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Descubierta por Georg Ohm en 1827, la resistencia eléctrica tiene un parecido conceptual con
la fricción en la física mecánica. La unidad de la resistencia en el Sistema Internacional de
Unidades es el ohmio (Ω). Para su medición, en la práctica existen diversos métodos, entre los
que se encuentra el uso de un óhmetro. Además, su magnitud recíproca es la conductancia,
medida en Siemens.
Por otro lado, de acuerdo con la ley de Ohm la resistencia de un material puede definirse como
la razón entre la diferencia de potencial eléctrico y la corriente en que atraviesa dicha
resistencia, así:34
También puede decirse que "la intensidad de la corriente que pasa por un conductor es
directamente proporcional a la diferencia de potencial e inversamente proporcional a su
resistencia"
2Asociación de resistencias
2.1Resistencia equivalente
2.2Asociación en serie
2.3Asociación en paralelo
2.4Asociación mixta
2.6Asociación puente
3Resistencia de un conductor
3.1Influencia de la temperatura
5Véase también
6Referencias
7Enlaces externos
Una resistencia ideal es un elemento pasivo que disipa energía en forma de calor según la ley
de Joule. También establece una relación de proporcionalidad entre la intensidad de corriente
que la atraviesa y la tensión medible entre sus extremos, relación conocida como ley de Ohm:
Una resistencia real en corriente continua (CC) se comporta prácticamente de la misma forma
que si fuera ideal, esto es, transformando la energía eléctrica en calor por efecto Joule. La ley
de Ohm para corriente continua establece que:
Por ejemplo, en una resistencia de carbón los efectos inductivos solo provienen de los propios
terminales de conexión del dispositivo mientras que en una resistencia de tipo bobinado estos
efectos se incrementan por el devanado de hilo resistivo alrededor del soporte cerámico,
además de aparecer una cierta componente capacitiva si la frecuencia es especialmente
elevada. En estos casos, para analizar los circuitos, la resistencia real se sustituye por una
asociación serie formada por una resistencia ideal y por una bobina también ideal, aunque a
veces también se les puede añadir un pequeño condensador ideal en paralelo con dicha
asociación serie. En los conductores, además, aparecen otros efectos entre los que cabe
destacar el efecto pelicular.
Consideremos una resistencia R, como la de la figura 2, a la que se aplica una tensión alterna
de valor:
donde {\displaystyle I_{0}={V_{0} \over R}} . Se obtiene así, para la corriente, una función
senoidal que está en fase con la tensión aplicada (figura 3).
Y operando matemáticamente:
De donde se deduce que en los circuitos de CA la resistencia puede considerarse como una
magnitud compleja con parte real y sin parte imaginaria o, lo que es lo mismo con argumento
nulo, cuya representación binómica y polar serán:
Asociación de resistencias[editar]
Resistencia equivalente[editar]
Asociación en serie[editar]
Para determinar la resistencia equivalente de una asociación serie imaginaremos que ambas,
figuras 4a) y 4c), están conectadas a la misma diferencia de potencial, UAB. Si aplicamos la
segunda ley de Kirchhoff a la asociación en serie tendremos:
{\displaystyle U_{AB}=U_{1}+U_{2}+...+U_{n}\,}
{\displaystyle U_{AB}=IR_{1}+IR_{2}+...+IR_{n}=I(R_{1}+R_{2}+...+R_{n})\,}
En la resistencia equivalente:
{\displaystyle U_{AB}=IR_{AB}\,}
{\displaystyle IR_{AB}=I(R_{1}+R_{2}+...+R_{n})\,}
Y eliminando la intensidad:
Asociación en paralelo[editar]
Dos o más resistencias se encuentran en paralelo cuando tienen dos terminales comunes de
modo que al aplicar al conjunto una diferencia de potencial, UAB, todas las resistencias tienen
la misma caída de tensión, UAB.
