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Présenté par :
MARICH Mohamed
Spécialité : Electrotechnique.
/ / Co-Encadrant /
Je suis profondément honoré par le fait que le jury devant lequel je vais défendre
ma thèse sera présidé par le professeur Abdelhalim TAIEB BRAHIMI, Doyen de
la faculté de Génie Électrique de l’Université des Sciences et de la Technologie
d’Oran, Mohamed Boudiaf. Je lui en remercie infiniment d’avoir accepté
d’examiner mon travail.
Je mesure tout l'honneur qu'a bien voulu me faire, Monsieur Amar TILMATINE,
professeur à l’Université Djilali Liabès de Sidi Bel-Abbès en acceptant
d'examiner cette thèse. Qu'il trouve ici l'expression de mon profond respect.
Je dois à mes parents beaucoup de ce que je suis devenu. Je les remercie pour
leur amour, leur soutien et leur confiance. Mon père a toujours placé l'éducation
comme la première priorité dans ma vie et m’a incité à fixer des très hauts
objectifs pour moi même. Il m'a appris à mettre l'honnêteté et le courage au-
dessus de toutes les autres vertus.
ﻛﻠﻤﺎت ﻣﻔﺘﺎﺣﯿﮫ:
اﻟﺠﮭﺪ اﻟﻌﺎﻟﻲ ،اﻟﻌﻮازل ،اﻟﺘﻠﻮث ،اﻻﻟﺘﻔﺎف ،اﻟﺘﺤﻠﯿﻞ اﻟﺒﻌﺪي ،ﻧﻤﻮذج ، ANNﻧﻤﻮذج
، ANFISاﻟﻨﻤﺬﺟﺔ ، MEF ،اﻟﻜﻤﻮن اﻟﻜﮭﺮﺑﺎﺋﻲ ،اﻟﻤﺠﺎل اﻟﻜﮭﺮﺑﺎﺋﻲ ،درﺟﺔ اﻟﺤﺮارة ،ﻗﻄﯿﺮة
اﻟﻤﺎء.
Validation of new methods for modelling the
flashover of polluted insulators
Abstract:
Key words: High Voltage, Insulators, Pollution, flashover, Dimensional Analysis, ANN Model,
ANFIS Model, Modelling, MEF, Electrical Potential, Electric Field, Temperature, Water Droplet.
RESUME
Mots-Clés:
Haute tension, Isolateurs, Pollution, Contournement, Analyse dimensionnelle, Modèle ANN, Modèle ANFIS,
Modélisation, MEF, Potentiel électrique, Champ électrique, Température, Gouttelette d’eau.
TABLE DES MATIERES
RESUME
LISTE DES ABREVIATIONS ET DES SYMBOLES
LISTE DES FIGURES DES TABLEAUX
CHAPITRE I
ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES,
MODELES ET CRITERES DE CONTOURNEMENT
CHAPITRE II
INFLUENCE DES CONSTANTES DE L’ARC SUR LA TENSION
DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS POLLUES
II.1 Introduction…………………………………………………………………………………………………….………. 35
II.2 Objectifs et intérêts de l’analyse dimensionnelle……………………………………………………..… 36
II.3 Modèle mathématique…………………………………………………………………………………………...… 36
II.4 Essais expérimentaux……….……………………………………………………………………………..…......... 38
II.5 Détermination des constantes du modèle…………………………………………………………..……… 39
II.6 Résultats et discussions……………………………………………………………………………………………. 40
II.6.1 Influence de la sévérité de pollution (ESDD)………………………….……………………….…... 40
II.6.1 Influence de du facteur adimensionnel…………..………………………………………………….... 41
II.7 Conclusion……………………………………………………………………………………………………………… 43
CHAPITRE III
PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS
POLLUES PAR LES METHODES D’INTELLIGENCE ARTIFICIELLE
III.1 Introduction…………………………………………………………………………………………………………….. 44
III.2 Réseaux de neurones artificiels (RNA)……………………………………………………………………… 45
III.2.1 Structure d'un neurone…………………………………………………………………………................... 45
III.2.2 Modèle mathématique d'un neurone artificiel………………………………………................... 46
III.2.3 Fonctions d’activation………………………………………………………………………………………… 48
III.2.4 Architecture des réseaux de neurones…………………………………………………………………. 48
TABLE DES MATIERES
III.5 Elaboration d’un modèle des réseaux neurones artificiels (ANN) et un modèle ANFIS
pour la prédiction de la tension de contournement………………………………………………………….. 62
CHAPITRE IV
MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE
ET ELECTROTHERMIQUE DES ISOLATEURS POLLUES
IV.1. Introduction………………………………………….………………………………………………………………… 71
IV.2. Méthodes de calculs…………………………………………………………………………………………… 72
IV.2.1. Méthodes expérimentales……………………………………………………………………………… 72
IV.2.1.1. Méthodes de mesure directe du potentiel…………………………………………………. 72
IV.2.1.2. Méthodes de mesure par compensation…………………………………………………… 73
IV.2.2. Méthodes théorique……………………………………………………………………………………….. 74
IV.2.2.1. Equations de base: Poisson et Laplace……………………………………………………….. 74
IV.2.2.2. Conditions aux limites………………………………………………………………………………. 75
TABLE DES MATIERES
CHAPITRE V
MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSES
SUR LA SURFACE DES ISOLATEUR AERIENS
AD Analyse Dimensionnelle
ρp Résistivité volumique de la couche de pollution
A et n Constantes de l’arc
Ic Courant critique de contournement
Xc Longueur critique de l'arc
Uc Tension critique de contournement
ANN Artificial Neural Networks
FL Fuzzy Logic
ANFIS Adaptive Neuro-Fuzzy Inference System
RMSE Root Mean Square Error
R2 Coefficient of determination
MAPE Mean Absolute Percentage Error
trimf Fonction triangulaire
gaussmf Fonction gaussienne
gbellmf Fonction bell-shaped
trapmf Fonction trapé-zoïdale
TSK Takagi Sugeno
FEM Finite Element Method
rd Rayon du pied d'arc
ESDD Densité de dépôt de sel équivalente
Lf Ligne de fuite
Rp Résistance de la couche polluante
F Facteur de forme
U Tension appliquée
Ve Chute de tension totale aux bornes des électrodes
Varc Tension d’arc
X Longueur de l'arc
rp Resistance linéique de la pollution
M.S.C Méthode de Simulation de Charges
E.D.P Equations aux dérivées partielles
M.D.F Méthode des Différences Finies
ρ Masse volumique
Cp Capacité thermique
k Conductivité thermique
Q Densité de source de chaleur
div Divergence
grad Gradient
σS Conductivité surfacique de la couche de pollution
εr Permittivité de l’isolant
Sp Section de la couche polluée
Rd Resistance de la décharge
r(x) Rayon d’un isolateur réel
Ep Champ électrique dans la pollution
Ed Champ électrique dans la décharge
LISTE DES FIGURES ET DES TABLEAUX
Figure V.33 Evolution du champ électrique résultant pour différentes formes 135
d’une gouttelette d’eau de conductivité σ = 0.055 μS/cm……………….…
Figure V.34 Distribution du champ électrique dans les différentes régions de la
géométrie du modèle étudié en présence d’une paire de gouttelettes 136
Figure V.35 Evolution du champ électrique résultant sur la surface du modèle
étudié en présence d’une paire de gouttelettes…………................................ 136
Figure V.36 Evolution du potentiel électrique sur la surface du modèle étudié en
présence d’une paire de gouttelettes ……………………………………………... 137
Figure V.37 Distribution du champ électrique dans les différentes régions de la
géométrie étudiée en présence d’une paire de gouttelettes …………….. 138
Figure V.38 Effet de la distance de séparation des gouttelettes sur le champ
électrique maximal……………...………………………………………………………… 138
Figure V.39 Exemple des configurations étudiées des gouttelettes d’eau ……...……. 139
Figure V.40 Maillage des configurations……………………………………………………………. 139
Figure V.41 Distribution du champ électrique dans les différentes régions de la
configuration de cinq gouttelettes….................................................................... 139
Figure V.42 Distribution du potentiel électrique dans les différentes régions de la
configuration de vingt-un gouttelettes ………………………………………... 140
Figure V.43 Distribution du champ électrique dans les différentes régions de la
configuration de vingt-un gouttelettes …………………………………………… 140
Figure V.44 Evolution du champ électrique résultant sur la surface du modèle
étudié différentes configurations de gouttelettes ……………………………. 142
Figure V.45 Formes réelles des gouttelettes……………………………………………………… 143
Figure V.46 Formes des gouttelettes simulées…………………………………………………... 143
Figure V.47 Evolution du champ électrique résultant pour différentes formes
d’une gouttelette d’eau de conductivité σ = 0.055 μS/cm………………… 143
Figure V.48 Distribution du potentiel sur la surface d’une plaque isolante sèche
en silicone pour différentes épaisseurs…………………………………………… 145
Figure V.49 Distribution du potentiel sur la surface d’une plaque isolante en
silicone pour différentes épaisseurs..……………………………………………… 145
Figure V.50 Evolution du champ électrique résultant pour différentes épaisseurs 146
Figure V. 51 Evolution du champ électrique résultant pour différentes épaisseurs
de la plaque isolante ……………………………………………………………………… 147
Figure V.52 Distribution du potentiel sur la surface de la plaque isolante pour
différents matériaux……………………………………………………………………… 148
Figure V.53 Distribution du potentiel sur la surface de la plaque isolante pour
différents matériaux et en présence d’une gouttelette ……………………. 148
Figure V.54 Distribution du champ électrique sur la surface de la plaque isolante
pour différents matériaux………………………………………………………………. 149
Figure V.55 Evolution du champ électrique sur la surface de la plaque isolante en
présence d’une gouttelette d’eau pour différents matériaux…………….. 149
Figure V.56 Evolution du champ électrique sur la surface de la plaque isolante en
présence d’une gouttelette d’eau ………....………………………………………… 150
LISTE DES FIGURES ET DES TABLEAUX
Les isolateurs sont parmi les composants les plus importants des réseaux
aériens de transport et de distribution de l'énergie électrique puisqu'ils assurent
à la fois le support mécanique des parties portées à la haute tension et l'isolation
électrique de ces dernières avec les parties mises à la terre. Premièrement
conçus en verre et en céramique, la fabrication des isolateurs a connu, à travers
les années, une évolution notable, et ce, dans le but d'accroître leur performance
quelles que soient les conditions météorologiques et environnementales
auxquelles ils sont exposés [1-2]. En effet, une perturbation de l’isolation
électrique assurée par l'isolateur peut entraîner, dans certaines circonstances,
son contournement et, donc, un risque majeur sur la fiabilité et le
fonctionnement du système de transmission de l'énergie électrique par lignes
aériennes. Les isolateurs des lignes et de postes de transport d’énergie électrique
sont le siège de plusieurs contraintes. Entre autres, la pollution des isolateurs
constitue l’un des facteurs de première importance dans la qualité et la fiabilité
du transport d’énergie.
