DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y

ELECTRÓNICA

CARRERA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA

ASIGNATURA: Electrónica Fundamental

NRC: 5170

INFORME DE PRÁCTICA DE LABORATORIO

Tema: Diodo en Corriente Continúa

Profesor: Ing. Carlos Ponce

INTEGRANTES

Fabricio Veintimilla

18 de abril de 2019

Sangolquí
 UNIDAD N° 1

1. Tema:

DIODOS EN CORRIENTE CONTINUA

2. Introducción
En la presente práctica se comprobó el comportamiento del diodo en corriente
continua, efectuando 2 circuitos, el primero con el diodo 1N4007 y el segundo
con diodos LED. Además de observó la rectificación de media onda de una señal
sinusoidal al atravesar el diodo rectificador. Se comprueba de manera
experimental que visto en teoría es verdadero, tomando en cuenta algunas
consideraciones debido al material e instrumentos de medición.
3. Objetivo:
• Verificar la acción rectificadora del Diodo 1N4007 haciendo uso de un
circuito que simule la resolución de un problema.
• Verificar el funcionamiento de los Diodos Emisores de Luz (LED) haciendo
uso de un circuito que simule la resolución de un problema.
• Analizar los resultados comparando los datos calculados, simulados y
medidos.
4. Materiales
• Resistencias
• Diodos
• Cables
• Protoboard
• Fuente de corriente continua.
• Multímetro
5. Marco teórico

5.1 Diodo semiconductor

El diodo semiconductor, con aplicaciones demasiado numerosas de mencionar, se crea

uniendo un material tipo n a un material tipo p, nada más que eso; sólo la unión de un
material con un portador mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de
huecos. La simplicidad básica de su construcción refuerza la importancia del desarrollo
de esta área de estado sólido.[1]
5.2 Nuevos materiales utilizados en la construcción de dispositivos Electrónicos.

Carburo de silicio

Existen alrededor de 250 presentaciones cristalinas similares de carburo de silicio

denominadas polytypes. Los principales polytypes de SiC para su utilización como
semiconductor son las estructuras 4H y 6H.

Estos semiconductores están caracterizados por unas propiedades que los hacen muy
atractivos para su aplicación en electrónica de potencia. Entre estas propiedades (SiC
Power Transistors, n.d.) se encuentran:

• Una elevada conductividad térmica 3,3 (W/cmK) para el SiC-4H y 4,9

(W/cmK) para el SiC-6H.
• Alta densidad de intensidad máxima.
• Significativa resistencia de ruptura ante elevados campos eléctricos.

Algunos problemas de los procesos de fabricación del carburo de silicio se encuentran

en:

Los significativos problemas que conlleva la aparición de dislocaciones y micropipes

que afectarán indeseablemente a la fabricación y que serán tanto más abundantes cuanto
mayor sea el tamaño de la oblea (Performance-Limiting Micro-pipe, 1994). El cristal
sufre tensiones internas y externas que causan el crecimiento de los defectos o
dislocaciones. Micropipes se denominan las dislocaciones lineales extendidas en forma
de tornillo, transversalmente a lo largo del cristal.

• Dificultades con la interfaz entre SiC y SiO2, las cuales han complicado el
desarrollo del MOSFET y el aislamiento de la puerta en los transistores
bipolares.
• Problemas en los contactos óxidometal a altas temperaturas.
• Por otro lado, al ser el tamaño de las obleas menor que las utilizadas con el
silicio, no se pueden aprovechar totalmente los equipos de fabricación ya
existentes. Además, por lo comentado anteriormente, el rendimiento o
aprovechamiento de la oblea en su fabricación es muy reducido, del orden
del 15% frente al más del 90% obtenido mediante el silicio.
Grafeno

El término grafeno apareció en investigaciones realizadas alrededor de 1987 sobre

varios materiales entre los que se trataban los nanotubos de carbono. Un avance muy
significativo se produjo en la Universidad de Manchester en 2004, cuando el
investigador Andre Geim logra extraer cristales de grafeno de grafito a granel y
trasladarlos a una oblea de silicio en un proceso denominado ruptura micromecánica o
técnica de la cinta de Scotch. Esta técnica permitió la primera observación sobre el
anómalo efecto Hall del grafeno y sus notables propiedades electrónicas.