{\displaystyle {I}={I_{1}}+{I_{2}}+...+{I_{n}}\,}
{\displaystyle I=U_{AB}/R_{AB}\,}
De donde:
Existen dos casos particulares que suelen darse en una asociación en paralelo:
1. Dos resistencias: en este caso se puede comprobar que la resistencia equivalente es igual al
producto dividido por la suma de sus valores, esto es:
Asociación mixta[editar]
Figura 5. Asociaciones mixtas de cuatro resistencias: a) Serie de paralelos, b) Paralelo de series
y c) Ejemplo de una de las otras posibles conexiones.
A veces una asociación mixta es necesaria ponerla en modo texto. Para ello se utilizan los
símbolos "+" y "//" para designar las asociaciones serie y paralelo respectivamente. Así con (R1
+ R2) se indica que R1 y R2 están en serie mientras que con (R1//R2) que están en paralelo. De
acuerdo con ello, las asociaciones de la figura 5 se pondrían del siguiente modo:
a) (R1//R2)+(R3//R4)
b) (R1+R3)//(R2+R4)
c) ((R1+R2)//R3)+R4
Para determinar la resistencia equivalente de una asociación mixta se van simplificando las
resistencias que están en serie y las que están en paralelo de modo que el conjunto vaya
resultando cada vez más sencillo, hasta terminar con un conjunto en serie o en paralelo. Como
ejemplo se determinarán las resistencias equivalentes de cada una de las asociaciones de la
figura 5:
a)
R1//R2 = R1//2
R3//R4 = R3//4
RAB = R1//2 + R3//4
b)
R1+R3 = R1+3
R2+R4 = R2+4
RAB = R1+3//R2+4
c)
R1+R2 = R1+2
R1+2//R3 = R1+2//3
RAB = R1+2//3 + R4
Desarrollando se obtiene:
a)
b)
c)
Figura 6.
a) Asociación en estrella.
b) Asociación en triángulo.
El valor de cada una de las resistencias en estrella es igual al cociente del producto de las dos
resistencias en triángulo adyacentes al mismo terminal entre la suma de las tres resistencias
en triángulo.
El valor de cada una de las resistencias en triángulo es igual la suma de las dos resistencias en
estrella adyacentes a los mismos terminales más el cociente del producto de esas dos
resistencias entre la otra resistencia.
Asociación puente[editar]
El interés de este tipo de asociación está en el caso en el que por la resistencia central, R5, no
circula corriente o R4, en función de las otras tres. En ello se basan los puentes
de Wheatstone y de hilo para la medida de resistencias con precisión.
Resistencia de un conductor[editar]
Influencia de la temperatura[editar]
donde
\alpha =0,00393\;} .
R_{0}\;} .
Comúnmente, la potencia disipada por una resistencia, así como la potencia disipada por
cualquier otro dispositivo resistivo, se puede hallar mediante:
A veces es más cómodo usar la ley de Joule para el cálculo de la potencia disipada, que es:
El fabricante dará como dato el valor en vatios que puede disipar cada resistencia en cuestión.
Este valor puede estar escrito en el cuerpo del componente o se tiene que deducir de
comparar su tamaño con los tamaños estándar y su respectivas potencias. El tamaño de las
resistencias comunes, cuerpo cilíndrico con 2 terminales, que aparecen en los aparatos
eléctricos domésticos suelen ser de 1/4 W, existiendo otros valores de potencias de
comerciales de ½ W, 1 W, 2 W, etc.
Véase también[editar]
Conductancia
Conductividad
Conductor eléctrico
Galvanómetro
Impedancia
Leyes de Kirchhoff
Puente de Wheatstone
Resistividad
Resistor
Superconductividad
Diodos
Potenciómetro
Referencias[editar]
↑ Moscada, Tipler. Física (volumen 2 edición). Editorial reverté, S. A.,2005. ISBN 84-291-4412-
9. «El cociente entre la caída de potencial y la intensidad de la corriente se llama resistencia
del segmento».