Lorsqu'il y a humidification de la pollution par la pluie, le brouillard ou la rosée,
il y a formation d'un film électriquement conducteur, qui permet la circulation
d'un courant de fuite. Des assèchements locaux de la couche de pollution
apparaissent suite à ce passage de courant. Lorsqu'une zone sèche apparait, la
tension initialement appliquée aux bornes de l'isolateur se trouve donc reportée
aux extrémités de celle-ci. La répartition de potentiel à la surface de l'isolateur
est fortement modifiée et des arcs locaux sont susceptibles de s'amorcer. Ces
arcs peuvent s'allonger jusqu'au contournement de l'isolateur, ce qui entraîne un
court-circuit et une interruption du transport d'énergie électrique. En outre, les
amorçages d'arcs peuvent engendrer des dégradations de l'isolateur. En face des
difficultés causées par la pollution, plusieurs méthodes de lutte sont utilisées : le
lavage ou le graissage des isolateurs, par exemple. Cependant ces opérations sont
coûteuses. Par conséquent, la meilleure solution consiste à déterminer un
isolement qui permet d'éviter les contournements, en particulier par le choix
d'isolateur ayant une bonne tenue sous pollution [3].
Dans ce cadre, divers modèles mathématiques de contournement ont été
développés [3-7]. La plupart de ces modèles sont basés sur le modèle simple
d'Obenaus qui consiste à mettre en série avec un arc de longueur ‘x’ une
résistance qui simule la couche de pollution. Cependant, le traitement
mathématique de ces différents modèles nécessite l'utilisation d'hypothèses
simplificatrices : géométrie unidimensionnelle, résistivité uniforme, par
exemple…etc. Aussi ne permettent-ils simplement que de dégager les grandes
lignes du comportement des isolateurs sous pollution. Lorsqu'il s'agit d'évaluer
les performances de différents isolateurs, il est indispensable de réaliser des
essais [3].
1
INTRODUCTION GENERALE
2
INTRODUCTION GENERALE
Enfin, nous terminons notre mémoire par une conclusion générale représentant
une synthèse globale de notre travail et des perspectives.
3
CHAPITRE I
I.1 Introduction
Les lignes aériennes et les postes des réseaux de transport d’énergie électrique
sont exposés à diverses contraintes. Parmi celles-ci, la pollution des isolateurs qui
constitue l’un des facteurs de première importance dans la qualité et la fiabilité du
transport d’énergie.
Les isolatrices hautes tensions se couvrent d’une couche de pollution qui provient de
l’atmosphère. Associée à la rosée de matin, à la pluie, ou au brouillard, cette couche de
pollution devient conductrice et sera le siège de passage d’un courant de fuite vers la
masse des pylônes. Ainsi, la répartition du potentiel est modifiée d’une façon
significative et des arcs partiels peuvent apparaître [12,13]. Ces derniers peuvent
évoluer jusqu'au contournement total de l’isolateur. Les conséquences du
contournement vont de la détérioration de la surface de l’isolateur à la mise hors service
de l'équipement haute tension. Ainsi, une des caractéristiques principales d’un isolateur
haute tension sera donc sa tenue au contournement en fonction de l’environnement
dans lequel il est utilisé [14].
4
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
I.2 Isolateurs
I.2.1 Définition et rôle d’un isolateur
L’isolateur est constitué d’un matériau isolant solide présentant une très grande
impédance au passage du courant électrique et dont la conductibilité est pratiquement
nulle. Il est utilisé pour isoler les conducteurs afin d’empêcher les courts-circuits, les
pertes de courant à la terre et les dangers d’électrocution [15].
Donc les isolateurs sont des composants indispensables au transport et à la distribution
de l’énergie électrique. Leur rôle est de réaliser une liaison mécanique entre des
conducteurs portés à des potentiels différents accrochés aux pylônes des lignes
aériennes et de maintenir les conducteurs dans la position spécifiée (isolateurs
d’alignement et d’ancrage). Ils assurent la transition entre l’isolation interne (huile, SF6)
et l’isolation externe (air atmosphérique), ils permettent de raccorder les matériels
électriques au réseau (traversées de transformateur, extrémités de câbles) et ils
constituent, également, l’enveloppe de certains appareils (disjoncteurs, parafoudres,
réducteurs de mesure) [16].
Du point de vue électrique, l’isolateur est considéré comme deux électrodes dont
l’intervalle comporte trois zones constituant trois isolants en parallèle ayant des
comportements différents, qui sont les suivants [17, 18] :
L’intervalle d’air.
Le matériau diélectrique.
L’interface air - matériau diélectrique.
5
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
très facile des défauts. On trouve deux types de verre pour la fabrication des isolateurs :
le verre trempé et le verre recuit.
verre recuit
A surtout été utilisé pour faire des isolateurs rigides, mais on s’est aperçu que les
isolateurs un peu épais ne résistaient pas aux variations brusques de température. De
plus, le verre recuit ne supporte que des tensions mécaniques relativement faibles, ce
qui interdit son emploi pour les isolateurs de suspension [19].
verre trempé
Le verre trempé présente une contrainte mécanique en traction environ 5 à 6 fois
plus grande que celle du verre recuit et peut supporter des variations brusques de
température pouvant atteindre 100°C [20,21].
Ces dernières années, on s’intéresse de plus en plus à l'utilisation des isolateurs
en matériaux synthétique. Il faut signaler les développements faits dans le monde en vu
de réaliser des isolateurs fiables avec ces matériaux.
Matériaux synthétiques
Ces isolateurs (Figure I.1), dits composites, sont constitués d’une âme réalisée en
fibre de verre imprégnée de résine, donnant à l’isolateur sa tenue mécanique, et d’une
enveloppe en matériaux synthétiques isolants. Les revêtements ayant un comportement
satisfaisant sous contraintes électriques sont certaines résines cycloaliphatiques
(chargées au trihydrate d’alumine), des caoutchoucs synthétiques (silicones ou EPDM :
éthylpropyldimonomère) ou des polytétrafluoroétylènes (Téflon). Ces revêtements
évitent tout cheminement carboné en surface sous l’effet de contraintes électriques mais
sont soumis à une érosion superficielle plus ou moins rapide selon leur constitution
[19].
Ces isolateurs présentent l’avantage d’une grande légèreté alliée à une haute
résistance mécanique que leur confère le noyau (Figure. I.11.a). Ils ont de bonnes
propriétés hydrophobes et peuvent être utilisés dans des conditions de pollution très
sévères.
Cependant, ces isolateurs vieillissent sous l’effet des différentes contraintes
auxquelles ils sont soumis (électriques, mécaniques, atmosphériques…) ce qui constitue
un désavantage dans leur utilisation [20,21] (Figure. I.11.b).
a. neuf b. vieilli
Figure I.1 Isolateurs synthétiques.
6
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
7
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
ligne, mais qui accidentellement pourront devenir très élevées pour des conditions
d’ambiance particulière.
C’est d’ailleurs la connaissance de ces contraintes dites accidentelles qui permet
de choisir le matériel le mieux adapté [23].
Parmi les contraintes affectant le bon fonctionnement des isolateurs nous citons
la pollution. En effet, celle-ci constitue un sérieux problème sur l’isolement des ouvrages
de haute tension, dont il faut tenir compte lors du dimensionnement de l’isolement des
lignes de haute tension. Ceci est dû à la formation de couches plus ou moins conductrices
sur la surface de l’isolateur. Ces couches peuvent engendrer une diminution
considérable de la résistivité superficielle des surfaces isolantes et par suite la
diminution de la tension de tenue des isolateurs.
I.3. Pollution
Un isolateur placé à l’extérieur est exposé aux différents agents constituants
l’atmosphère qui le contamine. Cette contamination se manifeste par l’accumulation
d’un dépôt de pollution à sa surface [24].
On entend, par pollution, les particules solides qui se trouvent dans l’atmosphère et qui
se déposent sur la surface de l’isolateur [24]. Donc la pollution des isolateurs est un
facteur essentiel dont il faut tenir compte dans la conception des lignes électriques de
haute tension de transport d’énergie électrique.
A) Pollution marine
Les installations situées en bord de mer sont exposées aux embruns portés par le
vent et qui se déposent progressivement sur les isolateurs, formant une couche de
pollution de sel qui devient conductrice lorsqu’elle est humidifiée par le brouillard ou
simplement par condensation. Un courant de fuite s’établit alors à travers la couche
superficielle et des arcs électriques peuvent prendre naissance. Dans certaines
conditions, ils se développent jusqu’à provoquer le contournement total de l’isolateur
[26].
8
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
B) Pollution désertique
La pollution désertique est caractérisée surtout par les dépôts de sable se formant
à la surface des isolateurs après les vents de sable. Une fois humidifiés, ces dépôts
deviennent plus ou moins conducteurs (en fonction des concentrations en sels solubles
qu'ils contiennent) et engendrent la circulation d'un courant de fuite qui apparaît
brusquement et qui est suivi par l'apparition d'arcs partiels qui peuvent conduire au
contournement total de l’isolateur s’ils rejoignent les deux électrodes [25].
Niveau et taux
Description de l’environnement
de pollution
9
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
10
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
11
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
= (I.1)
. .
Cette relation a été confirmée récemment par Farokhi [40] en effectuant les mesures
optiques pour le cas d’isolateurs pollués avec du givre et il montre que le diamètre qui
assure la conduction peut être approximé par la relation donnée par Wilkins.
12
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
Uarc Rp(X)
X L-X
I
L
U
13
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
−
= = (I.3)
−
= = (I.4)
Avec et n des constantes empiriques qui caractérisent l’état statique de l’arc, leur
valeur dépendent du milieu dans lequel brûle la décharge. Elles varient selon les
auteurs. De façon générale : 0.40 ≤ n ≤ 1 et 3 ≤ A ≤ 500 [tableau I.2].
Ainsi, on obtient l’équation de la tension totale appliquée au système :
− ( )
= + + (I.5)
14
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
( )= ( − ) (I.6)
= + ( − ) (I.7)
Ou encore :
= + ( − ) (I.8)
1
=( ) +1 (I.9)
Et : = (I.10)
+1
D’où l’expression de la tension critique de contournement :
(1 +1) ( +1)
= (I.11)
La décharge électrique prend naissance dans les zones sèches et se déplace vers les
zones humides (Figure. I.3-b).