Al mismo tiempo, en el Georgia Institute of Technology se proponía la aplicación del

grafeno como material utilizado en microelectrónica, utilizando las mismas técnicas de
fabricación conocidas, basadas en crecimiento epitaxial sobre substrato monocristalino

A partir de entonces, se han desarrollado grandes avances, en 2008 el Laboratorio

Lincoln del MIT, han fabricado cientos de transistores en un solo chip y en 2009 se han
obtenido transistores de muy alta frecuencia y pequeñísimas dimensiones del orden del
nanómetro.

En 2010 el premio Nobel de Física fue otorgado a los rusos Andre Geim y Konstantin
Novoselov por sus trabajos de investigación en el desarrollo del grafeno.

Como peculiares características del grafeno se encuentran:

• Alta conductividad térmica y eléctrica.

• Los electrones transportados por grafeno se comportan casi como partículas
sin masa, con un comportamiento similar a los fotones de la luz.
• Permite una medida precisa y fiable

Debido a las propiedades anteriores, los electrones del grafeno pueden moverse a través
de toda la lámina estructural y no quedarse aislados en ninguna zona, consiguiendo una
alta conductividad o movilidad de portadores.

Nuevamente, al igual que con el carburo de silicio, el gran inconveniente que se

encuentra en el grafeno reside en su tecnología de fabricación.[2]
5.3 Algún tema de interés sobre uniones N-P y sus aplicaciones.

A partir de la década de 1950, los dispositivos semiconductores -conocidos también

como dispositivos de estado sólido- remplazaron los tubos electrónicos de la industria
tradicional. Por la enorme reducción de tamaño, consumo de energía y costo,
acompañada de una mucho mayor durabilidad y confiabilidad, los dispositivos
semiconductores significaron un cambio revolucionario en las telecomunicaciones, la
computación, el almacenamiento de información, etc.

Desde el punto de vista de su forma de operación, el dispositivo semiconductor más

simple y fundamental es el diodo; todos los demás dispositivos pueden entenderse en
base a su funcionamiento.

Cuando un semiconductor de tipo n y otro de tipo p se unen del modo indicado en la

Figura

Las concentraciones inicialmente desiguales de electrones y vacantes dan lugar a una

trasferencia de electrones a través de la unión desde el lado p al n y de vacantes desde el
lado n al p. Como resultado, se crea una doble capa de carga en la unión semejante a la
de un condensador de placas paralelas, siendo negativo el lado p y positivo el lado n.

Existe por tanto una diferencia de potencial V a través de la unión que tiende a inhibir
una transferencia posterior. La región de la unión se llama región de agotamiento
porque está desprovista de portadores de carga.[3]
5.4 Aplicaciones en dispositivos eléctricos:

Rectificador de media onda

En ocasiones necesitamos eliminar el periodo negativo de una onda de corriente alterna,

eso lo vamos a conseguir conectando un diodo en serie con la fuente de corriente
alterna, el diodo permitirá el paso de corriente durante el periodo positivo y lo impedirá
durante el periodo negativo.

Rectificador de doble onda

Este tipo de rectificador es el que vamos a emplear para convertir una señal alterna en
una continua, si te fijas en este tipo de rectificador, lo que vamos a conseguir es
convertir el periodo negativo en positivo.

Estabilizador de tensión

Lo que conseguimos con el diodo zener, es mantener la tensión constante entre dos
puntos, a pesar de las posibles variaciones de tensión e intensidad en el circuito.

Indicadores

Para indicar que existe un paso de corriente en un equipo, utilizaremos diodos LED, que
se iluminarán indicando el estado del equipo, se utilizan tanto a nivel industrial como
doméstico.[4]

6. Procedimiento
• Armar los circuitos propuestos en el trabajo preparatorio y comprobar su
funcionamiento.
• Realizar el cuadro con los resultados obtenidos en la práctica y compararlo
con los resultados calculados y simulados.
 7. Simulación

7.1 Circuito 1

7.2 Circuito 2
 8. Tabla de mediciones y errores

8.1 Circuito 1

ELEMENTOS Valores calculados Valores simulados Valores experimentales

VOLTAJE CORRIENTE VOLTAJE CORRIENTE VOLTAJE CORRIENTE

RES 3.3K 0.71 V 0.61 V 0.61 V

RES 5.6K 10.58 V 10.8 V 10.73 V
I1 216.97 µA 184 µA 0.18 mA
I2 1.89 mA 1.92 mA 1.92 mA
ID2 1.67 mA 1.74 mA 1.71 mA
D1 0.7 0.61 0.62 V
D2 0.7 0.61 0.61 V

𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜−𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑒𝑥𝑝𝑒𝑟𝑖𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙

𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = | |
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜

Elementos Calculados vs. Simulados vs.

