UNIVERSIDAD TECNOLOGICA METROPOLITANA

FACULTAD DE INGENIERÍA
DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD
ESCUELA DE ELECTRÓNICA
PROFESOR: ARTURO LETELIER
FECHA: 28 – 11 – 2018

LABORATORIO N°1: DISPARO DE

MOSFET
Electrónica de potencia
Juan Reyes - William Pinto

PRESENTACIÓN ABSTRACT

En el presente informe se expone el estudio y
desarrollo de un circuito de disparo con un
transistor MOSFET, este es un dispositivo
semiconductor de tres terminales denominados
fuente (source), compuerta (gate) y drenador
(drain) y el cual es utilizado masivamente como
conmutadores gracias a sus características de
tamaño, facilidad de uso y bajo consumo de
energía, lo cual los convierte en el ladrillo
constructor de los circuitos integrados digitales de
hoy en día, estando presentes en prácticamente
todos los dispositivos electrónicos.
Veremos el modo de conducción de un
transistor del tipo 2N2222 y su comportamiento
con el MOSFET antes mencionado y se hablara
de las redes snubber y los tipos que existen.
In the present report the study and
development of a trigger circuit with a MOSFET
transistor is exposed, this is a semiconductor
device of the terminals called source, gate (gate)
and drain (drain) and which is the massive use as
switches thanks to its characteristics of size, ease
of use and low power consumption, what results
in the brick constructor of digital integrated circuits
of today, is present in all electronic devices.
We will see the driving mode of a 2N2222
type transistor and its behavior with the MOSFET
before mentioning and talking about the snubber
networks and types that exist.

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1. INTRODUCCION "transistores", televisores que se encendían en un

par de segundos, televisores en color, etc.
El informe a modo general hablara del
comportamiento de un circuito de disparo
trabajado con un MOSFET IRF 540 y un transistor
transistor bipolar NPN 2N2222. Se armará un
circuito con los componentes necesario y se verá
proceso a través del instrumento osciloscopio
para poder observar su disparo.
En el circuito antes mencionado, posterior
al proceso de armado del circuito, se podrá
desarrollar, una red snubber del tipo RCD, esto
significa que se necesita una resistencia, un Ilustración 1: Transistor
condensador y un diodo de silicio
Un transistor es un componente que tiene,
básicamente, dos funciones:
2. OBJETIVOS
1) Deja pasar o corta señales eléctricas a
Observar en el circuito de disparo por partir de una PEQUEÑA señal de mando.
medio del osciloscopio el comportamiento de la Como Interruptor. Abre o cierra para cortar
señal de salida. o dejar pasar la corriente por el circuito.
Verificar el comportamiento de un 2) Funciona como un elemento Amplificador
transistor y su comportamiento en el modo de de señales. Le llega una señal pequeña
conducción. que se convierte en una grande.
Determinar la función de la red snubber.
Pero el Transistor también puede cumplir
funciones de amplificador, oscilador, conmutador
3. MARCO TEORICO o rectificador.
El funcionamiento de un transistor puede
Un transistor es un dispositivo que regula tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de
el flujo de corriente o de tensión actuando como un circuito:
un interruptor o amplificador para señales
electrónicas.  En activa: deja pasar más o menos
El transistor, inventado en 1951, es el corriente (corriente variable).
componente electrónico estrella, pues inició una
auténtica revolución en la electrónica que ha  En corte: no deja pasar la corriente
superado cualquier previsión inicial. También se (corriente cero).
llama Transistor Bipolar o Transistor Electrónico.
Es un componente electrónico formado  En saturación: deja pasar toda la corriente
por materiales semiconductores, de uso muy (corriente máxima).
habitual, pues lo encontramos presente en
cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como Los transistores Mosfet tiene 3 patillas. El
las radios, alarmas, automóviles, ordenadores, mosfet conduce corriente eléctrica entre dos de
etc. sus patillas cuando aplicamos tensión en la otra
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas patilla. Es un interruptor que se activa por tensión.
termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a
ellos fue posible la construcción de receptores de
radio portátiles llamados comúnmente

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El transistor de efecto de campo se

comporta como un interruptor controlado por
tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta
permite hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.