Cette décharge s’amorce d’une façon aléatoire le long de la zone sèche et aucune
position n’est privilégiée par rapport à une autre.
Dans le cas d’une alimentation continue, l’aspect de la décharge dépend de la polarité
de l’électrode qui se trouve juste a proximité de la décharge (en cas de zone humide).
Il semblerait que l’anode provoque une décharge de type luminescente. La cathode,
15
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
16
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
0.4
= 23 (I.12)
1 −3
U= α + (β + x) V ( ) (I.13)
δ
17
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
Ces auteurs ont montré que pour un modèle d’isolateur plan (Figure. I.4), la tension
d'arc empirique est de la forme:
Avec :
X : longueur d’arc
I : le courant de fuite.
18
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
I.5.2.1.2. Propagation
tion par force électrostatique
A partir des observations faites sur un canal d’électrolyte, Rahal [53] a essayé de
mettre en évidence l’existence d’une force électrostatique s’exerçant sur la décharge,
responsable du déplacement de l’arc. Il a démontré que du point de vue électrique
macroscopique, cette force était due à la dissymétrie de la distribution du potentiel, elle-
même causée par le passage du courant dans le liquide couvrant la surface isolante.
Cette force va provoquer la courbure de la décharge vers l’électrode de masse (Figure
I.6). Une fois les conditions critiques satisfaites, la décharge
décharge se déplacera alors vers
l’électrode de masse.
D’après l’auteur, l’existence de cette force implique en effet, que l’on considère la
décharge comme un élément de circuit doué d’une certaine auto auto-consistance
macroscopique et susceptible de s’étirer de façon plus ou moins élastique. [[53]
19
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
Dans une analyse critique sur les différents mécanismes de propagation de la décharge
présents dans la littérature, Flazi [4] [ ] ne pouvant pas identifier un phénomène
élémentaire de rupture diélectrique d’un intervalle gazeux sur le trajet du
contournement, au sens de la physique de la décharge, a du se ramener à une approche
plus globale du phénomène, à savoir le mécanisme de la propagation par ionisation
progressive. Ainsi, il a déduit que l’augmentation du degré d’ionisation à l’intérieur de la
décharge et le démarrage des processus d’ionisation devant elle, sont les facteurs
responsables dee l’allongement et du changement que subit la décharge, dans ses aspects et
ses états dynamiques.
20
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
21
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
nécessaire pour que se produise le contournement est que le gradient de potentiel dans
l’électrolyte Ep dépasse le gradient à l’intérieur de l’arc Ea.
EP Ea (I.16)
dI
0 (I.17)
dx
dI
0 (I.19)
dx
On retrouve le critère d’Hesketh.
22
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
système qui se déduit d’une petite variation de la longueur d’arc sous la forme
différentielle suivante :
dU arc dR
dU .dX I . P .dX
(I.21)
dX dX p
I P I
Où :
X: longueur de l’arc
Xp : longueur de la couche de pollution.
A partir de l’hypothèse que l’arc se déplacera si dU<0 (instabilité mécanique), on
remarque que pour une résistance de pollution uniforme le critère de Nacke rejoint celui
d’Hampton.
Wtot ( E d I d P0 ) t (I.24)
<0 (I.25)
23
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
2 +1
= − (I.26)
1
+1
= +1 (I.27)
1
+1
= +1 (I.28)
0.4
= 23 (I.29)
24
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
2
(1) (2)
Figure I.8 Isolateur étudié (1) et son modèle discrétisé par la MEF (2)
1
Pour chaque niveau de tension appliquée, si le critère de Hampton est vérifié entre
chaque deux nœuds voisins présents sur la ligne de fuite du modèle géométrique
discrétisé par la MEF (figure I.9-2),
I. un arc est créé entre ces deux nœuds.
Dans ces conditions, ces derniers sont alors au même potentiel, car de par leur
proximité, la chute de tension dans l'arc peut être négligée.
négligée La phase suivante consiste à
accroître la tension appliquée avec les nouvelles
nouvelles conditions aux limites imposées sur les
nœuds et à recalculer, par la suite, le champ électrique entre deux nœuds voisins pour
valider ou non le critère d’Hampton. Ce processus de calcul, qui est poursuivi jusqu'au
contournement total de l'isolateur,
l'isolateu c'est-à-dire
dire lorsque la longueur de l’are électrique est
égale à la longueur de la ligne de fuite de l'isolateur.
25
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
26
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
Electrolyte
La masse h
e
Electrolyte
La masse
27
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
Bande sèche
Électrode HT
Electrode de masse
Disque en Plexiglas
Électrode H.T
Bande sèche
Électrode de
masse
28
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
29
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
Où : x est la distance entre l’électrode haute tension et un point sur la ligne de fuite. r(x)
est le rayon d’un cercle passant par un point sur la ligne de fuite. Y(x) est la distance
verticale dans le modèle ouvert figure I.16.
Figure
ure I.18 Modèle ouvert d’un isolateur réel.
Etant donné que la distribution du potentiel sur la surface des isolateurs pollués a une
influence importante dans le phénomène de contournement, nous avons procédé les
étapes suivantes pour calculer le potentiel en chaque point le long de la ligne de fuite de
l’isolateur :
30
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
Où :
li : est un élément de la ligne de fuite.
Lf : est la ligne de fuite de l’isolateur.
Avec :
Ri : la résistance élémentaire.
Y(l) : la distance verticale dans le modèle ouvert figure I.18.
Rt : la résistance totale de la couche de pollution.
σs : la conductivité surfacique.
Le courant de fuite I qui circule dans la couche de pollution peut être calculé à partir
de la tension appliquée U et de la résistance totale en utilisant la relation :
I U / Rt (I.35)
Nous pouvons maintenant calculer le potentiel Vi dans n’importe quel point formant
la surface de l’isolateur par la formule suivante :
n
Vn I i 1
Ri (I.36)
Pour calculer la longueur totale de la ligne de fuite, il faut déterminer l’ensemble des
segments entre deux nœuds consécutifs qui constituent la ligne de fuite totale de
l’isolateur réel (3D). Pour cela, on a utilisé la méthode d’interpolation cubique
appelée ‘Spline Cubique’ entre deux nœuds de coordonnés (xi, yi) et (xi+1, yi+1) qui
constituent la géométrie de l’isolateur réel [73].En appliquant cette méthode, la
longueur de chaque segment de la ligne de fuite entre les points i et i +1 de la boucle
de pollution est calculée par la relation suivante:
= ( − ) +( − ) (I.37)
31
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
Et la longueur totale de la ligne de fuite de l’isolateur sera la somme de tous les segments
calculés par la relation (I.38) :
= ∑ =1 (I.38)
Ce modèle a été validé par des essais expérimentaux par la mesure de la résistance
totale de la couche de pollution et la tension critique de contournement en les
comparants aux résultats trouvés sur un isolateur réel 3-D [71].
32
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
33
CHAPITRE I ETAT DE L’ART : ISOLATEURS, POLLUTION, DECHARGES………………………………………
I.7. Conclusion
Nous avons présenté dans ce chapitre un résumé d’une étude bibliographique sur les
isolateurs en précisant leur rôle et leurs différents types, ainsi que la pollution qui
représente l’une des contraintes auxquelles sont soumis les isolateurs des réseaux
électriques en présentant ses différents niveaux. Dans la deuxième partie de ce chapitre,
nous avons présenté les différents modèles théoriques et expérimentaux trouvés dans la
littérature pour la modélisation du phénomène de contournement, et les principaux
critères qui régissent l’évolution de la décharge.
Au cours de cette partie nous pouvons dire que :
34
CHAPITRE II
DETERMINATION DE LA TENSION DE
CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS
POLLUES PAR LA METHODE DE L’ANALYSE
DIMENSIONNELLE
CHAPITRE II DETERMINATION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT…………………………………
II.1 Introduction
L’analyse dimensionnelle est un outil efficace pour aborder des procédés complexes
dans lesquels de fortes interactions entre des phénomènes de différentes natures
existent. Elle permet également de formuler des hypothèses simples sur les
grandeurs qui gouvernent l’état d’un système physique, en recherchant la forme
générale de l’équation régissant les phénomènes. Grâce à la propriété d’homogénéité
des équations, c’est-à-dire à leur indépendance par rapport aux unités, un système
équivalent de variables sans dimension peut être formé à partir des relations entre
les variables dimensionnelles du problème à traiter. Cette opération permet de
réduire le nombre de variables décrivant le problème physique en ne considérant que
des paramètres adimensionnels. Cet outil a été utilisé dans plusieurs secteurs de
génies et sciences physiques pour des applications importantes, en particulier dans la
mécanique des fluides et celui du transfert de la chaleur [6].
Dans ce chapitre, nous essaierons d’utiliser cette technique pour trouver un modèle
mathématique de la tension et courant critiques de contournement qui représente
mieux nos résultats de mesure obtenus à la suite des expériences faites sur un
modèle de laboratoire.
35
CHAPITRE II DETERMINATION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT…………………………………
U c f ( A, p , P , L , D , e ) (II.1)
Dans notre étude le choix de ces paramètres est arbitraire, les propriétés thermiques
de la décharge ne sont pas prises en considération [82], elles pourront être l’objet de
nos prochains travaux.
Le tableau II.1 montre les grandeurs physiques fondamentales et leurs
dimensions, dans le Système International (SI). M étant la Masse, L la Longueur, T le
Temps, et A l’Ampère.
36
CHAPITRE II DETERMINATION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT…………………………………
Uc K . pn / n 1 (II.4)
Ic K ' . p1 / n 1 (II.5)
Avec: K A1 / n 1 L(1 n ) /(1 n ) f ( DL , Le ) (II.6)
Et K ' A 1 / n 1 L2 /(1 n ) f ( DL , Le ) (II.7)
Afin de déterminer les constantes K et K’, nous avons fait des essais de
contournement sur un modèle de laboratoire.
37
CHAPITRE II DETERMINATION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT…………………………………
Notre travail expérimental sera basé sur le choix et la validation d’un modèle de
laboratoire qui représente la géométrie réelle d’un isolateur de type antipollution
(figure II.1) (Voir la section I.5.3.6). Le modèle que nous avons utilisé, de longueur
200mm, de largeur variable correspondant aux différents rayons de l’isolateur réel et
de profondeur 10 mm (figure II.1). Une électrode haute tension (HT) placée, au
dessus de l’électrolyte, à une hauteur h=2mm représentant la longueur initiale de la
décharge et à une distance L=185mm par rapport à l’électrode de masse [80,83].
