professorcamillo@gmail.com https://sites.google.com/site/cefetmicroeletronica/ Processo de Fabricação de Circuitos Integrados (VLSI) Para o projeto de bons circuitos integrados dedicados (VLSIs) ou de aplicação específica (ASICs) é importante que o projetista conheça as características dos dispositivos, afim de obter economia de escala e superar algumas sérias limitações dos dispositivos (pouco flexível a tolerância) e ao mesmo tempo explorar as suas vantagens, afim de compensar essas deficiências. • Material mais popular com boa relação custo-desempenho, pois é um material abundante encontrado na areia. • Pode ser refinado usando-se técnicas simples de purificação e crescimento de cristais. • Apresenta propriedades físicas adequadas para fabricação de dispositivos ativos com boas características elétricas. • Novas tecnologias: liga de SiGe e silício microtensionado). • Pode ser facilmente oxidado para formar uma excelente camada isolante (SiO2). • É possível alterar de forma localizada as suas propriedades elétricas, possibilitando construir elementos ativos e passivos em um mesmo pedaço de material (substrato). • Permite a interconexão de componentes utilizando-se camadas de metal (similar ao empregado para definição de circuitos impressos) em único substrato. • Preparação da lâmina de silício • Fotolitografia • Dopagem • Oxidação • Corrosão • Deposição • Metalização • Encapsulamento • Silício com alto grau de pureza cresce na forma de lingote e toma a forma de um cilindro sólido de 10 a 30 cm de diâmetro, com 1 a 2 m de comprimento, na cor cinza- metálica. • O lingote é laminado com espessura de 0,40 mm a 0,60 mm. • A superfície da lâmina (wafer) é polida até ficar com o acabamento de um espelho. • Os fabricantes de semicondutores geralmente compram lâminas de silício já prontas dos fornecedores. • Em todas as etapas envolvidas na fabricação de circuitos integrados é necessário manter o ambiente muito limpo, para evitar que a introdução de pequenas quantidades de contaminantes possam alterar significativamente as propriedades elétricas do silício. • Qualquer partícula (até poeira) pode destruir o silício. • O ar que circula em toda a área de processamento deve ser filtrado e todo o pessoal deve vestir roupas feitas de materiais especiais (bunny suits). • Define a geometria superficial (traçado) de vários componentes do circuito integrado. • A lâmina (wafer) é coberta por uma substância fotossensível, que é solúvel quando exposta a luz ultravioleta. • A máscara é aplicada e a lâmina exposta a luz ultravioleta. • Processo finaliza quando todas as máscaras forem aplicadas • Pequenos traçados com resolução de até 50 nm podem ser produzidos por essa técnica. • Num processo de fabricação de VLSI pode-se utilizar muitas fotomáscaras (podendo chegar a mais de 20), devendo ser alinhadas precisamente uma sobre a outra. Abertura de Janelas : Fotogravação e Corrosão Química Abertura de Janelas : Fotogravação e Corrosão Química Abertura de Janelas : Fotogravação e Corrosão Química • É o processo de adicionar portadores do tipo p ou n ao substrato de silício para criar regiões condutoras cujas características dependem da quantidade e perfil de distribuição do dopante. • Para haver condução elétrica, estas impurezas devem substituir átomos de silício dentro da rede cristalina. • A dosagem varia conforme a finalidade (tipicamente 1 átomo dopante para 109 átomos de silício). • As impurezas mais comuns usadas como dopantes são: boro (tipo “p”) e o fósforo ou arsênio (tipo “n”). • Se a concentração da dopagem for suficiente alta, a camada de difusão pode ser usada como um condutor. • É o processo pelo qual os átomos se movem de uma região com alta concentração para uma região com baixa concentração pela rede cristalina. • É um processo semelhante ao fenômeno de dispersão de uma gota de tinta em um copo com água. • Na fabricação, a difusão é um método em que são introduzidos átomos de impurezas (dopantes) no silício para mudar sua resistividade. • A velocidade da difusão depende da temperatura (1000°C a 1200°C) para se obter a dopagem desejada. • Quando a lâmina é resfriada e atinge a temperatura ambiente, as impurezas são essencialmente “congeladas” na posição. • A profundidade com que as impurezas se difundem depende da temperatura e do tempo do processo. • Na implantação iônica, íons dopantes são formados em uma câmara de vácuo e selecionados por um campo magnético que descarta os íons de outros materiais. • Estes íons são acelerados por um campo elétrico, colidindo com a lâmina. • Devido a sua energia cinética, os íons penetram na lâmina até uma profundidade definida por sua massa, pela tensão de aceleração aplicada e pelo ângulo entre eles e o plano de cristalização. • Este processo é mais complexo que a difusão e as lâminas são processadas uma por vez, consumindo tempo e recursos. • Apresenta vantagens de precisão na área dopada e sua implementação pode ser executada à temperatura ambiente. • É o processo químico de reação do silício com o oxigênio para formar o dióxido de silício (SiO2), com excelentes propriedades de isolamento elétrico (∼107 V/cm).
• Para acelerar a reação é necessário aquecer a lâmina a
altas temperaturas (1000°C a 1200 °C) em fornos especiais ultra limpos.
• Serve como boa máscara contra impurezas, permitindo a
introdução de dopantes no silício apenas nas regiões que não estão cobertas pelo óxido. • Consiste em retirar seletivamente algum tipo de material em regiões delimitadas por uma máscara.
• Os processos mais comuns são:
• Corrosão líquida - líquidos reativos e perigosos (como ácido fluorídrico) corroem o material delimitado pela máscara. • Corrosão por plasma - um gás inerte (CF4) sob baixa pressão é ionizado por um campo elétrico intenso que por sua vez bombardeiam a superfície da lâmina de silício arrancando o material exposto. • Processo pelo qual filmes finos com espessuras submicrométricas, formados pelos mais diversos materiais orgânicos e inorgânicos podem ser depositados com precisão nos substratos de silício. • Por epitaxia • processo de acrescentar material a uma estrutura cristalina de modo ordenado, sem solução de continuidade. • Química em fase de vapor (CVD) • as moléculas vaporizadas do composto se decompõem ou reagem na superfície da lâmina, depositando o material desejado. • Evaporação • Numa câmara de vácuo, o alumínio é vaporizado depositando-se livremente sobre a superfície da lâmina. • Borrifamento (sputtering) • O material a ser depositado é instalado e eletricamente conectado a uma placa metálica, enquanto que a lâmina é instalada em outra placa metálica próxima. O gás é ionizado por uma fonte de alta tensão contínua aplicada nas placas. Os íons do plasma formado colidem com o material arrancando moléculas que se depositam sobre a lâmina. • Consiste em interligar vários componentes do circuito integrado (resistores, capacitores, diodos, transistores) para formar o circuito integrado desejado. • Inicia-se com a deposição de um metal (alumínio) sobre toda a superfície do silício, através do processo de pulverização catódica denominado sputtering. • A espessura da camada de metal pode ser controlada pelo intervalo de tempo da pulverização catódica, o qual está normalmente na faixa de 1 a 2 minutos. • Aplica-se a técnica de fotoresiste, para que o ataque químico remova todas as áreas não desejáveis de alumínio, deixando o padrão de interligações. • Fios finos de ouro são tradicionalmente usados para interconectar os suportes de encapsulamento aos pontos de contato do circuito acabado. • Finalmente, o suporte é encapsulado (selado), utilizando-se material plástico ou epóxi sob vácuo ou em uma atmosfera inerte.