Informes Labo Dispo

LAB. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS - INFORMES DE LABORATORIO U.N.M.S.M.
Contenido:
EXPERIMENTO Nº1
El Diodo Rectificador .....................................................................................................................................2
EXPERIMENTO Nº2
El Diodo Emisor de Luz o LED ..................................................................................................................... 11
EXPERIMENTO Nº3
El Diodo Zener........................................................................................................................................... 15
EXPERIENCIA Nº 4
Fuente de alimentacion no regulada ......................................................................................................... 20
EXPERIMENTO Nº 5
Fuente de Alimentación Regulada con Zener ............................................................................................ 26
LABORATORIO Nº6
Polarización del Transistor BJT ................................................................................................................... 31
LABORATORIO Nº 7
DIAC ............................................................................................................................................................ 48
LABORATORIO Nº8
Oscilador Practico con UJT ......................................................................................................................... 53
LABORATORIO Nº9
Oscilador Practico con PUT ........................................................................................................................ 58
LABORATORIO Nº 10
El Dimmer ................................................................................................................................................... 62
Ing. Luis Ponce Martínez Página 1

EXPERIMENTO Nº1
El Diodo Rectificador
I. OBJETIVOS
Utilizar características de operación de los diodos semiconductores.
II. MATERIALES Y EQUIPOS:
 Una fuente de corriente continua variable.
 Un Multímetro.
 Un Miliamperímetro y un Microamperímetro.
 Un diodo semiconductor de SI y GE.
 Un Voltímetro de C.C.
 Resistencia de 100Ω
 Cables y conectores.
III. FUNDAMENTO TEÓRICO
Un diodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-corriente no es

lineal. Está formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una mitad es tipo
"p" y la otra "n", constituyendo una unión “p - n”. La terminal que corresponde con la parte "p"
se llama ánodo y el que coincide con la "n" es el cátodo. Este diodo está compuesto por un
cristal de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado
del silicio (o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de semiconductor.
El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo de la
batería al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la
conexión opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversión de
corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificación.
En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.

El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente

por una unión P-N, añadiéndole un terminal de conexión a
cada uno de los contactos metálicos de sus extremos y una
cápsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los
terminales que corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo
(Zona N)
PRUEBA ESTÁTICA PARA UN DIODO SEMICONDUCTOR
La resistencia del diodo en polarización directa

debe ser muy baja comprada con el nivel de polarización
inversa. Mientras más alta sea la corriente, menor será el
nivel de resistencia. Para la situación de polarización inversa
la lectura debe ser bastante alta.
NOTA:
Una alta lectura en la resistencia en ambas direcciones

indica con claridad una condición abierta (dispositivo
defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la
resistencia en ambas direcciones quizá indique un dispositivo
en corto.

REGIÓN ZENER
Existe un punto en el cual la aplicación de un voltaje demasiado negativo dará por

resultado un agudo cambio en las características, como lo muestra la figura 1.22. La corriente
se incrementa a una velocidad muy rápida en una dirección opuesta a aquella de la región de
voltaje positivo.
El potencial de polarización inversa que da como resultado este cambio muy drástico
de las características se le llama potencial Zener y se le da el símbolo Vz.
La región de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles
de: dopado en los
materiales tipo p y tipo
n. Sin embargo, mientras
Vz disminuye a niveles
muy bajos, como -5 V,
otro mecanismo llamado
ruptura Zener contribuirá
con un cambio agudo en
la característica. Este
cambio rápido en la
característica a cualquier
nivel se denomina región
Zener, y los diodos que
utilizan esta porción
única de la característica
de una unión p-n son los
diodos Zener. La región Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta
de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las características
de esta región de voltaje inverso.
El máximo potencial de polarización inversa que puede ser aplicado antes de entrar a
la región Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV,
por las iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las iniciales en inglés de: Peak
Reverse Voltage).

IV. PROCEDIMIENTO:
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas en inversas del diodo de silicio.
Registrar los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.
a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el voltaje

directo de diodo, registrar sus datos en la tabla 2.
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos como

en (a), registrando los datos en la tabla 3.
R. Directa R. Inversa
2.44 MΩ 
TABLA 1. (SI)
Vcc(v) 0.50 0.54 0.59 0.66 0.79 0.90 1.22 1.79 2.30 2.83
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.48 0.51 0.54 0.58 0.61 0.64 0.67 0.69 0.72 0.73
TABLA2
Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0 1.99 3.99 6 8 10 11.99 14.99 19.99
Id(µA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0
TABLA3

3. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de germanio.
Registrar los datos en la tabla 4.
R. Directa R. Indirecta
7.55 KΩ 
TABLA 4
4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al paso 2;

proceder a llenar la tabla 5 y 6.
Vcc(v) 0 0.18 0.25 0.31 0.44 0.56 0.88 1.25 1.48 1.66 2.03 2.61
Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0 0.17 0.20 0.23 0.26 0.29 0.33 0.37 0.38 0.40 0.42 0.45
TABLA 5
Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0 0.99 1.99 3.99 5.99 7.98 9.97 11.97 14.85 17.94 19.92
Id(µA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
TABLA 6

V. CUESTIONARIO FINAL:
1. Construir el gráfico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI) calcular la resistencia
dinámica del diodo.
25
Id vs Vd (polarización directa)
20
15
Corriente
(mA)
10
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Voltaje (V)
Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento vertical es 20 mA,

entonces podemos remplazarla en la siguiente fórmula (forma diferencial de la resistencia
dinámica):
26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
𝑟𝑑 = = = 1.3 Ω
𝐼𝑑 20 𝑚𝐴
1
Id vs Vd (polarización inversa)
0.9
0.8
0.7
0.6
Corriente (µA)0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25
Voltaje (V)

2. Construir el gráfico Id=F(Vd) con los datos 5 y 6 (Ge) resistencia dinámica del diodo.
Id vs Vd (polarización directa)
25
20
15
Corriente
(mA) 10
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Voltaje (V)
En este caso la resistencia dinámica se hallará con la siguiente fórmula:

𝑉𝑑 0.4 − 0.3
𝑟𝑑 = = = 0.012 𝐾Ω
𝐼𝑑 12.3 − 4.5
Id vs Vd (polarización inversa)
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
Corriente 0.4
(µA) 0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25
Voltaje (V)

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.
 En el gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 2 podemos

notar que a medida que se incrementa la intensidad de corriente se llega a un
donde el voltaje del diodo es casi estable. Este resultado es de esperarse ya que el
diodo de silicio tiene un voltaje en polarización directa aproximadamente de 0.7
voltios (comercialmente).
 El gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 3 observamos que

pesar de incrementar el voltaje del diodo (Vd) la corriente a través de este no
aumenta. Esto se debe a que la resistencia del diodo en polarización inversa es
muy grande.
 Análogamente en el gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 4

se dan las mismas observaciones solo que para el caso del Germanio (Ge) el
voltaje en polarización directa es aproximadamente de 0.3 voltios
(comercialmente).
 Finalmente en la gráfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da el paso de

corriente a través del diodo, debido a que este se encuentra polarizado
inversamente.

