UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI

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UNIDAD ACADÉMICA DE LAS CIENCIAS DE
LA INGENIERÍA Y APLICADAS

ELECTRÓNICA I

Tema:
Informe de diodos rectificadores y detectores

Alumnos:
 Córdova Vanessa
 Toapanta Boris
 Latacunga Santiago

Curso:
Tercero “B” Eléctrica

Octubre 2016 – Febrero 2017

LATACUNGA – ECUADOR
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Informe de diodos rectificadores y detectores

Tabla de contenido
1 TEMA: Diodos Rectificadores y Detectores ............................................................................... 3
2 OBJETIVOS ............................................................................................................................... 3
2.1 Objetivo General ................................................................................................................. 3
2.2 Objetivos Específicos .......................................................................................................... 3
3 MARCO TEÓRICO .................................................................................................................... 3
3.1 Diodo de germanio .............................................................................................................. 3
3.2 Diodo de silicio ................................................................................................................... 4
3.3 Resistencia eléctrica ............................................................................................................ 4
3.4 Amperímetro y voltímetros ................................................................................................. 5
3.5 Multisim .............................................................................................................................. 7
3.6 Fuentes de alimentación ...................................................................................................... 8
4 MATERIALES ........................................................................................................................... 9
5 PROCEDIMIENTO .................................................................................................................... 9
6 FUNCIONAMIENTO ............................................................................................................... 12
7 CÁLCULOS .............................................................................................................................. 20
8 ANÁLISIS................................................................................................................................. 21
9 CONCLUSIONES .................................................................................................................... 22
10 RECOMENDACIONES ....................................................................................................... 22
11 BIBLIOGRAFÍA ................................................................................................................... 23
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1 TEMA: Diodos Rectificadores y Detectores

2 OBJETIVOS

2.1 Objetivo General

Aplicar el estudio general realizado sobre Trazado Estático de la Curva Característica del
Diodo para la realización en forma teórica y práctica que permita ajustar y mejorar el
circuito con el diodo ya sea directa o inversa.

2.2 Objetivos Específicos

 Visualizar la característica de un diodo de silicio y germanio.
 Conocer cuáles son los diferentes cálculos que se dan en polarización directa e
inversa a la hora de colocar el diodo en la práctica.
 Experimentar con los tiempos de conmutación de diferentes diodos.
 Resolver problemas de polarización con diodos.
 Analizar la ubicación del punto de operación estático de acuerdo con la de la
excursión de señal a obtener.

3 MARCO TEÓRICO

3.1 Diodo de germanio

Según (Harper, 1994) expresa “Como se sabe el diodo de germanio también un
semiconductor pero con una resistividad menor que la del silicio tiene cuatro electrones
en su órbita de valencia de manera que el proceso de cesión de electrones es similar al
caso del silicio el germanio P se puede obtener con materiales pentavalentes como el galio
y el indio en tanto que el germanio tipo N se obtiene con materiales como el arsénico y el
antimonio.
La corriente voltaje corriente para un diodo de Germanio no tiene la misma forma general
que la del silicio sin embargo hay dos diferencias importantes el Germanio tiene una
barrera de potencial de 0.2 a 0.4 volts y su corriente o rodilla está en 0.2 volts en
comparación con los 0.6 volts del silicio .El germanio también una corriente mucho mayor
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o menor de sentido inverso que los diodos de Silicio Ambos materiales están afectados
por la temperatura en la misma forma sin embargo los Diodos de silicio pueden operar con
uniones a temperaturas hasta de 175 C comparativamente con los Diodos de germanio que
solo pueden con temperaturas de 80 C a 100 C”.(pág. 28,29)

3.2 Diodo de silicio

Según (Harper, 1994) expresa “De un diodo de silicio puro que es prácticamente un
aislador se puede incrementar en forma significativa de manera que sea un semiconductor
agregando ciertos materiales es decir impurezas en estas condiciones al semiconductor se
lo denomina impuro” (pág. 34)
Según (Boylestad, Electronica Teoria Circuitos y Dispotivos de Electronicos, 2009) expresa
“Sin duda el semiconductor más frecuentemente utilizado en todo tipo de dispositivos
electrónicos. Tiene la ventaja de su disponibilidad a bajo costo y sus corrientes de
saturación inversa son relativamente bajas; tiene buenas características ante la temperatura
y excelentes niveles de voltaje de ruptura. También se ha beneficiado de las décadas de
enorme atención al diseño de circuitos integrados a gran escala y a la tecnología de
procesamiento.”(pág. 19)

3.3 Resistencia eléctrica

Según (Montes)expresa “Resistencia eléctrica se define como la mayor o menor oposición
que presentan los cuerpos al paso de la corriente eléctrica. Es decir, la dificultad que opone
un conductor al paso de la corriente eléctrica. Se representa por R y su unidad es el Ohmio.

