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Transistores de Junção Bipolar

Mariana Nalesso Gonçalves


Introdução

Os transistores são componentes eletrônicos que revolucionaram a tecnologia no século 20.


Eles substituíram as válvulas que antes eram utilizadas em rádios e TVs para ampliar o sinal, e
pelo seu tamanho reduzido, permitiu que os circuitos eletrônicos também diminuíssem seu
tamanho.

Os transistores são dispositivos semicondutores capazes de amplificar um sinal eletrônico. Sua


invenção deu origem a diversas outras, como os Circuitos Integrados (CIs).

Podem ser utilizados como chaves eletrônicas, amplificadores de sinal, etc.

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Transistor não polarizado

• O transistor possui 3 regiões dopadas:


• Coletor
• Base
• Emissor

• Pode ser do tipo npn ou pnp

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Transistor não polarizado

• Transistor npn - níveis de dopagem:

• Emissor: fortemente dopado;

• Base: fracamente dopada;

• Coletor: Intermediário.

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Transistor não polarizado

• Transistor npn – Diodos emissor e coletor

O transistor possui duas junções, uma entre o emissor e a base (diodo-base emissor / emissor) e outra
entre o coletor e a base (diodo-base coletor / coletor).

Temos a formação de duas camadas de depleção, e para cada uma delas, a barreira de potencial é cerca de
0,7V para um transistor de Silício, e 0,3 V para um transistor de Germânio, a temperatura de 25°C.

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Transistor polarizado

Um transistor não polarizado pode ser visto como dois diodos de costas um para o outro.
Ao conectar uma fonte de tensão externa, obtemos a circulação de corrente em diferentes
partes do transistor.

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Transistor polarizado

• Elétrons do Emissor

O Emissor, fortemente dopado, emite e injeta elétrons livres na base.


A Base, fracamente dopada, transfere os elétrons livres do coletor para o emissor.

Observe que a fonte Vbb polariza diretamente o diodo emissor e a fonte Vcc polariza
reversamente o diodo coletor.

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Transistor polarizado

• Elétrons do Emissor

A maioria dos elétrons livres passara para o coletor, pois a base é fracamente dopada e muito
estreita.
Uma dopagem fraca significa que os elétrons livres tem um tempo de vida maior na região da
base, e a região estreita significa que os elétrons livres tem uma distância curta para chegar ao
coletor.

Por isso, quase todos os elétrons injetados pelo emissor passam da base para o coletor, e
poucos elétrons se recombinarão com as lacunas da base e circularão pelo resistor da base
para o lado positivo da fonte Vbb.

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Transistor polarizado

• Elétrons na Base

Quando a polarização direta é aplicada ao diodo emissor (base-emissor), os elétrons do


emissor ainda não entraram na base. Isso só irá acontecer se Vbb for maior que a barreira de
potencial base-emissor.

Conforme mencionado, a maioria dos elétrons


passarão ao coletor e poucos se recombinarão com
as lacunas e circularão pelo resistor da base do lado
positivo da fonte Vbb.

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Transistor polarizado

• Elétrons no Coletor

A maioria dos elétrons livres vai para o coletor, e uma vez dentro dele, são atraídos pela fonte
de tensão Vcc, e circulam por Rc até o terminal positivo da fonte.

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Transistor polarizado

• Resumindo,

A fonte Vbb polariza diretamente o diodo emissor, forçando os elétrons livres do emissor a
entrarem na base.

A base estreita e fracamente dopada, dá à quase todos os elétrons tempo de vida suficiente
para se difundirem no coletor.

Os elétrons entram no coletor e são atraídos pela fonte de tensão Vcc e circulam por Rc, até o
terminal positivo da fonte.

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Correntes no transistor

• Fluxo de Elétrons no Transistor

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Correntes no transistor

• Fluxo de Corrente no Transistor npn

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Correntes no transistor

• Fluxo de Corrente no Transistor pnp

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Correntes no transistor

• Relação entre as correntes

Pela Lei de Kirchhoff das correntes, a soma das correntes que entram em um nó ou junção é
igual a soma das correntes que saem desse nó ou junção.

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Correntes no transistor

• Relação entre as correntes

Como o emissor é a fonte de elétrons, ele tem a maior corrente.

A maioria dos elétrons circula do emissor para o coletor, então a corrente do coletor é quase
igual à corrente do emissor.

A corrente da base é sempre muito menor que as outras, quase sempre menor que 1% da
corrente do coletor.

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Alfa

• Alfa cc (α𝑐𝑐 )

É definido como a corrente do coletor dividida pela corrente do emissor.

Como a corrente do coletor é quase igual a corrente do emissor, para transistores de baixa
potência, α𝑐𝑐 normalmente é maior que 0,99, enquanto transistores de alta potência, α𝑐𝑐 é
tipicamente maior que 0,95.

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Beta

• Beta cc (β𝑐𝑐 )

É definido como a razão da corrente do coletor para a corrente da base.

β𝑐𝑐 também é chamado de ganho de corrente, porque uma baixa corrente da base controla
uma corrente muito maior do coletor.
Para transistores de baixa potência (abaixo de 1W), o ganho de corrente normalmente está
entre 100 e 300, enquanto transistores de alta potência, o ganho varia entre 20 e 100.