4. Exponer sus conclusiones en el experimento.
 Lo primero que podemos concluir acerca del diodo semiconductor es que este
dispositivo en de tipo unidireccional, debido a que la corriente circulara a través
de él si es que esta en polarización directa, mientras que estando en polarización
inversa la corriente no lo hará (idealmente).
 Sobre la corriente de polarización inversa o de fuga se puede decir que idealmente

es nula, pero en casos reales se ha comprobado que esta corriente es del orden de
los microamperios (µA) o nanoamperios (nA).
 Se puede notar del contrastes entre las curvas características del diodo hecho del
silicio contra el diodo hecho de germanio, que el primero alcanza más
rápidamente la región de condición en comparación con el segundo.

EXPERIMENTO Nº2
El Diodo Emisor de Luz o LED
I. OBJETIVOS
Proporcionar los conocimientos necesarios a fin de comprender correctamente la práctica de

los LEDS.
 Un LED tipo TIL 203.
 Un Multímetro a pilas.
 Un Miliamperímetro de 10mA.
 Un voltímetro de 5v.
Un led es un diodo que trabaja en polarización directa, el cual en lugar de disipar la

energía en forma de calor, lo hace en forma de luz. Estos tipos de diodos están fabricados de
galio, arsénico o fósforo y la caída de tensión en polarización directa suele ser de unos 2 V.
Los led
pueden radiar luz roja,
verde, amarilla, naranja
o infrarroja (invisible).
Los led que producen
una radiación visible se
utilizan en los
instrumentos, mientras
que los de radiación
invisible encuentran su
aplicación en los
sistemas de alarma
antirrobos
principalmente.

Como se muestra en la figura 1.54 con su símbolo gráfico, la superficie conductora

conectada al material p es mucho más pequeña, con objeto de permitir la emisión de un
número máximo de fotones de energía lumínica. Observe en la figura que la recombinación de
los portadores inyectados debido a la unión con polarización directa genera luz, que se emite
en el lugar en que se da la recombinación. Puede haber, desde luego, alguna absorción de los
paquetes de energía de los fotones en la superficie misma, pero un gran porcentaje se
encuentra disponible para salir, según se muestra en la figura.
IV. PROCEDIMIENTO:
1. Realizar el siguiente circuito:
2. Variando el voltaje de alimentación, obtenga el voltaje Vd de acuerdo con los valores

del cuadro Nº 1; mida y anote el valor de la corriente de diodo (Id.)
Cuadro Nº 1
Vd(v) 0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8
Id(µA) 0 0 14.5 22 35 47 60

3. Con los datos obtenidos en el cuadro Nº 1, trazar la curva correspondiente

considerando Id=f(Vd).
70
Id vs Vd
60
50
40
Corriente 30
(µA) 20
10
0
0 0.5 1 1.5 2
Voltaje (V)
4. Disminuya el voltaje de alimentación a 0v. luego invierta el LED y repita las medidas
anteriores de acuerdo con el cuadro Nº 2.
+Vd(v) 0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8
Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0
NOTA: No sobrepase la tensión de Vd de 1.7v
5. ¿Qué nota en el LED? ¿Se ilumina?
Sí, este se ilumina cuando sobrepasa aproximadamente los 13.9 v en polarización

directa (observado en el laboratorio).
6. ¿Cuándo trabaja correctamente el LED?
Después de haber colocado tanto en directa como en inversa las polaridades del LED, se
puede notar que este trabaja solo en polarización directa.

V. CONCLUSIÓN FINAL
Concluido este Experimento se obtienen las siguientes conclusiones:
 El LED es un componente que conduce en una sola dirección y emite luz de intensidad
luminosa creciente en cuanto sobrepasa el umbral de conducción (1.4v).
 El motivo por el cual no se recomienda sobrepasar el valor de 1.7 v, es que, a este valor
el LED no trabaja eficientemente, más aún, se corre el peligro de una ruptura en el
instrumento.
 En el silicio y el germanio el mayor porcentaje de energía se genera en forma de calor y

la luz emitida es insignificante. Mientras que en otros materiales, como el fosfuro
arseniuro de galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP), el número de fotones de energía de
luz emitida es suficiente para crear una fuente de luz muy visible.

EXPERIMENTO Nº3
El Diodo Zener
I. OBJETIVOS
Dar los conocimientos necesarios para la comprensión práctica del funcionamiento del diodo
Zener.
 Un diodo Zener para 12 v.
 Un Multímetro a pilas.
 Un Miliamperímetro de 50mA.
 Un voltímetro de 20v.
 Una resistencia de 1 KΩ.
El diodo zener es un tipo especial de

diodo, que siempre se utiliza polarizado
inversamente. En este caso la corriente circula en
contra de la flecha que representa el diodo. Si el
diodo zener se polariza en sentido directo se
comporta como un diodo rectificador común.
Cuando el diodo zener funciona polarizado
inversamente mantiene entre sus terminales un
voltaje constante.
Se analizará el diodo Zener, no como un

elemento ideal, si no como un elemento real y se
debe tomar en cuenta que cuando éste se polariza
en modo inverso si existe una corriente que
circula en sentido contrario a la flecha del diodo,
pero de muy poco valor.

La región Zener de la figura 1.47 se analizó con cierto nivel de detalle en la parte teórica
concerniente al Experimento 1. La característica cae de manera casi vertical en un potencial de
polarización inversa denotado como Vz. El hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje
horizontal, en vez de arriba y lejos para la región positiva VD. revela que la corriente en la
región Zener tiene una dirección opuesta a aquella de un diodo con polarización directa.
Esta región de características únicas se

utiliza en el diseño de los diodos Zener, los cuales
tienen el símbolo gráfico que aparece en la figura
1.48a. Tanto el diodo semiconductor como el diodo
Zener se presentan uno al lado de otro en la figura
1.48 con objeto de asegurar que la dirección de la
conducción se comprenda con todo detalle junto con
la polarización requerida del voltaje aplicado. El
diodo semiconductor, en el estado "encendido",
soportará una corriente en la dirección de la flecha
en el símbolo. Para el diodo Zener la dirección de la
conducción es opuesta a la de la flecha sobre el
símbolo, de acuerdo con el comentario en la
introducción de esta sección. Observe, a su vez, que
la polarización de VD y de Vz es igual, como si se
hubieran obtenido en caso de que cada uno hubiera
sido un elemento resistivo.