Electrode HT
Lf
Electrode BT
Électrolyte
Pour réaliser nos travaux, nous avons utilisé le dispositif expérimental qui est conçu
au laboratoire haute tension de l’université des sciences et la technologie d’Oran. Le
schéma du montage général est représenté sur la figure II.2.
RL1 Rp RL2
A1 A2
Rd2
C Rm1
Panneau de contrôle V
Rm2
Z
38
CHAPITRE II DETERMINATION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT…………………………………
Debut
(n / (n +1))
uj = kij ρpj ij ij
’ (-1 / (n +1))
Ij = k ij ρpj ij
(-n /(1+n ))
Kij=uj ρpj ij ij
K’ij=Ij ρpj(1/(1+nij))
Non
Si l’erreur est
minimale<4%
Oui
39
CHAPITRE II DETERMINATION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT…………………………………
16
14
Mesure
Calcul
12
10
6
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25
ESDD (mg/cm2 )
Figure II.4 Tension de contournement en fonction de la sévérité de la pollution.
2.0
Mesure
Courant de contournement Ic (A)
1.6 Calcul
1.2
0.8
0.4
0.0
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25
2
ESDD (mg/cm )
Figure II.5 Variation du courant de contournement en fonction
de la sévérité de la pollution.
40
CHAPITRE II DETERMINATION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT
CONTOURNEMENT…………………………………
Figure II.6 Comparaison des tensions de contournement issues de la littérature avec celles
calculées par le modèle.
41
CHAPITRE II DETERMINATION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT…………………………………
18
16
Tension de contournement(Kv)
14
12
Ucmpour e=6mm.
10 Uccpour e=6mm.
Ucmpour e=4mm.
Uccpour e=4mm.
8
Ucmpour e=2mm.
Uccpour e=2mm.
6
0 20 40 60 80 100
Résistivité de la pollution (Ohm.m)
D’après les figures II.7 et II.8 nous remarquons que l’épaisseur (e) influent fortement
sur la tension critique de contournement aussi bien pour les courbes expérimentales
que celles théoriques obtenues par le modèle proposé, ce qui justifie son choix parmi
les paramètres pertinents dans notre modèle.
42
CHAPITRE II DETERMINATION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT…………………………………
II.7 Conclusion
43
CHAPITRE III
PREDICTION DE LA TENSION DE
CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS
POLLUES PAR LES METHODES
D’INTELLIGENCE ARTIFICIELLE
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
III.1 Introduction
L'intelligence artificielle est la reproduction, par des moyens artificiels de toutes les
formes de l'intelligence humaine pour un objectif final, qui s’intéresse à la conception
des systèmes intelligents. L’IA est la capacité à raisonner, à apprendre, et à s’adapter
face à de nouveaux changements qu’ils sont des éléments principaux que nous
recherchons [87,88].
Les Techniques d’Intelligences Artificielles connaissent depuis quelques années un
succès croissant dans divers domaines des sciences de l’ingénieur, celui de
l’électrotechnique n’échappe pas à cette règle. Elles peuvent être utilisées pour résoudre
des problèmes nécessitant une approximation de la fonction, la modélisation, la
reconnaissance des formes, la classification, l'estimation et la prévision …etc. Ces
techniques prouvent donc leur efficacité dans une variété de problèmes de monde réel
et dans l’industrie. Par exemple, pendant que les réseaux neuronaux sont intéressants
pour reconnaître des modèles, ils ne peuvent pas expliquer comment ils atteignent leurs
décisions. De même pour les systèmes de la logique floue qui peuvent raisonner avec
l'information imprécise, sont intéressants pour expliquer leurs décisions mais ne
peuvent pas automatiquement acquérir les règles qu’ils utilisent pour prendre ces
décisions. Ces limites des unes et des autres ont été une raison derrière la création de
systèmes hybrides intelligents où deux ou plus de techniques sont combinées dans une
manière à vaincre les limitations d’une seule technique.
Dans le domaine des Hautes Tensions, Les réseaux de neurones et la logique floue
peuvent être utilisés pour estimer le niveau de pollution, prévoir un contournement, et
aussi pour estimer la tension de contournement sur un isolateur pollué [89-92].
44
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS
ISOLATEURS …………………………
Le neurone est l’unité fonctionnelle de base du système nerveux. D’une espèce à une
autre, il peut présenter des différences d’ordres fonctionnels ou anatomiques.
Cependant, divers points communs subsistent et sont à la base de la cellule nerveuse.
Le neurone est une cellule constituée principalement de trois parties, qui ont un rôle
bien défini. Ce sont : les dendrites,
dendrites le somma et l’axone (figure III.1).
Figure
ure III.1 Structure d’un neurone biologique.
45
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS
ISOLATEURS …………………………
Figure III.2
III. Architecture du neurone artificiel.
46
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS
ISOLATEURS …………………………
portée par la valeur de ces poids tandis que la structure du réseau de neurones ne sert
qu'à traiter cette information et à l'acheminer vers la sortie (figure III.2)
III.2).
=∑ . (III.1)
À partir de cette valeur, une fonction d'activation f, calcule la valeur de l'état du neurone.
Cette valeur sera transmise aux neurones aval. Les neurones les plus fréquemment utilisés
sont ceux pour lesquels la fonction f est une fonction non linéaire d'une combinaison linéaire
des entrées [2].
= ( − ) (III. 2)
47
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
48
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
W1 W2
W3
X1
X2 S
X3
Couche de sortie
X4
Couche cachée 2
Couche d’entrée
Couche cachée 1
La façon dont sont connectées les différentes couches, ainsi que, les neurones de
chaque couche, a permis de définir trois principaux types de réseau (statique,
dynamique et évolutif ou auto organisé) [98].
49
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
50
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
Couche de sortie
Entrée 1 Sortie 1
Entrée 2 Sortie 2
Entrée 3 Sortie 3
Entrée n Sortie n
51
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
e0 e1 en-1 en
E C S
52
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
même neurone peut être à la fois à l’entrée et à la sortie du réseau, ainsi, E et S ne sont
pas nécessairement disjoints.
L’ensemble C des neurones cachés, qui n’appartiennent pas aux ensembles E et S.
En général, la présence des neurones cachés dans un réseau démultiplie sa puissance de
calcul, et lui permet d’aborder des problèmes plus difficiles [100].
Pour tout l’ensemble d’apprentissage N on peut définir la fonction de coût (appelée aussi
l’erreur quadratique moyenne EQM).
1
( )= ( ) ( . 4)
53
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
III.2.7.3 Apprentissage
L'apprentissage est l'avant dernière phase d'élaboration d'un réseau de neurones.
Elle consiste tout d'abord à calculer les pondérations optimales des différentes liaisons,
en utilisant un échantillon. La méthode la plus utilisée est la «Levenberg-Marquardt » :
on donne des valeurs à l’entrée et en fonction de l'erreur obtenue à la sortie, on corrige
les poids accordés aux pondérations. C'est un cycle qui est répété jusqu'à ce que l'erreur
du réseau soit minime (il faut bien prendre garde à ne pas surentraîner un réseau de
neurones qui se spécialise).
III.2.7.4 Validation
Une fois le réseau est appris, il faut procéder à des tests pour vérifier que le réseau
réagit bien comme on le souhaite, c'est la validation.
54
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS
ISOLATEURS …………………………
Aujourd’hui, la logique floue est de grande actualité. Les bases théoriques de la logique
floue ont été établies en 1965 par le professeur L. Zadeh de l’université de Berkeley. La
logique floue permet de traiter des variables non déterministes dont la valeur peut
varier entre 0 et 1. Initialement, cette théorie a été appliquée
appliquée dans des domaines non
techniques, comme le commerce, la jurisprudence ou la médecine, dans le but, de
compléter les systèmes experts, et afin de leur donner l’aptitude de prise de décision.
Mamdani [103]] a été le premier à appliquer ce nouveau formalisme
alisme à la commande des
systèmes. A partir de 1985 environ, ce sont les japonais qui commencent à utiliser la
logique floue dans des produits industriels pour résoudre des problèmes de réglage et
de commande. La Figure III.11 montre les parties principales qui constituant la
conception d’un système flou [95].
[
Figure III.11
III Schéma synoptique d’un système flou.
55
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
Les systèmes d'inférences flous (SIFs) et les réseaux de neurones artificiels (RNA) ont
chacun des avantages particuliers. Les méthodes hybrides neuronales et floues
permettent de tirer les avantages de ces deux approches, principalement la capacité
d'apprentissage des RNA et de la lisibilité et la souplesse des SIFs. Plusieurs
combinaisons de ces deux méthodes ont été développées dans la littérature [88,104-
105].
Les systèmes neuro-flous sont des systèmes flous formés par un algorithme
d’apprentissage inspiré de la théorie des réseaux de neurones. La technique
d’apprentissage opère en fonction de l’information locale et produit uniquement des
changements locaux dans le système flou d’origine [106]. Les règles floues codées dans
le système neuro-flou représentent les échantillons imprécis et peuvent être vues en
tant que prototypes imprécis des données d’apprentissage. Un système neuro-flou ne
devrait pas être vu comme un système expert (flou). Il n'a rien à voir avec la logique
floue dans le sens stricte du terme. On peut aussi noter que les systèmes neuro-flous
peuvent être utilisés comme des approximateurs universels [106].
L'intégration des réseaux de neurones et les systèmes d’inférence floue peut être
formulée en trois principales catégories: coopérative, concurrente et hybride. Cette
intégration montre que les réseaux de neurones peuvent approximer n'importe quel
système de règles floue et inversement les réseaux de neurones peuvent être
approximés avec un système d'inférence de règles floue. Différents travaux se sont
intéressés à l'intégration des RNA et les SIF [107-110].
56
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
Réseau de neurone
Un système en série, qui serait utilisé si la sortie n'est pas convenable pour une relation
direct à l'entrée du système flou. Les systèmes post-traitement existent aussi et dans
lesquels la sortie d'un système flou n'est pas convenable par rapport direct aux systèmes
externes, et par conséquent un réseau neurone fournit une interface qui exécute une
projection topographique qui ne pourrait pas être porté facilement (figure III.13).
57
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
On trouve aussi un système neuro-flou parallèle qui fait une coopération entre les
réseaux de neurones et les systèmes flous en parallèle en même temps. (figure III.14).
Réseau de neurone
Système flou
Ces deux combinaisons des réseaux de neurones et de la logique floue sont des
paradigmes qui ont besoin d’une plateforme mathématique très forte, et aussi ne
peuvent être implémenté que d’une manière informatisée vu les gigantesques
probabilités de calcul. Le modèle du système neuro-flou coopératif peut être considéré
comme un préprocesseur avec des mécanismes d'apprentissage des RNA, détermine les
fonctions d'appartenance du système d'inférence floue ou les règles floues quand les
paramètres de SIF (système d'inférence floue) sont déterminés.