Enlaces externos[editar]
Categorías:
Magnitudes electromagnéticas
Terminología electrónica
Condensador electrolítico
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Índice
1Historia
2Construcción
3Polaridad
4Electrolito
5Comportamiento eléctrico de los electrolíticos
6Capacidad
7Variantes
8Véase también
9Referencias
10Enlaces externos
Historia[editar]
No existe un inventor claro del condensador electrolítico. Es uno de los muchos casos de
tecnología que se pueden considerar una curiosidad de laboratorio, la clásica "búsqueda
de solución para un problema".
El principio del condensador electrolítico fue descubierto en 1886 por Charles Pollak, como
parte de su investigación en la anodización del aluminio y otros metales. Pollack descubrió
que debido a la delgadez de la capa de óxido de aluminio producida, había
mucha capacitancia entre el aluminio y la solución de electrolito. Un problema importante
era que la mayoría de los electrolitos tendían a disolver esta capa de óxido de nuevo
cuando la tensión se eliminaba, pero finalmente él encontró que el perborato de
sodio bóraxpermitía la creación de la capa sin atacarla después. Le fue concedida una
patente para el condensador electrolítico de aluminio con disolución de bórax en 1897.
La primera aplicación práctica de esta tecnología fue en los condensadores de arranques
de motores de corriente alterna. La mayoría de los condensadores electrolíticos son
polarizados, esto es, sólo pueden operar con corriente continua, pero usando varias placas
de aluminio anodizado e intercalando entre ellas el electrolito de bórax, es posible hacer un
condensador que puede ser usado en sistemas de corriente alterna.
Los condensadores del siglo XIX y principios del XX tienen pocas similitudes con los
actuales, y eran construidos de forma más parecida a una batería de coche. El electrolito
de disolución de bórax tenía que ser periódicamente redisuelto con agua destilada, algo
que recuerda a las baterías de plomo ácido.
La primera aplicación masiva de las versiones de corriente continua de este tipo de
condensador fue en las centralitas telefónicas para suavizar los cambios de estado de los
relés de las líneas de 48 voltios.
El desarrollo de los receptores de radio domésticos de corriente alterna, a finales de los
1920 requirieron de la producción de condensadores de alta capacidad (para la época) y
alto voltaje, como mínimo de 4 microfaradios y hasta 500 voltios. Los de papel enrollado y
plata con aceite estaban disponibles entonces pero los dispositivos con ese orden de
capacidad y voltaje eran pesados y prohibitivamente caros. El primer prototipo de un
condensador electrolítico moderno fue patentado por Julius Lilienfield en 1926. Su diseño
seguía las líneas del condensador de mica y plata, pero con papel empapado en electrolito
en lugar de la mica. Se probó que era difícil refrigerar el dispositivo y en las condiciones
calientes típicas de los los receptores de radio se agujereaban y fallaban.
El ingeniero retirado del ejército de Estados Unidos Ralph D. Mershon desarrolló el primer
condensador electrolítico para radio comercialmente disponible en cualquier cantidad,
aunque algunos otros investigadores produjeron dispositivos similares. El "condensador
Mershon" como se le conoció, estaba construido como un condensador de
papelconvencional, con dos largas tiras de película de aluminio enrolladas con tiras de
papel empapado en solución electrolítica, en lugar de cera. En lugar de intentar cerrarlo
herméticamente, la solución de Mershon fue simplemente meter el condensador en una
lata de aluminio o cobre, llena hasta la mitad de electrolito extra. (Estos son llamados
"electrolíticos húmedos" por los radioaficionados, y los que se encuentran aún con algo de
líquido dentro son piezas de coleccionista).
A pesar del éxito inmediato de Mershon (y el nombre "Condensador de Mershon" fue
durante un corto tiempo sinónimo de receptores de radio de calidad en los años 20),
debido a varias dificultades de fabricación su tiempo de vida en funcionamiento era corto y
la compañía de Mershon quebró a comienzos de la década de 1930.
No fue hasta la segunda guerra mundial cuando se dedicaron suficientes recursos para
encontrar las causas de los problemas, que los condensadores electrolíticos se
convirtieron en los componentes útiles que son hoy en día.