El movimiento de carga se produce

Ilustración 2: Funcionamiento de un MOSFET exclusivamente por la existencia de campos
eléctricos en el interior del dispositivo.
La palabra MOS significa "Metal Oxido
Semiconductor", y hace referencia a un tipo de
estructura muy usada en electrónica, donde se 4. DESARROLLO
usa un óxido como dieléctrico o aislante.
La palabra FET significa "Field Effect 1) Implemente el circuito de disparo de la
Transistor" significa Transistor de efecto de figura 1, considerando los siguientes
campo, es decir transistores que conducen por un parámetros:
campo eléctrico, parecido a un condensador. R1 = 1 KΩ ; R2 = 2 KΩ ; Q1 = 2N2222
La principal ventaja del transistor
MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar
a cabo su propósito y la disipación de la energía
en términos de pérdida es muy pequeña, lo que
hace que sea un componente importante en los
modernos ordenadores y dispositivos electrónicos
como los teléfonos celulares, relojes digitales,
pequeños juguetes de robot y calculadoras.

2) Explique en qué modo de conducción se

encuentra el transistor 2N2222.

Corresponde a una polarización directa de

la unión emisor - base y a una polarización inversa
de la unión colector - base. Esta es la región de
operación normal del transistor para
amplificación.
Ilustración 3: Tipos de MOSFET

El Mosfet controla el paso de la corriente

entre una entrada o terminal llamado fuente
sumidero (source) y una salida o terminal llamado
drenador (drain), mediante la aplicación de una
tensión (con un valor mínimo llamada tensión
umbral) en el terminal llamado puerta (gate). Es
un interruptor controlado por tensión. Al aplicar
tensión conduce y cuando no hay tensión en la Ilustración 4: Polarización transistor
puerta no conduce.

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3) Grafique las formas de onda, luego simule

y compare los resultados obtenidos. Al calcular la corriente de saturación
tenemos que son:
24/2k = 0.012A (corriente de colector máxima
para saturar el transistor) es necesario que
conozcamos la componente Beta del circuito ya
que todo lo que entre en la base multiplicado por
beta, saldrá amplificado en el colector:
Ic = B*Ib
Ic = 0.012A
B=x
Por lo que nuestra corriente de base
teóricamente sería:
5/1000 = 0.005A
entonces ahora con estos datos calculamos
4) Agregue una segunda resistencia al beta:
disparador BJT, tal como puede verse en 0.012 = B*0.005
la figura 2, repita las mediciones y explique eso nos da:
la función de la resistencia agregada B = 2.4
Luego al abrir el circuito y dejar la corriente
de base en 0v podemos ver como este se abre y
baja su voltaje a 12v aproximadamente ya que
caen otros 12v en la resistencia, en este caso el
voltaje colector-emisor siempre será el mismo
voltaje ya que cae en la resistencia agregada.

5) Sustituya la fuente de 5(V) de la base por

el generador de señales y genere una
señal cuadrada de 5 (V) y 1 (Khz),
explique la forma de onda obtenida a la
salida del pulso.

Al agregar la resistencia podemos ver Sustituyendo la fuente de alimentación por

como al alimentar el circuito con una fuente de 5v un generador de ondas cuadradas, podemos
a través de la base, se sigue comportando como analizar cómo se comporta el transistor cuando el
un circuito abierto por lo que ahora todo el voltaje voltaje es 5v y cuando es 0v.
pasará por la resistencia hacia tierra.

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6) Ocupe el circuito de disparo diseñado

anteriormente para disparar el transistor
MOSFET IRF540, obtenga los voltajes y
corrientes a la salida del MOSFET IRF540.

Resistencia 1 1kΩ

Resistencia 2 2kΩ

Q1 2n2222

RL 2kΩ

Mosfet IRF540

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Las red tipo RCD son utilizadas para evitar

tener problemas con el apagado, ya que este
proveerá al circuito un voltaje 0 por medio del
transistor mientras la corriente se va apagando.

8) ¿Qué otros tipos de redes snubber y

disparadores se pueden implementar en el
MOSFET?

Red de sobretensión
Cuando existen sobretensiones en el apagado
debido a las inductancias parásitas, se conecta
una red de sobretensión para reducir estas
7) Agregue una red snubber de tipo RCD,
con un condensador de 0.1 (uF) y
resistencia de 1 (kohm), obtenga los
voltajes y corrientes a la salida del
MOSFET y explique la función de dicha
red.