58
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
III.4.3.1 Système d’inférence flou basé sur les réseaux de neurones adaptatifs
(ANFIS)
Le modèle ANFIS (Adaptative Network based Fuzzy Inference System) est un réseau
adaptatif proposé par Jang en 1993 [110]. Ce système peut être vu comme un réseau de
neurones non bouclé pour lequel chaque couche est un composant d'un système flou. Le
modèle ANFIS est le modèle le plus utilisé en pratique. Des applications notamment dans
le traitement du signal, le filtrage adaptatif et la commande des systèmes ont été
réalisées avec cette architecture. Cette architecture neuro-floue affine les règles floues
obtenues par des experts humains pour décrire le comportement entrée-sortie d'un
système complexe en utilisant une base de donnée pour l'apprentissage. La sortie
globale dans ce modèle est donnée par la moyenne pondérée de chaque sortie des règles
actives (le produit ou minimum des degrés d’activation) et les fonctions d’appartenance
de sortie. Il s'agit d'une technique neuro-floue hybride qui apporte les capacités
d'apprentissage des réseaux de neurones au système d'inférence flou de type Takagi-
Sugeno. Le rôle de l'apprentissage est l'ajustement des paramètres de ce système
d'inférence flou (partie prémisse et partie conclusion des règles). La force du système
ANFIS est la possibilité de génération automatique des règles floues en utilisant le
substractive clustering ou le grid partitioning [110]. Le système hybride neuro-flou de
type ANFIS se compose de cinq couches où les nœuds adaptatifs sont situés à la
première et la quatrième couche (figure III.15).
Afin de présenter l’architecture de base et le fonctionnement d'un modèle neuro-flou
adaptatif de type ANFIS utilisé dans ce travail, on considère un système d’inférence flou
de type Takagi-Sugeno du premier ordre. Le modèle illustré sur la figure III.15 définit un
SIF à deux entrées et une seule sortie. Chaque entrée possède deux fonctions
59
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS
ISOLATEURS …………………………
Où : x1 et x2 sont les variables d’entrée. A1, A2, B1 et B2 les ensembles flous. yi : les sorties
de chaque règle. pi, qi et ri : sont des paramètres du conséquent de la règle i déterminés
pendant le processus d’apprentissage [88].
Figure III.15
III Architecture du modèle ANFIS.
Le réseau ANFIS est un réseau multicouches dont les nœuds sont de deux types
différents selon leur fonctionnalité, ceux qui contiennent des paramètres ((nœuds carrés)
et ceux qui ne contiennent pas (nœuds
( circulaires). Dans ce qui suit, on donne les
fonctions réalisées par chaque couche du réseau neuro-flou
neuro [88]:
- Première couche pour la fuzzification : Chaque nœud de cette couche fait le calcul des
degrés d'appartenance des valeurs d'entrées. Ces degrés sont donnés par:
60
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
- Deuxième couche pour les règles floues: Cette couche est formée d’un nœud pour
chaque règle floue et génère les poids synaptiques. Ces nœuds sont de type fixe notés T
et chacun d’eux engendre en sortie le produit de ses entrées (opérateur ET de la logique
floue), ce qui correspond au degré de vérité de la règle considérée :
- Troisième couche pour la Normalisation: Les nœuds de cette couche sont également
fixes et réalisent la normalisation des poids des règles floues selon la relation :
Chaque nœud i de cette couche est un nœud circulaire appelé N. La sortie du nœud i est
le degré d’activation normalisé de la règle i.
Les paramètres (pi, qi, ri) sont les paramètres de sortie de la règle i (la partie conclusion).
- Cinquième couche pour la Sommation: Elle comprend un seul neurone qui fournit la
sortie de l'ANFIS en calculant la somme des sorties précédentes. Sa sortie qui est
également celle du réseau est déterminée par la relation suivante:
∑ .
O , = ∑ w .f = ∑
, Pour i = 1,2. (III.12)
61
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
Dans ce chapitre, nous avons proposé une étude comparative de deux approches
prédictives de la tension critique de contournement des isolateurs pollués issues des
techniques d’intelligences artificielles basées respectivement sur les réseaux de
neurones artificiels (ANN) et le système d'inférence neuro-flou adaptatif (ANFIS), ces
deux modèles développés sous l’environnement MATLAB. Les paramètres d’entrées sont
les caractéristiques géométriques de l'isolateur (Diamètre D(cm), Hauteur H(cm), Ligne
de fuite L(cm), facteur de forme F) et la et la sévérité de la couche polluante
ESDD(mg/cm2), tandis que la variable de sortie est la tension de contournement Uc (en
kV)
Les données utilisées pour l’apprentissage et le test des modèles (ANN et ANFIS) ont
été obtenues respectivement à partir d’un modèle mathématique pour le calcul de la
tension de contournement [86] et des données expérimentales [7,84-85].
La première base de données de l’entrainement s’appuie sur modèle mathématique pour
l'évaluation de la tension de contournement d'un isolateur pollué donné par la formule
suivante [86]:
K=1+ . . .
. ln ( . . .
) (III.17)
62
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
D(cm) 20.0 26.8 26.8 25.4 25.4 29.2 27.9 18.0 32.1 28.0 25.4 20.0
H(cm) 32.0 15.9 15.9 16.5 14.6 15.9 15.6 29.0 17.8 17.0 14.5 16.5
L(cm) 96.0 33.0 40.6 43.2 31.8 47.0 36.8 60.5 54.6 37.0 30.5 40.0
F 2.04 0.79 0.86 0.90 0.72 0.92 0.76 1.43 0.96 0.80 0.74 1.29
63
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
Afin de valider les approches ANN et ANFIS, trois indices statistiques de types différents
ont été utilisés comme critères d’évaluation dans cette étude : l'erreur quadratique
moyenne (RMSE), l’erreur absolue moyenne en pourcentage (MAPE) et le coefficient de
détermination (R2) [113-115]. L’expression de l'erreur RMSE est donnée par :
RMSE = ∑ (d − y ) (III.20)
R = 1−∑ (III.21)
Pour estimer la tension critique de contournement des isolateurs pollués par le modèle
ANN, nous avons utilisé comme paramètres d’entrées les caractéristiques géométriques
de l'isolateur (Diamètre D(cm), Hauteur H(cm), Ligne de fuite L(cm), facteur de forme F)
et la et la sévérité de la couche polluante ESDD(mg/cm2), tandis que la variable de sortie
est la tension de contournement Uc (en kV) (figure III.16).
L
Uc
F Couche de
Sortie
sortie
ESDD
Couche
cachée 2
Couche Couche
Entrées d’entrée cachée 1
64
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS
ISOLATEURS …………………………
Dans l’apprentissage des réseaux neurones nous avons utilisé 148 vecteurs données
d’entrée/sortie, Les paramètres du modèle ANN proposé sont résumés dans le tableau
suivant :
Table III.3 Paramètres du modèle ANN.
Tableau
Architecture
Nombre de couche : 3
Nombre de neurones par couches : 5/7/1
Poids initiaux:: Aléatoires
Fonction d’activation : Logarithmic sigmoid
Paramètres d’apprentissage
Algorithme et mode d’apprentissage : Levenberg–Marquardt Back--propagation
Taux d’apprentissage (Learning rate) : 0.25
constant :
Momentum constant)
Constant de momentum (Momentum 0.85
Nombre maximal d’itérations : 1500
Figure III.17 Comparaison des tensions normalisées de contournement calculées par le modèle
mathématique et celles obtenues par le modèle
odèle des réseaux neurones.
Pour valider notre modèle nous avons pris 27 données issuess des essais expérimentaux
regroupées en deux échantillons (Echantillon I [85], Echantillon II [7,84
84]).
65
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
La figure III.18 illustre les résultats d’utilisation de notre modèle ANN comparés aux
résultats expérimentaux pour les deux échantillons. Les corrélations entre les valeurs
mesurées et celles estimées par notre modèle ANN sont montrées dans la figure III.19
pour chaque échantillon.
La figure III.20 présente la variation des tensions de contournement calculées par le
modèle ANN et celles mesurées [85] pour les isolateurs type II et III en fonction de la
sévérité de pollution.
Figure III.18 Comparaison des tensions normalisées de contournement mesurées et celles données
par le modèle des réseaux neurones.
0.9 0.9
0.8 0.8
2
Tension mesurée normalisée
0.7
R =0.9977 0.7 R2 =0.9896
0.6 0.6
0.5 0.5
0.4 0.4
0.3 0.3
0.2 0.2
0.1 0.1
0
0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Experimental flashover voltage
Experimental flashover voltage
Tension estimée normalisée Tension estimée normalisée
-Echantillon I- -Echantillon II-
Figure III.19 Corrélation entre les valeurs mesurées et estimées de la tension de contournement.
66
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
4 4
x 10 x 10
2.2 2.6
Tension de contournement (V)
1.8
2
1.6 1.8
1.6
1.4
1.4
1.2
1.2
1 1
0.8
0.8 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35
ESDD (mg/cm**2)
Dans cette partie nous allons utiliser les données expérimentales disponibles dans la
littérature [7,84-85] et la relation de la tension de contournement (III.15), afin de
construire un modèle basé sur les systèmes Neuro-Flous (ANFIS ) qui permet d'estimer
la tension critique de contournement des isolateurs pollués, en utilisant comme entrée
les caractéristiques géométriques de l'isolateur et la sévérité de la couche polluante.
La figure III.21 montre le résultat de l’apprentissage du modèle ANFIS, en présentant
une comparaison entre les tensions normalisées de contournement calculées par le
modèle mathématique et celles obtenues par le modèle Neuro-Flou. On remarque une
très bonne concordance entre les deux modèles de calcul ce qui montre le bon choix des
paramètres et l’architecture des Systèmes Neuro-flou.
67
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
0.9
Training Data
Apprentissage
Tension de contournement normalisée
0.8 Modèle
ANFISANFIS
Model
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
ANFIS Model
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25
Nombre de vecteur de test
Figure III.22 Comparaison des tensions de contournement mesurées
avec celles calculées par le modèle ANFIS.
68
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
0.9
0.7
R2 =0.9853
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Afin de valider nos modèles [114-115], nous avons présenté dans le tableau III.4 les
valeurs des indices statistiques R2, RMSE et MAPE de nos approches comparées aux
résultats trouvés dans la littérature [116-117].