Construcción[editar]
Los condensadores electrolíticos de aluminio se construyen a partir de dos tiras de
aluminio, una de las cuales está cubierta de una capa aislante de óxido, y un papel
empapado en electrolito entre ellas. La tira aislada por el óxido es el ánodo, mientras el
líquido electrolito y la segunda tira actúan como cátodo. Esta pila se enrolla sobre sí
misma, ajustada con dos conectores pin y se encaja en un cilindro de aluminio. Las dos
geometrías más populares son las axiales y radiales mostradas en la fotografía.
Polaridad[editar]
En los condensadores electrolíticos de aluminio, la capa de óxido aislante en la superficie
de la placa de aluminio actúa como dieléctrico, y es la delgadez de esta capa la que
permite obtener una gran capacidad en un pequeño volumen. La capa de óxido puede
mantenerse inafectada incluso con una intensidad de campo eléctrico del orden de
109voltios por metro. La combinación de alta capacidad y alto voltaje resultan en una gran
densidad energética.
Al contrario que la mayoría de los condensadores, los electrolíticos tienen polaridad. La
polaridad correcta se indica en el envoltorio con una franja indicando el signo negativo y
unas flechas indicando el terminal que debe conectarse al potencial menor (terminal
negativo). También, el terminal negativo es más corto que el positivo. Esto es importante
porque una conexión con voltaje invertido de más de 1,5 Voltios puede destruir la capa
central de material dieléctrico por una reacción de reducción electroquímica. Sin este
material dieléctrico, el condensador entra en cortocircuito, y si la corriente es excesiva, el
electrolito puede hervir y hacer explotar el condensador.
Existen disponibles condensadores especiales para uso con corriente alterna,
normalmente conocidos como "condensadores no-polares" o "NP". En ellos, las capas de
óxido se forman en las dos tiras de aluminio antes del ensamblado. En los ciclos alternos,
una u otra de las placas actúan como un diodo, evitando que la corriente inversa dañe el
electrolito de la otra. Esencialmente, un condensador de 10 microfaradios de alterna se
comporta como dos de 20 microfaradios de continua conectados en serie inversa.
Los condensadores modernos tienen una válvula de seguridad, típicamente en una
esquina del envoltorio o una terminación especialmente diseñada para ventilar el
líquido/gas caliente, pero aun así las rupturas pueden ser dramáticas. Los condensadores
electrolíticos pueden soportar una tensión inversa por un tiempo corto, pero durante este
tiempo conducirán mucha corriente y no se comportarán como verdaderos condensadores.
La mayoría sobrevivirán sin tensión inversa, o con tensión alterna, pero los circuitos deben
diseñarse siempre pensando en que no haya tensión inversa durante tiempos
significativos. La corriente directa constante (con la polaridad correcta) es lo preferible para
aumentar la vida del condensador.
Condensador Condensador
Condensador
Polarizado Variable
Nota: La marca en el envoltorio de metal indica el terminal negativo (excepto en los capacitores de
tantalio, en los que la raya señala el positivo).
Electrolito[editar]
El electrolito es usualmente ácido bórico o borato de sodio en disolución acuosa junto con
algunos azúcares o glicol de etileno que se añaden para retardar la evaporación.
Conseguir un buen balance entre la estabilidad química y la baja resistencia eléctrica
interna es complicado, y de hecho la composición exacta de los buenos electrolitos es un
secreto comercial guardado celosamente. Llevó muchos años de dolorosas
investigaciones antes de que fueran desarrollados condensadores útiles.
Los electrolitos pueden ser tóxicos o corrosivos. Trabajar con electrolitos requiere medidas
de seguridad y equipo de protección apropiado como guantes, máscaras y gafas de
seguridad. Algunos viejos electrolitos de tantalio, a menudo llamados de "pulmon húmedo"
contienen ácido sulfúrico corrosivo, pero la mayoría de ellos ya no se usan debido a la
corrosión.
