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¡La universidad para todos!

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LABORATORIO DE ELECTRONICA Y
TELECOMUNICACIONES
Tema: EL TRANSISTOR FET
Docente: ING. JOSE ESTRADA MONTES

Escuela Profesional Periodo académico: 2019-1B


INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES Semestre: 1
Unidad: 1
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PARAMETROS DEL FET


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Transistor de efecto de campo (FET) FIELD EFFECT TRANSISTOR.

Los FET son dispositivos unipolares, ya que en su funcionamiento sólo


intervienen los portadores mayoritarios, ya sea huecos o cargas positivas.

DIFERENCIAS ENTRE BJT Y FET (propuesto por Shockley en 1952)

1.- BJT: Controlado por corriente; FET: Controlado por tensión.


2.- BJT: bipolar: Conducción de electrones y huecos);
FET: Unipolar. Conducción de electrones para FET canal N
y conducción de huecos para FET canal P.

3.- IMPEDANCIA DE ENTRADA.


BJT << FET
4.- En general FET más pequeños que los BJT. Los FET sirven para circuitos
integrados.
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SIMBOLOS DEL FET

TRANSISTORES DE UNIÓN FET (JFET)


(Joint Field Effect Transistor - Transistor de Unión de Efecto de Campo )

CANAL N CANAL P
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TRANSISTORES MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Con tres terminales o pines y sustrato unido a la fuente "S"

Tipo empobrecimiento(N) Tipo empobrecimiento (P)

Tipo Enriquecimiento (N) Tipo Enriquecimiento (P)


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CONSTRUCCION Y CARACTERISTICA DEL FET

El JFET es un dispositivo de tres terminales, denominados compuerta (gate),


drenador (drain) y surtidor (source). Para construir un JFET, canal N, se parte
de un material tipo N como principal estructura, el cual forma un canal entre las
capas incrustadas de canal P. Los dos materiales tipos P, están conectados
entre sí a la terminal de compuerta G.

SÍMBOLO

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE


UNION (FET)
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FET

En los FET, la corriente IG = 0, porque la impedancia de entrada de estos


dispositivos es muy alta.

Entre drenador y surtidor existe una corriente ID y se calcula con la fórmula de


Shockley.

En un JFET canal N, la polarización VGS, tiene que ser negativa.


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Curva Característica de un JFET canal N y zonas de trabajo

Las zonas de trabajo de un transistor JFET son saturación, corte y zona de


resistencia.

Gráfica ID vs VGS de un
Estructura y curva característica transistor JFET, canal N.
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IDSS es el valor de ID cuando VGS es igual a cero y es dato del fabricante.

VP(VGSCORTE en el gráfico ID vs VGS) es el valor del voltaje VGS cuando

ID es igual a cero y es dato del fabricante

Ecuación de Shockley:

Con esta ecuación se puede calcular el valor de ID,


teniendo como datos IDSS y VP.
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Polarización del FET

Las relaciones generales que se pueden aplicar al análisis en DC de todos


los amplificadores FET son:
IG = 0

Solo existe corriente de drenador entre los terminales D y S.

La ecuación de shockley se aplica a los JFET, a los MOSFET tipo


empobrecimiento y a los MESFET para relacionar sus cantidades de entrada y
salida.
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POLARIZACIÓN DE LOS TRANSISTORES FET

Para los MOSFET tipo enriquecimiento y los MESFET, la siguiente ecuación


es aplicable:

ID = k(VGS –VT)2

VT = Nivel de VGS que produce el incremento significativo de la corriente de drenaje


( voltaje de umbral)

K= constante que es una función de la construcción del dispositivo. (A/V2)

Generalmente VT y k son datos del problema.


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POLARIZACION DE LOS JFET

Algunas de las formas típicas de polarización de un JFET son las siguientes:


•POLARIZACIÓN FIJA
•AUTOPOLARIZACIÓN
•POLARIZACIÓN POR DIVISIÓN DE VOLTAJE

CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA


La configuración de polarización más simple para el JFET de canal N (ver figura)
se conoce como configuración de polarización fija.
La polarización del JFET, se da por intermedio de la fuente VGG que polariza en
forma negativa a VGS.
VDD

RD
C2
+ Vo
C1
Vi +

RG

VGG
+
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ANÁLISIS

El voltaje en la compuerta (gate) siempre será negativo respecto al Terminal de fuente


(source) :

VGS = -VGG.