69
CHAPITRE III PREDICTION DE LA TENSION DE CONTOURNEMENT DES ISOLATEURS …………………………
III.6 Conclusion
70
CHAPITRE IV
MODELISATION
ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE
ET ELECTROTHERMIQUE DES
ISOLATEURS POLLUES
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
IV.1. Introduction
La modélisation est une étape importante dans toute simulation numérique.
En particulier, elle permet, en définissant et en étudiant les caractéristiques
géométriques et physiques du problème étudié, de proposer un modèle simplifié
qui soit le plus proche de la réalité.
Nous avons abordé ce chapitre par une recherche bibliographique en détaillant
les différentes méthodes numériques applicables au calcul de la distribution du
potentiel et du champ électrique sur la surface des isolateurs. Nous avons retenu
la méthode des éléments finis du fait de son adéquation avec les contraintes du
problème étudié et la disponibilité d’un logiciel commercial (COMSOL
Multiphysics version 5.0 [118]).
La détermination de la distribution du champ et du potentiel électrique de tout
système haute-tension est un problème complexe de calcul non pas par la
simplicité des équations aux dérivées partielles qui les décrivent mais plutôt à
cause de la forme irrégulière des diélectriques, de la proximité de surfaces
métalliques aux formes complexes, des lignes de transmission, et dans certains
cas, de la présence d'une couche conductrice [119].
L'objectif principal de la première partie de ce chapitre est d'accroître les
connaissances sur les processus de pré-contournement des isolateurs pollués et
donc de déterminer la distribution du potentiel et du champ électrique le long
des surfaces des isolateurs sous différentes répartitions et niveaux de pollution.
Etant donné que des recherches théoriques et expérimentales importantes ne
sont pas encore achevées pour comprendre les mécanismes physiques réels
responsables de la propagation d’une décharge électrique sur une surface
faiblement conductrice. Nous allons adopter, dans la deuxième partie de ce
chapitre, une approche de l’effet thermique dans la couche de pollution basé
essentiellement sur le modèle dynamique de la décharge. La distribution de la
température et l'influence des paramètres électriques sur l’élongation de la
décharge, la chute de tension et le champ électrique au pied de l’arc seront ainsi
étudié pour différentes positions de la décharge.
71
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
72
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE
ELECTROCINETIQUE ET ……………………
Figure IV.1
.1 Schéma de mesure directe de la tension [120].
].
L’avantage de cette méthode est le matériel restreint utilisé, son inconvénient est
la présence d’une sonde de mesure dérivant
dérivant un courant de mesure qui perturbe
la forme du champ électrique local.
IV.2.1.2.
.2.1.2. Méthodes de mesure par compensation
Dans cette méthode, lee point de mesure (p) dont on veut déterminer la tension
est relié à travers un éclateur à gaz au secondaire d’un transformateur à haute
tension ( 2 ). Le primaire de ce transformateur est alimenté par le réseau à
travers un régulateur de tension et de phase (RP) figure (IV.2).
(
Lorsque la tension au secondaire du transformateur ( 2 ) a atteint la valeur et la
phase de la tension du point (p) à mesurer l’éclateur à gaz s’éteint, et si l’on
connaît le rapport de transformateur de ( 2 ), on peut lire directement la valeur
de la tension ( ) sur un voltmètre connecté au primaire de ( 2 ).
L’avantage de cette méthode dite de zéro est qu’elle perturbe peu le champ
électrique local. L’inconvénient réside dans la difficulté d’équilibrage nécessitant
l’utilisation du régulateur RP
R [121].
73
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
⃗=− ⃗ ( . 5)
⃗ = ( . 6)
⃗= ⃗+ ⃗ ( . 7)
⃗=0 ( . 8)
On peut donc découpler les équations (IV.6) et (IV.8) qui gouvernent les
grandeurs électriques de celles qui gèrent les grandeurs magnétiques. L'équation
(IV.6) n'est alors rien d'autre que la forme locale du théorème de Gauss qui
traduit la conservation de la charge. L'équation (IV. 8) permet de dire que le
champ E dérive d'un potentiel ∅ avec :
⃗=− ⃗∅ ( . 9)
74
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
− ⃗∅ = ( . 10)
∇2 ∅ = 0 ( . 11)
∇= , ( .12)
= = (I .13)
On peut noter que cette équation gouverne aussi la répartition du potentiel dans
les matériaux conducteurs telles que les électrodes car ceux-ci sont des volumes
équipotentiels [122].
75
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
alors chercher une solution dans chaque milieu et lier les différentes solutions
par des conditions d'interfaces [119,123].
À la frontière de deux milieux de propriétés différentes, les équations dites
d'interfaces, en l'absence de charges et de courants superficiels, s'écrivent :
∅1 = ∅2 ( . 14)
Qui traduit l'égalité des valeurs du potentiel vue des deux régions et la relation :
⃗ ⃗1 = ⃗2 . ⃗2
1. ( . 15)
⃗ × ⃗1 = ⃗2 × ⃗2 ( . 16)
1
V( ) = 4 [∑ +∑ ∫ + ∑∫ +∑ ∫ ] ( .17)
0
76
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
Ф = ∑ =1 . (IV.18)
où :
- représente le coefficient de potentiel, dépendant du type de charges utilisées
et qui peut être évalué analytiquement par résolution de l'équation de Laplace ou
de Poisson,
- représente la charge ponctuelle au point.
Dès lors, une fois que le type et la position des charges sont définis, il est possible
de déterminer Ф et en tout point de la frontière du domaine étudié. Dans la
77
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
M.S.C, les charges de simulation sont placées à l'extérieur de l'espace dans lequel
on veut connaître le champ électrique (ou à l'intérieur de toute surface
équipotentielle comme des électrodes métalliques). Si le point C est situé sur la
surface d'un conducteur, alors Ф en ce point sera égal au potentiel du
conducteur. Lorsque cette procédure est appliquée à m points situés sur le
contour de T espace considéré, nous obtenons un système de m équations
linéaires pour n charges connues [119], c'est-à-dire :
⋯ Ф
⋮ ⋱ ⋮ . = . (IV.19)
⋯ Ф
78
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE
ELECTROCINETIQUE ET ……………………
Soit les indices i et j , les coordonnées de la position d'un nœud quelconque, voir
figure IV.3, avec ∆X = ∆y = h dans le cas d'un maillage carré.
∂V
V.3,, l'approximation algébrique de la dérivée [∂X]i,j est
Comme sur la figure IV
donnée par :
∂V Vi+1,j−Vi−1,j
[ ]i,j = ( .20)
∂X 2h
∂V Vi,j+1−Vi,j−i
[ ]i,j = ( .22)
∂Y 2h
∂²V Vi,j+1−2Vij +Vi,j−1
[ ] = ( .23)
∂Y² i,j h²
79
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
Ces expressions sont exactes lorsque ∆X tend vers 0, mais dans l'analyse
numérique, ∆x et ∆y sont finis (d'où le terme de différences finies).
Le Laplacien discrétisé s’écrit donc :
∂²V ∂²V
(∆V)i,j = ( )i,j + ( ) ( .24)
∂x² ∂y² i,j
1
(∆V)i,j = [Vi,j−1 + Vi+1,j + Vi−1,j + Vi,j+1 − 4Vij ] ( .25)
h²
[ ]{ } = { } ( .26)
Où { } est le vecteur formé par les inconnues en potentiel de tous les points
intérieurs au domaine et {B} le vecteur des conditions aux limites. La résolution
du système (IV.29) permet ainsi d'évaluer le potentiel en chacun des nœuds.
Remarque :
La méthode des différences finies fait une approximation des opérateurs d'une
équation différentielle par des différences finies calculées aux nœuds d'un
maillage. On peut aussi faire une approximation de la fonction inconnue d'une
équation différentielle. Cette méthode est connue sous l'appellation de Méthode
des Éléments Finis (M.E.F) [119].
80
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
IV.2.4.3.1. Principe
Le principe de cette méthode consiste à diviser le domaine d'étude en plusieurs
éléments finis (appelé maillage). C'est une étape très importante puisque le choix
de la forme de l'élément de maillage est primordial dans la précision des
résultats obtenus. Il est donc nécessaire de trouver la forme et le degré
d'approximation de celui-ci qui soient les plus adaptés à la géométrie du
domaine d'étude. Il existe un grand nombre de formes géométriques pour les
éléments de maillage tels que :
des triangles, des rectangles, des quadrilatères arbitraires pour les problèmes
à deux dimensions;
des tétraèdres, des hexaèdres, des cubes, des prismes pour des problèmes à
trois dimensions.
Sur chacun des éléments issus de la subdivision, la fonction qui modélise le
phénomène est définie par une fonction d'interpolation. Souvent, on choisit des
polynômes comme fonction d'interpolation pour les variables car ceux-ci sont
faciles à intégrer ou à différencier. Le degré du polynôme dépend du nombre de
nœuds assignés à chaque élément, de la nature et du nombre d'inconnues à
chaque nœud et surtout du degré de dérivabilité des variables apparaissant dans
la forme variationnelle associée aux E.D.P du problème avec conditions aux
limites [119].
81
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
82
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
b) Limitations :
La solution calculée reste toujours dépendante des données numériques
initiales (caractéristiques des matériaux, conditions aux limites). En ce sens,
l'influence de ces paramètres sur les résultats requiert un nouveau calcul
avec d'autres valeurs;
La modification d'une partie de la géométrie entraîne un nouveau maillage et,
donc, une remise à zéro dans les calculs;
Un mauvais choix du maillage proposé automatiquement par les logiciels
limite la précision des résultats. L'usager doit donc porter une attention
particulière lors de cette étape;
Le traitement d'une problématique par la MEF implique une connaissance
parfaite du domaine géométrique et des conditions aux limites, ce qui
complique la mise en œuvre de ce traitement lorsque ce n'est pas le cas [125].
83
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
84
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE
ELECTROCINETIQUE ET ……………………
85
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
86
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE
ELECTROCINETIQUE ET ……………………
87
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
88
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
10
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
35
30
Champ électrique (KV/cm)
25
20
Verre
15 Porcelaine
10
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
89
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
10
8
Potentiel électrique (KV)
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure IV.13 Distribution du potentiel électrique le long de la ligne de fuite d’un isolateur
pollué (σ=0.05 S/m).
90
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
10
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure IV.14 Comparaison des distributions du potentiel électrique pour isolateur propre
et un isolateur pollué (σ=0.05 S/m).
4
Champ électrique (KV/cm)
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure IV.15 Distribution du champ électrique le long de la ligne de fuite d’un isolateur
pollué (σ=0.05 S/m).
