Escuela Politécnica Nacional. Esteban Andrade, Abigail Rivadeneira. Preparatorio Practica 9.

Laboratorio de Dispositivos Electrónicos

Preparatorio-Practica Nº9
Rivadeneira, Abigail. Andrade, Esteban.

Escuela Politécnica Nacional

Resumen—En el siguiente documento se

analizarán e implementarán un circuito de
polarización para JFET y uno de amplificación para
el JFET.

I. INTRODUCCIÓN
Este documento contiene un desarrollo del
preparatorio de la práctica número siete del
laboratorio de dispositivos electrónicos impartido
en la Escuela Politécnica Nacional de Ecuador.
Dentro de este se analizarán e implementarán un
circuito de polarización para JFET y uno de
Figura 1
amplificación para el JFET.
Para E-MOSFETs, no se puede usar la polarización
II. PREPARATORIO cero. La polarización del divisor de voltaje se debe
usar para establecer el VGS mayor que el voltaje de
1. Consultar sobre MOSFET características umbral (VGS (th)). La identificación se puede
y ventajas. determinar de la siguiente manera. Para determinar
El E-MOSFET o MOSFET de mejora puede operar VGS, se pueden usar métodos de divisor de voltaje
solo en el modo de mejora. Con un voltaje positivo normal. La siguiente fórmula se puede aplicar.
por encima de un valor umbral en la puerta, se crea VGS = (R2 / (R1+R2))VDD
un canal inducido de capa delgada de cargas -ve. VDS = VDD - IDRD
La conductividad del canal se mejora mediante el K = ID(on)/(VGS - VGS(th))2
aumento de VGS y, por tanto, tira de más ID = K(VGS -VGS(th))2
electrones en el área del canal. El VDS se puede determinar aplicando la ley de
El E-MOSFET para todos los propósitos prácticos Ohm y la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de
no conduce hasta que VGS alcance el voltaje de drenaje.
umbral (VGS (th)). [ID = 0 cuando VGS <VGS
(th)]
La identificación al conducir puede determinarse
mediante las siguientes fórmulas.

K = ID(on) /(VGS - VGS(th))2

ID = K (VGS - VGS(th))2
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Resistencia
drenador – 5 [Ω] 12 [mΩ] 0.54 [Ω] 0.18 [Ω]
fuente (RDSon)
Tabla 1

3. Consultar la hoja de datos del JFET J304

y comprar para la práctica.
Parámetro J304
Especificaciones máximas
Voltaje drenador-
compuerta (VDG) 30 [V]
Voltaje compuerta –
fuente (VGS) -30 [V]
Corriente del drenador (ID) 15 [mA]
Corriente de compuerta 10 [mA]
Figura 2 (IGF)
Rango de temperatura de [-55, 150]
Con el circuito de auto polarización de drenaje, no operación (TSTG) [°C]
hay caída de voltaje en RG, lo que hace que VGS = Características eléctricas
VDS. Con VGS dada determinación ID puede Voltaje de ruptura
lograrse mediante la fórmula a continuación. compuerta –fuente (VBR -30 [V]
GSS)
ID = (VDD - VDS) / RD Corriente inversa de
compuerta (IGSS) -100 [pA]
Voltaje de ruptura
compuerta –fuente (VGSoff) -6 [V]
Tabla 2

4. Consultar sobre el voltaje de pinch-of y

como calcularlo.
El voltaje de drenaje para corte (pinchoff) es
conocido como VDS(sat). Por lo que para VDS>
VDS(sat) el transistor es polarizado en la región de
Figura 3 saturación, y la corriente de drenaje es idealmente
independiente de VDS.
2. Revisar las hojas de datos de al menos 4 Este voltaje se puede calcular de forma
MOSFETS y presentar un cuadro con los valores experimental. Para ello se debe armar el circuito
de los parámetros más importantes. mostrado en la figura:
Parámetro 2N7000 IRF250P22 IRF510 IRF640
4
Especificaciones
máximas
Voltaje
drenador- 60 [V] 250 [V] 100 [V] 200 [V]
fuente (VDS)
Voltaje
compuerta – -20 [V] -20 [V] -20 [V] -20 [V]
fuente (VGS)
Corriente del 200 [mA] 96 [A] 5.6 [A] 18 [A]
drenador (ID)
Transconductan 100 [uS] 112 [S] 1.3 [S] 6.7 [S]
cia (gm)
Rango de [-55, 150] [- 55, 175] [-55, 175] [- 55, 150] Figura 4
temperatura de [°C] [°C] [°C] [°C]
operación (TSTG)
Características
eléctricas
Voltaje de
ruptura 60 [V] 250 [V] 100 [V] 200 [V]
drenador –
fuente (VBR DSS)
Corriente
inversa de -10 [nA] -1 [uA] -100 [nA] -100 [nA]
compuerta (IGSS)
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Figura 5 la misma y la compuerta no se encuentra conectada,

pero si posee un voltaje vgs
Manteniendo constante el valor de VDD con un
valor diferente de 0. A continuación se aumenta
gradualmente VGG desde 0 hasta que ID sea 0, en
dicho valor VGG es el voltaje de pinchoff.
5. Consultar sobre la representación en AC
de JFET y MOSFET.
JFET
Figura 9
Modelo T