IV. PROCEDIMIENTO:
NOTA: El procedimiento a describirse, puede emplearse para cualquier diodo zener, pero, se
tendrá cuidado con el voltaje de dicho diodo.
7. Realizar el siguiente circuito de la figura A:
8. Variando el voltaje de alimentación, complementar los datos solicitados en la Tabla

N°1.
Val.(v) 5 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
Iz 4.8
0 0 0 1.5m 550m 1.2 1.6 2.4 3 3.5 4.1
(mA)
Vz (V) 4.9 7.9 10 11.5 12 11.99 11.9 12 11.9 12 11.9 12
9. ¿Qué comportamiento tiene el diodo Zener para el circuito N° 1 A?
En un principio el diodo Zener no conduce ninguna corriente, pero a medida que se la va

aumentando en voltaje de “alimentación” (Val.) entonces el voltaje del Zener (Vz)
aumenta hasta que en cierto punto queda prácticamente estable.

10. Invierta la posición del diodo Zener de acuerdo la figura 1B y completar la Tabla N° 2
variando los valores del voltaje de alimentación.
Val.(v) 5 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
Iz (mA) 1.2 2.1 2.8 3.3 3.9 4.6 5.1 5.8 6.3 6.9 7.5 8.1
Vz (V) 0.7 0.7 07 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
11. ¿Qué comportamiento tiene el diodo Zener para el circuito de la figura N° 1B??
En este caso, a pesar de que se le está aumentando el Val. al diodo y que por
consiguiente aumenta también la corriente Iz, el Vz no varía, manteniéndose estable.
12. Con los datos obtenidos en las Tablas N°1 y 2, trazar la gráfica correspondiente para el
comportamiento del diodo zener experimentado.
Gráfico N°1:
Iz vs Vz
6
3
Corriente
(µA) 2
0
0 5 10 15
Voltaje (V)

Gráfico N°2:
9
Iz vs Vz
8
7
6
5
Corriente
4
(mA) 3
2
1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Voltaje (V)
V. CONCLUSIÓN FINAL
 El diodo Zener es un componente, que polarizado inversamente, puede utilizarse como

un estabilizador de tensión (voltaje).

EXPERIENCIA Nº 4
FUENTE DE ALIMENTACION NO REGULADA
I. OBJETIVOS
Observar y analizar experimentalmente el voltaje de salida de una fuente de alimentación

simple.
II. MATERIALES Y/O INSTRUMENTOS
 Multímetro
 Miliamperímetro
 Microamperímetro
 Resistencia de 1K
 Capacitores
 Transformador
 Puente rectificador o 4 diodos rectificadores en conexión tipo puente.
 Osciloscopio
Las fuentes de alimentación son equipos electrónicos cuya función en convertir el

voltaje de la red, la cual es de tipo alterno (sin polaridad) a un voltaje en continua, para luego
alimentar los circuitos que deseamos analizar. En este caso, nuestra fuente será la fuente de
alimentación básica. Conformada por un transformador cuya función es reducir la amplitud de
la señal de entrada de la red, así como de proporcionar un aislamiento eléctrico entre la etapa
de potencia conectada a la red, y la de salida. Luego, los 4 diodos rectificadores en puente se
encargar de dejar pasar solo uno de los ciclos de la alterna. Se dice entonces que los diodos
rectificaron al voltaje de entrada. Lo simple de esta fuente radica en el hecho de que emplea un
capacitor como filtro. El capacitor se carga y descarga, tratando de linealizar la salida, hecho
que como veremos, no se logra de manera eficaz.

IV. PROCEDIMIENTO
TR1
BR1
220VAC-60HZ Vin
C1 IL RL
100u 20k +88.8 Vo
TRAN-2P2S AC Volts
Implementar el circuito de la figura.

Donde C1 se irá cambiando a distintos valores (ver la tabla).
Llenar la tabla.
CONDENSADORES (F)
2W04G
47 100 470 1000 2200
Vin 18.50V 18.50V 18.50V 18.50V 18.50V
VinPP 37.00V 37.00V 37.00V 37.00V 37.00V
VinEF 13.08V 13.08V 13.08V 13.08V 13.08V
VinDC 0 0 0 0 0
VinRMS 13.08V 13.08V 13.08V 13.08V 13.08V
V0 16.43V 15.30V 16.53V 16.68V 16.77V
VDC 0 0 0 0 0
IL 0.75mA 0.72mA 0.74mA 0.74mA 0.74mA
Vr 0.25V 0.08V 0.15V 5mV 4mV
VrEF 0.07V 0.02V 0.04V 1.44mV 1.15mV

Dibujar V0
Etapa de entrada.-
TR1
220VAC-60HZ Vin
Etapa de rectificación.-
TR1
TRAN-2P2S BR1
220VAC-60HZ Vin
RL
C1 20k
2W04G 100u
TRAN-2P2S

Etapa de filtro.-
TR1
BR1
220VAC-60HZ Vin
RL
C1 20k
100u
Para: 2W04G
C1=47F C1=100F
TRAN-2P2S

C1=470F C1=1000F
C1=2200F

V. CONCLUSIONES
 El voltaje de rizo son las fluctuaciones de alterna que se mantienen tras el proceso de
rectificación y filtro. Una fuente de alimentación eficiente debe reducir este rizo al
mínimo.
 La capacitancia del condensador electrolítico determina la amplitud del voltaje de rizo.

A mayor capacitancia, menor rizo, y a menor capacitancia, mayor rizo.
 La resistencia de carga también influye en el rizo.

EXPERIMENTO Nº 5
Fuente de Alimentación Regulada con Zener
I. OBJETIVOS
Analizar el voltaje de salida de una fuente de alimentación regulada con diodo zener.
II. MATERIALES Y/O INSTRUMENTOS
 Multímetro
 Miliamperímetro
 Microamperímetro
 Osciloscopio
 Trasformador
 4 Diodos rectificadores en conexión puente
 Condensador electrolítico
 Diodo Zener
 Resistencia (carga)

III. PROCEDIMIENTO
Implementar el circuito de la figura.
TR1
BR1
R1
220VAC-60HZ Vin
100
RL
C1 D1 IL 100k +88.8 Vo
2200u 1N4728A AC Volts
TRAN-2P2S
Llenar la tabla
2W04G
CONDENSADORES (F)
50 100 470 1000 2200
Vin 12.73V 12.73V 12.73V 12.73V 12.73V
VinPP 25.46V 25.46V 25.46V 25.46V 25.46V
VinEF 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V
VinDC 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
VinRMS 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V
V0 9.39V 9.38V 9.38V 9.39V 9.38V
VRZ 1.99V 1.99V 1.99V 1.93V 2.01V
VZ 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V
VDC 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V
IL 0.10mA 0.10mA 0.10mA 0.10mA 0.10mA
Vr 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00
VrEF 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00

Etapa de entrada.-
TR1
BR1
220VAC-60HZ
C1
2200u
TRAN-2P2S
2W04G
Etapa de rectificación.-
TR1
BR1
220VAC-60HZ
RL
C1 D1 100k
2200u 1N4728A
TRAN-2P2S
2W04G

Etapa de filtro.-
TR1
BR1
220VAC-60HZ
C1
2200u
TRAN-2P2S
2W04G

Etapa de regulación.-
TR1
BR1
R1
220VAC-60HZ
100
RL
C1 D1 100k
2200u 1N4728A
TRAN-2P2S
2W04G
IV. CONCLUSIONES
Observamos que el voltaje de salida en la carga es constante. Lo cual indica que el

diodo zener elimina el rizado y regula el voltaje manteniéndolo constante sin importar la carga.