Figura 1.- Resistencia Electrica

Fuente: Montes, A. H. (s.f.). Departamento de Tecnologia. En A. H. Montes, Departamento
de Tecnologia. I.E.S. CÁ STULO .
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Un Receptor es el dispositivo o aparato eléctrico, que recibe la energía eléctrica para
realizar algún tipo de trabajo o función. Suele ser una bombilla, un motor, una radio, un
ordenador, etc. Un receptor se caracteriza por su resistencia óhmica. Consume energía
eléctrica aportada por la fuente de tensión, y la transforma en otra forma de energía
produciendo un efecto útil como puede ser luz calor.”(pág. 3)

3.4 Amperímetro y voltímetros

Según (Saucedo) expresa “Un amperímetro sólo debe producir una pequeña caída de
tensión, es decir, que su resistencia interna debe ser pequeña. Por el contrario un voltímetro
debe absorber sólo una corriente de baja intensidad es decir que su resistencia interna ha de
ser la mayor posible.

Figura 2.- Símbolo General del Amperímetro

Fuente:Saucedo, L. (s.f.). Instrumentos de medicion Electrica. En L. Saucedo, Instrumentos
de medicion Electrica. TX-TIP-0001.

Los amperímetros y voltímetros de corriente alterna para conexión directa se usan, según
sea el tamaño de la caja solamente para corrientes de intensidad y tensión limitadas. Al
aplicarlos a corrientes de intensidad excesiva se calentarían demasiado la conexión
resultaría muy difícil y la posición de las líneas de la acometida influiría sobre la
indicación. • Al aplicarlos a tensiones demasiado altas, se producirían corrientes de fuga
inadmisibles.”(pag.27)

Figura 3.- Símbolo General del Voltímetro

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Fuente: Saucedo, L. (s.f.). Instrumentos de medicion Electrica. En L. Saucedo,
Instrumentos de medicion Electrica. TX-TIP-0001.

Según (Saucedo)expresa “Conectando el diodo Zener en serie éste no permite que la

corriente pase a través del circuito de medida hasta que se haya alcanzado una tensión
determinada a la que se denomina tensión de paso. A partir de este momento, la intensidad
de la corriente aumenta en forma aproximadamente igual a la tensión.

Figura 4.- Conexión Serie del Diodo Zener

Fuente:Saucedo, L. (s.f.). Instrumentos de medicion Electrica. En L. Saucedo, Instrumentos
de medicion Electrica. TX-TIP-0001.

Un Diodo Zener conectado en paralelo con el circuito de medida apenas influye sobre la
indicación por debajo de la tensión de paso. Al sobrepasarse dicha tensión, el diodo
cortocircuita en forma creciente el dispositivo de medida. Este tipo de circuito se puede
emplear para proteger el dispositivo de medida contra sobretensiones.”(pag.31) (Villarreal,
2001)

Figura 5.- Conexión Paralelo del Díodo Zener

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Fuente:Saucedo, L. (s.f.). Instrumentos de medicion Electrica. En L. Saucedo, Instrumentos
de medicion Electrica. TX-TIP-0001.

3.5 Multisim
Según (Villarreal, 2001)expresa Inicialmente el Instituto Berkeley de los Estados Unidos
desarrolló el programa SPICE Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis
Programa de Simulación con énfasis en Circuitos Integrados que es un conjunto de
algoritmos matemáticos para la simulación del análisis y diseño de circuitos analógicos
circuitos con resistencias condensadores, bobinas, baterías y otros componentes más.
Introduciendo mejoras a los algoritmos del SPICE la empresa canadiense Interactive Image
Technologies Ltd. desarrolla los programas Electronics Workbench y últimamente la
versión Multisim con capacidad gráfica e interactiva para construir y verificar circuitos
analógicos y digitales. El Multisim es un programa que simula todos los componentes e
instrumentos necesarios para analizar diseñar y verificar circuitos en remplazo de los
componentes e instrumentos reales. El circuito ensamblado y verificado con el Multisim se
puede enviar a un programa llamado Ultiboard también de la empresa Electronics
Workbench que se encarga de desarrollar el dibujo para el circuito impreso con lo que el
proyecto quedaría completo” (pág. 4)
Según (Villarreal, 2001)expresa “Partes principales del multiSIM Cada vez que Usted
activa el ícono de multiSIM aparece una página en blanco con la disposición siguiente.