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Exercícios

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Conexão EC
Existem três maneiras de conectar um transistor:
• EC: Emissor comum
• CC: Coletor comum
• BC: Base comum

• Conexão Emissor Comum

O lado comum (terra) de cada fonte de tensão está conectado ao emissor.


O circuito possui duas malhas: a da esquerda é a malha da base e a da direita é a malha do
coletor.

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Conexão EC

Na malha da base, a fonte Vbb polariza o diodo emissor diretamente, com Rb limitando a
corrente.
Variando Vbb ou Rb, podemos variar a corrente da base e controlar a corrente do coletor.

Na malha do coletor, uma fonte de tensão Vcc polariza reversamente o diodo coletor, com Rc.
O coletor deve ser positivo para coletar os elétrons livres injetados na base!!!

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Conexão EC

A corrente da base circulando na malha esquerda produz uma tensão no resistor da base Rb,
contrária ao fluxo de corrente.
Da mesma forma acontece com Rc e a corrente do coletor na malha direita.

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Curva da Base

A curva da base 𝐼𝑏 𝑥 𝑉𝐵𝐸 se parece com a curva de um diodo comum.

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Curva da Base

Aplicando a Lei de Kirfchhoff das Tensões, temos:

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Curva da Base

Aplicando a Lei de Kirfchhoff das Tensões, temos:

Podemos utilizar a aproximação do diodo ideal, onde Vd = 0V ou a segunda aproximação, onde


Vd = 0,7V.
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Curva da Base

Exercícios

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Curvas do Coletor

A curva do coletor é dada por 𝐼𝑐 𝑥 𝑉𝐸𝐶 .


Definindo um valor para 𝐼𝑏 , podemos variar e medir 𝐼𝑐 e 𝑉𝐸𝐶 .

Quando 𝑉𝐸𝐶 for zero, o coletor não estará reversamente polarizado, e por isso, 𝐼𝑐 = 0 𝐴.

O aumento de 𝑉𝐸𝐶 faz com que 𝐼𝑐 também aumente, até um determinado valor, o qual
permanece quase constante.

Gráfico do transistor
2N3904

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Curvas do Coletor

Depois do diodo coletor se tornar reversamente polarizado, ele captura todos os elétrons que
chegam à camada de depleção.

Aumentar 𝑉𝐸𝐶 não pode aumentar mais a corrente do coletor, porque ele só pode capturar os
elétrons livres que o emissor injetou na base, que depende APENAS do circuito da base!

Se a tensão do coletor atingir o valor de ruptura, o transistor será danificado.

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Tensão e Potência do Coletor

A Lei de Kirchhoff das Tensões afirma que a soma das tensões em uma malha fechada é igual a
zero.
Aplicando no circuito do coletor, temos:

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Tensão e Potência do Coletor

A Lei de Kirchhoff das Tensões afirma que a soma das tensões em uma malha fechada é igual a
zero.
Aplicando no circuito do coletor, temos:

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Tensão e Potência do Coletor

A potência dissipada em um transistor é aproximadamente:

A potência dissipada é a causa do aumento de temperatura na junção do diodo coletor. Quanto


maior a potência, maior a temperatura na junção.
Os transistores queimam quando a temperatura da junção está entre 150 e 200°C.

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Regiões de operação

• Região Ativa:

O diodo emissor está diretamente polarizado


e o diodo coletor está reversamente
polarizado.

O coletor captura quase todos os elétrons


que o emissor injeta na base.

A variação de tensão no coletor não afeta a


corrente, que se mantém constante nessa
região.

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Regiões de operação

• Região de Ruptura:

O transistor nunca deverá operar nessa


região, pois ele será danificado!

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Regiões de operação

• Região de Saturação:

Nesta região, o diodo coletor tem uma


tensão positiva insuficiente para que o
coletor possa capturar os elétrons livres
injetados na base.

Também nesta região, a corrente da base 𝐼𝑏 é


maior que o normal e β𝑐𝑐 é menor que o
normal.

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Famílias de curvas do Coletor

Variando a corrente da base 𝐼𝑏 obteremos um conjunto de curvas para o coletor.

Na região ativa, a corrente do coletor é aproximadamente 100 vezes maior que a corrente da
base correspondente.

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Região de Corte

Na família de curvas do coletor, temos uma corrente 𝐼𝑐 que existe, mesmo quando 𝐼𝑏 é zero.
Essa corrente é composta por uma corrente reversa de portadores minoritários e uma corrente
de fuga da superfície.
Essa corrente chama-se corrente de corte do coletor e caracteriza uma região de corte.
normalmente essa corrente é muito baixa e pode ser desprezada.

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Aproximações para o transistor

• Aproximação ideal:
Visualizamos o diodo emissor como um diodo ideal (𝑉𝐵𝐸 = 0 𝑉) para calcular a corrente
da base.
O lado do coletor do transistor age como uma fonte de corrente que força uma corrente
no coletor com valor 𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 ∗ β𝑐𝑐 pelo resistor do coletor.

• Segunda aproximação:
Melhora a análise quando a fonte de alimentação da base é de baixo valor.
Para transistores de Silício, 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉 , e Germânio, 𝑉𝐵𝐸 = 0,3 𝑉 .
As correntes da base e do coletor serão ligeiramente menores que os seus valores ideais.

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