LABORATORIO Nº6
Polarización del Transistor BJT
I. OBJETIVOS
Conocer la polarización por corriente de base de base y tipo H, calcular el punto Q y ver la
respuesta en Ac de dicho transistor NPN.
II. MATERIALES E INSTRUMENTOS
 Transistor BC548
 Resistencias (1K, 3K, 10K, 100K)
 Capacitores (10 uF, 100 uF)
 Generador de señales
El transistor BJT (Bilpolar Junction Transistor en inglés) o transistor de juntura bilateral,

es un dispositivo electrónicos de tres capas, de las cuales derivan sus dos tipos: PNP o NPN.
Actúa básicamente como una fuente de voltaje o corriente controlada por corriente de base,
ello debido a la juntura PN base – emisor, que se polariza en directa, lo cual permite controlar
el flujo de corriente a través de la juntura de colector – emisor mediante el ensanchamiento o
alargamiento del campo eléctrico entre las juntura PN.

Transistor tipo NPN
Transistor tipo PNP
Su curva característica se hace en función de todas las corrientes de base posibles para
el transistor sin que este sufra daños. Dicha curva presenta tres zonas, la zona de corte,
saturación y la zona activa o de amplificación.
Curvas características del transistor BJT y las zonas de corte y saturación indicadas

IV. PRIMERA PARTE: POLARIZACIÓN POR CORRIENTE DE BASE
Implementar el siguiente circuito:
RB RC
100k 3k
Fig 1
VCC Llenar la siguiente tabla

12v
Q1
BC548
IC (mA) 3.94
IE (mA) 4.05
IB (mA) 0.11
IRC (mA) 3.94
IRB (mA) 0.11
VCC 12
VRC 11.8
VRB 11.3
VCE 0.2
VBE 0.7
VCB -0.52
VC 0.19
VB 0.72
VE 0.00

Invertir la fuente y llenar tabla nuevamente.
IC (uA) -0.24
IE (uA) -0.24
IB (uA) -0.24
IRC (mA) -0.24
IRB (mA) -0.24
VCC -12
VRC (uV) -720
VRB -0.01
VCE -12
VBE -12
VCB -0.01
VC -12
VB -12
VE 0.00

Cambiar Rb=1M, llenar tabla.
IC (mA) 2.84
IE (mA) 2.85
IB (mA) 0.01
IRC (mA) 2.84
IRB (mA) 0.01
VCC 12
VRC 8.85
VRB 11.3
VCE 3.42
VBE 0.7
VCB 2.74
VC 3.50
VB 0.7
VE 0.00

V. SEGUNDA PARTE: POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE O TIPO H
Implementar el siguiente circuito:
R1 RC
Fig 2
100K 3k
Llenar la siguiente tabla.

Q1 VCC
BC548 12v
IC (mA) 0.43
IE (mA) 0.43
R2 RE
10k 1k
IB (uA) 1.41
IR1 (mA) 0.11
IR2 (mA) 0.11
IRE (mA) 0.43
VCC 12
VR1 10.9
VR2 1.08
VRE 0.43
VRC 1.29
VE 0.43
VC 10.7
VB 1.08
VCE 10.3
VBE 0.65
VCB 9.63

Cambiar R1 por R2 y llenar tabla.
IC (mA) 2.79
IE (mA) 3.52
IB (mA) 0.73
IR1 (mA) 0.77
IR2 (mA) 0.04
IRE (mA) 3.52
VCC 12
VR1 7.7
VR2 4.2
VRE 3.52
VRC 8.37
VE 3.52
VC 3.63
VB 4.3
VCE 0.78
VBE 0.11
VCB -0.67

Ubicar el punto Q en la recta de Carga para cada figura
Para la figura 1:
Para la malla 1:
𝑰𝒃 × 𝑹𝒃 + 𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑪𝑪
Para la malla 2:
𝑰𝑪 × 𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪
Pero sabemos que:
𝑰𝑬 = 𝒉𝑭𝑬 × 𝑰𝑩
Y que:
𝑰𝑪 ≅ 𝑰𝑬 ∧ 𝑽𝑩𝑬 ≅ 𝟎. 𝟕𝒗
En 1:
𝑰𝑩 × 𝑹𝑩 + 𝟎. 𝟕 = 𝟏𝟐
𝟏𝟏. 𝟑
𝑰𝑩 = = 𝟎. 𝟏 𝒎𝑨
𝑹𝑩
Luego, como ICQ=4.05 mA
𝑰𝑬
𝒉𝑭𝑬 = = 𝟑𝟔. 𝟖𝟏
𝑰𝑩
Lo cual concuerda con la hoja de datos.
Así, solo nos falta obtener Vce en el punto de trabajo.
De 2:
𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪𝑸 × 𝑹𝑪 = 𝟏𝟐𝑽 − 𝟑. 𝟗𝟒𝒎𝑨 × 𝟑𝑲 = 𝟎. 𝟐𝒗
Así, ya tenemos nuestro punto Q = (0.2V,4.05mA)

Ahora, hallamos la IE MÁX, de 2:
𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪 𝑴Á𝑿 = = 𝟒 𝒎𝑨
𝑹𝑪
Ubicando el punto en la recta de carga:
El transistor está en la zona de saturación.

