Caracterización y Modelamiento de un Diodo

knacimba@est.ups.edu.ec, cgavilanezs@est.ups.edu.ec,dserrano@est.ups.edu.ec
Universidad Politécnica Salesiana

Abstract— A diode is an electronic component of two terminals

that allows the circulation of electric current through it in
only one direction, blocking the passage if the current
circulates in the opposite direction, not only serves for the
circulation of electrical current but this he controls and resists
it. This causes that the diode has two possible positions: one
in favor of the current (direct polarization) and another one
against the current (inverse polarization). [1]

Index Terms— Diodo, corte, saturación.

Fig.1 Grafica de fuga de corriente del diodo [1].

I. INTRODUCCION
El diodo responde a la ecuación:
Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal
semiconductor como el silicio con impurezas en él para crear 𝐼 = 𝐼𝑠 ∗ (𝑒 𝑞𝑉⁄𝐾𝑇 − 1)
una región que contenga portadores de carga negativa
(electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una región en La curva característica será la que se puede ver en la parte
el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), superior, donde:
llamada semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen
a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, VRRM: tensión inversa máxima
llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma VD: tensión de codo.
su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado
n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, A continuación vamos a ir viendo las características más
cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la
(opuesto al flujo de los electrones). siguiente forma:
La principal función de un rectificador es convertir corriente
alterna en corriente continua, es decir, convertir una señal Características estáticas:
alterna cuyo valor medio es nulo, en una señal continua con
valor medio no nulo. [2] Parámetros en bloqueo (polarización inversa)

II. MARCO TEORICO.

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de
potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las
siguientes limitaciones:
• Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de
conducción.
• El único procedimiento de control es invertir el voltaje
entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de
conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad
con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con
una pequeña intensidad de fugas.
• Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que
puede ser soportada por el dispositivo de forma
continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
• Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que
puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada
10 ms de forma continuada.
• Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es
aquella que puede ser soportada una sola vez durante
10ms cada 10 minutos o más.
• Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea
una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse
o degradar las características del mismo.
• Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua
que soporta el diodo en estado de bloqueo.
. sentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre
Parámetros en conducción ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo
ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores
• Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga
de la máxima intensidad de impulsos sinusuidales de espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado
180º que el diodo puede soportar. tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a
• Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que un valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de
puede ser soportada cada 20 ms , con una duración de portadores.[2]
pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la
cápsula (normalmente 25º).
• Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el
máximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10
minutos, con una duración de 10 ms.
• Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por
el diodo cuando se encuentra en el estado de
conducción.

Modelos estáticos del diodo

Fig.2 Recuperacion inversa del Diodo [1].

• ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que

transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta
llegar al pico negativo.
• tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde
el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula,
y es debido a la descarga de la capacidad de la unión
polarizada en inverso. En la práctica se suele medir
desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta
el 10 % de éste.
• trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de
Fig.2 Modelos del comportamiento del diodo. [1] ta y tb.
𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑎 + 𝑡𝑏
Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos
estáticos) se representan en la figura superior. Estos modelos • Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y
facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el representa el área negativa de la característica de
modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. recuperación inversa del diodo.
Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, • di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
reservando modelos más complejos para programas de
• Irr: es el pico negativo de la intensidad.
simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen ser
proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en
La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado
las librerías del programa.
"SF".
Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de
Caracteristicas dinamicas:
un triángulo :
Tiempo de recuperación inverso (trr): 1
𝑄𝑟𝑟 = 𝑡𝑟𝑟 × 𝐼𝑅𝑅𝑀
2
El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no De donde :
se efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra
conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unión P-N 𝑑𝐼𝐹
está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor 𝐼𝑅𝑅𝑀 = [ ] × 𝑡𝑎
𝑑𝑡
densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación
de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer
cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero uno de los dos siguientes casos:
de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian • Para ta = tb trr = 2ta
su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en • Para ta = trr tb = 0
En el primer caso obtenemos: Características térmicas:

Temperatura de la unión (Tjmáx):

