Semiconductores de Potencia

TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO
INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE URUAPAN
Tema 1
“Semiconductores de potencia”
RESUMEN
Elaborado por:
Arias Arteaga Carlos Alberto Ismael

Gutiérrez Quintana Luis Antonio
Vargas De la mora Santiago
Vedolla Colín Aarón Omar
Semestre 6 Grupo: A
Materia:
Electrónica de Potencia Aplicada
Docente:
Ing. Gonzalo Villalobos Tapia
Uruapan del Progreso, Michoacán de Ocampo 5 de febrero del 2019

TABLA DE CONTENIDO
1. SEMICONDUCTORES DE POTENCIA................................................................................. 2
1.1 Diodos de potencia, sus características y parámetros ............................................. 2
1.2 Rectificadores monofásicos y trifásicos (no controlados) ....................................... 6
1.3 Aplicaciones de los rectificadores............................................................................. 27
1.4 Características y parámetros de un transistor BJT de potencia, MOSFET e IGBT

(Transistor Bipolar de Puerta Aislada) ......................................................................... 30
2. EJERCICIO RESUELTO ........................................................................................................ 33
3. CONCLUSIÓN ........................................................................................................................ 35
4. REFERENCIAS BIBLIGRÁFICAS ......................................................................................... 36

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1. SEMICONDUCTORES DE PONTECIA
1.1. Diodos de potencia, sus características y parámetros.
Los diodos de potencia son dispositivos electrónicos semiconductores que se

diferencian de los diodos de baja potencia, en que estos son capaces de soportar
una alta intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de conducción y
en sentido inverso, además de ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa
de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. (1)
Tipos de diodos de potencia:
 Diodos rectificadores para baja frecuencia

 Diodos rápidos y ultrarrápidos
 Diodos Schotkky. (2)
Características de los diodos:
La curva característica de los diodos de potencia

se puede observar en la figura 1.1, Las
características principales de los diodos suelen
estar divididas en tres tipos las cuales son:
Características estáticas: Figura 1.1. Curva característica de los diodos de potencia.
Se dividen en tres tipos de parámetros los cuales son:
 Parámetros de bloqueo.
 Tensión inversa de trabajo (VRWM): Tensión inversa máxima que
puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de
avalancha.
 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): Tensión inversa máxima
que puede ser soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por
tiempo indefinido.

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 Tensión inversa de pico único (VRSM): Tensión inversa máxima que
puede ser soportada por una sola vez cada 10 min o más, con
duración de pico de 10ms.
 Tensión de ruptura (VR): Tensión en la cual se destruye o se degradan
las características eléctricas del diodo.
 Parámetros en estado de conducción.

 Intensidad media nominal (IFAV): Es el valor medio de la máxima
intensidad de impulsos senoidales de 180º que el diodo puede
soportar.
 Intensidad de pico repetitivo (IFRM): Máxima intensidad que puede ser
soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duración de pico de
1ms a determinada temperatura de la cápsula.
 Intensidad de pico único (IFSM): Es el máximo pico de intensidad
aplicable por una vez cada 10 minutos o más, con duración de pico de
10ms. (1)
Modelos estáticos del diodo:
Los distintos modelos del diodo

en su región directa (modelos
estáticos) se representan en la
figura 1.2. Estos modelos
facilitan el cálculo a realizar para
lo cual se debe elegir el modelo
correcto según el nivel de Figura 1.2. Modelos estáticos de los diodos de potencia.
precisión que necesitemos.
Características dinámicas.
Son las características referidas al proceso de conmutación del diodo, tal y como se
observa en la figura 1.3:

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Figura 1.3. Características de apagado y encendido del diodo.. .
Parámetros de encendido.
 Tensión directa 𝑉𝑜𝑛 Caída de tensión del diodo en régimen permanente para
la corriente nominal.
 Tensión de recuperación directa 𝑉𝐹 Tensión máxima durante el encendido.
 Tensión de recuperación directa 𝑡𝑜𝑛 : Tiempo para alcanzar el 110% de 𝑉𝑜𝑛
 Tiempo de subida 𝑡𝑟 :Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90%.
Parámetros de apagado.
 𝑡𝑎 (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso

por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
 𝑡𝑏 (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor
de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
 𝑡𝑟𝑟 (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb. (3)

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Características térmicas.
Temperatura de la unión (Tjmáx): Es el límite superior de temperatura que nunca

debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su
inmediata destrucción.
Temperatura de almacenamiento (Tstg): Es la temperatura a la que se encuentra el

dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. (2)

