TESINA – LEZIONE 1 Francesco Iandolo

Esercizio 1

Obiettivo del primo esercizio della Lezione 1 è osservare le curve di ingresso e d'uscita di
un transistor bjt. Per ottenere tale scopo, è stato montato il transistor BFQ67PLP nella
configurazione ad “emettitore comune”, la quale vede l'emettitore come terminale comune
tra le porte d'ingresso e d'uscita del dispositivo. Sono successivamente stati posti due
generatori dc, tra collettore ed emettitore e tra base ed emettitore, al fine di polarizzare il
dispositivo ( generatore base-emettitore ) e calcolare la curva Ic – Vce , richiesta dalla
traccia sotto il nome di curva d'uscita.
Dunque lo schematico sul quale è stata svolta l'analisi si presenta come in figura :

I valori numerici scelti per i due generatori sono stati valutati molto intuitivamente avendo
come fine ultimo la semplice garanzia di lavoro permanente in zona attiva per il transistor.
La verifica dei valori immessi è stata compiuta attraverso una simulazione di Bias Point, che
ha prodotto tali valori per tensioni e correnti nel circuito :
Si può notare che, a causa di una valutazione approssimativa sui valori numerici, la corrente
di collettore risulta essere dell'ordine delle decine di milliVolt, laddove sono invece abituato
a trattare correnti di collettore dell'ordine di centinaia di microVolt. Tale caratteristica
tuttavia non influenza la qualità dei grafici ottenuti.
Variando la tensione tra collettore ed emettitore e misurando contemporaneamente la
corrente di collettore Ic si ottiene la curva di uscita Ic – Vce, ottenuta dunque attraverso una
simulazione DC Sweep, previo posizionamento di una sonda di corrente sul nodo d'interesse
del dispositivo. Il grafico ottenuto è mostrato in figura :

In primis da tale grafico, rappresentante l'andamento della corrente di collettore al variare

della tensione collettore-emettitore per una tensione base-emettitore fissa, si capisce che il
transistor implementa la funzione di generatore di corrente “non ideale” : ci si aspetterebbe
che, al variare della tensione ai capi del dispositivo, la corrente erogata rimanesse fissa,
ovvero piatta nel grafico Ic-Vce, ma si osserva che la retta ha invece pendenza non nulla.
Tale non idealità viene infatti modellizzata con una resistenza di uscita non infinita per il
bjt.
Successivamente, aggiungendo alla simulazione precedente anche una DC Sweep-
secondary sulla tensione base-emettitore, ottengo un grafico inerente alla variazione della
curva Ic-Vce in relazione ai valori della tensione di polarizzazione Vbe.
Tale grafico è mostrato in figura :
Da tale grafico si può osservare come, ovviamente, la risposta in corrente del transistor
dipenda dalla polarizzazione sul suo terminale di base. Qualora la tensione di base
scendesse al di sotto della Vbe-on, il dispositivo si spegnerebbe e non erogherebbe più
corrente.
Infine ottengo la curva d'ingresso del transistor, ovvero la curva Ic-Vbe, operando una
simulazione DC-Sweep unicamente sul generatore posto tra base ed emettitore.
Da teoria, mi aspetto che la curva descriva l'andamento esponenziale che regola la
dipendenza della corrente dalla tensione di base, ed infatti la curva si presenta così :

Facendo variare al contempo anche la Vce, a causa dell'effetto sopra descritto riguardo al
comportamento da generatore di corrente non ideale ( effetto detto in letteratura “Effetto
Early”), si può scorgere la dipendenza della curva Ic-Vbe dalla tensione Vce:

Esercizio 2

Obiettivo del secondo esercizio della lezione 1 è invece ottenere la Transcaratteristica

ingresso-uscita, ovvero la dipendenza tra tensione di uscita e tensione di ingresso a tensioni
statiche, ovvero ragionando in grande segnale e variando di step in step le tensioni in gioco.
Per ottenere tale scopo, è stato utilizzato stavolta il dispositivo bjt Q2N2222, montato
nuovamente nella configurazione ad emettitore comune ma stavolta con resistenza di
collettore. Per evitare l'incoveniente di correnti in gioco troppo alte, stavolta si è eseguita
un'analisi di polarizzazione “carta e penna” del circuito più accurata, la quale ha prodotto
tale schematico :

La correttezza dell'analisi è stata poi verificata attraverso una simulazione di Bias Point, che
ha confermato l'ipotesi di zona attiva per il transistor ed ha prodotto tali valori per tensioni e
correnti nel circuito :

Per ottenere la Transcaratteristica è stata poi eseguita una simulazione DC Sweep sulla
tensione base-emettitore, previo posizionamento di una sonda di corrente sul collettore del
dispositivo. Il grafico ottenuto è il seguente :
Da tale grafico si può osservare come la pendenza della curva raggiunga un massimo al
centro della “gobba”, e in tale punto di massimo conviene porre il punto di lavoro per
ottenere il massimo guadagno ottenibile. Inoltre dal grafico si può osservare che la dinamica
d'ingresso dell'emettitore comune è di un centinaio di milliVolt, mentre la dinamica d'uscita
è di quasi tutta la barra di alimentazione ( alimentazione che nel circuito è la stessa tensione
Vce ).
Al fine di ottenere riscontro sperimentale della dipendenza del guadagno dal
posizionamento del punto di lavoro si è modificato lo schematico sostituendo il generatore
DC Vbe con uno di tipo AC, il quale tuttavia è stato impostato con valori diversi di continua
(0.6, 0.65 ) che assicurano l'ipotesi di zona attiva per il bjt ma spostano lungo la
transcaratteristica il punto di lavoro.
Si osserva infatti nel caso peggiore tra i due un guadagno di 22.9 V/V, mentre nel caso
migliore tra i due un guadagno di 39.4 V/V.
Infine si è sostituito nello schematico il generatore AC in vece di un generatore di onda
sinusoidale, volendo verificare l'effettiva posizione del punto di lavoro. Lavorando con
un'onda sinusoidale di ampiezza non troppo grande, un buon posizionamento del punto di
lavoro è quello che permette all'onda di essere amplificata senza subire tagli in semionda
positiva o negativa, tagli dovuti all'uscita del bjt dalla zona attiva. Caratterizzando dunque il
generatore di onda sinusoidale con la continua adoperata fin'ora per la polarizzazione ( 0.65
Volt ), rendendo l'ampiezza un fattore parametrico e generando un'onda di frequenza pari a
100k Hz, si ottiene tale schematico,
sul quale si opera una simulazione di tipo Transient che reca tale grafico :

Dal grafico si può osservare che il punto di lavoro scelto non è assolutamente conveniente :
quasi tutte le sinusoidi risultano infatti troncate in semionda negativa, effetto generato da
una posizione del punto di lavoro troppo sulla destra del grafico della transcaratteristica.