Para el voltaje negativo, las junturas Base – Emisor y Colector-Emisor se polariza en inversa, por
lo que solo tenemos allí la corriente de fuga de 0.24 uA. El transistor está en la zona de
saturación, por lo que el voltaje VCE es igual al voltaje de la fuente.
Luego, el punto de trabajo Q sería: Q(12,-0.24)
El transistor está en corte.
Para RB=1M, el tipo de configración varía el hfe, por lo que esta debe reemplazarse por el
descrito en el manual. Al reemplazar los datos se obtiene:
Reemplazando los datos en las ecuaciones dadas tenemos:
ICQ=2.84mA
VCEQ=3.4 V
Entonces, nuestro nuevo punto Q de trabajo es Q=(3.4V, 2.84mA)

El transistor está en la zona activa.
Para la figura 2:
Primero, hallemos el equivalente de Thevenin del

divisor de voltaje:
R1 RC
100K 3k 𝑹𝑩𝑩 = 𝑹𝟏 ∥ 𝑹𝟐
𝟏𝟎𝟎𝑲 × 𝟏𝟎𝑲
Q1 VCC 𝑹𝑩𝑩 = = 𝟗. 𝟎𝟗𝑲
BC548 12v 𝟏𝟎𝟎𝑲 + 𝟏𝟎𝑲
Luego, el VCAB, por divisor de voltaje:
R2 RE
10k 1k 𝑹𝟐
𝑽𝑩𝑩 = × 𝑽𝑪𝑪 = 𝟏. 𝟐𝑽
𝑹𝟏

Reemplazando estos datos en el circuito original:
En 1:
𝑽𝑩𝑩 = 𝑰𝑩 × 𝑹𝑩𝑩 + 𝑽𝑩𝑬 + 𝑰𝑬 × 𝑹𝑬
Para este caso VBE=0.7V,
𝑰𝑬
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑩𝑬 = × 𝑹𝑩𝑩 + 𝑰𝑬 × 𝑹𝑬
𝒉𝑭𝑬
De esta ecuación obtenemos el hfe

del transistor:
𝑰𝑬 × 𝑹𝑩𝑩
𝒉𝑭𝑬 = = 𝟎. 𝟑𝟓
𝟏𝟏. 𝟑𝒗 − 𝑰𝑬 × 𝑹𝑬
De 2:
𝑽𝑪𝑪 = 𝑰𝑪 × 𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 + 𝑰𝑬 × 𝑹𝑬
Pero IC=IE para este caso:
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑪𝑬
𝑰𝑪 =
𝑹𝑪 + 𝑹𝑬
De donde obtenemos IC máx:
𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪 𝑴Á𝑿 = = 𝟒𝒎𝑨
𝑹𝑪 + 𝑹 𝑬
Por último, calculemos los valores de Ic y Vce en el punto de trabajo:
De 1:
𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑪𝑸 = = 𝟎. 𝟒𝟐𝒎𝑨
𝑹𝑩𝑩
+ 𝑹𝑬
𝒉𝑭𝑬

Para calcular VCEQ, de 2:
𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪𝑸 (𝑹𝑪 + 𝑹𝑬 ) = 𝟏𝟎. 𝟑𝟐𝒗
Por lo tanto, el punto Q será: Q= (10.32v; 0.42mA)
Vemos que el punto Q de trabajo está cercano a la zona de corte, aunque básicamente está en
la zona de amplificación o activa.
Cambiemos ahora R1 por R2, y reemplacemos estos valores en las ecuaciones descritas
anteriormente:
Ahora tenemos VBB=10.91v
Reemplazando en las ecuaciones 1 y 2 obtenemos nuestro nuevo punto Q de trabajo.
ICQ=2.7mA
VCEQ=0.1v
Ubicando este punto en la característica del transistor tenemos:

Ahora vemos que el transistor no trabaja, pues su punto Q está fuera de su recta de carga.

Implementar el siguiente circuito.
V1
12V
C1
10uF
R1 RC
100K 3k
C2
10uF
Q1 Vo
BC548
R2 RE
10k 1k C3
100uF
Fig 3

Llenar la siguiente tabla:
IC (mA) 0.42
IE (mA) 0.43
IB (uA) 1.45
IR1 (mA) 0.10
IR2 (mA) 0.11
IRE (mA) 0.42
VCC 12
VR1 10.8
VR2 1.07
VRE 0.43
VRC 1.29
VE 0.43
VC 10.6
VB 1.08
VCE 10.3
VBE 0.65
VCB 9.62
Vemos que los datos son idénticos a los obtenidos con el circuito sin las fuentes sinodales, lo
cual nos dice que la recta de carga de DC del transistor BJT es la misma.
VI. CONCLUSIONES

 El transistor BJT sirve como amplificador electrónico, pues presenta una ganancia de
voltaje en el emisor.
 Existen diversos circuitos de polarización para los BJT, en función de la manera en que
se quiere que trabaje.
 La recta de carga ubica todos los puntos de trabajo posibles del transistor para
diferentes corrientes de base. Un transistor trabajando en algún punto fuera de esta
recta está siendo utilizado de manera incorrecta.
 Al invertir el voltaje de alimentación en el primer circuito, llevamos al transistor a la

zona de corte, pues la juntura base – emisor se polarizó en inversa, provocando un
campo muy fuerte entre colector y emisor, dejándolo abierto.
 Al cambiar la resistencia por una de 1M, se llevó finalmente al transistor a la zona activa.
 En el segundo caso, al invertir las resistencias de base, solo se alteró la corriente de la

base, llevando el punto de trabajo fuera de la recta de carga.

LABORATORIO Nº 7
DIAC
I. OBJETIVOS
Proporcionar experimentalmente las características del DIAC.
II. MATERIALES Y EQUIPOS
 DIAC DB3
 Multímetro a pilas.
 Miliamperímetro de 20 mA
 Voltímetro para 100v.
 Resistencia de 4.7K
El DIAC es un dispositivo de potencia bidireccional, formada por 4 junturas PNPN, con

dos terminales llamados simplemente ánodo 1 o ánodo 2. Básicamente es un diodo de disparo
bidireccional para los tiristores, en especial para el TRIAC.
Se comporta como dos diodos en oposición, que se disparan cuando la tensión entre
sus ánodos llega o supera a la tensión de disparo proporcionada por el fabricante.

Curva característica del DIAC. Vemos como

a partir de cierto V, el DIAC comienza a conducir.
IV. PROCEDIMIENTO
1. Realizar el siguiente circuito:
O A 60v
R1
4.7k
+88.8
Volts
+88.8
D1 Volts
DIAC
+88.8
Amps
2. Variando la tensión de la alimentación, partiendo de cero, determinar los valores de V 2

e I con cada valor de V1.
3. En correspondencia de largas variaciones de la intensidad I, variar esmeradamente el

voltaje V1. Anotar los valores obtenidos en la tabla correspondiente.

4. Invierta las conexiones del DIAC y repetir las mediciones llevando los valores a la parte
correspondiente de la misma tabla.
5. Trazar la gráfica I= f(v) y observe el comportamiento general de la curva.
A partir del gráfico, vemos que el voltaje de activación del DIAC es 40 v voltios. Ello,
pues antes de que el voltaje llegue a ese valor, la corriente a través del DIAC es muy pequeña
(tiende a cero), mientras que pasado ese voltaje, el DIAC entra en conducción.