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1.2. Rectificadores monofásicos y trifásicos (no controlados).
Los rectificadores o convertidores de corriente se caracterizan por transformar la

corriente alterna en continua. De esta manera permiten la conversión directa desde
un circuito alimentado con voltaje alterno, poder alimentar a la carga con corriente
continua. Los rectificadores no controlados están formados exclusivamente por
diodos, no necesitando circuitos de mando, por lo que los diodos conmutan de
manera natural forzados por la fuente de alimentación.
Para entender como funciona un rectificador basta con fijarnos en dos aspectos:
1. Los conjuntos de diodos o conmutadores.
2. La forma como están conectados los devanados que suministran las

tensiones alternas a rectificar: el tipo de montaje. (4)
Principio de funcionamiento:
 Convertir una señal alterna en continua.
 Pueden ser controlados o no controlados (capaz de regular corriente o

tensión de salida).
 Pueden ser monofásicos o trifásicos.
 Pueden ser de conmutación natural o conmutación forzada.
 Pueden utilizarse configuraciones de múltiples rectificadores para mejorar la

calidad de las formas de onda. Siguiendo el patrón de la figura 1.4. (5)
Figura 1.4. Convertidor AC/DC.

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A continuación se muestran los diagramas y fórmulas de las configuraciones de los
rectificadores monofásicos y trifásicos. Véase las figuras 1.5, 1.6, 1.7, 1.8, 1.9, 2.1,
2.2, 2.3, 2.4, 2.5, 2.6, 2.7, 2.8, 2.9, 3.1, 3.2, 3.3, 3.4, 3.5, 3.6, 3.7, 3.8, 3.9, 4.1, 4.2,
4.3, 4.4.(6)
Rectificador Monofásico.
Figura 1.5. Diferentes topologías de rectificadores: a) Media onda, b) Onda completa con
transformador de toma media, c) Onda completa con puente de diodos.
Rectificador Monofásico - Rectificador Media onda.
Figura 1.6. Rectificador no controlado con carga resistiva.

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Primer intervalo: Segundo intervalo:
𝑉𝑅 = 𝑉𝑠 𝑉𝑅 = 0
𝑉𝑅 𝐼𝑅 = 0
𝐼𝑅 =
𝑅
𝑉𝐴𝐾 = 𝑉𝑠
𝑉𝐴𝐾 = 0
Tesión media en la carga:
1 𝜋 √2𝑉𝑠
𝑉𝑅(𝐴𝑉) = ∫ √2 𝑉𝑠 sin(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 =
2𝜋 0 𝜋
Tensión eficaz en la carga:
𝑉𝑠
𝑉𝑅(𝑅𝑀𝑆) =
√2
Figura 1.7. Formas de onda en un rectificador con carga resistiva-inductiva.

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Figura 1.8. Formas de onda en un rectificador con carga inductiva y fuerza contraelectromotriz
(Cargador de baterías o motor DC).

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Figura 1.9. Formas de onda en un rectificador con carga resistiva-inductiva y diodo de libre
circulación.
Figura 2.1. Formas de onda en un rectificador con carga inductiva y fuerza contraelectromotriz y
diodo de libre circulación.

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Rectificador Monofásico – Puente completo.
Figura 2.2. Rectificador en puente completo monofásico.
Se estudiaran los siguientes casos:
 Para LS despreciable.
 Con carga resistiva.
 Con carga fuertemente inductiva.
 Teniendo en cuenta el efecto de LS.
 Con carga fuertemente inductiva.

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Rectificador Monofásico – Puente completo conmutación instantánea.
Figura 2.3. Rectificador en puente completo conmutación instantánea monofásico.
Figura 2.4. Rectificador en puente completo monofásico con conmutación ideal y carga resistiva.

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Figura 2.5. Formas de onda de un rectificador monofásico puente no controlado para carga
resistiva.
Figura 2.6. Formas de onda de un rectificador monofásico puente no controlado para carga
fuertemente inductiva.

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La distorsión total de la corriente de línea IS será:
Rectificador Monofásico – Conmutación no instantánea.
Figura 2.7. Puente rectificador monofásico con conmutación no instantánea: a) Circuito, b) Formas
de onda.

