Laboratorio de Electrónica I: Práctica 3ª “Caracterización de transistores”

PRÁCTICA 5ª: CARACTERIZACIÓN DE

TRANSISTORES.

1. Objetivos:

- Hallar las características de transistores BJT,

- Analizar las características de transistores BJT, mediante la experimentación.
- Calcular la curva característica de los transistores BJT.

2. Material:

Instrumental:
1 fuentes de tensión DC
Generador de señal
Osciloscopio
Multimetro

Componentes:

Transistores BJT: 2N2222A Cantidad 2

Resistencias: 100, 500 1K, 4.7k 3 de cada una.
Potenciómetros: 10 K, 1M

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3. Desarrollo de la Práctica:

1. Características del transistor con multímetro.

Identifique los transistores a través de la hoja del fabricante, su configuración, encontrar cuál es la
configuración de su diodo con el multímetro y su polaridad. Identificar si se trata de un PNP, de un
NPN.

2. Características del transistor mediante hojas de especificaciones

Utilizando los datasheet (hoja especificaciones) analizar los siguientes parámetros.

Tipo de transistor, configuración de la pastilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima,  (hFE)
y frecuencia de corte.

3. Gráfica de comportamiento de un transistor BJT.

Para obtener las curvas características (IC vs. VCE para distintas IB) de un transistor BJT se
debe realizar un montaje como el de la figura 1.

Figura 1. Circuito de polarización del transistor BJT tipo NPN.

Donde T1= 21N2222A; Vref= 15V; Rb1= 4.7K; Rb2 = 1M; Rc1= 500 y Rc2 = 10K. Se
requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de forma
de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC.
3a- Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro repitiendo el proceso para IB igual
a 50uA, 75uA y 125uA.
3b- ¿Con esta configuración estará alguna vez el transistor en la región de saturación?.

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3c- ¿Y en corte?.
3d- ¿Por qué?.

4. Gráfica de comportamiento de Polarización en base común.

Repita el numeral anterior para una configuración en base común, ajuste que VCE = Vref/2.

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