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UNIVERSIDAD
AUTÓNOMA DE PUEBLA
FACULTAD DE INGENIERÍA
COLEGIO DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA
MATRÍCULA: 201621210
OTOÑO 2018.
Transistor Monounión (UJT).
El reciente interés en el Transistor Monounión (UJT), al igual que en el
SCR, ha estado aumentando a un ritmo notable. Se presentó por primera vez en
1948, el dispositivo estuvo disponible hasta 1952. El bajo costo por unidad
combinado con las excelentes características del dispositivo han asegurado su
uso en una amplia variedad de aplicaciones, como Osciladores, Circuitos de
Disparo, Generadores de Diente de Sierra, control de fase y Circuitos
Temporizadores, Redes Bi-estables y Fuentes Reguladas por Corriente o Voltaje.
El hecho de que este dispositivo sea, en general, un dispositivo que absorbe poca
potencia en condiciones de operación normales, es una gran ayuda en el esfuerzo
continuado de diseñar sistemas relativamente eficientes.
𝑅1
𝑉𝑝 = ( ) (𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝐷 ) = 𝓃 (𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝐷 )
𝑅1 + 𝑅2
𝑅1
𝓃=( )
𝑅1 +𝑅2
CURVA CARACTERÍSTICA.
En la figura 1.6 se aprecia que a medida
que aumenta la corriente Ie hasta un punto
máximo Ip. Más allá del punto máximo, la
corriente aumenta a medida que disminuye
la tensión en la región dela resistencia
negativa y la tensión alcanza un mínimo en
el punto valle.
Figura 1.6.- Curva Característica de un UJT. (Donde: Vp: Voltaje de pico, Ip: Corriente de pico.
Vv: voltaje del valle emisor. Iv: Corriente de valle el emisor.)
BIBLIOGRAFÍA.