𝑄𝑟𝑟
𝑡𝑟𝑟 = √4 ×
𝑑𝑖 Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer
( )
𝑑𝑡 sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su
inmediata destrucción.
𝑑𝑖 En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da
𝐼𝑅𝑅𝑀 = √𝑄𝑟𝑟 × ( )
𝑑𝑡 la "operating temperature range" (margen de temperatura de
funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha
Y en el segundo caso: fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas
comprendidas entre dos valores, uno mínimo y otro máximo.
[1]
𝑄𝑟𝑟
𝑡𝑟𝑟 = √2 ×
𝑑𝑖 Temperatura de almacenamiento (Tstg):
( )
𝑑𝑡
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando
𝑑𝑖 no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un
𝐼𝑅𝑅𝑀 = √2 × 𝑄𝑟𝑟 × ( )
𝑑𝑡 margen de valores para esta temperatura.

Influencia del trr en la conmutación: Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc):

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :
• Se limita la frecuencia de funcionamiento.
• Existe una disipación de potencia durante el tiempo de
recuperación inversa.
Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el
encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el
fabricante se puede calcular mediante la fórmula:
Rjc = (Tjmáx – Tc) / Pmáx

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia
recuperación rápida. máxima disipable.
Factores de los que depende trr :
Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd):
• A mayor IRRM menor trr.
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y
• Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa
el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagación
el diodo mayor será la capacidad almacenada, y por
se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica
tanto mayor será trr.
aislante, etc)
Tiempo de recuperación directo:
III. ANEXOS
tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que
transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-cátodo se Grafica de la corriente del Diodo con respecto al Voltaje
hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en del Diodo calculado en Exel:
el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y
no suele producir pérdidas de potencia apreciables.

Fig.3 Recuperacion Directa del Diodo [1].

Grafica de la temperatura del Diodo con respecto al V. REFERENCIAS
Voltaje del Diodo calculado en Exel: [1] Artero, Óscar Torrente (2013-02). RC
Libros. ISBN 9788494072505. Consultado el 9 de
febrero de 2018.

[2] ] José Dariel Arcila, jdarcila@ieb.com.co, INGENIERÍA

ESPECIALIZADA S.A «http://www.ieb.com.co». [En línea].

BIOGRAFÍA

Christopher Gavilanez was born in Quito,

Ecuador in 1997, studies in Institute
Technologic Superior Sucre made
Bachelor in tactic: Their studies being
Grafica de la Corriente Inversa de Saturación del Diodo
conducted at the university Polytechnic
con respecto al Voltaje del Diodo calculado en Exel:
Salesiana.(E-mail:
christopher.gavilanez@hotmail .com).

Kevin Nacimba was born in Quito,

Santa Prisca, in 1997.Graduated
inunified general baccalaureate,in the
Municipal Educational Unit
"Julio E. Moreno" 2013-
2014.sucurrent activity, studied at the
Salesian Polytechnic University,the
Engineering career power withwhich
wants to help keep emerging.

David Javier Serrano was born in Quito

and studied at San Jose Technical
College and is a technical bachelor of his
school. He is currently studying
IV. CONCLUSIONES electrical engineering at the Salesian
Polytechnic University (UPS) (e-mail
• El voltaje de salida es discontinuo y contiene dserranop@est.ups.edu.ec).
armónicas múltiplo de la frecuencia de entrada, las
simulaciones en función de las medidas tomadas a la
entrada de cada circuito con diferentes tipos de voltaje
dieron como resultado tanto simulado como medido
muy similares, La magnitud de la corriente con la que
se debe trabajar es importante tomar en cuenta a la
hora de conseguir los elementos necesarios para armar
los circuitos.
• Podemos observar que la importancia de los diodos
rectificadores es muy grande, pues permite tanto
transformar una señal de corriente alterna en una de
corriente continua, el rectificador de onda completa es
más efectivo que el rectificador de media onda ya que
se aprovecha más voltaje como duplicar, triplicar,
cuadriplicar, etc. voltajes y poder sujetar señales a un
cierto valor de CC requerido.