Pulverizaci�n cat�dica

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La pulverizaci�n cat�dica (o por su designaci�n en ingl�s: sputtering) es un
proceso f�sico en el que se produce la vaporizaci�n de los �tomos de un material
s�lido denominado "blanco" mediante el bombardeo de �ste por iones energ�ticos.1?
Este es un proceso muy utilizado en la formaci�n de pel�culas delgadas sobre
materiales, t�cnicas de grabado y t�cnicas anal�ticas.

La pulverizaci�n cat�dica est� causada principalmente por el intercambio de momento

entre los iones y los �tomos del material, debido a colisiones. Se puede pensar en
el proceso como una partida de billar a nivel at�mico, con los iones (bola blanca)
golpeando una agrupaci�n de �tomos densamente empaquetados (bolas de billar).
Aunque la primera colisi�n empuja a los �tomos m�s hacia dentro en la agrupaci�n,
colisiones posteriores entre los �tomos pueden tener como resultado que algunos de
los �tomos cerca de la superficie sean expulsados. El n�mero de �tomos expulsados
de la superficie por ion incidente es el rendimiento de pulverizaci�n ("sputter
yield") y es una medida importante de la eficiencia del proceso. Algunos factores
que influyen en este par�metro, son la energ�a de los iones incidentes, sus masas y
las de los �tomos del blanco y la energ�a de enlace del s�lido.

�ndice
1 Proceso de fabricaci�n
2 Pulverizaci�n electr�nica
3 Usos
4 Enlaces externos
5 Referencias
Proceso de fabricaci�n
Los iones para el proceso de pulverizaci�n se obtienen de un plasma que se genera
en el interior del equipo de pulverizaci�n. En la pr�ctica se usa una variedad de
t�cnicas para modificar las propiedades del plasma, especialmente la densidad de
iones, y as� conseguir unas condiciones de pulverizaci�n �ptimas. Entre ellas est�
el uso de una corriente alterna de radiofrecuencia, el uso de campos magn�ticos y
la aplicaci�n de un potencial de polarizaci�n al blanco. Los �tomos pulverizados,
aqu�llos expulsados a la fase gaseosa, no est�n en su estado de equilibrio
termodin�mico. Por tanto, tienden a condensarse de vuelta a su estado s�lido al
chocar con cualquier superficie en la c�mara de pulverizaci�n. Esto tiene como
resultado la deposici�n del material pulverizado en todas las superficies de la
c�mara.

Pulverizaci�n electr�nica
El t�rmino pulverizaci�n electr�nica puede referirse tanto a la pulverizaci�n
inducida por electrones con alta energ�a (como por ejemplo en un microscopio
electr�nico de transmisi�n), o a la pulverizaci�n mediante iones de muy alta
energ�a o iones pesados altamente cargados que transfieren energ�a al s�lido
principalmente mediante una irradiaci�n de part�culas en la que la excitaci�n
electr�nica produce la pulverizaci�n.2? La pulverizaci�n electr�nica posee un alto
factor de eficiencia de pulverizaci�n de aislantes, ya que las excitaciones
electr�nicas que producen la pulverizaci�n no son suprimidas en forma inmediata,
como en cambio sucede en un material conductor. Un ejemplo en este sentido es la
luna Europa de J�piter que se encuentra recubierta de hielo, en ella iones de
azufre con energ�as del orden del MeV provenientes de la magnet�sfera de J�piter
pueden pulverizar hasta 10,000 mol�culas de H2O.3?

Usos
Este fen�meno se usa de forma extensiva en la industria de los semiconductores para
depositar pel�culas finas de diversos materiales sobre obleas de silicio. Se puede
usar tambi�n para aplicar capas finas sobre cristal para aplicaciones �pticas. El
proceso se puede llevar a cabo a temperaturas muy bajas, lo que le hace el m�todo
ideal para depositar puerta, fuente y drenador en transistores de pel�cula fina,
as� como contactos en diodos PIN. De hecho, el uso de la pulverizaci�n cat�dica
para depositar pel�culas finas sobre un substrato es seguramente una de sus
aplicaciones m�s importantes hoy en d�a.

Una ventaja importante de la pulverizaci�n cat�dica como t�cnica de dep�sito es que

las pel�culas depositadas tienen la misma concentraci�n que el material del blanco.
Esto puede parecer sorprendente, ya que mencionamos antes que el rendimiento de
pulverizaci�n depende del peso at�mico de las especies involucradas. Por tanto, uno
esperar�a que uno de los componentes de la aleaci�n se deposite m�s r�pidamente que
otros, llevando a un cambio de la concentraci�n en la pel�cula resultante. A pesar
de que es cierto que los componentes se pulverizan a velocidades diferentes, al
tratarse de un fen�meno superficial la vaporizaci�n de una especie de forma
preferente enriquece la superficie con �tomos de las restantes, lo que compensa de
forma efectiva la diferencia de velocidades de abrasi�n. As�, las pel�culas
depositadas tienen la misma composici�n que el blanco. Esto contrasta con las
t�cnicas evaporativas, en la que un componente se evapora a menudo de forma
preferencial, con el resultado de una pel�cula depositada con una composici�n
distinta al material fuente.

Otra aplicaci�n de la pulverizaci�n cat�dica es la erosi�n del material blanco. Un

ejemplo ocurre en la espectroscopia de masas de iones secundarios, donde el blanco
se pulveriza a velocidad constante. A medida que esto ocurre, la concentraci�n e
identidad de los �tomos evaporados se determina por espectrometr�a de masas. De
este modo, se puede determinar la composici�n del material investigado e
identificar concentraciones extremadamente bajas de impurezas. Adem�s, como la
pulverizaci�n va atacando a capas cada vez m�s profundas, es posible obtener un
perfil de concentraci�n en funci�n de la profundidad.

Enlaces externos
(en ingl�s) Fundamentos de Pulverizaci�n Cat�dica (Sputtering)
Referencias
R. Behrisch (ed.) (1981). Sputtering by Particle bombardment:. Springer, Berlin.
ISBN 978-3540105213.
T. Schenkel et al. (1997). �Electronic Sputtering of Thin Conductors by
Neutralization of Slow Highly Charged Ions�. Physical Review Letters 78: 2481.
doi:10.1103/PhysRevLett.78.2481.
Johnson, R. E.; Carlson, R. W.; Cooper, J. F.; Paranicas, C.; Moore, M. H.; Wong,
M. C. (2004). Fran Bagenal, Timothy E. Dowling, William B. McKinnon, ed. Radiation
effects on the surfaces of the Galilean satellites. In: Jupiter. The planet,
satellites and magnetosphere 1. Cambridge, UK: Cambridge University Press. pp. 485-
512. ISBN 0-521-81808-7.