91
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
35
30
20
Isolateur pollué
Isolateur propre
15
10
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
92
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
20
16
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Ligne de fuite
Figure IV.17 Distribution du potentiel électrique le long de la ligne de fuite d’un isolateur
pollué sous différentes tension de ligne.
8
7
Champ électrique (KV/cm)
5
10 KV
15 KV
4
20 KV
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
93
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
8
Potentiel électrique (KV)
S/m
6
S/m
S/m
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
4
Champ électrique (KV/cm)
3
S/m
S/m
S/m
2
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
94
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
10
Pollution uniforme
Pollution non uniforme
8
Potentiel électrique (KV)
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure IV.21 Distribution du potentiel électrique le long de la ligne de fuite d’un isolateur
réel avec une pollution uniforme et non uniforme.
95
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
Pollution uniforme
Pollution non uniforme
2
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
8
Potentiel électrique (KV)
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure IV.23 Distribution du potentiel électrique le long de la ligne de fuite d’un isolateur
réel sous une pollution uniforme avec bande sèche du côté de la tige.
96
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
20
12
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure IV.24 Distribution du champ électrique le long de la ligne de fuite d’un isolateur
réel sous une pollution uniforme avec bande sèche du côté de la tige.1
Dans le cas inverse, bande sèche du côté capot (figures IV.25 et IV.26).
L’amorçage près du capot devient le plus probable.
10
8
Potentiel électrique (KV)
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
97
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
16
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
98
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
10
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
16
Champ électrique (KV/cm)
12
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
99
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
10
8
Potentiel électrique (KV)
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
3
Champ électrique (KV/cm)
100
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
. − ∇. ( ∇T) = ( . 27)
101
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
− ∇. ( ∇T) = ( . 28)
2
=∝ ⃗ ( . 32)
1 1
Ou encore = ⃗ = ⃗ = ⃗ ( . 33)
D’où :
= ( . 34)
Avec :
: la conductivité électrique [S/m].
: la densité de courant électrique [A/m²].
: champ électrique [V/m].
102
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE
ELECTROCINETIQUE ET ……………………
Figure IV.31
IV.3 Modèle géométrique de simulation en 3-D.
103
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
6
Courant de la décharge (A)
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
= . .
établie par Wilkins [52]. D’après cette relation on remarque que
le rayon de la décharge est proportionnel au courant. Par conséquent, l’allure de
ce dernier est quasiment la même avec celle du courant électrique (figure IV.32).
Nous observons sur la figure IV. 33 que le rayon prend une valeur minimale de
3.2 mm environ pour X égale 0 cm, puis il augmente d’une façon hyperbolique
jusqu’à une valeur maximale est égale à 12 mm lorsque le pied de la décharge
attient l’électrode de masse. Cette augmentation est proportionnelle à la
diminution de la résistance linéique [131].
104
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
1.4
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
14
(W)
12
+15
Puissance dissipée * 10
10
4 8 12 16
105
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
106
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE
ELECTROCINETIQUE ET ……………………
Figure IV.35 Cartographies globales des lignes équipotentiels (a),lignes de courant (b)et
les lignes du champ électrique (c)pour une décharge initiale près de l’électrode HT
HT.
107
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE
ELECTROCINETIQUE ET ……………………
t=0.7 ms t= 1.4 ms
t= 2 ms
t= 2.6 ms
t= 2.9 ms t= 3 ms
Dans le but de voir plus précisément l'influence des paramètres électriques sur
l’élongation de la décharge, la chute de tension et le champ électrique au pied de
ont été déterminés pour différentes positions de la décharge.
Les figures IV.37 et IV.3
38 montrent respectivement l’évolution de la chute de
tension et le champ électrique au pied de la décharge pour différentes positions
de l’arc électrique.
108
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
10
0
0 4 8 12 16 20
11
Champ au pied de la décharge (KV/cm)
10
4
0 4 8 12 16 20
On constate selon ces résultats que la chute de tension dans un premier temps
s'affaiblit légèrement puis est considérablement chutée près de l’électrode masse
(figure IV.37). Conséquemment, le champ électrique au pied de l'arc augmente
d’une valeur minimale de 5.4 KV/cm à la position initiale de la décharge pour
atteindre une valeur maximale de 10 KV/cm à la fin de la ligne de fuite de
l’isolateur(figure IV.38). L'allongement de l'arc est donc inévitable au fait que
l'espace d'air parallèle à surface de pollution, tout juste en aval du pied d'arc, est
109
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
110
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE
ELECTROCINETIQUE ET ……………………
t =0.7 ms t =1.4 ms
T= 293.18 °K T=293.23 °K
t =2ms t =2.6 ms
T= 293.5 °K T=295 °K
t =2.9ms t =3ms
T= 300 °K T=310 °K
310
308
Température de la pollution (°K)
306
304
302
300
298
296
294
292
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Temps (ms)
111
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
IV.6. Conclusion
La méthode des éléments finis nous a permis de faire une description surfacique
de l’isolateur malgré la forme complexe de ce dernier. La méthode présente en
plus d’autres avantages importants par rapport aux différentes méthodes
existantes du point de vue du nombre d'inconnues mis en jeu et de la prise en
compte des domaines infinis en particulier. Cette méthode, s'est avérée être la
plus adaptée aux contraintes imposées par le problème étudié.
Dans la première partie de ce chapitre, nous avons mené des modélisations
électrostatique et électrocinétique d’un isolateur réel antibrouillard pour
étudier l’effet de plusieurs paramètres sur les distributions du potentiel et du
champ électrique le long de la ligne de fuite de l’isolateur.
Les principaux résultats obtenus dans cette partie ont permis de conclure que :
L’état de surface de l’isolateur (propre ou pollué) influe considérablement
sur la répartition du potentiel et du champ électrique.
La répartition de la pollution a une influence importante sur la distribution
du potentiel et du champ électrique sur la surface des isolateurs le long de la
ligne de fuite.
La conductivité de la couche polluante n’a pratiquement aucun effet sur les
répartitions du potentiel et du champ électrique.
La présence des bandes sèches sur les différentes régions de l’isolateur a une
grande incidence sur l’évolution de potentiel et la distorsion du champ
électrique.
Les résultats de calcul de la distribution de potentiel et du champ électrique
sur la surface d’un isolateur réel le long de la ligne de fuite sont très
satisfaisants en les comparants aux résultats d’autres chercheurs [135-136].
112
CHAPITRE IV MODELISATION ELECTROSTATIQUE, ELECTROCINETIQUE ET ……………………
113
CHAPITRE V
MODELISATION DES GOUTTELETTES
D’EAU DEPOSEES SUR LA SURFACE DES
ISOLATEUR AERIENS
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
V.1. Introduction
Les gouttelettes d’eau ont un rôle primordial dans la pollution et le
contournement des isolateurs aériens. La présence des gouttelettes d’eau sur la
surface des isolateurs augmente considérablement l’intensité du champ
électrique [137]. Ce qui peut engendrer des décharges partielles pouvant se
développer en un arc électrique et conduire au contournement de l’isolateur. Au
cours des dernières années, l’utilisation des isolateurs en polymère encore
appelés isolateurs composites ou isolateurs non-organiques a été massive dans
les réseaux de transport et de distribution de l’énergie électrique en raison de
multiples avantages qu’ils offrent, comparé aux traditionnels isolateurs en
porcelaine ou en verre (grande résistance à la contamination, légèreté, bonne
résistance mécanique,…etc.) [9,138].
Le dépôt des gouttelettes d’eau sur la surface des isolateurs composites
constitue l’un des principaux facteurs impliqués dans le mécanisme de
vieillissement des isolateurs. En effet, les variations brutales de température, la
rosée matinale, les pluies, la fonte de la neige sont autant d’éléments qui
favorisent le dépôt des gouttelettes d'eau sur les surfaces des isolateurs
extérieurs des réseaux de transmission [9-10].La performance des isolateurs
dans les conditions de dépôt de gouttelettes d’eau est l’une des paramètres
importants à déterminer.
La détermination de la distribution du potentiel et du champ électrique le long
des isolateurs pollués accroître les connaissances sur les phénomènes précédant
les contournements électriques des isolateurs aériens. Comme il était très
difficile de mesurer de façon précise la distribution du potentiel et surtout du
champ électrique le long d'un isolateur aérien, l'utilisation d'une méthode
numérique par l'intermédiaire d'un logiciel commercial s'est avérée être une des
meilleures solutions compte tenu de la difficulté des mesures [119].
114
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
115
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
Figure V.2 Affectation des matériaux aux différentes régions du modèle de simulation.
V.2.4. Maillage
Le maillage correspond à la discrétisation spatiale de la géométrie en surfaces
élémentaires (appelés mailles) défini par des points (appelés nœuds
nœuds). Ces nœuds
constituent les connexions entre les mailles.
Le maillage peut se faire automatiquement par le logiciel. L’algorithme prend
pour point de départ les éléments de la géométrie et crée des nœuds
supplémentaires jusqu’à satisfaire des critères prédéfinis comme le nombre de
mailles ou la taille maximale des mailles. On peut utiliser les tailles prédéfinies
(extra grossier, grossier, normal, fine, extra fine...) par le logiciel ou agir sur les
116
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
117
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
Figure V. 4 Répartition du potentiel électrique entre l’électrode haute tension et la masse pour
une coupe horizontale sans gouttelette d’eau.
118
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
10
8
Potentiel électrique (KV)
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure V.7 Evolution du potentiel électrique sur la surface du modèle le long d’un axe
horizontal sans gouttelette d’eau. Tension appliquée 10 kV.
119
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
12
11
10 11.6KV/cm
8.4 KV/cm
Champ électrique (KV/cm)
3
1KV/cm
2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure V.8 Evolution de l’intensité du champ électrique sur la surface du modèle sans
gouttelette d’eau. Tension appliquée 10 kV, distance inter-électrodes 10 cm.
3.8 KV/cm
Champ électrique tangentiel Ex ( KV/cm)
4
4.4 KV/cm
-1
-2
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
120
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
-2
-4
-6
-8
-10
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
121
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
122
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
10
8
Potentiel électrique (KV)
7
5 KV
6
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure V.13 Evolution du potentiel électrique sur la surface du modèle le long d’un axe
horizontal en présence d’une gouttelette d’eau de 2.66 mm de diamètre.
Tension appliquée 10 kV, distance inter-électrodes 10 cm.
123
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
Figure V.14 Distribution du champ électrique dans les différentes régions de la géométrie
du
u modèle étudié en présence d’une gouttelette de 2.66 mm de diamètre.