Como la impedancia de entrada del JFET es casi infinito entonces iG = 0 y la tensión


en el resistor RG es o voltios.

VDD

RD
C2
+ Vo
C1
Vi +

RG

VGG
+
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ANÁLISIS

• Ley de Voltajes de Kirchoff en malla de compuerta.


+VGG + VRG + VGS = 0
• Como se supone que la unión compuerta-fuente esta polarizada inversamente,
entonces significa que no existe corriente y por lo tanto VRG = 0
VGS = -VGG
• Esta ecuación representa la recta de polarización:
• Esta recta se muestra en la siguiente figura, la cual queda representada por una
recta vertical a lado izquierdo del eje de la corriente.

Este tipo de polarización es la peor forma de


polarizar a un JFET ya que el punto de operación
(IDSQ, VDSQ) es bastante inestable
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ANÁLISIS

ANÁLISIS EN LA MALLA DEL Drenador-Surtidor


Por Ley de Voltajes de Kirchoff

-VDD + VRD + VDS = 0

En términos de la corriente de Drenador:

VDD = IDRD + VDS

Ecuación de la recta de la carga en DC.


Despejando ID,

VDD - VDS = ID
RD PUNTO DE OPERACIÓN

ID = VDD - VDS
RD RD
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EJEMPLO
Determinar el punto de operación para el circuito de la figura 2.21

Datos: IDSS = 10 ma Vp = -8v


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CONFIGURACION DE AUTOPOLARIZACION

La configuración de autopolarización elimina la necesidad de 2 fuentes de DC.


El voltaje de control de la compuerta o gate al surtidor ahora lo determina el
voltaje a través del resistor Rs introducido en la rama del surtidor de la
configuración.
Análisis DC.
IG = 0

En la malla gate-source (compuerta – surtidor)

VGS = -Rs.ID ……… 1

VGS
IDS = - ------ ………2
Rs
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CONFIGURACION DE AUTOPOLARIZACION

La ecuación 1 se sustituye en la ecuación de Shockley, para obtener ID

IDQ = - IDSS (1 - VGS/Vp )2

Al realizar el proceso de elevación al cuadrado y reordenando términos


se obtiene una ecuación de segundo grado. La ecuación de segundo
grado tendrá dos soluciones para ID. El valor ID solución es el que es
menor a IDSS.
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CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN

A la ecuación 2 se le conoce como ecuación de la recta de polarización. Esta recta


tiene pendiente negativa y pasa por el origen, como se observa en la siguiente
figura:
La recta 1 representa una RS pequeña y
proporciona un elevado valor de gm, ideal para
una buena ganancia de corriente, la desventaja
es la inestabilidad debido a los cambios en los
parámetros del JFET, como puede observarse.

La recta 2 ofrece las mejores condiciones tales


que no compromete la inestabilidad y los valores
de transconductancia, es decir, no se sacrifican
una u otra.
La recta 3 produce buena estabilidad del punto de operación, sin embargo
produce valores de gm bajos que se traducen en una baja ganancia de corriente.
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Generalmente muchos diseñadores optan por el tipo de polarización dado por la


Recta 2. Este tipo de polarización es mejor que la polarización fija ya que el punto de
operación es más estable.

En la recta 2 la RS puede llamarse óptima ya que esta recta pasa por el centro de
una de las curvas de transconductancia.

RS óptima puede calcularse:

Rs = VGSoff
IDSS

Las coordenadas del punto de operación cuando se presenta RS óptima es:

IDQ = 0.382 IDSS VGSQ =0.382 Vp


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Análisis en la malla drenador surtidor

-VDD + RDID+VDS+RsID =0

Y despejando ID se obtiene:

VDS = VDD – ID(RD + Rs)

A esta ecuación se le conoce como ecuación de la recta de carga en DC.


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EJERCICIO:
Polarizar el FET de la figura de tal modo que el punto de operación se ubique a
la mitad de la curva de transconductancia y a la mitad de la recta de
polarizacion.

