UFABC - EN2720 – Eletrônica Analógica Aplicada

Prof. Carlos Reis

Gabarito da Prova-1 realizada em 17/04/2014

Questão-1: No circuito da figura-1, os

transistores M1, M2 e M3 (MOS de canal-N) são
idênticos e polarizados conforme mostra a figura.
As fontes de corrente que os polarizam são ideais.
Em condições estáticas, quando o sinal de
corrente (ie) é nulo, o transistor M3 conduz Ip e
sua tensão entre gate e source é VGS0. O bloco
que interliga o dreno de M3 com a tensão Vo é um
amplificador de tensão, que tem um ganho A de
valor altíssimo.
Figura 1: circuito que tem um espelho de corrente na
Nestas condições, determine o ganho incremental, entrada e um conversor I-V na saída
(vo/ie).

Solução:
Como se trata de uma análise incremental, o circuito pode ser redesenhado acrescentando
para cada transistor os elementos auxiliares (parâmetros incrementais) re e rd. Ao mesmo
tempo, são aterradas as fontes de tensões constantes e excluídas as fontes de correntes
constantes.
As seguintes equações se aplicam ao
circuito ao lado, considerando que M1=M2:

vx vx
ie    vx   rd1 re1  ie
rd1 re1
O sinal de tensão vy corresponde às
variações incrementais de VGS0. Assim:

vx vy vo  vy  rd 2  1  rd 2  Rf  re1  rd1 
   vy    vo     ie
re2 rd 2 Rf  rd 2  Rf  re2  rd 2  Rf  re1  rd1 

Este sinal vy é amplificado pelo amplificador do tipo FONTE COMUM formado por M3, cujo
ganho de tensão é –(rd3/re3), e também pelo amplificador de ganho A. Ou seja:

 rd 
vo    3 A  vy   A  vy
 re3 
Substituindo na equação anterior, que relaciona vy com vo e ie, e considerando, ainda, que
re1=re2=re e rd1=rd2=rd, onde rd>>re, temos:
 rd 2  A rd 2  Rf re1  rd1
vo 1  A 
 rd 2  Rf  re2 rd 2  Rf re1  rd1
 
re1  1 
Como A  , vo  Rf   ie  vo  Rf  ie
re2  re1  1 
 rd 
 1 

Gabarito P1 1/3
Questão-2: No circuito da Figura 2, o transistor
M2 (MOS de canal-P) está polarizado de tal modo
que sua corrente de dreno, ID2, é 150 uA e a
tensão entre fonte e dreno, VSD2, é 3,5 V.
Considerando que variações na tensão Ve com
amplitude de 10 mV provocam variações na
tensão Vo com amplitude de 480 mV, determine
qual é a relação (W/L) do transistor M1.

Dados dos transistores:

Transistor M1: Transistor M2: Figura 2: Circuito integrado formado
KPN = 160 uA/V2 KPP = 60 uA/V2 por quatro transistores MOS
N = 0,0800 V-1 P = 0,0444 V-1

Solução:
Como VSD2=3,5 V, a tensão estática (polarização) na saída, Vo, é 1,5 V. Logo, a corrente
estática no resistor de 60 K é 25 uA. Consequentemente, a corrente que polariza M1 é
125 uA. Com estes dados de polarização, podem ser calculados os parâmetros incrementais
de interesse dos dois trasistores:
1 1
M1: re1  e rd1   100 K 
W  0, 0800 125 106
250 106  160 10
6

L 

1
M2: rd 2   150 K 
0, 0444 150 106

Estes parâmetros estão associados aos elementos auxiliares associados à análise

incremental do circuito, cujo diagrama esquemático é mostrado abaixo.

Neste circuito, se aplicam as equações:

ve vo vo 0  vo
  
re1 rd1 60 K rd 2

ve ve
Ou seja: vo    rd1 rd2 60K     30K 
re1 re1
vo
Como vo é 48 vezes maior que ve, então:  48
ve

Portanto, temos que:

vo 30 K 30 K
  48  re   625
ve re1 48

1 W
re1   625   64
W  L
250 106  160 10
6

L 

Gabarito P1 2/3
Questão-3: Assinale F (falso) ou V (verdadeiro) nas afirmações abaixo.

Falso AFIRMAÇÃO Verd.

Em um transistor MOS, que tenha o corpo (bulk) dopado N, o aumento da amplitude da tensão Vgb
indicada na Figura-3, aumenta o volume da região de depleção até o momento em que se inicia a inversão
de portadores livres.

No circuito mostrado na Fig.4, considerando que M1 e M2 são idênticos, Id2>Id1 devido ao efeito de
modulação de canal.

No circuito mostrado na Fig.4, considerando que M1 e M2 são idênticos, Id1>Id2 devido ao efeito de corpo.

No circuito mostrado na Fig.4, considerando que M1 e M2 são idênticos, Vth1<Vth2 devido ao efeito de
corpo.

A componente de difusão da corrente no canal, em um transistor MOS, é proporcional à variação da

concentração de portadores no canal.

Figura 3: Estrutura MOS

Figura 4: Circuito com dois transistors PMOS iguais.

Gabarito P1 3/3