Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA
Y DE TELECOMUNICACIONES.
CURSO: TEMA:
GRUPO-HORARIO: PROFESOR:
EXPERIENCIA N° 07.
Aplicaciones:
Amplificadores operacionales, órganos electrónicos, controlas de tono.
Amplificador de baja frecuencia
Capacidad pequeña de
acoplamiento.
Audífonos para sordera,
transductores inductivos.
Mínima variación de frecuencia.
Generadores de frecuencia
patrón, receptores.
Circuito MOS digital
Integración en gran escala,
computadores, memorias, ETC.
II. PROCEDIMIENTO:
1. Realizamos el siguiente circuito en el protoboard y medimos VDD, VGS, Vo, VS,
VDG, VDS, Vo/Vi.
Circuito N°01:
RD= 1k𝜴
RS= 100𝜴
RS(POT)= 1K𝜴
RL=1K𝜴
POT(R)=100K𝜴, 10K𝜴
VDD=17V
Q1= K30
Sea el siguiente circuito:
Tabla N°01
Entonces, comprobamos:
𝑽𝑮𝑺 = −𝑽𝑫𝑮 + 𝑽𝑫𝑺
𝑽𝑮𝑺 = (−𝟏𝟏. 𝟒) + (𝟏𝟏. 𝟑)
𝑽𝑮𝑺 = −𝟎. 𝟏 𝑽
Donde: En los valores Experimentales, tenemos una diferencia entre (-0.17) y (-0.1).
Se puede observar que la curva característica a la salida del FET es muy similar a la
de un BJT.
Puedo decir que para que las mediciones de esta práctica sean aceptables y tengan
el menor número de errores en las mismas con respecto a los cálculos tuvimos que
ajustar las resistencias lo más posible a las calculadas teniendo en algunos casos
que poner las resistencias en serie o en paralelo ya que los valores de las mismas si
se alejaban mucho cambian los valores de corriente y voltaje a rangos que no son
aceptables; es decir que para el Transistor FET funcione correctamente las
resistencias deben ser lo más exactas posibles.
Los valores de los JFET pueden ser diferentes, aunque sean del mismo tipo por lo
que primero tuvimos que obtener los valores medidos, en este caso utilizamos el
Transistor JFET 2N3921 y el K30 en la experiencia.