Figura 6.- Ventana Principal MULTISIM

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Villarreal, J. R. (2001). Enseñando Multisim. En J. R. Villarreal, Enseñando Multisim. San
José, California .

 (Sources). Casillero de fuentes de alimentación.

 (Basic). Casillero de componentes básicos.
 (Diodes). Casillero de diodos.
 (Transistors). Casillero de transistores.
 (Analog). Casillero de circuitos integrados analógicos.
 (TTL). Casillero de circuitos integrados digitales TTL.
 (CMOS). Casillero de circuitos integrados digitales CMOS.
 (Misc. Digital). Casillero Digital.
 (Mixed). Casillero Mixto (ADC_DAC, 555, PLL, etc.)
 (Indicators). Casillero de indicadores.
 (Misc). Casillero de miscelánea (TIL, VHDL, VERILOG_HDL).
 (Controls). Casillero de circuitos integrados de control.
 (RF). Casillero de componentes para alta frecuencia.
 (Electro_Mechanical). Casillero de dispositivos electromecánicos.
 (Instrument). Casillero de instrumentos” (pág. 5)

3.6 Fuentes de alimentación

Según (Schuler, 1994)expresa “En todo sistema electrónico la fuente de alimentación
constituye el circuito más importante su misión consiste en convertir la energía eléctrica
disponible a la forma que requieran los diversos circuitos del sistema sin energía
eléctrica los circuitos eléctricos no funcionarían uno de los primeros pasos al localizar una
avería de cualquier dispositivo electrónico es comprobar las tensiones de alimentación a
las distintas etapas de los circuitos.
Según las necesidades del sistema las fuentes de alimentación pueden ser muy sencillas o
complicadas a una fuente de alimentación sencilla puede que se le solicite una tensión
continua de 12 v una fuente más complicada puede que deba proporcionar varias tensiones
unas positivas y otras negativas respecto a la masa del chasis hay fuentes de alimentación
que pueden producir la tensión con amplio margen de tolerancia así la salida puede variar
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en la práctica dentro de 20% otras fuentes deben mantener una salida de tensión dentro de
±0,01% evidentemente una tolerancia tan estricta complica el proyecto de la fuente.” (pág.
34)

4 MATERIALES
Los materiales que hemos usado para la práctica en el programa multisim son:
 Diodo de silicio
 Diodo de germanio
 Resistencia
 Fuente variable
 Amperímetro
 Voltímetro

5 PROCEDIMIENTO

5.1 TRAZADO ESTÁTICO DE LA CURVA

1. Graficar el circuito en el programa multisim conectando el diodo de germanio.

2. Colocar el voltímetro en el rango de un voltio y el amperímetro en el rango de

algunas decenas de microamperios. Durante las mediciones será necesario aumentar
los rangos.
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3. Realizar las mediciones correspondientes con el diodo de germanio

Polarización 𝑉𝐹 0.05 0.1 0.15 0.2 0,603 0,629 466

(volts)

0,647 0,663 0,677 0,687 0,701 0,713 0,724 0,735

3 4 5 6 7 8 9 10

Directa 𝑰𝑭 2 512 000 5 037 000 7 594 000 10 228 000 1 2

(mA)

4. Interrumpir la fuente de alimentación e invertir la polaridad del diodo de germanio

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5. Realizar las mediciones correspondientes

Polarizaci 𝑉𝑅 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 15 20 25 30
ón (volt
s)
inversa 𝐼𝑅 0 0 0 0 0,88 0 0 0 1,77 1,72 1,77 3,55 5,25 3,55
(uA)
1 6 6 6 3 3 3

6. Interrumpir la fuente de alimentación y remplazar el diodo de germanio por el diodo

de silicio.

