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Medición del ancho de la banda prohibida del silicio

Santiago Tabares Garcés, Daniel Henao Céspedes
Instituto de Fı́sica - Universidad de Antioquia

Abstract—Se realiza la medida del ancho de banda de energı́a

prohibida del silicio a una temperatura de 0 K por medio de
medición a cuatro puntas sobre una placa de silicio delgada, de
forma arbitraria, mediante un caracterizador de semiconductores
a diferentes temperaturas obtenidas usando un horno con fijador
de temperatura.

I. I NTRODUCCI ÓN

Existen en la naturaleza diferentes tipos de materiales, que

podemos clasificar en tres tipos: conductores, aislantes y semi-
conductores. Una caracterı́stica esencial de los materiales es la Fig. 1. Descripción gráfica de la banda de valencia y la banda de conducción
variación de su resistividad eléctrica al variar su temperatura. en los distintos tipos de materiales.
En los semiconductores, la resistividad eléctrica disminuye al
aumentar la temperatura, al contrario de los materiales con-
ductores, en los cuales al aumentar su temperatura, aumenta tiempo el electrón que saltó a la banda de conducción deja un
su resistividad eléctrica. Estas propiedades se pueden estudiar nivel vacı́o, lo que permite que los electrones de la banda de
gracias a la teorı́a de bandas. valencia se aceleren. Se crea entonces otro tipo de portador de
corriente, el hueco, que tiene igual carga que el electrón pero
A. Teorı́a de bandas positiva (ver Fig. 2).
En el siglo XX se desarrolló la teorı́a de las bandas
de energı́a en los sólidos. La teorı́a de bandas, en lugar
de considerar niveles discretos de energı́a de los electrones,
debido a su gran número, considera bandas de energı́a. Los
diversos niveles de energı́a de valencia conforman la banda
de valencia, y los primeros niveles de excitación conforman
la banda de conducción. Estas dos bandas están separadas por
un intervalo de energı́a prohibida (band-gap). Este intervalo de
energı́a corresponde a la energı́a que debe recibir un electrón
de la banda de valencia para pasar a la banda de conducción.
En los materiales aislantes este intervalo de energı́a es grande,
mientras que en los materiales semiconductores el intervalo
de energı́a es pequeño. Los materiales conductores tienen la
banda de valencia y la banda de conducción superpuestas
(como se muestra en la Fig. 1).
La última capa de energı́a (capa de valencia) del silicio
está conformada por cuatro electrones. Cuando se encuentra
en su forma cristalina, los electrones de valencia de un átomo Fig. 2. Representación esquemática de un cristal de silicio puro, donde
se alinean con los electrones de valencia de los átomos se ilustran los enlaces covalentes y la ruptura de uno de ellos dando como
resultado un electrón pasando a la banda de conducción y un hueco generado
adyacentes formando enlaces covalentes. A bajas temperaturas en la banda de valencia.
se comporta como una estructura completamente rı́gida ya que
todos los electrones de valencia están ligados en los enlaces Los huecos se desplazan en la banda de valencia, y en
covalentes. Luego mientras los enlaces permanecen intactos el presencia de un campo eléctrico son arrastrados hacia el
silicio se comporta como un aislante. terminal negativo, mientras que los electrones se mueven en
Cuando se aumenta la temperatura la resistencia eléctrica la banda de conducción y son arrastrados hacia el terminal
del material disminuye, debido a que se le brinda energı́a positivo del campo eléctrico. Este tipo de conducción, que
suficiente a algunos electrones para saltar a la banda de implica la generación de pares electrón-hueco, se denomina
conducción, donde se comportan como portadores de corriente conducción intrı́nseca. Una forma de aumentar la conductivi-
al estar en presencia de un campo eléctrico. Pero al mismo dad del silicio es rompiendo enlaces covalentes, pero para esto