Capacidad[editar]
El valor de la capacidad de cualquier condensador (también conocido como capacitancia)
es una medida de la cantidad de carga almacenada, por unidad de diferencia de potencial
entre sus placas. La unidad básica de capacidad en el sistema internacional de
unidades es el faradio que es un culombio por voltio. Sin embargo, esta unidad es muy
grande para las capacidades típicas de los condensadores reales (hasta la invención de
los supercondensadores), de forma que el microfaradio (10-6), nanofaradio (10-9)
y picofaradio (10-12) se usan más comúnmente. Estas unidades se abrevian como μF o uF,
nF y pF.
Hay varios condicionantes para determinar el valor de la capacidad de un condensador,
como la delgadez del dieléctrico y el área de las placas. En el proceso de fabricación, los
condensadores electrolíticos se hacen para adaptarse a determinados números preferidos.
Multiplicando esos números preferidos por un orden de magnitud, y combinando varios se
puede conseguir cualquier valor, permitiendo la mayoría de combinaciones útiles para
aplicaciones prácticas.
Hay un conjunto de "números estandarizados básicos" para que el valor de cualquier
condensador electrolítico moderno se pueda derivar multiplicando estos números básicos,
que son 1.0, 1.2, 1.5, 1.8, 2.2, 3.3, 4.7, 5.6, 6.8 u 8.2 por potencias de 10. Así, es común
encontrar condensadores de valores de 10, 12, 15, 18, 22, 33, 47, 56, 68, 82, 100, 220,
etcétera. Usando este método, rangos de valores desde 0.1 hasta 4700 son comunes en la
mayoría de las aplicaciones. Estos valores se dan generalmente en microfaradios (µF).
Muchos condensadores electrolíticos tienen un rango de tolerancia del 20%. Esto significa
que el fabricante indica que el valor real del condensador cae dentro del 20% de su valor
marcado. Seleccionando las series preferidas se asegura que se pueda comercializar
cualquier condensador como un valor estándar, dentro de la tolerancia. Algunos
condensadores tienen tolerancias asimétricas, típicamente -20% para la negativa, pero con
mucha más tolerancia positiva. La indicación de la tolerancia en el empaquetado evita
tener que medir cada condensador individual.
Variantes[editar]
Al contrario que otros condensadores que usan dieléctricos hechos de un material aislante
intrínseco, el dieléctrico en los condensadores electrolíticos dependen de la formación y
estabilidad de una capa microscópica de óxido metálico. Comparados con los normales,
esta capa verdaderamente fina de dieléctrico permite capacidades mucho mayores en el
mismo volumen, pero mantener la integridad de esta finísima capa de óxido requiere la
cuidadosa aplicación de la polaridad correcta en corriente continua, o si no la capa de
óxido se deshace o rompe causando que el condensador falle. Adicionalmente, los
condensadores electrolíticos usan internamente química de disoluciones y pueden fallar
eventualmente si el agua de la disolución se evapora debido a temperaturas altas.
La capacidad de los electrolíticos no está tan precisamente especificada como en el caso
de los condensadores de dieléctrico sólido normales. Especialmente con los electrolíticos
de aluminio, es bastante común ver especificaciones que "garantizan un valor mínimo" sin
"límite máximo" de capacidad. Para la mayoría de los propósitos (como en alimentadores
de corriente o acoplamiento de señales) este tipo de especificación es aceptable.
Como ocurre con los condensadores de dieléctrico sólido normales, los condensadores
electrolíticos vienen en diferentes varidedades:
Aluminio: compacto pero poco preciso, los hay disponibles en el rango de <1 µF
hasta 1 F, con voltajes de trabajo de hasta varios cientos de voltios.
El dieléctrico es una fina capa de óxido de aluminio. Contiene líquido corrosivo y pueden
hervir si se conectan al revés. La capa de óxido aislante tiende a deteriorarse en ausencia
de voltaje "rejuvenecedor", y eventualmente el condensador fallará si no se le aplica
voltaje. Los electrolíticos bipolares (también llamados No-polarizados o NP) contienen dos
condensadores conectados en serie inversa y se usan cuando ocasionalmente la corriente
continua pueda invertirse. Sus malas características de frecuencia y temperatura los hacen
inservibles para aplicaciones de alta frecuencia. Sus valores típicos de ESL son de
pocos nanohenrios. 1
tantalio: compacto, dispositivo de bajo voltaje de hasta varios cientos de mF, tienen
menor densidad energética pero son mucho más precisos que los de aluminio. Los
condensadores de tantalio también son polarizados debido a sus electrodos diferentes.