7. Realizar las mediciones correspondientes con el diodo de silicio

Polarización 𝑉𝐹 0.2 0.3 0.4 0.5 0,535 0,572 0,592 0,607

(volts)
Directa 𝐼𝐹 0,001454 0,008865 0,03621 0,089453 1 2 3 4
(mA)

0,618 0,628 0,628 0,636 0,643 0,649 0,654

5 6 6 7 8 9 10
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8. Interrumpir la fuente de alimentación e invertir la polaridad del diodo de silicio

9. Realizar las mediciones correspondientes

Polarización 𝑉𝑅 1 2 3 4 5 6 7 8
(volts)
inversa 𝐼𝑅 0,000111 0 -0,000444 0 0,000888 0 -0,000888 0,000888
(uA)

9 10 15 20 25 30

0 0,001776 0 0,003553 0 -0,003553

5.2 Trazado dinámico de la característica del diodo

1. Para examinar la característica del diodo mediante el Trazador de Curvas se debe
conectar al tablero n1 las tensiones de alimentación (+18V-18V) en el lugar señalado en el
tablero.
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2. Conecte la entrada X e Y del osciloscopio de los enchufes X e Y (representativamente)

del Trazador de Curvas.

3. La base de tiempos de osciloscopio debe estar en la posición X-Y y la llave superior del
tablero en la posición “Calibrated”.En esta posición se debe obtener en la pantalla del
osciloscopio los ejes para la medición como los de la figura E1.3. (La sensibilidad del
osciloscopio adecuadamente a la medición es de 2𝑉⁄𝑐𝑚 en la posición “Calibrated”)
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1. Conecte el diodo de Germanio en los enchufes correspondientes del tablero N1

(Plug Diode in)
2. Conecte el diodo con la polaridad señalada en el tablero

3.Dibuje la característica que se obtiene sobre la pantalla del osciloscopio

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5.3 Medición de la resistencia dinámica

Circuito con el diodo de Silicio
Arme el circuito descrito en la figura E1.7 y realice las mediciones en el diodo de germanio
Fije la tensión de salida del oscilador a o.5 vpp(pico a pico) y a una frecuencia de 1 kHz

Varié la tensión de la fuente E para obtener los valores de la corriente continua anotados en
la tabla 1.3.
Mida en cada caso la tensión alterna sobre el resistor de 150 k𝛺 y anótela en la tabla.
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Circuito diodo de silicio

Arme el circuito descrito en la figura E1.7 y realice las mediciones en el diodo de silicio
Fije la tensión de salida del oscilador a o.5 vpp(pico a pico) y a una frecuencia de 1 kHz
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Varié la tensión de la fuente E para obtener los valores de la corriente continua anotados en
la tabla 1.3.
Mida en cada caso la tensión alterna sobre el resistor de 150 k𝛺 y anótela en la tabla
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DIODO DE Corriente directa mA 2 4 6 8 10

GERMANIO
Tensión de resistencia Vrms

Tensión de entrada Vrms

Resistencia Dinámica medida

en Ohms
Resistencia dinámica calculada
Ohms
DIODO DE Corriente directa mA 2 4 6 8 10G
SILICIO
Tensión de resistencia Vrms

Tensión de entrada Vrms

Resistencia Dinamica medida

en Ohms
Resistencia dinámica calculada
Ohms

5.4 ANALISIS DE RESULTADOS

1. Dibuje la característica del diodo de germanio sobre el sistema de ejes de la figura
E1.8 .Utilice las mediciones de la tabla 1.1
2. Dibuje la característica del diodo de silicio sobre el mismo sistema de ejes de la
figura E1.8 utilizando las mediciones de la tabla 1.2. Señale al lado de cada
característica a que diodo corresponde.
3. Calcule los valores de la resistencia dinámica para las distintas corrientes continuas
para los diodos de germanio y silicio , según las mediciones en la tabla 1.3

6 FUNCIONAMIENTO

Un diodo permite el paso de la corriente en una sola dirección, siempre y cuando esté
polarizada directamente caso contrario no circula la corriente; siendo el ánodo la parte
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positiva y el cátodo la parte negativa del diodo; con respecto a la fuente este debe ser mayor
que el diodo para que pueda circular correctamente la corriente.

