A1.4.

– Introducción a la Física de
Semiconductores, Junturas y
Dispositivos Sólidos Activos.

NOTA : Guía para el estudio de esta publicación :

Extraer concepciones cualitativas simplificando los

desarrollos matemáticos.
 - Capítulo I -

Semiconductores
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 - Capítulo II -

Junturas P-N en equilibrio

termodinámico.
Al aumentar la temperatura, disminuye la relación entre mayoritarios y minoritarios
a ambos lados de la juntura. Vjo también disminuye.
 - Capítulo III -

Junturas P-N con polarización.

 - Capítulo IV -

Resumen de las nociones del

diodo ideal.
 - Capítulo V -

Características del diodo real.

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 Dependencia de la temperatura de las características del diodo idealizado.

En muchas aplicaciones de los diodos de unión y de los transistores es importante la

dependencia de la temperatura de la característica del diodo. Aunque la ecuación del diodo
VD / VT
idealizado ID = (I S e − 1) contiene explícitamente la temperatura absoluta en el
exponente VD/VT = q.VD / KT , la principal dependencia de la temperatura proviene de la
intensidad de saturación IS. La variación de IS con la temperatura se debe principalmente a
las grandes variaciones que experimentan las concentraciones de equilibrio de los portadores
minoritarios. Estas concentraciones están relacionadas con la concentración de portadores
intrínsecos y con las contaminaciones según:

pN0 ≅ ni2/ND nP0 ≅ ni2/NA (I)

En consecuencia, la intensidad de saturación es aproximadamente:

IS = Aqni2 ( DpN / NDLpN + DnP / NALnP ) (diodo largo) (II)

Siendo DpN y DnP los coeficientes de difusión de minoritarios en los materiales N y P

respectivamente, LpN y LnP sus longitudes de difusión; ND y NA las densidades de átomos de
impurezas de dichos materiales.

El factor entre paréntesis no depende mucho de la temperatura, por lo tanto la principal

dependencia de IS es debida a ni2 , que viene dada por:

ni2 = C.T3 e-Ego/KT (III)

donde C es una constante y Ego es el ancho de la zona prohibida extrapolado al cero

absoluto. Como Ego vale aproximadamente 0,8 eV en el germanio y 1,2 eV en el silicio;
mientras el valor de KT es de unos 25 meV a la temperatura ambiente, ni2 aumenta en gran
proporción con la temperatura. La dependencia con la temperatura de ni2 se puede
representar convenientemente mediante una gráfica de ln(ni2) en función de 1/T. Según la
ecuación (III):

ln(ni2) = ln(CT3) – (Ego/K).1/T (IV)

En lo que hace al funcionamiento de los dispositivos semiconductores, la dependencia con la

temperatura de ni2 proviene principalmente del segundo término de la ecuación (IV), de
modo tal que la representación de ln(ni2) en función de 1/T es aproximadamente lineal con
una pendiente (- Ego/K).

Derivando la ecuación (IV) se obtiene:

1/ni2 . d(ni2)/dT = 3/T + Ego / KT2 (V)

La variación relativa de IS por unidad de variación de temperatura, según las ecuaciones (II)
y (III), será aproximadamente igual a la de ni2, por lo cual:

dIS / IS d(ni2 )/ (ni2 ) 1 d(ni2 ) 3 Ego

≅ = 2 = + (VI)
dT dT ni dT T KT 2
A temperatura ambiente normal el primer término vale aproximadamente 1% por ºK,
mientras que el segundo vale cerca de 10% por ºK en germanio y 16% por ºK en silicio.

Planteado de otro modo, IS duplica su valor aproximadamente cada 10ºC en

junturas P-N de germanio, y cada 6ºC en las de silicio.

Por otra parte, trabajando a corriente constante y con ID >> IS , despejando VD de la

ecuación del diodo ideal y obteniendo la derivada parcial respecto a la temperatura surge:

dVD VD KT 1 dIS 1  E go 
= − ≅−  − V  (VII)
dT ID=cte T q IS dT T  q D 
 

dVD
El valor observado en la práctica para para junturas P-N de silicio
dT ID = cte
alrededor de temperatura ambiente normal es de –2mV/ºC aproximadamente.
 - Capítulo VI -

Efectos reactivos en una juntura

P-N.
Se analizarán los efectos reactivos en una juntura P-N, considerando
independientemente los fenómenos en la zona desierta y en las zonas
neutras.

1)- CAPACITANCIA DE JUNTURA

Supongamos que se aplica un incremento ∆vD positivo a la tensión

aplicada, que produce una disminución de ld.
Obviamente, la cantidad de electrones que salen del material N deberá
tener la misma carga que la cantidad de lagunas que salen del material P,
por neutralidad eléctrica del conjunto; es decir:

∆Qn = ∆Qp

Si bien los electrones y lagunas se movieron para neutralizar parte de la

zona desierta de sus respectivos materiales, a efectos de la fuente se
puede considerar a este sistema como si fuese un capacitor en el cual
existe corriente de desplazamiento en el interior del dieléctrico (el
silicio de la zona desierta en este caso).
Las variaciones de carga ∆Qn y ∆Qp, relacionadas con la modificación de
las longitudes de las zonas desiertas ∆ldP y ∆ldN, se corresponderían con
las cargas acumuladas en las “placas” de tal capacitor.

∆Qp = −qN A ∆Vol = − ∆Q zdP

∆Qn = −qND ∆Vol = − ∆Q zdN

Podemos entonces interpretar la carga almacenada producida por los

portadores mayoritarios que provienen de sus respectivos materiales como
la variación con signo cambiado de la carga producida por los iones de la
zona desierta.
De este modo, para el cálculo de la capacidad, es equivalente trabajar
con la carga que entra o con la disminución de la carga en la zona
desierta.

A este efecto capacitivo se lo denomina Capacitancia de juntura o

transición Cj.
dQ zd
Cj =
dVd Q

La capacitancia Cj se define como una derivada pues interesa su valor

para incrementos de tensión superpuestos o no a un corriente continua de
polarización.
El valor hallado depende de la tensión de reposo VDQ a partir del cual se
realiza el incremento y no puede obtenerse como QzD/VD dado que la
relación entre QzD y VD no es lineal.

Para una juntura abrupta:

Q zdN = q ND ldN l dN = k Vj0 − VD