6. Tomando en consideración los valores de la tabla y la curva obtenida con estos valores,
determine el comportamiento del DIAC.
V2(v) I(mA)
V1(v)
DIRECTA INVERSA DIRECTA INVERSA
0 0 0 0 0
15 15.16 -15.06 0 0
30 30.18 -30.17 0 0
32 30.54 -29.89 0.350 -0.5
34 29.33 -28.89 1.050 -1.1
36 28.68 -28.18 1.6 -1.65
38 28.17 -26.78 2.150 -2.4
39 27.94 -26.52 2.4 -2.6
40 26.68 -26.23 2.8 -2.9
42 26.3 -25.8 3.4 -3.45
44 25.9 -25.41 3.85 -4
46 25.59 -25.2 4.4 -4.45
48 25.3 -24.85 4.8 -5
50 25.06 -24.55 5.15 -5.4

V. CONCLUSIONES
 El DIAC es un dispositivo bidireccional, cuyo equivalente son dos diodos en oposición.
 El DIAC es un tipo de tiristor controlado por el voltaje entre sus ánodos. Mientras el
voltaje entre sus terminales sea menor que este voltaje, el DIAC no conduce. Una vez
que lo hace, el voltaje a través de él disminuye para luego incrementarse, ello quiere
decir que el DIAC entró en conducción.
 El DIAC se usa generalmente como elemento de disparo de los TRIAC’s, así como para el
control de sistemas de potencia, como en los Dimmer’s.
 El DIAC utilizado es el DB3, cuyo voltaje de activación es 40 voltios en ambos sentidos

(bidireccional).

LABORATORIO Nº8
Oscilador Practico con UJT
(Transistor de Unión Única)
I. OBJETIVOS:
Proporcionar todo lo necesario a fin de lograr los conocimientos a prácticos sobre el UJT.
 Un UJT tipo 2N2646
 Resistencias (15K, 470 ohm, 22 ohm)
 Potenciómetro de 20K.
 Capacitor de 100 μF – 16v.
 Osciloscopio.
 Una fuente de alimentación.
III. CARACRTERÍSTICAS DEL UJT:
El transistor mono unión (UJT) se utiliza generalmente para generar señales de disparo
en los SCR. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre
B1 y B2 la mono unión tiene las características de una resistencia ordinaria.

a) Estructura física, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente y d) símbolo.
IV. PROCEDIMIENTO
1. Implementamos el siguiente circuito.
VCC
R1
2k
R2
470
RV1
10K
2N2646
UJT
Vout
R3
C1 22
100uF

2. Ajustamos el amplificador vertical del osciloscopio para operar en modo cd.

Conectamos las puntas de entrada vertical entre la Base 1 y tierra. Y así obtenemos
la siguiente curva en el osciloscopio.
3. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre la Base 2 y tierra. Y así
obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.

4. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre el emisor y tierra. Y así
obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.
V. CIRCUITO CON UJT:

VI. CONCLUSIONES:
 El circuito con UJT sirve para generar señales para dispositivos de control como
Tiristores o Triac.
 Observamos que el capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del

transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga a través de la unión Emisor-
B1.
 Luego el capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje (aprox. 2.5v), con este
voltaje el transistor UJT se apaga (es decir deja de conducir entre E-B1); y el
capacitor inicia su carga otra vez.

LABORATORIO Nº9
Oscilador Practico con PUT
(Transistor de Unión Programable)
I. OBJETIVOS:
Proporcionar las características y la prueba de los PUT para poder emplear correctamente.
 Un PUT tipo 2N6027.
 Una fuente de alimentación.
 Resistencias de 180K, 16K y 56 ohm.
 Un potenciómetro de 20K.
 Osciloscopio.
 Un condensador de 2200nF
III. CARACTERISTICAS DE UN PUT:
El PUT (Transistor Uniunión programable) es un dispositivo que, a diferencia del

transistor bipolar común que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas.
El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son:

cátodo K, ánodo A, puerta G.
A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de
RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parámetros de conducción del PUT son controlados por la
terminal G

Este transistor tiene dos estados: Uno de conducción (hay corriente entre A y K y la
caída de voltaje es pequeña) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequeña.
Este transistor se polariza de la siguiente manera:
Cuando IG = 0,
VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ]
VG = n x VBB
donde: n = RB2 / (RB1+RB2)
La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que

las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras
que el PUT estas resistencias están en el exterior y pueden
modificarse.
Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es más débil que en el UJT y la tensión
mínima de funcionamiento es menor en el PUT.
IV. PROCEDIMIENTOS:
1. Implementamos el siguiente circuito:
VCC
R1 R3
180k 10k
PUT
2N6028
RV1
R2
C1 56
220nF
47K

2. Ajustando el amplificador vertical del osciloscopio para operar en modo cd, también
ajustamos la deflexión vertical y el barrido horizontal según sea necesario. Conectamos
las puntas de entrada vertical entre el ánodo y cátodo del PUT.
3. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre

V. CONCLUSIONES:
 Observamos que el condensador se carga a través de la R=180K ohm hasta alcanzar

un voltaje de pico (Vp). Al alcanzar Vp, el PUT dispara y fluye la corriente de ánodo.
Entonces el condensador se descarga a través del circuito de baja impedancia de
ánodo-cátodo. Cuando el condensador se descarga en forma suficiente, la corriente
de ánodo cae por debajo del valor necesario para mantenerla en conducción, lo que
hace que el PUT se apague y la acción se repita continuamente.

LABORATORIO Nº 10
El Dimmer
I. OBJETIVOS:
Dara los conocimientos necesarios para el funcionamiento de un Dimmer.
II. MATERIALES:
 1 Triac BT 138
 1 Diac
 1 Led
 2 condensadores de 100nF y 56nF.
 1 resistencia de 56K
III. MARCO TEÓRICO:
Los dimmer o dímer son dispositivos usados para regular la energía en una o varias
lámparas, con el fin de variar la intensidad de la luz que emiten (siempre y cuando las
propiedades de la luminaria lo permitan).
Actualmente los circuitos más empleados incluyen la función de encendido al "paso

por cero" de la tensión. La disminución del valor eficaz en la bombilla se logra recortando la
señal en el momento de subida en el punto que se elija (si cortamos la señal cuando la onda
llega a 60 V p.e. se encenderá muy poco, mientras que si la cortamos al llegar a 200 V se
encenderá casi al máximo).
Existen sistemas más complejos capaces de regular el flujo de iluminación para otro
tipo de luminarias (fluorescentes, de bajo consumo, etc.) pero son más complicados.
Algunos dimmer pueden ser controlados remotamente a través de controladores y

protocolos especiales. En el caso de la iluminación para escenarios uno de los protocolos más

utilizados es DMX (Digital MultipleX), que es un protocolo de comunicaciones usado para

controlar la iluminación de escenarios, o DMX512, el cual permite que la intensidad de las luces
convencionales pueda ser sincronizada con las luces de efectos especiales, máquinas de humo,
etc.
Son dispositivos que permiten reducir la intensidad de luz de lámparas
incandescentes o halógenas con transformador o balastos electrónicos “Nuestros
Reguladores únicamente funcionan con balastos electrónicos Dimmable a Triac
por corte en inicio de fase.
Como funciona:
El principio de funcionamiento, se basa en el control de potencia que se logra variando el