Experimentales Experimentales
Voltaje Corriente Voltaje Corriente
RES 3.3K 14 % 0%
RES 5.6K 1.41% 0.006%
I1 14.28% 2.17%
I2 1.58% 0%
ID2 2.4% 1.72%
D1 11.43% 1.64%
D2 12.85% 0%
8.2 Circuito 2

ELEMENTOS Valores calculados Valores simulados Valores experimentales

VOLTAJE CORRIENTE VOLTAJE CORRIENTE VOLTAJE CORRIENTE

RES 3.3K 2.12 V 2.17 V 1.83 V

RES 5.6K 7.78 V 7.65 V 8.34 V
I1 641.21 µA 657 µA 0.57 mA
I2 1.39 mA 1.37 mA 1.49 mA
ID2 748.79 µA 708 µA 0.89 mA
LED-RED 2.1 V 2.19 V 1.80 V
LED-GREEN 2.1 V 2.17 V 1.83 V

𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑒𝑥𝑝𝑒𝑟𝑖𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑙

𝐸𝑟𝑟𝑜𝑟 = | |
𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑡𝑒ó𝑟𝑖𝑐𝑜

Elementos Calculados vs. Simulados vs.

Experimentales Experimentales
Voltaje Corriente Voltaje Corriente
RES 3.3K 13.7% 15.67%
RES 5.6K 7.2% 9.02%
I1 10.93% 13.24%
I2 7.19% 8.76%
ID2 18.98% 25.71%
D1 14.29% 17.81%
D2 13.85% 15.67%
 9. Preguntas

9.1 ¿Cómo identifica que un Diodo Rectificador está en malas condiciones?

• Un buen diodo polarizado en directo muestra una caída de voltaje que va de

0.5 a 0.8 voltios para los diodos de silicio más comúnmente utilizados.
Algunos diodos de germanio tienen una caída de voltaje que va de 0.2 a 0.3
V.
• El multímetro muestra OL cuando un diodo bueno está polarizado en directo.
La lectura OL indica que el diodo funciona como un interruptor abierto.
• Un diodo malo (abierto) no permite que la corriente fluya en ambos sentidos.
El multímetro mostrará OL en ambas direcciones cuando el diodo esté
abierto.[5]

9.2 ¿Cuál es el principio de funcionamiento de un Diodo Emisor de Luz (LED)?

La estructura del chip de los diodos LED, al contrario de lo que ocurre con los diodos
comunes, no emplea cristales de silicio (Si) como elemento semiconductor, sino una
combinación de otros tipos de materiales, igualmente semiconductores, pero que poseen
la propiedad de emitir fotones de luz de diferentes colores cuando lo recorre una
corriente eléctrica.[6]

9.3 ¿Cuál es el valor del voltaje umbral del diodo rectificador utilizado?

Valor típico: 0.93 V

Máximo valor: 1.1 V

9.4 ¿Cuál es el valor de la resistencia del diodo en polarización inversa?

Valores típicos: 0.05 µA

Máximo valor: 10 µA

9.5 ¿Qué especificaciones dadas por el fabricante son necesarias para diseñar
circuitos con Diodos LED?

• Potencia
 • Luminosidad
• Temperatura de color
• Factor de mantenimiento del flujo luminoso
• Rendimiento de color
• Tipos de LED

9.6 ¿Cuáles son las ventajas de la iluminación LED frente a la iluminación

incandescente?

• El bajo consumo de la luminaria permite un importante ahorro energético.

• Poca emisión de calor.
• Produce luz nítida y brillante.
• Mayor duración que las bombillas tradicionales.
• Facilidad de instalación.
• Importante ahorro factura de la luz.
• Posibilidad de control de intensidad lumínica con control remoto.
• Al no tener filamento como las bombillas incandescentes o halógenas,
soportan golpes y vibraciones sin romperse.
• Son ecológicas.
• Producen baja contaminación lumínica en exteriores.

