Microeletrônica

Prof. Luciano Mendes Camillo

professorcamillo@gmail.com
https://sites.google.com/site/cefetmicroeletronica/
Devido temperatura,
alguns elétrons podem
ganhar energia e liberar-
se da ligação, gerando o
par elétron-lacuna.

Entretanto, os elétrons
livres podem
recombinar-se com as
lacunas existentes, e
assim desaparecer o par
elétron-lacuna.
A taxa de ionização
(geração par elétron-
lacuna) é altamente
dependente da
temperatura.

Em equilibrio termico a
taxa de geração = taxa
de recombinação.
n = p = ni
3
Portadores por cm
n = p = ni
3
Portadores por cm
Corrente de Difusão e Deriva

Corrente de Difusão
Corrente de Deriva
Ocorre quando é aplicado ao
semicondutor um campo elétrico
Tipo N Tipo P
Tipo N Tipo P
VT = k.T / q

k = constante de Boltzmann
1,38 . 10-23 joules/kelvin

T = temperatura absoluta em kelvin

= 273 + temp em oC

q = o valor da carga do elétron

= 1,6 . 10-19 C
 VT = k.T / q
k = 1,38 . 10-23 joules/kelvin
T = 273 + temp em oC
q = 1,6 . 10-19 C

E para T = 173 K e T = 450 K ?

E para T = 173 K e T = 450 K ?
Características Elétricas dos Diodos de Junção
Características Elétricas dos Diodos de Junção

Região de Polarização Direta

i = IS (e v/nVt - 1)

IS corrente de saturação
constante para dado diodo em determinada temperatura
diretamente proporcional a área da secção transversal

Para diodos de pequenos sinais (aplicações de baixa

potência) em que as dimensões são reduzidas

IS é da ordem de 10-15 A

IS dobra de valor a cada 5 oC de aumento

Características Elétricas dos Diodos de Junção

Região de Polarização Direta

VT = k.T / q
k = constante de Boltzamann 1,38 . 10-23 joules/kelvin
T = temperatura absoluta em kelvin = 273 + temp em oC

q = o valor da carga do elétron = 1,6 . 10-19 C

Características Elétricas dos Diodos de Junção

Região de Polarização Direta

i = IS (e v/nVt - 1)

n tem um valor entre 1 e 2

depende do material e da estrutura fisica do diodo

n = 1 diodos fabricados cok tecnologia de circuitos integrados

n = 2 diodos discretos
Características Elétricas dos Diodos de Junção

Região de Polarização Direta

i = IS (e v/nVt - 1)

Para valores apreciáveis da corrente i no sentido direto,

quando i >> IS, a equação de i pode ser aproximada:

i = IS (e v/nVt )

Esta relação pode ser expressa na forma logaritimica:

v = nVt ln (i / IS)
Características Elétricas dos Diodos de Junção

Região de Polarização Direta

Para determinar I1 correspondente a V1:

I1 = IS (e V1/nVt )
v = nVt ln (i / IS)
Para determinar I2 correspondente a V2:

I2 = IS (e V2/nVt )

I2 = IS (e V2/nVt ) = IS (e (V2-V1)/nVt )
I1 IS (e V1/nVt )
Características Elétricas dos Diodos de Junção

Região de Polarização Direta

= IS (e (V2-V1)/nVt )
Podemos reescrever:

V2 - V1 = nVt ln (I2 / I1)

V2 - V1 = 2,3 nVt log (I2 / I1)

Cada década de variação na corrente mostra o quanto varia a queda

de tensão ( de 2,3 n Vt)
Para n = 1 é de 60mV e n = 2 de 120mV
 Características Elétricas dos Diodos de Junção
Região de Polarização Direta
Um diodo de silicio feito para operar com 1mA, apresenta uma
queda de tensão de 0,7V para uma corrente de 1mA.
Avaliar o valor da constante IS nos casos em n seja 1 ou 2.
E para um diodo de 1A com v = 0,7V ?

Para um diodo com i = 1A seria 1000 vezes maior do que 1mA, e

portanto sua área transversal também seria 1000 vezes maior,
Levando a IS a ser 1000 vezes maior n=1 IS = 1pA n=2 IS = 1uA
Características Elétricas dos Diodos de Junção

Região de Polarização Direta

Uma vez que IS e Vt são função da temperatura, a variação das

caracteristicas i-v direta conforme a figura:
 Características Elétricas dos Diodos de Junção

V2 - V1 = nVt ln (I2 / I1) V2 - V1 = 2,3 nVt log (I2 / I1)

v = nVt ln (i / IS)
Características Elétricas dos Diodos de Junção