se debe suministrar gran cantidad de energı́a, y se generarı́an
ambos tipos de portadores.
Otra forma de aumentar la conductividad eléctrica del silicio
es mediante un proceso de dopaje, que consiste en introducir
una poca cantidad (alrededor de 1 átomo de impureza por
107 átomos de silicio) de algún tipo de átomo pentavalente
(cinco electrones de valencia) o trivalente (tres electrones de
valencia). En caso de introducir impureza pentavalente, en
la estructura átomica quedarán electrones levemente ligados
al núcleo y requerirá menos energı́a para desplazarlos a la
banda de conducción. En el caso de introducir impureza
trivalente, en la estructura átomica se formarán algunos enlaces
covalentes incompletos, dando ası́ una abundancia de cargas
libres positivas (huecos) (ver Fig. 3).
Fig. 3. Estructura átomica del silicio con impurezas pentavalentes (lado
izquierdo) donde un electrón se desliga del núcleo fácilmente, y trivalentes
(lado derecho) donde hay enlaces covalentes incompletos y por ende, abun-
dancia de huecos.
II. M ARCO TE ÓRICO
La conductividad de un material que tenga un solo tipo de
portadores de carga se puede expresar como:
σ = qµn
Donde q es la carga de los portadores, µ es su movilidad y
n su densidad. La conductividad también es el inverso de la
resistividad:
σ = 1/ρ
El silicio posee dos tipos de portadores de carga, los electrones
y los huecos. En particular, el silicio tiene tres tipos de huecos
portadores, por lo tanto la conductividad se escribe como:
σ = e(µn n + µe f p)
Donde e es la carga de los portadores, µn es la movilidad de
los electrones, n es la densidad de los electrones, µe f es el
promedio de la movilidad de los tres tipos de huecos y p su
densidad.
Se sabe que en el silicio a medida que se aumenta la tem-
peratura los electrones van ganando la energı́a necesaria para
pasar a la banda de conducción. Cuando estas temperaturas
son mayores a 300 K, se entra en la llamada zona intrı́nseca
del silicio, intervalo en el que las densidades de los portadores
de carga (electrones y huecos) se equiparan, y sucede que:
3
n ≈ p ∝ T 2 e−Eg /2kB T
2
Donde Eg es el band-gap dependiente de la temperatura, T es
la temperatura y kB es la constante de Boltzmann.
Debido a que el grado de impurezas no es muy grande,
la movilidad a temperaturas superiores a aproximadamente
300K estará principalmente determinada por las oscilaciones
acústicas de la red. En este caso:
−3
µn , µe f ∝ T 2
Combinando las anteriores tres ecuaciones se tiene que:
σ = Ke−Eg /2kB T (1)
Donde K se puede considerar constante si Eg >> kB T , dada
la variación del factor exponencial.
Luego se linealiza la ecuación (1) tomando el logaritmo
natural:
ln(σ ) = ln(K) − Eg /2kB T (2)
Pero en esta ecuación Eg depende de la temperatura, por
lo que tendrı́amos tres variables, ası́ que es necesario suponer
que el band-gap varı́a linealmente con la temperatura (en los
resultados se verá que es una buena suposición), de la forma:
Eg = Eg (0) − αT (3)
Donde Eg (0) es la extrapolación de la banda de energı́a a
T = 0K y α una constante independiente de T .
Reemplazando la ecuación 3 en 2 se obtiene:
ln(σ ) = (ln(K) + α/2kB ) − Eg (0)/2kB T (4)
Al graficar ln(σ ) vs −1/2kB T se ajustará una lı́nea recta con
pendiente Eg (0) (el valor deseado) e intercepto ln(K)+α/2kB .
III. P ROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Para medir la conductividad del silicio, se utiliza un método
denominado medición a cuatro puntas, que consiste en inducir
una corriente en la lámina de silicio por dos contactos y por
otros dos contactos medir la diferencia de potencial (voltaje).
En principio, el experimento se deseaba realizar con una fuente
de corriente con suficiente resolución, un medidor de voltaje y
la lámina de silicio con diferentes contactos pegados mediante
pintura de plata. Pero por varias dificultades, no se pudo tomar
la totalidad de datos necesarios, por lo cual, solo se mostrará
los datos obtenidos a temperatura ambiente.
El experimento se realizó luego con un caracterizador de
semiconductores, el cual lo suficientemente automatizado nos
brinda el resultado de la sheet resistance del material, la cual
es igual a la resistividad del material dividido su espesor: Rs =
ρ/d. Donde ρ es la resistividad del material, Rs es la sheet
resistance y d es el espesor.
Se sitúa la lámina de silicio bajo cuatro contactos del
instrumento caracterizador de semiconductores, y encima de
un horno con fijador de temperatura. Se establece la tem-
peratura a la cual se desea tomar las medidas y se pone en
contacto las cuatro puntas del instrumento con la lámina de
silicio. El instrumento muestra en una pantalla los datos de
sheet resistance. Se realizan al menos diez medidas en cada
temperatura fija para luego obtener un promedio y aumentar la

