UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTÍN

FACULTAD DE INGENIERÍA DE PRODUCCIÓN Y

SERVICIOS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

CURSO:
Laboratorio de Microondas Y Fibra Óptica

DOCENTE:

Ing. Ebert San Román

TEMA:

DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE MICROONDAS DE BAJO RUIDO CON

MODELO DE TRANSISTOR EN ADS

PRESENTADO POR:
CUI
 Sivincha pauccar Romario
 Calla Bendita Fredy 20140521
 Valdivia Paricahua Gian Pierre 20140214

AREQUIPA – PERÚ
2019

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DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE MICROONDAS DE BAJO RUIDO CON
MODELO DE TRANSISTOR EN ADS

OBJETIVO GENERAL

Diseñar un amplificador de microondas de bajo Ruido. Con ayuda de ADS

(Advance Desing System), con modelo del transistor ATF_34143.

OBJETIVOS ESPECIFICOS

Se abordará el diseño de amplificadores basados en dispositivos semiconductores.

El funcionamiento de los dispositivos será en transmisión.
Se utilizará tecnología Microscrip, se integran líneas de transmisión impresas con
circuitos integrados (tecnología MIC, microwave integrated circuits).

En cuanto al diseño de cualquier amplificador se requiere distintas tareas:

 Elección del dispositivo (transistor).
 Caracterización del mismo.
 Elección del substrato
 Diseño de la red de polarización
 Diseño de la red de microondas o radiofrecuencia.
 Medida y ajuste del amplificador

MARCO TEORICO
El diseño de amplificadores de microondas tiene su origen en los amplificadores
paramétricos a reflexión construidos básicamente con varactores y circuladores (desde
1658 hasta la década de 1970)

Utilizan el concepto de resistencia negativa del diodo varactor, diodo Gunn o Impatt.

Las mejoras realizadas en el transistor bipolar durante la década de los 70 le permitieron

que pudiera trabajar como oscilador hasta 10 GHz Al mismo Tiempo se empezaron a
utilizar BJTs y MESFETs en circuitos amplificadores en transmisión

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Diagrama de Bloques de todo el Proceso

Elección Del Dispositivo

La tecnología bipolar se utiliza para aplicaciones de hasta 8 GHz, en amplificadores de

ganancia (no son recomendables en bajo ruido) y para osciladores por su bajo ruido de
fase.

Desarrollo de la tecnología FET:

o En aplicaciones donde el ruido sea importante es la primera opción.
o Mayor movilidad de los dispositivos: se pueden alcanzar frecuencias mayores.
 Hasta 40 GHz basados en homoestructuras.
 Hasta 120 GHz basados en heteroestructuras.
Problema: efectos parásitos provocan realimentación del dispositivo que pueden hacerlo
oscilar:
o Inductancia de la fuente a masa
o Capacidad entre drenador (colector) y puerta (base)

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Diseño De La Red De Radiofrecuencia

A partir de este instante se presentará atención al diseño de la red de radiofrecuencia y

se dejará para el final del tema la red de polarización.
La red de radiofrecuencia tendrá por objetivo sintetizar las impedancias de fuente (Zs) y
de carga (ZL) para conseguir las propiedades que se buscaban.
Dichas impedancias se consiguen por las llamadas redes de adaptación de entrada y
salida. Estas redes, más que redes de adaptación, son redes de transformación de
impedancias que transforman las impedancias terminales en las requeridas (Zs) y (ZL).

Parámetros S del Transistor

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Un transistor viene definido por los parámetros S que da el fabricante o por las medidas
que puedan hacerse del mismo conectado a una línea de 50 ohm.
Los parámetros S varían con cualquier cambio en la polarización, con cualquier variación
en las condiciones de medida (temperatura, humedad, …)

 Hay que dejar algún margen de variación de los parámetros S.

En nuestro caso los objetivos de diseño serán:
 Máxima ganancia de Potencia
 Mínima figura de ruido.
 Ganancia estable lo que supone que no haya oscilaciones
 ROE de entrada y salida lo más cercana a la unidad.
 Ganancia uniforme en un ancho de banda (ROE por debajo de un valor en
esa banda)
 Respuesta de fase lineal.
 Insensibilidad a pequeños cambios en los parámetros

Las topologías en baja frecuencia so validas (amplificadores balanceados, cascode,

push-pull,…) pero asegurando la estabilidad del dispositivo:

 Estabilidad mediante cargas resistivas en entrada, salida o ambas

(PADDING)
 Estabilidad mediante realimentación negativa

Resumen De Propiedades En El Diseño De La Red De Radiofrecuencia de un

Amplificador

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Polarización de Amplificadores

Polarizacion de transistor ATF_34143.

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7
8
Capacitores de acoplo y desacoplo

En la el diseño del Amplificador de microondas unos de los parametros decisivos para el

bueno funcionamiento del diseño es el calculo y la eleccion de los capacitores de acoplo
y desacoplo, dichos capacitores deben poder responder a la frencuencia en la cual se este
trabajando, para nuestro caso nos referimos a la frecuencia de 1.5 GHz.

Recordano la expresion del coeficiente de reflexion en la carga, Γ, en función de ésta, 𝑍𝐿

y de la impedancia de linea 𝑍0

Resultados Esperados

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PROCEDIMIENTO

- Primero creamos un nuevo proyecto.

- Configuramos las medidas del sustrato a usar, tal como se ve en la siguiente figura:

MSub

MSUB
MSub1
H=1.55 mm
Er=4
Mur=1
Cond=58.1E+6
Hu=1.0e+033 mm
T=0 mm
TanD=0
Rough=0 mm
Bbase=
Dpeaks=

- Insertamos en transistor con nombre f351432c.s2p previamente descargado.

- Agregamos los puertos de microondas.

- Simulamos el circuito para ver los parámetros s21

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Comentario: Como podemos observar el transistor tiene una ganancia de 15.9 db a una
frecuencia aproximada de 1.2 GHz.

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ok

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