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FÍSICA QUÂNTICA:

CONDUÇÃO EM SÓLIDOS - II
Prof. André L. C. Conceição
DAFIS

CAPÍTULO 41 –
HALLIDAY, RESNICK.
8ª EDIÇÃO
Condução em Sólidos

Revisão
1) Parâmetros de caracterização
• Resistividade r

• Coeficiente de temperatura da resistividade

• Concentração de portadores de carga n

Isolantes, metais e semicondutores

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Revisão
2) Bandas de Energia
Níveis
muito
próximos

E Átomo isolado
E Sólido

4p Banda permitida
4s
3p Banda proibida
3s
Banda permitida
2p
Banda proibida
Banda permitida
2s
Banda proibida
1s Banda permitida

Revisão
3) Comparação: Isolante vs Metal

E Isolante
E Metal

Eg EF EF

Revisão
4) Metal
E Metal
T=0K

EF Energia de Fermi

vF: velocidade de Fermi

DDP corrente
Ex: Para Cu
EF = 7,0 eV  vF ≈ 1,6 x 106 m/s

2
Revisão
5) Número de estados ocupados

Semicondutores
Isolante
Semicondutor T=0
E E

Eg
EF
Eg EF

Egisolante >> Egsemicondutor

Semicondutores

T>0

3
Semicondutores

T=0 T>0

Concentração de portadores, n

Valores para temperatura ambiente

Resistividade, r

Valores para temperatura ambiente

Modelo do gás de elétrons livres:

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Coeficiente de temperatura da resistividade, a

Cobre: T t
Silício: T n

Valores para temperatura ambiente

Semicondutores dopados

dopagem

Aprox. 1 em 107 átomos


de Si é substituído

Si

Semicondutores tipo n (doador)

5
Semicondutores tipo n

Silício neutro (14 elétrons): 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2


doadores para Si

Si tipo n

Elétrons: maioria
Buracos: minoria

Semicondutores tipo p (aceitador)

Semicondutores tipo p

aceitadores para Si

Si tipo p

Elétrons: minoria
Buracos: maioria

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Energia Ed dos níveis doadores a partir da
banda de condução do Si e Ge

Energia Ea dos níveis aceitadores a partir da banda de


valência do Si e Ge

A junção p-n

Física do estado sólido desenv. de dispositivos eletrônica

Inomogeneidade

Junção p-n contato Schottky


Difusão
Implantação iônica

Junção p-n

7
Semicondutor tipo p Semicondutor tipo n

Esquema de bandas
da junção p-n

--++
Carga espacial --++
p --++
--++ n
devido a defeitos --++
ionizados
d0
log da concent.

Concentração de
doadores e
aceitadores
Posição

Teste
Quais das cinco correntes a seguir são nulas no plano da junção p-n
abaixo?

(a)A corrente total de buracos, incluindo os portadores em maioria e


os portadores em minoria.
(b)A corrente total de elétrons, incluindo os portadores em maioria e
os portadores em minoria.
(c)A corrente total de elétrons e buracos, incluindo os portadores em
maioria e os portadores em minoria.
(d)A corrente total de portadores em maioria, incluindo elétrons e
buracos.
(e)A corrente total de portadores em minoria, incluindo elétrons e
buracos.

O diodo retificador
Curva característica I x U

inversamente diretamente

Diodo Retificador

8
Polarizações
diretamente inversamente

--++ ---+++
--++ ---+++
p --++
--++ n p ---+++
---+++ n
--++ ---+++

dD di

O diodo emissor de luz (LED)

Dopagem alta e corrente intensa  grande quantidade de recombinações

Alta intensidade luminosa

O fotodiodo

Incidência de OEM  produção de corrente elétrica

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O fotodiodo

O laser semicondutor

O laser semicondutor

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O transistor

1947 - John Bardeen,


William Shockley e Walter
Brattain

O transistor

O transistor de efeito de campo (FET)

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MOSFET

Exercícios e problemas
Suponha que o volume total de uma amostra metálica seja a
soma do volume ocupado pelos íons do metal que formam a
rede cristalina com o volume ocupado pelos elétrons de
condução. A densidade e a massa molar do sódio (um metal)
são 971 kg/m3 e 23,0 g/mol, respectivamente; o raio do íon
Na+ e 98 pm. (a) Que porcentagem do volume de uma
amostra de sódio é ocupada pelos elétrons de condução? (b)
Repita o cálculo para o cobre, que possui uma densidade,
massa molar e raio iônico de 8960 kg/m3, 63,5 g/mol e 135
pm, respectivamente.

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Exercícios e problemas
A função probabilidade de ocupação pode ser aplicada tanto a
metais como a semicondutores. Nos semicondutores, a energia
de Fermi está praticamente a meio caminho entre a banda de
valência e a banda de condução. No caso do germânio, a
distância entre a banda de condução e a banda de valência é
0,67 eV. Determine a probabilidade (a) de que um estado na
extremidade inferior da banda de condução esteja ocupado e
(b) de que um estado na extremidade superior da banda de
valência esteja ocupado. Suponha que T = 290 K.

k = 1,3807 x 10-23 J/K = 0,8617 x 10-4 eV/K

1.0
T=290K
Ge
0.8 energia de Fermi

0.6 banda
P(E)

de
valência banda
0.4 de
condução

0.2

0.0

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0


Energia (eV)
(a) P(E) = 1,5 x 10-6
(b) P(E) = 0,999998

Exercícios e problemas

Em um certo cristal, a última banda ocupada está


completa. O cristal é transparente a todos os
comprimentos de onda maiores que 295 nm, mas opaco a
comprimentos de onda menores. Calcule a distância, em
elétrons-volts, entre a última banda ocupada e a primeira
banda vazia neste material.

h = 4,14 x 10-15 eV.s

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Perguntas
Os valores de Eg para os semicondutores silício e
germânio são, respectivamente, 1,12 e 0,67 eV. Quais
das seguintes afirmações são verdadeiras? (a) As duas
substâncias têm a mesma concentração de portadores à
temperatura ambiente. (b) À temperatura ambiente, a
concentração de portadores no germânio é maior que
no silício. (c) As duas substâncias têm uma
concentração maior de elétrons que de buracos. (d)
Nas duas substâncias, a concentração de elétrons é
igual a de buracos.

T>0

& &

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Próxima aula
• Introdução à Física Nuclear

Bibliografia
Básica:
1) HALLIDAY, D.; RESNICK, R.; e WALKER, J.; Fundamentos de Física.
Volume 4: Óptica e Física Moderna. 8ª edição. Rio de Janeiro: Livros Técnicos
e Científicos Editora S.A. 2009.
2) TIPLER, P. A.; MOSCA, G.; Física para cientistas e engenheiros. Volume
3: Física Moderna. 6ª edição. Rio de Janeiro: Livros Técnicos e Científicos
Editora S.A. 2012

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