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Modelo BAZ 𝑈 𝑇1 𝜏0
= 𝑙𝑛 [− 𝑙𝑛(1 − 𝑄1 )] [𝑛12 − 𝜂12 (𝜏0 )] =
Deje, p.ej. El FOAT ser realizado hasta la mitad de los 𝑘 1 − 𝜂12 𝑡1
suspensos demográficos 𝑄1= 𝑄2 = 𝑄3 = 0.5 y otros datos de
entrada son así: = 19422𝑥(−20.0505)[0.9744 − 10.472] =
𝑡 𝑈 − 𝛾𝜎
𝑄 = 1 − 𝑒𝑥𝑝 [− 𝑒𝑥𝑝 (− )] = 1 −
𝜏0 𝑘𝑇
ln(0.0009242𝜏0 )
1 − 0.9498
ln(0.001392𝜏0 ) 𝑡 283436 − 141359
𝑓(𝜏0 ) = = 0.25 −𝑒𝑥𝑝 [− 𝑒𝑥𝑝 (− )] =
ln(0.0003466𝜏0 ) 0.9769𝑥10 −3 383
1 − 0.8996
ln(0.001392𝜏0 )
= 1 − exp(−7.9359𝑥10−14 𝑡
Los valores calculados de la función 𝑓(𝜏0 ) se muestran en la Después del tiempo de operación
Tabla 2: 𝑡 = 10𝑎ñ𝑜𝑠 = 3.1536𝑥108 sec, el PoF es tan bajo Como
𝑄 = 2.5026𝑥10−5 .
Después 𝑡 = 1𝑎ñ𝑜 = 3.1536𝑥107 𝑠𝑒𝑐 en la operación el PoF
es diez veces más abajo: 𝑄 = 2.5026𝑥10−6 ,
Modelo EVD
Datos de entrada:
Relación entre la energía media capacidad de la media (básico)
𝑥
La energía de carga = 2.000; factor de seguridad para la
𝑧
capacidad
1
𝑥 𝐹= ∆𝜀 ∑ =
Energía 𝛾𝑥 proporción de varianza de energía √𝜋
√2𝐷𝑥
𝐷𝑥
(capacidad-a-carga) 𝛿 = = 0.0200; número de cargas
𝐷𝑧
N = 10 = 0.5642𝑥0.10𝑥2.4625𝑥10−5
= 1.3894𝑥10−6 ;
Datos computarizados:
Factor de seguridad para la energía de carga (límite inferior 11. CONCLUCION
de la integración)
𝑧 𝑧 𝑥
𝛾𝑧 = = = 0.5𝑥2.0 = 1.000 Dos técnicas alternativas, el modelo de BAZ y el modelo de
√2𝐷𝑥 𝑥 √2𝐷𝑥 EVD, Han sido considerados, dentro Del Marco del
Entonces acercamiento de PDFR general, para la evaluación de la
degradación (la acumulación de daño) el proceso en la
𝛾 = 𝜂 + 𝛾𝑧 − 𝛾𝑥 = 𝜂 + 1 − 2 = 𝜂 − 1 electrónica aeroespacial. Los modelos sugerido (formalismos)
podrían ser provechosos en la ganancia de la mejor comprensión
El ejemplo debajo es realizado, por la simplicidad, para el de la transición del microproceso de la ruptura de obligaciones
caseh 𝜂 = 1. Espera que la probabilidad de no fracaso será químicas en un cuerpo sólido al macroproceso de fractura u otro
bastante baja para una energía de activación tan bajas tipo de degradación (envejecida) de un material o un
dimensiones. Los cálculos son realizados en la Tabla 3. dispositivo. El futuro trabajo debería incluir el uso de los
modelos sugeridos a varios materiales electrónicos, fotonico y
Tabla 3. Probabilidad calculada de fracaso dispositivos, con un énfasis sobre la consideración de la
usando el modelo EVD disminución en la energía de activación de tensión cero debido
2 a envejecido, así como sobre la comparación de los resultados
𝜀 exp(−𝜀 ) 𝑓(𝜀) obtenidos usando los modelos sugeridos otros modelos de
1.00 0.367879 0.365728E-5 fiabilidad posibles, como, p.ej., Bayesianos o técnicas de
1.10 0.298197 0.35662E-5 simulación de Monte Carlo.
1.20 0.236928 0.344816 E-5 REFERENCIAS
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∑ −5
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𝑐𝑜𝑟𝑟𝑒𝑐𝑡𝑜 http://www.slideshare.net/ASQwebinars/probabilisticdesig
n-for-reliability-pdfr-in-electronics-part2of2
∑ 𝑚𝑒𝑛𝑜𝑠 𝑙𝑎 𝑚𝑖𝑡𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑠𝑢𝑚𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎𝑠 𝑜𝑟𝑑𝑒𝑛𝑎𝑑𝑎𝑠 𝑒𝑥𝑡𝑟𝑒𝑚𝑎𝑠) El 03-06 de enero de 2011
la probabilidad de no fracaso es tan baja como
[12] E.Suhir, R.Mahajan, A.E.Lucero, L. Bechou, " Diseño- 𝑎−1
Siglas y notaciones
AT= Pruebas Aceleradas
BAZ= Modelo Boltzmann-Arrhenius-Zhurkov's
CPDF= Función de Densidad de Probabilidad
Acumulativa
T Temperatura absoluta
V= tensión aplicada (no necesariamente mecánico)