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Figura 2.8. Circuito equivalente.
Circuito equivalente, figura 2.8, usado para el estudio de la conmutación no

instantánea: La fuente y la bobina forman una malla con los cuatro diodos
conduciendo.
La ecuación que rige el funcionamiento de este circuito es:
El valor medio de la pérdida de tensión debida a la conmutación no instantánea

𝐴𝜇⁄
será: 𝜋 luego la tensión en el rectificador será:

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Rectificador Monofásico – Carga tensión constante.
Figura 2.9. Puente rectificador monofásico con carga a tensión constante (Carga capacitiva, Motor
DC o Batería): a) Circuito, b) Formas de onda.

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Figura 3.1. Puente rectificador monofásico con carga a tensión constante.
La ecuación que rige el funcionamiento del circuito es:
Integrando esta ecuación, se obtiene:
El ángulo 2 en el que se anula la corriente, se calcula de:
Y el valor medio de la corriente por la carga de:

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Rectificador Monofásico – Conexión en redes trifásicas. Corrientes por el neutro.
Figura 3.2. Conexión de tres rectificadores idénticos en una red trifásica.
La corriente por el neutro es:
En esta suma todos los armónicos no triples suman cero, luego la corriente por el
neutro será:
Esta última aproximación se puede hacer si el tercer armónico es mucho mayor que
los demás armónicos triples.

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Rectificadores Trifásicos y Polifásicos – Montajes simples.
Figura 3.3. Formas de onda de los montajes: a) Montaje simple polianódico y b) Montaje simple
policatódico.

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Rectificadores Trifásicos y Polifásicos – Conexión serie en fase.
Figura 3.4. Conexión en fase de dos rectificadores polianódicos idénticos.

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Rectificadores Trifásicos y Polifásicos – Conexión serie en oposición de fases.
Figura 3.5. Conexión serie en oposición de fases.

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Rectificadores Trifásicos y Polifásicos – Puente trifásico.
Figura 3.6. Puente trifásico.

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Figura 3.7. Puente trifásico.

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Rectificadores Trifásicos y Polifásicos – Puente trifásico. Armónicos.
Figura 3.8. Armónicos de la corriente IR (normalizada con Id).

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Rectificadores Trifásicos y Polifásicos.
Figura 3.9. Conmutación no instantánea en un puente trifásico.

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Rectificadores Trifásicos y Polifásicos – Conexión en paralelo.
Figura 4.1. Rectificador Hexafásico. Figura 4.2. Conexión paralelo de dos rectificadores
trifásicos en oposición de fase.
Figura 4.3. Solo conduce un diodo en cada instante. Figura 4.4. Conducen un diodo de cada
rectificador en cada instante.

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1.3. Aplicaciones de los rectificadores.
Rectificador.
Se pueden utilizar para rectificar señales de corriente alterna, y transformarla a

corrientes positivas o negativas de corriente continua.
Se utilizan para hacer multímetros o fuentes de poder de corriente continua.
Figura 4.5. Esquema de un circuito rectificador con dos diodos.
Multiplicador de tensión.
Esta hecho con diodos y con capacitores, Sirve para aumentar el voltaje de entrada
de forma multiplicativa.
Mientras más mallas existan, mas será el voltaje multiplicado.
Figura 4.6. Esquema de un multiplicador de tensión.

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Limitador de voltaje.
Permite transformar una señal manipulándola para variar su tipo (cuadrada o

triangular) o sus valores de voltaje pico o pico pico, también conocido como circuito
recortador.
Figura 4.7. Esquema de un circuito limitador de voltaje.
Compuertas lógicas.
Sirve para ofrecer una respuesta lógica booleana de salida de acuerdo a un tipo de
señal de entrada.
Figura 4.8. Esquema de un circuito de una compuerta OR
Regulador dxe voltaje o corriente.
En un regulador de voltaje la salida se mantiene constante esto gracias a la

característica del diodo zener que al usarse polarizado inversamente mantiene una
corriente o tensión constante.

P á g i n a | 28
Figura 4.9. Circuito interno de un regulador de voltaje.
Circuito fijador.
Consiste en manipular la señal de entrada y desplazarla de forma vertical por la

variación de incrementación del tiempo con respecto al periodo que producen en
conjunto un capacitor, un resistor y un diodo. (7)
Figura 5.1. Esquema de un circuito fijador.