ángulo de conducción de un Triac, de 30º a 160º.
Métodos de Regulación
TRIAC. Concientes de los habituales problemas de presupuesto, la tecnología triac es la más

simple y económica de todas las presentadas.
La técnica simple de variar el punto de encendido de la lámpara a lo largo de la mitad del ciclo,
está tradicionalmente establecido.
Los inconvenientes de esta técnica son la aparición de ruidos en el filamento de la lámpara, los
cuales producen un zumbido audible, y la posible aparición de interferencias en la red.
TIRISTOR. La tecnología a base de Tiristores da un paso adelante en la tecnología convencional

con el decrecimiento del ruido.
Protección electrónica y una medida completa de las funciones del dimmer.
Aún siendo una tecnología similar a la del Triac, la avanzada tecnología del Tiristor combina la
solidez y la calidad del control de alta resolución que le da el filtraje anti parasitario para reducir
el ruido del filamento de las lámparas disminuyendo el “rise time” de la curva.
IGBT Regulación por fase inversa.

Esta tecnología en los dimmer’s son silenciosos y utilizan IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistors), Transistor bipolar de puertas aisladas para variar gradualmente la curva de la
corriente frente a la curva de carga, en contraste con el resultado obtenido mediante la
tecnología Triac y Tiristor de control directo de fase.
Los dimmer’s IGBT desconectan en la segunda mitad del ciclo de la senoide.
El IGBT, al igual que el tiristor, recorta la forma de la senoide, pero debido a las condiciones de
desconexión y el hecho de que el IGBT sea un transistor, es posible controlar de forma muy

precisa el tiempo de caída y la forma de la curva, así como optimizar el rendimiento del
dimmer.
PWM. Regulación sinusoidal por amplitud.

Los dimmer’s PWM (Pulse With Modulation, Modulación por anchura de Pulso), ofrecen una
eficacia energética, un completo silencio y representan el sistema de regulación del futuro, esta
técnica es empleada en los dimmer’s para controlar la amplitud de la onda que alimenta la
lámpara.
En términos básicos, la alimentación de entrada se hace con un muestreo a altas frecuencias
(40kHz) y los equipos IGBT son controlados durante cada período de muestreo mediante la
variación del ratio de tiempo On/Off.
El período de encendido es proporcional a la potencia requerida para coincidir con la forma

sinusoidal en cada punto del ciclo.
La forma de la senoide de la corriente de salida es suavizada usando conexiones pasivas para

producir una onda de salida exacta a la onda de entrada.
Los procesadores PWM añaden menos de un 1% de distorsión a la alimentación principal, lo

que hace que estos dimmer’s sean completamente silenciosos y con una completa facilidad a la
hora de regular cualquier tipo de carga.
La ausencia de corrientes armónicas implica un descenso del costo energético (no hay potencia
reactiva), aumento de la vida de las lámparas y transformadores y la infraestructura de
cableado, normalmente sobredimensionada un 40% para instalaciones de regulación estándar,
es más sencilla y barata.
Ventajas de los Dimmers:
Principalmente, ahorro de luz y aumento de la vida útil de las lámparas y en caso de los Dimmer
ahorro en la instalación cuando se desea conmutada o cruzamiento, porque solo se necesita un
dimmer y x cantidad de pulsadores “el precio de un pulsador es inferior al de un interruptor
conmutado y la mitad de un cruzamiento y un cable menos en la instalación.

Tipos de Reguladores:
Silix dispone de dos familias de reguladores.
Reguladores Analógicos: Son aquellos que utilizan un potenciómetro para el ajuste del nivel.
Dimmer: Son aquellos que utilizan un pulsador de mecanismo para el ajuste del nivel y además
hace las funciones de Telerruptor “encendido o apagado”. También hay versiones para sistemas
demóticos.
Donde se puede instalar:
--En cuadros eléctricos: Carril Din

--Dentro de los mecanismos de pulsadores o en cajas de registros: De pastilla
--En pared, armarios, muebles, debajo de mostradores: De superficie
--Enchufables: En caja con enchufe macho y hembra tipo Schuko

DIMMER como Regulador de Voltaje:
En pocas palabras un Dimmer la idea de este circuito es poder regular el voltaje, podemos
variar la intensidad lumínica de una foco incandescente (especifico que en un foco ahorrativo
no podemos utilizar el dimmer porque el foco ahorrativo ya incluye un circuito interno al cual
no se le puede regular el voltaje), el circuito es simple el potenciómetro varía el voltaje, el diac
permite la oscilación de la onda de 60Hz o 50 Hz con el triac, dependiendo del triac y del diac
será la potencia que podemos regular en el datasheet encontraremos la cantidad de corriente
que soportan, si el circuito lo utilizamos por largo tiempo es ideal colocar un disipador de calor
al triac. Conecte un Three Way el cual me permite seleccionar entre el foco y un tomacorriente
con el cual podemos variar algún otro aparato.
Lista de materiales utilizados para el circuito:
1 Triac BT136.
1 Diac DB3.
1 resistencia de 1k ohm 1/4 watt.
1 potenciómetro de 250k ohm.
1 capacitor de poliéster de 100n / 400V.
Elementos añadidos:
1 Dado Tomacorriente.
1 Interruptor Three Way.
1 Plafonera.
1 Foco Incandescente.
El Dimmer nos proporciona ahorro de energía eléctrica y aumento de la vida útil del Foco o
lámpara.
Nota: Mucha precaución al momento de montar los componentes ya que trabajamos

directamente con la energía eléctrica y podemos recibir una descarga.

Control de Iluminación con LDR
Se trata de un DIMMER, pero actuando como interruptor crepuscular. La diferencia

más apreciable que existe es la adición de un LDR en paralelo con C1. Este condensador se
carga a través de R1 hasta la tensión de conducción del DIAC,

Que origina el disparo del TRIAC; la lámpara se encenderá siempre que exista un nivel
bajo de iluminación. Por tanto un valor óhmico elevado del LDR permite a C1 alcanzar y
mantener la tensión de ruptura del DIAC.