El ánodo está formado por granos de tantalio, con el dieléctrico formado
electroquímicamente por una fina capa de óxido. La finura de la capa de óxido y la
gran superficie del material poroso le otorgan una gran capacidad por unidad de
volumen. El cátodo está formado bien por un líquido electrolito conectado al envoltorio
metálico o bien por una capa semiconductora de dióxido de manganeso, que luego se
conecta a un terminal externo. Una variante de este tipo reemplaza el dióxido de
manganeso por un polímero plástico conductor que reduce la resistencia interna y
elimina la auto-ignición en caso de fallo.2
Comparados con los electrolíticos de aluminio, los condensadores de tantalio tienen una
capacidad muy precisa y estable, poca caída de tensión y muy baja impedancia a altas
frecuencias. Sin embargo, al contrario que los de aluminio, no toleran picos de tensión y se
destruyen (a veces explotando violentamente) si se conectan al revés o se exponen a
picos de tensión o altas temperaturas.
Los condensadores de Tantalio son más caros que los de aluminio y generalmente solo se
pueden usar en bajo voltaje, pero debido a su gran capacidad por unidad de volumen y
baja impedancia eléctrica a altas frecuencias son muy populares en aplicaciones
miniaturizadas como los teléfonos móviles.
Véase también[editar]
Supercondensador
Referencias[editar]
1. ↑ El efecto de los condensadores no ideales. Documento técnico de Murata.
2. ↑ NIC components Corp. FAQ
Glenn Zorpette (enero de 2005). «Super Charged: A Tiny South Korean Company is
Out to Make capacitors Powerful enough to Propel the Next Generation of Hybrid-
Electric Cars». IEEE Spectrum. 42 No. 1. Archivado desde el original el 22 de octubre
de 2007.
Electrochemistry Encyclopedia: Electrochemical capacitors; Their Nature, Function,
and Applications
Enlaces externos[editar]
Electrolytic capacitors
How Electrolytic capacitors Work
How to Identify Japanese Electrolytic capacitors
Conozca los condensadores electrolíticos
Transistor
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Transistor
El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia que es capaz de manejar
Tipo Semiconductor
Símbolo electrónico
Índice
1Historia
2Funcionamiento
3Tipos de transistor
o 3.1Transistor de contacto puntual
o 3.2Transistor de unión bipolar
o 3.3Transistor de efecto de campo
o 3.4Fototransistor
4Transistores y electrónica de potencia
5Construcción
o 5.1Material semiconductor
6El transistor bipolar como amplificador
o 6.1Emisor común
7Diseño de una etapa en configuración emisor común
o 7.1Base común
o 7.2Colector común
8El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica
9Véase también
10Referencias
11Bibliografía
12Enlaces externos
Historia[editar]
Artículo principal: Historia del transistor
Réplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 19252 una
patente para lo que él denominó "un método y un aparato para controlar corrientes
eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo,
ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld también
solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 19263 y 1928.45 Sin embargo, Lilienfeld
no publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan
algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de
materiales semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas
de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los
años 1920 y 1930, aunque un dispositivo de este tipo ya se había construido.6
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña7 un
dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con cristales de bromuro
de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de señales de
1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos prácticos.8Mientras tanto, la
experimentación en los Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las
explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del alemán Walter
Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era
posible lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de
tubos de vacío.8
Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los físicos
estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell9llevaron
a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro
eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida
mayor que la de entrada.10 El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William
Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en
gran medida el conocimiento de los semiconductores. El término "transistor" fue sugerido
por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, basándose en dispositivos
semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y el varistor y basándose en la
propiedad de transrresistencia que mostraba el dispositivo.11 Según una biografía de John
Bardeen, Shockley había propuesto que la primera patente para un transistor de los
Laboratorios Bell debía estar basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como
el inventor. Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido
años atrás, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su lugar, lo
que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer transistor de contacto
de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de
1946,12a la cual siguieron otras patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo.131415
En reconocimiento a éste logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados
conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 "por sus investigaciones sobre
semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".16
En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los físicos
alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré
tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio
mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemán durante la Segunda
Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de la
"interferencia" que había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra.