Figura 6
El equivalente en AC para un JFET, consta de una
fuente de corriente, una resistencia en paralelo con
la misma y un voltaje vgs; por otra parte, la
compuerta no se encuentra conectada a ningún
punto.
Existen dos modelos para la representación de un
JFET en AC: Figura 10

Modelo π
6. Consultar sobre las configuraciones de
amplificación que tiene el JFET y MOSFET.
JFET
Fuente común
Un amplificador en fuente común posee su señal de
entrada en la compuerta, la salida en el drenador y
el terminal común es la fuente.
Figura 7
Modelo T

Figura 8
MOSFET
Al igual que el JFET, el MOSFET consta de una Figura 11
fuente de corriente, una resistencia en paralelo con
Drenaje común
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En esta configuración, la señal de entrada se

mantiene en la compuerta, la salida es por la fuente
y el terminal común es el drenador

Figura 14
La ganancia del amplificador en compuerta común
es elevada, y la señal de salida se encuentra
Figura 12 desfasada 180º con respecto a la señal de entrada,
Compuerta común por lo se tendrá una ganancia de voltaje con un
valor negativo según indica el signo negativo que
En este tipo de configuración, la señal de entrada se se obtiene en la relación de AV. Tanto la
ubica en la fuente, la salida por el drenaje y el impedancia de entrada como la impedancia de
terminal común es la compuerta. salida tienen valores moderados.
Drenaje común

Figura 13
Figura 15
MOSFET
En esta configuración, la ganancia de voltaje es
Al igual que en los JFET, se tienen los mismos menor a la unidad y la señal de salida se encuentra
tipos de configuraciones: en fase con la señal de entrada. Se caracteriza por
Fuente común tener impedancia de entrada elevada e impedancia
de salida baja.
Compuerta común
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Figura 16
Esta configuración tiene una baja resistencia de
entrada. Su ganancia de corriente es menor a 1 y la
señal de salida no posee desfase con respecto a la
señal de entrada.

7. Resolver el siguiente circuito en DC y AC,

dibujar los voltajes de salida: Figura 18

Figura 17

Figura 19
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8. Realizar las simulaciones de los circuitos

presentados tanto en QUCS como Proteus

Figura 22

Figura 20

Figura 23

Figura 24

Figura 25

Figura 21
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Figura 26

Figura 27

Figura 28

Figura 31

Figura 29

Figura 30
9. Presentar los voltajes de polarización y las
gráficas en papel milimetrado.
Circuito 1 Valores
VD 22.08V
VG 0V
VS 1V
Circuito 2 Valores
VD 22.89V
VG 1.59V
VS 2.21V
Circuito 3 Valores
VD 7V
VG 0V
VS 0.81V
Tabla 3
Figura 32
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III. REFERENCIAS

[1] E. Lab, «Transistor Amplifier Design and

Measurement,» [En línea]. Available:
http://www.hunter.cuny.edu/physics/courses/p
hysics222/repository/files/pdf/ElectronicsLab15.
pdf. [Último acceso: 17 12 2017].

[2] U. o. Pensylvania, «Introduction to

Microelectronics,» [En línea]. Available:
http://www.seas.upenn.edu/~ese319/Lecture_
Notes/Lec_9_CCandCBDesigns_08.pdf. [Último
acceso: 17 12 2017].

[3] T. Floyd, de Dispositivos electrónicos, Mexico,

Pearson Educación, 2008.

[4] L. N. Robert Boylestad, de Electrónica: Teoría de

circuitos y Dispositivos electrónicos, México,
PEARSON EDUCACIÓN, 2004.

[5] C. d. Llano, Física, Editorial Progreso S.A. de C.V.,

2007.

[6] Datasheet Catalog, «Datasheet,» [En línea].

Available:
http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/nati
onalsemiconductor/DS009063.PDF. [Último
acceso: 12 11 2017].

[7] Electronics Course, "Interruptor de transistor de

unión bipolar," [Online]. Available:
http://electronics-course.com/bjt-switch.
[Accessed 25 11 2017].

[8] Detri EPN, «Practica No. 7,» Quito, 2017.