La funcion de dicha red snubber es de
amortiguar la salida que se obtiene del mosfet
para que asi no se pegue saltos muy fuertes y se
vea y mida una señal mas amortiguada, con esto
la funcion del mosfet y el circuito se hace mas
eficiente.
Las red Snubber aplicada al circuito
también llamados circuitos de ayuda a la
conmutaciones o supresores, son una parte
importante de los circuitos electrónicos de
potencia ya que reducen el estrés que sufre los
componentes en las constantes conmutaciones, y
de esta forma asegura un régimen de trabajo
mucho más seguro y confiable.
Red de disparo
En muchos interruptores controlables, como lo
son los: BJT, MOSFET, GTO e IGBT. Se utilizan
snubber de encendido solo para reducir las
pérdidas por conmutación con altas frecuencias,
también limitan la máxima corriente de
recuperación reversa del diodo. Los snubber de
encendido trabajan mediante la reducción de
voltaje a través de interruptor (transistor)
conforme se acumula la corriente. Un snubber de
encendido está en serie con el transistor o sino
bien, en serie con el diodo.
Las redes snubbers se utilizan para suprimir
transitorios indeseables y eliminar problemas en
los circuitos de conmutación con elementos
inductivos y capacitivos. La conmutación en estos
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circuitos puede producir EMI (interferencias
electromagnéticas) que afecten a otros equipos y
si no se suprimen las sobretensiones transitorias
se pueden exceder los límites de los dispositivos
y producir su degradación o destrucción.
Existen numerosas topologías de redes snubbers
para la protección de transistores, tiristores, triacs,
etc.. Estas redes pueden ser disipativas o no
disipativas, para la protección de sobretensiones
directas o inversas, con polarización o sin ella,
etc. En nuestro caso tomaremos como base las
tres topologías de redes snubbers para tiristores
y las posibles modificaciones o combinaciones
entre ellas.
Una red con polarización directa y con un diodo
(Dl) conectado en antiparalelo con el tiristor: La
resistencia R limita la derivada de tensión directa
y RI la descarga de corriente del condensador
cuando se dispara el tiristor.
La red que, con polarización inversa, limita la
derivada de tensión inversa. La misión de R2 es
limitar la descarga del condensador a través del
tiristor.
Por último, una red sin polarizar que se utiliza para
proteger un par de tiristores en antiparalelo, en la
cual la protección debe ser efectiva en ambas
direcciones.
CONCLUSIONES
Durante la experiencia se pudo ver y
determinar la diferencia que puede llegar a tener
la tensión en la entrada del circuito, la cual va
conectada a la base del transistor, y ésta le
entrega la señal con el voltaje ingresado, con
respecto a la salida del circuito en el colector del
transistor. Esa diferencia en el osciloscopio era
muy notoria.
Experimentamos con un reductor Buck,
que nos permite reducir el voltaje de forma
eficiente a través del uso de los transistores.
En la primera parte se corroboró de forma
simulada el funcionamiento de un transistor
2N2222 demostrando como funciona, y cómo
permite que el voltaje disminuye casi por completo
al obtener un voltaje en la base, que permita
conmutar y permita conducir casi todo el voltaje
desde el colector al emisor, y de este a tierra, y
luego ver qué pasa cuando la base no tiene señal
para su activación tanto de forma simulada como
práctica
Al ver el funcionamiento del circuito y la
función del transistor con el mosfet, se corrobora
la actuación de estos dos componentes en los
pulsos de disparo.
Agregarle una red snubber a los circuitos
de potencia, en este caso el que se realizó en el
laboratorio con un transistor 2N2222 y el
MOSFET IRF540, esta cumple una función muy
importante ya que amortigua la salida de voltaje,
esto quiere que la salida de tensión en el circuito
se verá controlada por la descarga del
condensador y esto hace que sea más eficiente y
se puede obtener del circuito una mayor certeza.
REFERENCIAS
 Área tecnológica. (sin fecha). [avaliable]:
http://www.areatecnologia.com/electronic
a/mosfet.html
 Antony García González. (2016, ene 4).
[avaliable]: http://panamahitek.com/que-
es-y-como-funciona-un-mosfet/
 Rodrigo Maureira. (2010, dic 24).
[avaliable]:
http://smartdreams.cl/transistores-mosfet-
como-interruptores-de-potencia/
 Universidad de Valencia. (sin fecha).
[avaliable]:
https://www.uv.es/marinjl/electro/transisto
res.html
 Pedro Carrion y Pedro Morales. (1994).
[Memoria]:
https://upcommons.upc.edu/bitstream/han
dle/2099/8911/Article02.pdf
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 Fairchild Semiconductor. (2014, jun 8).

[Avaliable]:
https://www.digikey.com/es/articles/techz
one/2014/aug/resistor-capacitor-rc-
snubber-design-for-power-switches