P á g i n a | 29
1.4. Características y parámetros de un transistor BJT de potencia, MOSFET e
IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada).
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los

transistores normales, teniendo como características esenciales las altas tensiones
e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las potencias a disipar.
Existen básicamente tres tipos de transistores de potencia:
1. Bipolar
2. Unipolar o FET
3. IGTB
Características de los transistores MOSFET.
 La velocidad de conmutación en los MOSFET es mayor, por lo que son mas

utilizados en convertidores de pequeña y alta frecuencia.
 Los MOSFET no tienen problema de segunda ruptura.
 Mayor área de funcionamiento.
 Mayores ganancias.
 Circuito de mando simple.
 Alta impedancia de entrada.
 Son muy sensibles a descargas electrostáticas.
 Mala protección.

P á g i n a | 30
Características de los transistores BJT.
Existen 4 tipos de polarización posibles, dependiendo del sentido o signo de los

voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor.
Las cuales son:
1. Región activa directa: corresponde a una polarización directa de la unión

emisor-base.
2. Región activa inversa: corresponde a una polarización inversa de la unión

emisor-base.
3. Región de corte: corte a una polarización inversa de ambas uniones.
4. Región de saturación: corresponde a una polarización directa en ambas

uniones.
El IGTB ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de
carga en corriente de los transistores bipolares:
 Trabaja con tensión.
 Tiempos de conmutación bajos (alta frecuencia de funcionamiento).
 Margen de potencia en conducción mucho mayor (como los bipolares)
Nos interesa como siempre que tratamos con dispositivos semiconductores de

potencia que el transistor se parezca, lo más posible, a un elemento ideal:
 Pequeñas fugas.
 Alta potencia.
 Bajos tiempos de respuesta, para conseguir una alta frecuencia de

funcionamiento.
 Que el efecto de avalancha se produzca a un valor elevado.

P á g i n a | 31
Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente los
transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se
hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo a causa de las
capacidades asociadas a las uniones colector-base-emisor y los tiempos de difusión
y recombinación de los portadores. (8)

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2. EJERCICIO RESUELTO.
Para el rectificador de media onda de la figura x. El generador produce una

sinusoide de 120 Vrms a una frecuencia de 60 Hz. La resistencia de carga es de
5. Determine:
a) La corriente media en la carga.
b) La potencia media absorbida por la carga.
c) El factor de potencia del circuito.
Solución:
a) La tensión en la resistencia es una sinusoide con rectificación de media onda,

𝑉𝑚
con un valor pico 𝑉𝑚 = 120√2 = 169.7 𝑉. La tensión media es y la
𝜋
corriente media es:
𝑉0 𝑉𝑚 √2(120)
𝐼= = = = 10.8 𝐴
𝑅 𝜋𝑅 𝜋5

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b) La tensión eficaz en la resistencia para un sinusoide con rectificación de
media onda es:
𝑉𝑚 √2(120)
𝑉𝑟𝑚𝑠 = = = 84.9
2 2
La potencia absorbida por la resistencia es:
𝑉𝑟𝑚𝑠 2 84.92
𝑃= = = 1,440 𝑊
𝑅 5
c) La corriente eficaz en la resistencia es:
𝑉𝑚
= 17 𝐴
𝑅
El factor de potenica es:
𝑃 𝑃 1,440
𝑓. 𝑝. = = = = 0.707
𝑆 𝑉𝑠𝑟𝑚𝑠 ∗ 𝐼𝑠𝑟𝑚𝑠 (120)(17)

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3. CONCLUSIÓN.
Los diodos de potencia son uno de los principales dispositivos electrónicos

semiconductores que son utilizados en la electrónica de potencia, su uso y estudio
servirá de base para comprender los siguientes tipos circuitos que se van a ir
estudiando a lo largo de la materia.
Además, gracias a estos dispositivos electronicos, se tiene actualmente una gran

cantidad de maquinas y herramientas que funcionan debido a estos transistores de
potencia, los cuales permiten realizar conmutaciones para convertir la corriente
alterna en directa y viceversa, se puede encontrarlos fácilmente no solo en una
industria, si no que en los mismos hogares y oficinas de trabajo donde
constantemente hacemos uso de estos transistores.
La importancia del estudio de estos temas nos va a servir en un futuro para que
como ingenieros mecatronicos podamos crear aparatos electrónicos que funcionen
de una manera óptima, para que la tecnología que se cree dentro de la nación se
fortalezca y pueda ayudar al país a ser una economía más competitiva dentro del
mercado mundial, además de encontrar mejores fuentes de energía para ser más
amigables con el medio ambiente.

