Tecnolog�a

Fundamento f�sico
Un led comienza a emitir cuando se le aplica una tensi�n de 2-3 voltios. En
polarizaci�n inversa se utiliza un eje vertical diferente al de la polarizaci�n
directa para mostrar que la corriente absorbida es pr�cticamente constante con la
tensi�n hasta que se produce la ruptura.

El led es un diodo formado por un chip semiconductor dopado con impurezas que crean
una uni�n PN. Como en otros diodos, la corriente fluye f�cilmente del lado p, o
�nodo, al n, o c�todo, pero no en el sentido opuesto. Los portadores de carga
(electrones yhuecos) fluyen a la uni�n desde dos electrodos puestos a distintos
voltajes. Cuando un electr�n se recombina con un hueco, desciende su nivel de
energ�a y el exceso de energ�a se desprende en forma de un fot�n. La longitud de
onda de la luz emitida, y por tanto el color del led, depende de la anchura en
energ�a de la banda prohibida correspondiente a los materiales que constituyen la
uni�n pn.

En los diodos de silicio o de germanio los electrones y los huecos se recombinan

generando una transici�n no radiativa, la cual no produce ninguna emisi�n luminosa
ya que son materiales semiconductores con una banda prohibida indirecta. Los
materiales empleados en los ledes presentan una banda prohibida directa con una
anchura en energ�a que corresponde al espectro luminoso del infrarrojo-cercano (800
nm - 2500 nm), el visible y el ultravioleta-cercano (200-400 nm). El desarrollo de
los ledes dio comienzo con dispositivos de luz roja e infrarroja, fabricados con
arseniuro de galio (GaAs). Los avances en la ciencia de materiales han permitido
construir dispositivos con longitudes de onda cada vez m�s peque�as, emitiendo luz
dentro de una amplia gama de colores.

Los ledes se suelen fabricar a partir de un sustrato de tipo n, con uno de los
electrodos unido a la capa de tipo p depositada sobre su superficie. Los sustratos
de tipo p tambi�n se utilizan, aunque son menos comunes. Muchos ledes comerciales,
en especial los de GaN/InGaN, utilizan tambi�n el zafiro (�xido de aluminio) como
sustrato.

La mayor�a de los materiales semiconductores usados en la fabricaci�n de los ledes

presentan un �ndice de refracci�n muy alto. Esto implica que la mayor�a de la luz
emitida en el interior del semiconductor se refleja al llegar a la superficie
exterior que se encuentra en contacto con el aire por un fen�meno de reflexi�n
total interna. La extracci�n de la luz constituye, por tanto, un aspecto muy
importante y en constante investigaci�n y desarrollo a tomar en consideraci�n en la
producci�n de ledes.

�ndice de refracci�n

Ejemplo idealizado de los conos de luz producidos en una pieza de material

semiconductor para una emisi�n procedente de un solo punto. La luz emitida por
fuera de estos conos no puede salir fuera de la pieza. La ilustraci�n de la
izquierda representa una pieza formada por dos capas completamente trasl�cidas
mientras que la de la derecha muestra los �medios conos� formados cuando la capa
superior es trasl�cida y la capa del fondo es completamente opaca. Realmente, la
luz se emite de igual forma en todas las direcciones del espacio desde la fuente,
por lo que los espacios existentes entre los conos muestran que gran parte de la
energ�a luminosa emitida por la fuente es atrapada dentro de la muestra y se pierde
en forma de calor.
La mayor�a de los materiales semiconductores usados en la fabricaci�n de los ledes
presentan un �ndice de refracci�n muy elevado con respecto al aire. Esto implica
que la mayor�a de la luz emitida en el interior del semiconductor se va a reflejar
al llegar a la superficie exterior que se encuentra en contacto con el aire por un
fen�meno de reflexi�n total interna.
Este fen�meno afecta tanto a la eficiencia en la emisi�n luminosa de los ledes como
a la eficiencia en la absorci�n de la luz de las c�lulas fotovoltaicas. El �ndice
de refracci�n del silicio es 3.96 (a 590 nm),47? mientras que el del aire es
1,0002926.47? La extracci�n de la luz constituye, por tanto, un aspecto muy
importante y en constante investigaci�n y desarrollo a tomar en consideraci�n en la
producci�n de ledes.

En general, un chip semiconductor led de superficie plana sin revestir emitir� luz
solamente en la direcci�n perpendicular a la superficie del semiconductor y en unas
direcciones muy pr�ximas, formando un cono llamado cono de luz48? o cono de
escape.49? El m�ximo �ngulo de incidencia que permite escapar a los fotones del
semiconductor se conoce como �ngulo cr�tico. Cuando se sobrepasa este �ngulo, los
fotones ya no se escapan del semiconductor pero en cambio son reflejados dentro del
cristal del semiconductor como si existiese un espejo en la superficie exterior.49?

Debido a la reflexi�n interna, la luz que ha sido reflejada internamente en una

cara puede escaparse a trav�s de otras caras cristalinas si el �ngulo de incidencia
llega a ser ahora suficientemente bajo y el cristal es suficientemente transparente
para no reflejar nuevamente la emisi�n de fotones hacia el interior. Sin embargo,
en un simple led c�bico con superficies externas a 90 grados, todas las caras
act�an como espejos angulares iguales. En este caso, la mayor parte de la luz no
puede escapar y se pierde en forma de calor dentro del cristal semiconductor.49?

Un chip que presente en su superficie facetas anguladas similares a las de una joya
tallada o a una lente fresnel puede aumentar la salida de la luz al permitir su
emisi�n en las orientaciones que sean perpendiculares a las facetas exteriores del
chip, normalmente m�s numerosas que las seis �nicas de una muestra c�bica.50?

La forma ideal de un semiconductor para obtener la m�xima salida de luz ser�a la de

una microesfera con la emisi�n de los fotones situada exactamente en el centro de
la misma, y dotada de electrodos que penetraran hasta el centro para conectar con
el punto de emisi�n. Todos los rayos de luz que partieran del centro ser�an
perpendiculares a la superficie de la esfera, lo que dar�a lugar a que no hubiera
reflexiones internas. Un semiconductor semiesf�rico tambi�n funcionar�a
correctamente puesto que la parte plana actuar�a como un espejo para reflejar los
fotones de forma que toda la luz se podr�a emitir completamente a trav�s de la
semiesfera.51?

Revestimientos de transici�n