Funcionamiento del germanio

Funcionamiento del silicio

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7 CÁLCULOS

 Calculo de la corriente y voltaje en polarización directa e inversa con el diodo de germanio

Polarización 𝑉𝐹 0.05 0.1 0.15 0.2 0,603 0,629 466

(volts)

0,647 0,663 0,677 0,687 0,701 0,713 0,724 0,735

3 4 5 6 7 8 9 10

Directa 𝑰𝑭 2 512 000 5 037 000 7 594 000 10 228 000 1 2

(mA)

Polarización 𝑉𝑅 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 15 20 25 30
(volts)
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inversa 𝐼𝑅 0 0 0 0 0,881 0 0 0 1,776 1,726 1,776 3,553 5,253 3,553
(uA)

 Calculo de la corriente y voltaje en polarización directa e inversa con el diodo de silicio

Polarización 𝑉𝐹 0.2 0.3 0.4 0.5 0,535 0,572 0,592 0,607

(volts)
Directa 𝐼𝐹 0,001454 0,008865 0,03621 0,089453 1 2 3 4
(mA)

0,618 0,628 0,628 0,636 0,643 0,649 0,654

5 6 6 7 8 9 10

Polarización 𝑉𝑅 1 2 3 4 5 6 7 8
(volts)
inversa 𝐼𝑅 0,000111 0 -0,000444 0 0,000888 0 -0,000888 0,000888
(uA)

9 10 15 20 25 30

0 0,001776 0 0,003553 0 -0,003553

8 ANÁLISIS

Como ya se ha mencionado el programa multisim sirve para realizar cualquier tipo de

diagrama; en este caso se ha realizado una simulación utilizando el diodo de silicio y de
germanio tanto en directa como en inversa y se ha calculado los respectivos voltajes y
corrientes. Como ya se sabe el voltaje debe medirse en paralelo mientras que la corriente
debe ser medido en serie; la corriente en inversa ya sea en el silicio como en el germanio es
sumamente pequeña y es dado en microamperios, debido a que cuando el dio esta
polarizado inversamente no circula una corriente.
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9 CONCLUSIONES
 Con la realización de este circuito se ha podido verificar las conexiones de manera
práctica las aplicaciones teóricas que se explicaron del diodo como por ejemplo la
polarización directa e inversa.
 La característica que pudimos notar al hacer la conexión directa del diodo es que
comienza a conducir con aproximadamente 0,65v luego al ir aumentando el voltaje
el diodo llega a tener una caída de tensión de 0,7v la que se mantiene al seguir
aumentando el voltaje.
 El diodo proporciona una gran herramienta para transformar CA en CC y es su
principal función aunque para usos industriales el diodo ya no se utilizada en los
circuitos de rectificación
 En la polarización inversa del diodo tanto del silicio como del germanio, la corriente
es igual a cero ya que se comporta como si el circuito estuviera abierto.
 El diodo de germanio es el que menos voltaje necesita para cada corriente, al
contrario el silicio necesita de aproximadamente 20mV mas para alcanzar la misma
corriente que el diodo de germanio.

10 RECOMENDACIONES
 Realizar una auto-preparación para tener mayor conocimiento de cada uno de los
temas mencionados.
 Aprender a usar el multisim para realizar cualquier simulación antes de llevarlo a la
práctica.
 Aprender a diferenciar el diodo de germanio y silicio ya que tienen voltajes
diferentes.
 Aprender a conectar correctamente los diodos ya sea inversa o directa para no tener
ningún inconveniente al momento de realizar una práctica.
 Aplicar bien las formulas ya estudiadas al momento de realizar algún calculo.
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11 BIBLIOGRAFÍA
Boylestad, R. L. (2009). Electronica Teoria Circuitos y Dispotivos de Electronicos. En R. L. Boylestad,
Electronica Teoria Circuitos y Dispotivos de Electronicos. Mexico: Pearson Educación.
Harper, G. E. (1994). Fundamentos de electricidad, Volumen 4. En G. E. Harper, Fundamentos de
electricidad, Volumen 4. Mexico: Editorial Limusa.
Montes, A. H. (s.f.). Departamento de Tecnologia. En A. H. Montes, Departamento de Tecnologia.
I.E.S. CÁ STULO .
Saucedo, L. (s.f.). Instrumentos de medicion Electrica. En L. Saucedo, Instrumentos de medicion
Electrica. TX-TIP-0001.
Schuler, C. A. (1994). Electrónica, principios y aplicaciones. En C. A. Schuler, Electrónica, principios
y aplicaciones. California: Reverte.
Villarreal, J. R. (2001). Enseñando Multisim. En J. R. Villarreal, Enseñando Multisim. San José,
California .