DIODO DE SILICIO

1. TABLA 1: INTENSIDAD CONSTANTE

Diodo de Silicio 1N4148
Vc (V) 0.485 0.528 0.576 0.656 0.767 0.923 1.291 1.716 2.221 2.8
Id (mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5 10 15 20
Vd (V) 0.474 0.51 0.533 0.563 0.602 0.62 0.66 0.69 0.71 0.73

2. TABLA 2: VOLTAJE CONSTANTE

Diodo de Silicio 1N4148

Vcc (V) 0 2 4 6 8 10 12 15 20
Id (mA) 0 12.27 31.6 51.9 73.1 93.3 112 141.2 194.7
Vd (V) 0.16 0.697 0.74 0.76 0.779 0.788 0.805 0.82 0.832

DIODO DE GERMANIO

3. TABLA 3: INTENSIDAD CONSTANTE

Diodo de Germanio 6N18
Vcc (V) 0 0.235 0.273 0.337 0.437 0.557 0.828 1.172 1.365 1.9 2.434
Id (mA) 0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5 8 10 15 20
Vd (V) 0.016 0.21 0.235 0.25 0.273 0.29 0.315 0.338 0.35 0.376 0.4

4. TABLA 4: VOLTAJE CONSTANTE

Diodo de Germanio 6N18
Vcc 0 1 2 4 6 8 10 12 15 18
Id (mA) 0 6.57 15.81 34.31 54 73.3 92 112.2 145 174
Vd (V) 0 0.327 0.381 0.462 0.54 0.612 0.67 0.707 0.742 0.777

GRAFICO 1: Basado en la Tabla 1

Variacion de Voltaje (Diodo) en relación

a la Corriente
25
20
Corriente (mA)

15
10
5
0
-0.2 -5 0 0.2 0.4 0.6 0.8
Voltaje en diodo Silicio (V)
GRAFICO 2: Basado en la Tabla 2

Variación de Corriente y Voltaje (Diodo)

250

200

Corriente (mA)
150

100

50

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
-50
Voltaje en diodo (V)

GRAFICO 3: Basado en la Tabla 3

Variacion de Voltaje (Diodo) en relación a la

Corriente
25
Corriente (mA)

20
15
10
5
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Voltaje en Diodo Germanio (V)

GRAFICO 4: Basado en la Tabla 4

Variacion de Voltaje (Diodo) y Corriente

200

150
Corriente (mA)

100

50

0
-0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Voltaje de Diodo Germanio (V)
 Calculo de la resistencia dinámica del diodo de la tabla 1:
𝑉𝑑
𝑅𝑑 =
𝐼
0.492
[1] 𝑅𝑑1 = 0.1
 𝑅𝑑1 = 4.92

0.518
[2] 𝑅𝑑2 = 0.2
 𝑅𝑑2 = 2.59

0.546
[3] 𝑅𝑑3 = 0.4
 𝑅𝑑3 = 1.365

0.598
[4] 𝑅𝑑4 = 0.8
 𝑅𝑑4 = 0.7475

0.608
[5] 𝑅𝑑5 = 0.16
 𝑅𝑑5 = 0.38

0.629
[6] 𝑅𝑑6 =  𝑅𝑑6 = 0.05032
2.5

0.646
[7] 𝑅𝑑7 = 5
 𝑅𝑑7 = 0.1292

0.692
[8] 𝑅𝑑8 = 10
 𝑅𝑑8 = 0.0692

0.710
[9] 𝑅𝑑9 = 15
 𝑅𝑑9 = 0.0473

0.723
[10] 𝑅𝑑10 =  𝑅𝑑10 = 0.3615
20

Análisis de resultados:

Como se sostiene de manera teórica, el voltaje producido por la fuente es directamente

proporcional a la corriente reconocida por el multímetro su relación es lineal positiva, por otra
parte, el voltaje del diodo de Silicio y la intensidad son variables exponencialmente
proporcionales, ya que a medida que aumenta el voltaje del diodo de Silicio la intensidad invertida
será exponencialmente mayor. De la misma manera ocurre con el diodo de Germanio, su relación
con la intensidad es exponencial

Por otra parte, en las tablas 2 y 4 se muestran los datos obtenidos con los diodos invertidos la
característica común del diodo de Silicio y Germanio es que ambos a pesar de aumentar la
corriente de manera exponencial sus voltajes no tienen una variación relevante. Sin embargo, una
diferencia entre el diodo de Silicio y del Germanio se enfoca en la capacidad del diodo de
Germanio ya que a partir de 0.3V empezó a conducir la corriente. A través de las gráficas 1 y 2 se
determina que el diodo de Silicio requiere más voltaje para conducir la corriente.