Inglés

 Símbolos de transistores
Amplificador
Este artículo o sección necesita referencias que aparezcan en
una publicación acreditada. Este aviso fue puesto el 28 de diciembre de
2015.
Puedes añadirlas o avisar al autor principal del artículo en su página de discusión
pegando: {{sust:Aviso referencias|Amplificador}}
~~~~

Amplificador para guitarras eléctricas.

Un amplificador es todo dispositivo que, mediante la utilización de energía, magnifica la


amplitud de un fenómeno. Aunque el término se aplica principalmente al ámbito de
losamplificadores electrónicos, también existen otros tipos de amplificadores, como
los mecánicos, neumáticos, e hidráulicos, como los gatos mecánicos y los boosters usados
en los frenos de potencia de los automóviles. Amplificar es agrandar la intensidad de algo,
por lo general, sonido. También podría ser luz o magnetismo, etc. En términos particulares,
un amplificador es un aparato al que se le conecta un dispositivo de sonido y aumenta la
magnitud del volumen. En música, se usan de manera obligada en lasguitarras eléctricas y
en los bajos, pues esas no tienen caja de resonancia, la señal se obtiene porque las
cuerdas, metálicas y ferrosas, vibran sobre una cápsula electromagnética, y esa señal no
es audible, pero transformada por un amplificador adquiere su sonido característico.
Mediante su interfaz se le puede agregar distintos efectos, como trémolo, distorsiones o
reverb entre otros. Las radios y los televisores tienen un amplificador incorporado, que se
maneja con la perilla o telecomando del volumen y permite que varíe la intensidad sonora.

Tipos de amplificadores[editar]
 Electrónica II-E35:

 Amplificador electrónico de un solo polo.

 Amplificador operacional.

 Amplificador con realimentación.

 Amplificador diferencial.

 Amplificador de transconductancia variable.

 Amplificador realimentado en corriente.

 Amplificador de aislamiento.
 Amplificador de instrumentación.

 Amplificador de potencia.

 Amplificador de voltaje.

 Amplificador de corriente.

 Amplificador de transconductancia.

 Amplificador de transresistencia.

 Física:

 Amplificador de energía.

 Amplificador óptico.

 Amplificador de televisión

 Amplificador de Casares
Categorías:
 Ingeniería de audio
 Electroacústica
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