P á g i n a | 35
4. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS.
1. Anónimo. (2018). Diodos de potencia. 02/02/2019, de EcuRed Sitio web:

https://www.ecured.cu/Diodos_de_potencia
2. Anónimo. (2016). Electrónica de Potencia/Diodo de potencia/Parámetros

característicos de funcionamiento. 02/02/2019, de Wikilibros Sitio web:
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/Diodo_de_po
tencia/Par%C3%A1metros_caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento
3. Roberto Miramón Sánchez. (2007). El diodo de potencia. 02/02/2019, de

IUMA Sitio web:
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_
3.1.Diodos_potencia.pdf
4. TEMA 3: Rectificación no Controlada. (2007). Recuperado 4 febrero, 2019,

de https://www.uv.es/emaset/iep00/temas/IEP3-0607.pdf
5. Pérez, M. A. (2016). ELECTRÓNICA INDUSTRIAL Capítulo 3:

Rectificadores. Recuperado 4 febrero, 2019, de
https://www.uv.es/emaset/iep00/temas/IEP3-0607.pdf
6. TEMA 12. RECTIFICADORES NO CONTROLADO. (2015). Recuperado 4

febrero, 2019, de http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_12.pdf

P á g i n a | 36
7. Anónimo. (2011). Aplicaciones principales del diodo. /02/02/2019, de
slideshare.net Sitio Web: https://es.slideshare.net/kikesanegc/aplicaciones-
del-diodo
8. Hernán Valencia Gallón. (2013). Fundamentos de Electrónica Industrial.

02/02/2019, de repository.upb.edu Sitio web:
https://repository.upb.edu.co/bitstream/handle/20.500.11912/74/Fundament
os%20de%20Electr%C3%B3nica%20Industrial%20-
%20Hern%C3%A1n%20Valencia%20Gall%C3%B3n.pdf?sequence=1

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1.1 Diodos de potencia, sus características y parámetros ............................................. 2

1.2 Rectificadores monofásicos y trifásicos (no controlados) ....................................... 6

1.3 Aplicaciones de los rectificadores............................................................................. 27

1.4 Características y parámetros de un transistor BJT de potencia, MOSFET e IGBT

2. EJERCICIO RESUELTO ........................................................................................................ 33

4. REFERENCIAS BIBLIGRÁFICAS ......................................................................................... 36

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1.1. Diodos de potencia, sus características y parámetros.

Los diodos de potencia son dispositivos electrónicos semiconductores que se

Tipos de diodos de potencia:

 Diodos rectificadores para baja frecuencia

Características de los diodos:

La curva característica de los diodos de potencia

Características estáticas: Figura 1.1. Curva característica de los diodos de potencia.

Se dividen en tres tipos de parámetros los cuales son:

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 Parámetros en estado de conducción.

Modelos estáticos del diodo:

Los distintos modelos del diodo

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 𝑡𝑎 (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso

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Temperatura de la unión (Tjmáx): Es el límite superior de temperatura que nunca

Temperatura de almacenamiento (Tstg): Es la temperatura a la que se encuentra el

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Los rectificadores o convertidores de corriente se caracterizan por transformar la

1. Los conjuntos de diodos o conmutadores.

2. La forma como están conectados los devanados que suministran las

 Convertir una señal alterna en continua.

 Pueden ser controlados o no controlados (capaz de regular corriente o

 Pueden ser monofásicos o trifásicos.

 Pueden ser de conmutación natural o conmutación forzada.

 Pueden utilizarse configuraciones de múltiples rectificadores para mejorar la

Figura 1.4. Convertidor AC/DC.

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Rectificador Monofásico - Rectificador Media onda.

Figura 1.6. Rectificador no controlado con carga resistiva.

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Tesión media en la carga:

Tensión eficaz en la carga:

Figura 1.7. Formas de onda en un rectificador con carga resistiva-inductiva.

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Figura 2.2. Rectificador en puente completo monofásico.

Se estudiaran los siguientes casos:

 Con carga resistiva.

 Con carga fuertemente inductiva.

 Teniendo en cuenta el efecto de LS.

 Con carga fuertemente inductiva.

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Figura 2.3. Rectificador en puente completo conmutación instantánea monofásico.

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Rectificador Monofásico – Conmutación no instantánea.

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Circuito equivalente, figura 2.8, usado para el estudio de la conmutación no

La ecuación que rige el funcionamiento de este circuito es:

El valor medio de la pérdida de tensión debida a la conmutación no instantánea