10. Conclusiones
• En el osciloscopio de pudo observar la acción rectificadora de media onda que
logra un solo diodo conectado. Efectivamente la señal sinusoidal que
ingresaba después de pasar por el diodo se recortaba su parte negativa. Lo que
cabe recalcar es que en la señal otorgada por el diodo se podía observar que la
amplitud de la parte positiva de la señal sinusoidal era menor, esto debido a
que el diodo consume un nivel de voltaje antes de activarse.
• En el primer circuito se evidencia que entre los valores calculados y los valores
obtenidos experimentalmente tienen porcentajes de error de 14.28% el
máximo y 1.41% el mínimo, esto se debe a que los valores tomados en cuenta
para los cálculos de ambos diodos difieren de los que marcó el multímetro en
la realidad. El error al asumir un valor de voltaje de activación de los diodos
es de 11.43% para el diodo 1 (D1) y de 12.85% para el diodo 2 (D2) esto dio
 como resultado que los valores calculados y las mediciones experimentales
difieran más allá del limite aceptable. En contraposición, los errores
porcentuales entre los valores simulados en Proteus y los obtenidos
experimentalmente son muy pequeños: 2.17% el máximo y de 0% el mínimo;
el 0% no refleja una exactitud perfecta entre ambas mediciones, sino más bien
se debe a que la sensibilidad del multímetro utilizado coincidió con los dos
primeros decimales obtenidos en la simulación. Este rango de errores tan
pequeño entre los valores simulados y los experimentales se debe
principalmente a la proximidad de los valores de voltaje consumido de los
diodos ya que estos son de 1.64% para el diodo 1 (D1) y de 0% para el diodo
do (D2).
• Para el circuito 2 podemos ver que los errores porcentuales, tanto en los
valores Calculados vs. Experimentales como el los valores Simulados vs.
Experimentales, son muy altos, tanto que sobrepasan los limites aceptables, al
igual que con el circuito 1 esto se debe a que; en el caso de los valores
calculados se asumieron valores de consumo del diodo muy diferentes a los
reales y a los simulados, dando por resultado que las mediciones difieran en el
rango tan alto.

11. Recomendaciones
• Para los cálculos teóricos se debe primero tener los valores reales de consumo
de los diodos a utilizar, y no usar los valores teóricos vistos en clase.
• Para las simulaciones se debe tener en cuenta los parámetros cargados por el
programa para los elementos utilizados y, dado el caso cambiar tales
parámetros para que se ajuste de mejor manera a la realidad y así evitar errores
importantes.

12. Bibliografía

[1] R. BOYLESTAD and L. NASHELSKY, Boylestad nashelsky.pdf, DECIMA.

MEXICO: Pearson Educación.

[2] R. W. (Robert W. Erickson and D. Maksimović, Fundamentals of power

electronics. Kluwer Academic, 2001.
[3] E. N. Su and E. Profesional, “UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE YUCATÁN
FACULTAD DE INGENIERÍA DEPÓSITO Y CARACTERIZACIÓN DE
PELÍCULAS DELGADAS DE CdS CRECIDAS POR BAÑO QUÍMICO BAJO
EL EFECTO DE ROTACIÓN DEL SUSTRATO TESIS PRESENTADA POR:
ANDRÉS IVÁN OLIVA AVILÉS INGENIERO FÍSICO MÉRIDA,
YUCATÁN, MÉXICO 2008.”

[4] “3.1.2. Aplicaciones de los diodos.” [Online]. Available: http://e-

ducativa.catedu.es/44700165/aula/archivos/repositorio//3000/3078/html/312_apli
caciones_de_los_diodos.html. [Accessed: 16-Apr-2019].

[5] Fluke Corporation, “Cómo Probar Los Diodos | Fluke.” [Online]. Available:
https://www.fluke.com/es-ec/informacion/mejores-practicas/aspectos-basicos-de-
las-herramientas-de-prueba/multimetros-digitales/como-probar-los-diodos.
[Accessed: 16-Apr-2019].

[6] J. A. E. García Álvarez, “ASÍ FUNCIONAN LOS DIODOS LEDs,” 2015.

[Online]. Available: http://www.asifunciona.com/fisica/af_leds/af_leds_3.htm.
[Accessed: 16-Apr-2019].

13. Anexos