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Características V DD
eléctricas (5V) en corriente de
DC alimentación,
f OP = 8MHz
inhibición de
baja tensión,
viaje de la
caída de
voltaje V
TRIPF 3,55
(3,60) ( 3) 4,02
(4,25) 4,48
(4,48) V
Inhibición de
baja tensión,
tensión
creciente viaje
Características V DD
eléctricas (3V) en corriente de
DC alimentación,
f OP = 4 MHz
inhibición de
bajo voltaje, el
voltaje de
disparo
(histéresis No
implementado
para 3V LVI)
Características
de la memoria
Desde
MC68HC08JL8 es
un dispositivo
ROM, no se
aplican las
características
eléctricas de la
memoria FLASH.