Figure V.15 Lignes de champ électrique dans les différentes régions de la géométrie
du
u modèle étudié en présence d’une gouttelette de 2.66 mm de diamètre.
124
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
12
11
11.6 KV/cm
10
Champ électrique (KV/cm)
9 8.4 KV/cm
3 2.4 KV/cm
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
5
Champ électrique tangentiel Ex ( KV/cm)
3.8 KV/cm
4
4.4KV/cm
3
2.3KV/cm
-1
-2
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
125
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
-2
-4
-6
-8
-10
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
126
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
4955
4950
Potentiel électrique (V)
4945
4940
4935
4930
Distance (mm)
Figure V.20 Evolution du potentiel électrique sur la surface d’une gouttelette d’eau de
2.66 mm de diamètre.
1.6
1.4
Champ électrique (KV/cm)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4 3 V/mm
0.2
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Distance (mm)
Figure V.21 Evolution de l’intensité du champ électrique sur la surface d’une gouttelette
d’eau de 2.66 mm de diamètre.
127
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
5050
4950
4900
4850
0 1 2 3 4 5 6
Distance (mm)
Figure V.22 Evolution du potentiel électrique le long de l’arc référentiel ––b- en présence
d’une gouttelette d’eau de 2.66 mm de diamètre.
1.4
1.2
Champ électrique (KV/cm)
1.0
0.8
0.6
0.4
43 V/mm
0.2
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
Distance (mm)
Figure V.23 Evolution de l’intensité du champ électrique le long de l’arc référentiel –b- en
présence d’une gouttelette d’eau de 2.66 mm de diamètre.
128
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
3.0 3.0
S/ cm S/ cm
2.5 2.5
Champ électrique (KV/cm)
2.0 2.0
1.5 1.5
1.0 1.0
0.5 0.5
0.0 0.0
4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
3.0 3.0
S/ cm S/ cm
2.5 2.5
Champ électrique (KV/cm)
2.0 2.0
1.5 1.5
1.0 1.0
0.5 0.5
0.0 0.0
4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
129
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
3.0
r = 10
r = 40
2.5
r = 80
Champ électrique (KV/cm)
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
4.6 4.8 5.0 5.2 5.4
Distance (cm)
Figure V.25 Evolution du champ électrique résultant en présence d’une gouttelette d’eau
de diamètre 2.66 mm pour différentes permittivités.
130
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
12 4
3
10
Champ électrique (KV/cm)
10 l 2
8
40 l
70 l 1
100 l
6 0
5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Figure V.26 Evolution du champ électrique résultant sur la surface du modèle pour
différentes tailles de la gouttelette.
131
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
14
12
Champ électrique maximal (KV/cm)
10
0
10 40 70 100
132
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
12
10
Champ électrique (KV/cm)
8
d = 1 cm
d = 5 cm
d = 9 cm
6
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
12
HT
Gouttelette/HT
Champ électrique maximal (KV/cm)
10 Gouttelette/masse
Masse
0
1 5 9
133
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
θ=90° θ=120°
θ=60°
Figure V.30
V. Formes réelles des gouttelettes [140].
Figure V.31
V. Formes des gouttelettes choisies.
134
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
8
Forme 1
Forme 2
Forme 3
6
Champ électrique (KV/cm)
-2
4.2 4.4 4.6 4.8 5.0 5.2 5.4 5.6 5.8
Distance (cm)
Figure V.32 Evolution du champ électrique résultant pour différentes formes d’une
gouttelette d’eau de conductivité σ = 0.055 μS/cm.
8
Champ électrique maximal (KV/cm)
0
60 80 100 120
135
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
Figure V.34 Distribution du champ électrique dans les différentes régions de la géométrie
du modèle étudié en présence d’une paire de gouttelettes de 3.36 mm de diamètre et de
conductivité σ = 0.055 μS/cm.
12 4
3
10
Champ électrique (KV/cm)
6
0
4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
136
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
10
8
Potentiel électrique (KV)
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
137
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
Figure V.37 Distribution du champ électrique dans les différentes régions de la géométrie
étudiée en présence d’une paire de gouttelettes d’eau de diamètre 3.36
6 mm et de
conductivité σ = 0.055 μS/cm. Distance de séparation 0.5mm.
mm.
6
Champ électrique maximal (KV/cm)
0
0 2 4 6 8 10
138
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
139
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
140
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
141
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
4 4
3 3
Champ électrique (KV/cm)
1 1
0 0
-1 -1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 2 3 4 5 6 7 8 9
-a- -b-
4 4
3 3
Champ électrique (KV/cm)
1 1
0 0
-1 -1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 2 3 4 5 6 7 8 9
-c- -d-
4 4
3 3
Champ électrique (KV/cm)
2 2
1 1
0 0
-1 -1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Figure V.44 Evolution du champ électrique résultant sur la surface du modèle étudié
différentes configurations de gouttelettes d’eau de diamètre 2.66 mm et de conductivité
σ = 0.055 μS/cm. Distance de séparation 8 mm.
142
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU
D’E DEPOSEES…………………………………
ES…………………………………
Figure V.45
V.4 Formes réelles des gouttelettes [18].
Figure V.46
V.4 Formes des gouttelettes simulées.
14
12
Champ électrique (KV/cm)
10
0
0 2 4 6 8 10
143
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
144
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
10000
9000
8000
e = 0.5 cm
Potentiel électrique (V)
7000 e = 1 cm
e = 1.5 cm
6000
5000
P (5.6 cm, 4400V)
4000
3000
2000
1000
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10000
9000
8000
e = 0.5 cm
Potentiel électrique (V)
7000 e = 1 cm
e = 1.5 cm
6000
5000
P (5.6 cm, 4400V)
4000
3000
2000
1000
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
145
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
D’après ces figures, nous constatons qu’il existe un point commun dans l’espace
inter-électrodes (P (5.6 cm, 4400V)), pour lequel le potentiel est identique pour
toutes les épaisseurs du matériau isolant de notre modèle. Nous constatons ainsi
que les allures de potentiel changent de l’évolution par rapport à ce point
d’intersection et la présence de la gouttelette d’eau ne modifie pas les
coordonnées de ce point.
18
1.4
16
1.2
14
Champ électrique (KV/cm)
1.0
e = 0.5 cm
e = 1 cm 0.8
12
e = 1.5 cm
0.6
10 0.4
0.2
8
4.6 4.8 5.0 5.2 5.4
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
146
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
3.0
2.5
e = 0.5 cm
Champ électrique (KV/cm)
e = 1 cm
e = 1.5 cm
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
4.5 5.0 5.5
Distance (cm)
Figure V.51 Evolution du champ électrique pour différentes épaisseurs de la plaque
isolante au niveau d’une gouttelette d’eau de conductivité σ = 0.055 μS/cm.
147
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
10000 5000
Silicone 4800
Porcelaine
8000 4600
Potentiel électrique (V)
4400
4200
6000
4000
5.0 5.2 5.4 5.6 5.8 6.0
4000
2000
0
0 2 4 6 8 10
10000 5200
5100
Silicone
Porcelaine 5000
8000
4900
Potentiel électrique (V)
4800
4700
6000
4.8 5.0 5.2 5.4
4000
2000
0
0 2 4 6 8 10
Figure V.53 Distribution du potentiel sur la surface de la plaque isolante pour différents
matériaux et en présence d’une gouttelette d’eau de diamètre 3.35 mm.
148
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
14
1.00
12 0.95
Silicone 0.90
Champ électrique (KV/cm)
Porcelaine
10
0.85
0.80
8
0.75
6 0.70
4.5 4.7 4.9 5.1 5.3 5.5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
14
12
Silicone
Champ électrique (KV/cm)
Porcelaine
10
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
149
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
2.5
Silicone
2.0
Champ électrique (KV/cm)
Porcelaine
1.5
1.0
0.5
0.0
4.6 4.8 5.0 5.2 5.4
Distance (cm)
Figure V.56 Evolution du champ électrique sur la surface de la plaque isolante en
présence d’une gouttelette d’eau de diamètre 2.66 mm pour différents matériaux.
V.4. Conclusion
Le dépôt des gouttelettes d’eau sur la surface des isolateurs composites est une
préoccupation importante pour les fournisseurs d’énergie électrique qui doit
être résolue en vue d’assurer la sécurité des opérateurs et la fiabilité des réseaux
électriques.
Le modèle numérique développé a permis d’analyser la répartition du champ
électrique. Les résultats concernant aussi bien le modèle sec que le modèle avec
les gouttelettes ont montré des régions sur la surface de l’isolateur où la
contrainte électrique est très importante notamment au niveau des électrodes.
Ceci permet d’obtenir des informations utiles sur l’échauffement de la surface
qui peuvent être utilisées pour la prédiction de la formation des bandes sèches
sur la ligne de fuite. Les distributions des composantes tangentielle et normale
du champ électrique ont été étudiées. Les résultats démontrent également une
intensification du champ électrique due à la présence des gouttelettes d’eau
notamment aux points de jonction des différentes phases (gouttelette d’eau, air
et solide diélectrique) où le champ est maximal.
Le champ électrique peut atteindre trois fois la valeur du champ électrique
moyen appliqué. Des facteurs tels que le volume, l’angle de contact, la
permittivité des gouttelettes, leur nombre, leurs formes, leurs dispositions et la
distance de séparation entre les gouttelettes ont une incidence notable sur
l’amplification du champ électrique à la surface de l’isolateur. Par contre, la
150
CHAPITRE V MODELISATION DES GOUTTELETTES D’EAU DEPOSEES…………………………………
151
CONCLUSION
GENERALE
CONCLUSION GENERALE
152
CONCLUSION GENERALE
153
CONCLUSION GENERALE
154
REFERENCES
BIBLIOGRAPHIQUES
REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES
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ANNEXES
Annexe. I
Tableau A.1 Données expérimentales de la tension de contournement.
I. Publication internationale
6. M.Marich, H.Hadi, R.Amiri, «New approch for the modeling of the polluted
insulators » ,IEEE/ CEIDP 2 IEEE/CEIDP, October 15-18, pp 441-444, Kansas City,
Missouri, 2006, USA .
8. R.Amiri, H.Hadi, M.Marich, « The influence of sag in the Electric Field calculation
around High Voltage Overhead transmission lines » ,IEEE/ CEIDP 2 IEEE/CEIDP,
October 15-18, pp 206-209, Kansas City, Missouri, 2006, USA .
Mots-Clés:
Haute tension, Isolateurs, Pollution, Contournement, Analyse dimensionnelle, Modèle ANN, Modèle ANFIS,
Modélisation, MEF, Potentiel électrique, Champ électrique, Température, Gouttelette d’eau.