Calcular además el valor de gm (transconductancia) en el punto de operación.

Datos:
VDD = 12 v
IDSS = 14 ma
Vp = -3v
Calcular RD, Rs y RG.
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CONFIGURACIÓN POR POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE


Para un mejor análisis del circuito se calcula el Thevenin equivalente
entre el terminal de gate y tierra, resultando el circuito de la figura

Donde RG = R1//R2 y VGG = R2.VDD/ (R1 + R2)


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CONFIGURACION POR POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

Al aplicar la segunda ley de kirchhoff en el sentido de las agujas del reloj a la


malla gate surtidor se obtiene
- VGG + VGS –ID.Rs = 0
VGS = VGG – ID.Rs.
Esta es la ecuación de una recta con pendiente negativa y cruza el eje ID en
VGG/ Rs como se ve en la figura

De la figura puede observarse que este


tipo de polarización es mejor que las dos
anteriores debido a que ΔIDSQ es menor,
sin embargo para conseguir esto es
necesario aplicar valores elevados de VDD
para que VGG sea lo más grande posible y
así el punto de operación sea más
estable.
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CONFIGURACIÓN POR POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE

análisis en la malla de drenador surtidor:


-VDD + RDID+VDS+RsID =0

y despejando ID se obtiene:
VDS = VDD – ID(RD + Rs)

Esta ecuación es la ecuación de la recta de carga.


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PRACTICA DE LABORATORIO 4

PARAMETROS Y AUTOPOLARIZACION
DEL FET
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OBJETIVO:

1.- Obtener Los parámetros del transistor JFET canal N 2N5457 o 2N5459
2.- Dibujar la curva de transconductancia del JFET
3.- Estudiar un circuito autopolarizado con JFET
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MATERIALES Y EQUIPO
• 1 JFET canal 2N5457 ó 2N5459
• 1 resistor de 220 ohm
• 1 resistor de 1M.
• 1 resistor de 2.2 K
• 1 resistor de 10 K
• 1 resistor de 1K.
• 1 resistor de 22 k.
• Capacitores de 1 uf /25V 10 uf/25v 0.01 uf/50 V
• un multímetro
• 2 fuentes de poder
• 1 protoboard
• 1 generador de funciones
• 1 OSCILOSCOPIO
• CABLES TELEFÓNICOS
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PROCEDIMIENTO:

1.- Obtenga la hoja de especificaciones del JFET 2N5457 ó


2N5459.
2.- Arme en protoboard el circuito de la figura L8.1

En el desarrollo de esta práctica emplearemos la definición de cada uno


de los 2 primeros parámetros para su medición práctica. También
tomaremos algunas mediciones para obtener la curva de
transconductancia del JFET que emplearemos.
Implementar o simular el siguiente circuito de la figura L8.1:
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El voltaje de la fuente V1 variarlo desde 1.5 v hasta 10 v. Medir la corriente ID.


Observar en el momento que la corriente ID =constante.. En ese momento
IDSS = I
D

Varié el voltaje de la fuente variable V1 desde 1.5 v hasta 10 voltios y anote en la


tabla T8.1 el valor de la corriente ID y el valor de VDS.
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TABLA T8.1
VDD= V1 1.5 v 2 v 2.5 v 2.8 v 3 v 4 v 5 v 6 v 10 v

ID
(ma)
VDS (V)
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Graficar VDS vs ID

Corriente ID

VDS
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4.- Implementar o simular el circuito de la figura L8.2 V3 fuente variable


Incremente el valor de VGG = V3 hasta que ID = 0. En ese momento tome la
lectura de VGS (OFF) = vGS

Figura L8.2
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VGG 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

ID

VGS

ID

VGS (v)
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Para obtener la curva de transconductancia o transferencia del JFET


complete la siguiente tabla, tomando para ello lecturas del circuito anterior.

ID
VGS 0.0 -0.3 -0.6 -0.7 -1.0 -1.2 -1.5 -1.7 -2.0
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EJERCICIO

Para el circuito de la figura 2.31 determinar lo siguiente:


1.-IDQ y VGSQ
2.- VDS.

IDSS = 8 mA

Vp = - 4 V
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¡Gracias!

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