FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA,

ELECTRICA Y TELECOMUNICACIONES

INFORME FINAL I
INTEGRANTES:
Andrade Abad Marcelo Gerardo 18190174
Galo Ricardo Paredes Chumpitaz 18190036
Zavala Gutierrez Hanz Mathew 18190033

PROFESOR:
Jose Luis Mestas
CURSO:
Laboratorio de dispositivos electronicos
HORARIO:
6:00 – 8:00

“2019”
 Características básicas del diodo semiconductor
Introducción
Los diodos semiconductores son dispositivos electrónicos muy sencillos,
prácticamente se pueden encontrar en cualquier circuito electrónico, se
fabrican en versiones de silicio (SI) y germanio (GE); cuando a un diodo se le
pone en polarización directa este funciona como un corto circuito, en cambio
cuando se le pone en polarización inversa este funciona como un circuito
abierto, los diodos poseen muchas aplicaciones, pero la más común es el
proceso de conversión de corriente alterna a corriente continua, en este caso
se usa como rectificador.

Experimento
1.- Datos obtenidos al medir la resistencia directa e inversa del diodo de silicio.

TABLA 1

R directa R inversa
1.1818M O.L.

2.- Armando el siguiente circuito:

a).- Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el

voltaje directo del diodo, se registraron los siguientes datos:

TABLA 2

Vcc(v) 0.446 0.480 0.530 0.608 0.716 0.836 1.14 1.726 2.279 2.883

Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0

Vd(v) 0.435 0.459 0.483 0.513 0.538 0.561 0.597 0.637 0.665 0.686
 b).- Invertir el diodo verificando l mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,
procediendo como en a), se registraron los siguientes datos:

TABLA 3

Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Id(mA) 0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Id(uA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0

3.- Usando el ohmímetro medir la resistencia directa e inversa del diodo de

silicio:

TABLA 4

R Directa R Inversa
0.776 K 273.8

4.- Repetir el circuito de la figura 1 pero esta vez con el diodo de germanio de
manera similar al paso 2, se obtuvieron los siguientes datos:

TABLA 5

Vcc(v) 0.011 0.24 0.347 0.46 0.791 0.95 1.50 2.06 2.526 2.864 3.327 4.176

Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Vd(v) 0.011 0.216 0.290 0.371 0.517 0.637 0.923 1.192 1.378 1.515 1.732 2.043

TABLA 6

Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Id(mA) 0 1.2 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.5 4.4 5.4 6.1
Vd(uA) 0.011 1 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
 Cuestionario final

1.- Construir el grafico Id=F (Vd) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI), calcular la
resistencia dinámica del diodo.

- Las tablas se adjuntan al final.

2.- Construir el grafico Id=F (Vd) con los datos de la tabla 5 y 6 (GE), calcular la
resistencia dinámica del diodo.

-Las tablas se adjuntan al final.

3.- Interpretar los datos obtenidos en las tablas:

. En La primera tabla tenemos las medidas de la resistencia que tiene el

diodo de silicio, polarizado de forma directa e inversa, polarizado de
forma directa tiene una resistencia alta, pero de forma inversa tiene una
resistencia infinitamente alta, comportándose de esta manera como un
circuito abierto.
. En la segunda Tabla vemos como el voltaje del diodo aumenta de
forma directa en cuanto aumenta el voltaje de la fuente.
. En la tercera tabla vemos como el diodo al ser polarizado de forma
inversa se comporta como un circuito abierto y por lo cual no genera
corriente.
. En la cuarta tabla tenemos la resistencia del diodo de Germanio de
forma directa e inversa, de forma directa tiene un valor alto, pero no
tanto como el de silicio, en cambio de forma inversa la resistencia es
demasiado baja.
. En la quinta tabla vemos que de forma directa necesita mucho más
voltaje de fuente para generar la misma corriente de diodo que generaba
el de silicio.
. Y por último en la sexta tabla vemos que de forma inversa, el diodo de
germanio no actúa totalmente como circuito abierto como en el caso del
diodo de silicio, pues este si genera una muy pequeña corriente.

4.- Exponer sus conclusiones en el experimento:

En conclusión podemos aclarar que el diodo de silicio tiene más

resistencia que el de germanio y que el de germanio genera más Id con
menos voltaje de fuente.
Aplicación
Se han desarrollado muchos dispositivos electrónicos utilizando las
propiedades de transporte de los semiconductores; el uso de semiconductores
en la industria electrónica ha aumentado de forma importante. Así, veremos
algunas de las más importantes:

 Termistores: se basan en la propiedad de que la conductividad

depende de la temperatura para medir dicha temperatura. También
se usan en otros dispositivos, como en alarmas contra incendio.

 Transductores de presión: al aplicar presión a un semiconductor,

los átomos son forzados a acercarse, el gap de energía se estrecha y
la conductividad aumenta. Midiendo la conductividad, se puede
conocer la presión que actúa sobre ese material.

 Rectificadores (dispositivos de unión tipo p-n): se producen

uniendo un semiconductor tipo n con otro tipo p, formando una unión
tipo p-n. Los electrones se concentran en la unión tipo n y los huecos
en la unión p. El desequilibrio electrónico resultante crea un voltaje a
través de la unión.

 Transistores de unión bipolar: un transistor se puede usar como

interruptor o como amplificador. El transistor de unión bipolar (BJT),
se suele utilizar en unidades de procesamiento central de
computadoras por su rápida respuesta a la conmutación.

 Transistores de efecto de campo: utilizado frecuentemente para

almacenar información en la memoria de los ordenadores. El
transistor de efecto de campo (FET), se comporta de forma algo
distinta a los de unión bipolar.
Evaluación económica
Para la presente experiencia se usó:
- Fuente de corriente continua desde 45.00 soles hasta 700.00 soles o
mas
- Multímetro desde 30.00 soles hasta 800.00 soles
- Miliamperímetro
- Protoboard 12.00 soles
- Diodos semiconductores:
o Silicio 0.30 cms c/u
o Germanio 0.20 cms c/u
- Resistencias 0.10 cms c/u
- Cables conectores 0.50 cms c/u

Recomendaciones
- Recomendamos tener mucho cuidado a realizar las medidas cuando
invertimos el diodo, ya que debemos de fijarnos en la polaridad de
los instrumentos.
- Antes de colocar el voltaje al circuito recomendamos medir el valor
de voltaje de la salida de nuestra fuente con el multímetro, para
obtener datos más precisos.
- Se recomienda venir con algunos conocimientos previos sobre el
funcionamiento de los diodos cuando se ponen en conexión directa e
inversa, para tener un mejor panorama a la hora de realizar el
presente experimento.

Conclusiones
- Un semiconductor es intrínseco cuando se encuentra en estado puro,
por el contrario, si se presenta alguna impureza será un
semiconductor extrínseco.
- Los materiales de tipo N producen abundantes electronos portadores
y su conductividad aumenta de forma muy elevada.
- Los materiales de tipo P liberan electrones débilmente ligados a él,
su propósito es crear abundancia de huecos.
Bibliografía
https://es.slideshare.net/elcharly7/trabajos-de-semiconductores
https://www.quiminet.com/productos/semiconductores-de-potencia-
2751257313/precios.htm
https://www.lifeder.com/semiconductores/#Ejemplos
https://sites.google.com/site/electronicaanalogicam/home/1-1--introducción-a-
los-materiales-semiconductores
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina2.ht
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