precisión del experimento. Las temperaturas utilizadas fueron:
295.15K, 333.15K, 348.15K, 363.15K, 378.15K, 393.15K,
418.15K, todas con una incertidumbre ∆T = 1K.
IV. R ESULTADOS Y AN ÁLISIS
Como se menciona en el ’Procedimiento experimental’, el
band-gap a 0K fue intentado hallar de dos formas (una con
éxito): midiendo corriente y voltaje y a partir de allı́ hallando
todo, y con el caracterizador de semiconductores que entregaba
la sheet resistance.
En el primer montaje se nombran las cuatro puntas con las
letras A, B, C y D. Se midió la corriente entre las puntas A y
D (IAD ) y el voltaje entre C y B (VCB ). Después, la corriente
entre las puntas B y D (IBD ) y el voltaje entre A y C (VAC ).
Todo esto a temperatura ambiente (297.15K).
Los valores de IAD y VCB fueron graficados en la Fig. 4, y
los de IBD y VAC en la Fig. 5. Dado que V = IR, se ajustó una
recta y = mx a ambas gráficas, con las que se obtuvo:
RAD,CB = 61000ohm; RBD,AC = 6.8ohm
Fig. 4. Gráfica de IAD vs VCB , con su respectivo ajuste lineal.
Fig. 5. Gráfica de IBD vs VAC , con su respectivo ajuste lineal.
Estas medidas de resistencia pueden darnos el valor de la
resistividad, resolviendo numéricamente (usando Python) la
ecuación que las involucra:
−πRAD,CB d −πRBD,AC d
e ρ +e ρ =1
3
Donde d = (3.7 ± 0.1)e − 4metros es el espesor de la placa
y ρ su resistividad. Ası́, se obtiene ρ = 9.9ohm ∗ m para T =
297.15K.
Debido a los inconvenientes presentados con los instrumen-
tos, no se pudieron obtener medidas para diferentes temperat-
uras, y como una sola medida de resistividad no es suficiente,
no se pudo hallar el band-gap de esta manera.
En el segundo montaje, se midió la sheet-resistance del
silicio con el caracterizador de semiconductores. Este valor
está relacionado con la resistividad por la ecuación ρ = Rs d.
Se tomaron más de 10 valores de sheet-resistance para
cada una de las 7 diferentes medidas de temperatura. Luego
se calculó el promedio y la desviación estándar de todos
los valores asociados a una misma temperatura, y se mul-
tiplicaron por d. Ası́, se tiene la resistividad promedio del
silicio para cada temperatura, con su respectiva incertidumbre
(la desviación estándar). Por ejemplo, para T = 297.15K la
resistividad calculada es ρ = (3600 ± 900)ohm ∗ m, un valor
muy distinto del obtenido usando los datos del primer montaje
(ρ = 9.9ohm ∗ m). Esta diferencia tan grande puede ser com-
prendida notando lo mal que se ajusta la recta a los puntos de
la Fig. 4, y esto a su vez por las fallas que fueron presentando
los instrumentos de medición en el primer montaje.
Luego, se graficó ln(σ ) = ln(1/ρ) vs 1/2kB T (ver Fig. 6),
debido a la relación que se encontró en la ecuación (4). Las
barras de error que se observan en la figura se obtuvieron
siguiendo la propagación de los errores de los valores de
resistividad y el error de la temperatura (1 K). El ajuste lineal
realizado en la misma figura tuvo en cuenta estas barras de
error. Todo esto fue obtenido usando funciones de Python y
el software Qtiplot.
Comparando la ecuación de la recta de ajuste con la
ecuación (4) se llega a que Eg (0) = (1.71 ± 0.11) ∗ 10−19 J =
(1.07 ± 0.07)eV , que es el band-gap del silicio a T = 0K.
Fig. 6. Ajuste lineal a la gráfica ln(σ ) vs 1/2kB T .
(5)
 4

V. C ONCLUSIONES
El valor del band-gap a 0K que se obtuvo fue Eg (0) =
(1.07 ± 0.07)eV , el cual es aproximado al valor de la bib-
liografı́a: Eg (0) = 1.17eV [1]. El valor superior del rango
obtenido es Eg (0) = 1.14eV , realmente muy cerca del men-
cionado.
La suposición de linealidad entre el band-gap y la temper-
atura condujo a buenos resultados (la cercanı́a del valor Eg (0)
y el buen ajuste lineal en la Fig. 6). Puede decirse entonces que
hay una dependencia lineal entre el band-gap y la temperatura
del silicio, al menos entre 300 K y 420 K.
El valor tan cercano del band-gap con el valor esperado
se debe a que se utilizó un instrumento con una sensibilidad
apreciable, y también fue gracias a que en cada temperatura
fija se tomó al menos diez datos de sheet-resistance.

R EFERENCES
[1] Ashcroft y Mermin, “Solid State Physics”,i, international edition, Saun-
ders College Publishing. 1976. Tabla 28.1, p. 566.
[2] L. Kirkup y F. Placido, Undergraduate experiment: determination of the
band gap in silicon and germanium, Am. J. Phys. 1986
[3] L. J. Van der Pauw, A method of measuring specific resistivity and hall
effect of discs of arbitrary shape. Philips Res. 1958