Cuando la cantidad de luz que incide sobre la LDR es importante el valor óhmico de
este decrece considerablemente, impidiendo la carga de C1.En este estado la lámpara
permanecerá apagada al no conseguir suficiente tensión de cebado en extremos del citado
condensador.
Entre los límites descritos, el conjunto permite un grado de iluminación de la lámpara

inversamente proporcional a la luz incidente sobre la LDR.
IV. PROCEDIMIENTO
A partir de la explicación anterior pasaremos a poner en práctica lo expuesto siguiendo

el procedimiento que se detalla a continuación:
 Efectuar el montaje del circuito de la figura analizando su comportamiento con la

variación de iluminación ambiente.
 Se propone observar el efecto destellante que se produce en la lámpara cuando la

aproximamos a la LDR: la luz de la lámpara origina la disminución de la resistencia LDR,
con lo que el TRIAC queda bloqueado y la lámpara se apaga.

V. CONCLUSIONES
 El experimento demostró que el potenciómetro controlaba la cantidad de energía

proporcionada al led, el cual simula a la lámpara de potencia conectada en alterna.
 Se vio la bidireccionalidad del DIAC y del TRIAC.

RECURSOS INFORMÁTICOS Y BIBLIOGRÁFICOS

Durante la realización de este trabajo, se acudió a los siguientes recursos intelectuales:
FUENTES BIBLIOGRÁFICAS
“Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos”,8va Edición – Robert L. Boylestad – Louis

Nashelsky,
“Dispositivos Electrónicos”, 4ta Edición, Thomas Floyd.
“Dispositivos Electrónicos”, 2da Edición, Rodolfo N. Selva.
FUENTES INFORMÁTICAS
Diodo Rectificador:
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp
http://www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm
Diodo LED:
http://es.wikipedia.org/wiki/Led
http://www.unicrom.com/Tut_diodo_led.asp
http://www.iearobotics.com/personal/ricardo/articulos/diodos_led/index.html

Diodo Zener:
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener
http://www.unicrom.com/Tut_diodozener_.asp
Fuentes de Alimentación
http://es.wikipedia.org/wiki/Fuente_de_alimentaci%C3%B3n
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Fuentes-alimentacion.php
http://www.electronica-basica.com/fuente-de-alimentacion.html
http://www.unicrom.com/Tut_rectificador_onda_completa_puente.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_de_onda_completa
http://www.electronica-electronics.com/fuentes/Fuentes-de-alimentacion-no-reguladas.html
http://www.hispavila.com/3ds/lecciones/lecc3.htm
http://www.ucontrol.com.ar/forosmf/explicaciones-y-consultas-tecnicas/regulacion-con-diodo-
zener-problemas/
DIAC
http://es.wikipedia.org/wiki/Diac
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_diac/diac.htm
http://www.unicrom.com/Tut_DIAC.asp
UJT y PUT
http://www.unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp
http://www.unicrom.com/tut_funcionamiento-ujt.asp
http://www.angelfire.com/electronic2/electronicaanalogica/ujt.html

http://www.unicrom.com/cir_oscilador_con_ujt.asp
http://konnan2001.galeon.com/OSCILADOR.HTML
http://www.electronicafacil.net/circuitos/Oscilador-relajacion.html
http://www.unicrom.com/Tut_put.asp
http://es.wikipedia.org/wiki/PUT
http://www.unicrom.com/Tut_put_funcionamiento.asp
http://es.scribd.com/doc/52035204/10/DISPARO-POR-PUT
SCR y TRIAC
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_scr/pag_scr.htm
http://www.monografias.com/trabajos78/rectificador-controlado-silicio-scr/rectificador-
controlado-silicio-scr.shtml
http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp
http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.htm
http://es.wikipedia.org/wiki/Triac
http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm
http://www.unicrom.com/Tut_triac.asp
Dimmer
http://es.wikipedia.org/wiki/Dimmer
http://www.unicrom.com/cir_dimmer_cntrl_motor.asp
http://electrounico.blogspot.com/2009/07/circuito-dimmer.html

XSC1
Ext Trig
+
R1 _
1.0kΩ A
_
B
_
+ +
R4 R2
1.0kΩ
500kΩ
50 %
Key=A
Q1
2N6028
V1
12 V
C1
R3
1µF
1.0kΩ

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LAB. DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS - INFORMES DE LABORATORIO U.N.M.S.M.

Ing. Luis Ponce Martínez Página 1

Utilizar características de operación de los diodos semiconductores.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

 Una fuente de corriente continua variable.

 Un diodo semiconductor de SI y GE.

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

Un diodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-corriente no es

En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.

Ing. Luis Ponce Martínez Página 2

El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente

PRUEBA ESTÁTICA PARA UN DIODO SEMICONDUCTOR

La resistencia del diodo en polarización directa

Una alta lectura en la resistencia en ambas direcciones

Ing. Luis Ponce Martínez Página 3

Existe un punto en el cual la aplicación de un voltaje demasiado negativo dará por

Ing. Luis Ponce Martínez Página 4

2. Armar el circuito de la figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el voltaje

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos como

Ing. Luis Ponce Martínez Página 5

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al paso 2;

Ing. Luis Ponce Martínez Página 6

Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento vertical es 20 mA,

Ing. Luis Ponce Martínez Página 7

En este caso la resistencia dinámica se hallará con la siguiente fórmula:

Ing. Luis Ponce Martínez Página 8

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

 En el gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 2 podemos

 El gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 3 observamos que

 Análogamente en el gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 4

 Finalmente en la gráfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da el paso de

Ing. Luis Ponce Martínez Página 9

4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

 Sobre la corriente de polarización inversa o de fuga se puede decir que idealmente

Ing. Luis Ponce Martínez Página 10

Proporcionar los conocimientos necesarios a fin de comprender correctamente la práctica de

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

 Un LED tipo TIL 203.

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

Un led es un diodo que trabaja en polarización directa, el cual en lugar de disipar la

Ing. Luis Ponce Martínez Página 11

Como se muestra en la figura 1.54 con su símbolo gráfico, la superficie conductora

1. Realizar el siguiente circuito:

2. Variando el voltaje de alimentación, obtenga el voltaje Vd de acuerdo con los valores

Ing. Luis Ponce Martínez Página 12

3. Con los datos obtenidos en el cuadro Nº 1, trazar la curva correspondiente

+Vd(v) 0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8

NOTA: No sobrepase la tensión de Vd de 1.7v

5. ¿Qué nota en el LED? ¿Se ilumina?

Sí, este se ilumina cuando sobrepasa aproximadamente los 13.9 v en polarización

6. ¿Cuándo trabaja correctamente el LED?

Ing. Luis Ponce Martínez Página 13

Concluido este Experimento se obtienen las siguientes conclusiones:

 En el silicio y el germanio el mayor porcentaje de energía se genera en forma de calor y

Ing. Luis Ponce Martínez Página 14

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

 Un diodo Zener para 12 v.

 Una resistencia de 1 KΩ.

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

El diodo zener es un tipo especial de

Se analizará el diodo Zener, no como un

Ing. Luis Ponce Martínez Página 15