En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando
muestras de germanio producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain habían
logrado anteriormente en diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de
Laboratorios Bell ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró
a poner en producción su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefónica
de Francia.17El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la patente del transistor
bipolar de unión18 y el 24 de agosto de 1951 solicitó la primera patente de un transistor de
efecto de campo,19 tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la
estructura que ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los
Laboratorios Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,20cuya nueva patente fue
solicitada el 31 de octubre de 1952.21 Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero
Sidney Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente
como transistor Darlington.22
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio
desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco
Corporation en 1953,23capaz de operar con señales de hasta 60 MHz.24 Para fabricarlo, se
usó un procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran
grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de
sulfato de indio hasta que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El Indio
electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor.25El primer receptor de
radio para automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco; usó estos
transistores en sus circuitos y también fueron los primeros adecuados para las
computadoras de alta velocidad de esa época.2627
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero
1954 por el químico Morris Tanenbaum.28El 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin
Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir
dispositivos semiconductores.29 El primer transistor de silicio comercial fue producido
por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien había
trabajado previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta
pureza.30 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense
Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en
1960.3132
Funcionamiento[editar]
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada
entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las
válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo,33a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.34
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través
de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que
circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de
amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares
de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor,
de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias
tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión
Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son
emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de basepara
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta
y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión
aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el
responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la
corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la
tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al funcionamiento
del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.
Tipos de transistor[editar]
El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o
el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor
eléctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con átomos de elementos donantesde electrones, como
el arsénico o el fósforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el
colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
Transistor de efecto de campo[editar]
Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se aísla del canal mediante un dieléctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.
Fototransistor[editar]
Artículo principal: Fototransistor
Construcción[editar]
Material semiconductor[editar]
Los primeros transistores bipolares de unión se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones avanzadas de
microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto semiconductor
de arseniuro de galio (GaAs) y la aleación semiconductora de silicio-germanio (SiGe). El
material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se describe como elemental.
Los parámetros en bruto de los materiales semiconductores más comunes utilizados para
fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos parámetros variarán con el aumento
de la temperatura, el campo eléctrico, nivel de impurezas, la tensión, y otros factores
diversos.
La tensión directa de unión es la tensión aplicada a la unión emisor-base de un transistor
bipolar de unión con el fin de hacer que la base conduzca a una corriente específica. La
corriente aumenta de manera exponencial a medida que aumenta la tensión en directa de
la unión. Los valores indicados en la tabla son las típicos para una corriente de 1 mA (los
mismos valores se aplican a los diodos semiconductores). Cuanto más bajo es la tensión
de la unión en directa, mejor, ya que esto significa que se requiere menos energía para
colocar en conducción al transistor. La tensión de unión en directa para una corriente dada
disminuye con el aumento de la temperatura. Para una unión de silicio típica, el cambio es
de –2.1 mV/°C.35 En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores especiales
(sensistores) para compensar tales cambios.
La densidad de los portadores móviles en el canal de un MOSFET es una función del
campo eléctrico que forma el canal y de varios otros fenómenos tales como el nivel de
impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricación de un MOSFET, para controlar su comportamiento
eléctrico.
Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran la
velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a través del material
semiconductor con un campo eléctrico de 1 voltio por metro, aplicado a través del material.
En general, mientras más alta sea la movilidad electrónica, el transistor puede funcionar
más rápido. La tabla indica que el germanio es un material mejor que el silicio a este
respecto. Sin embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparación con
el silicio y arseniuro de galio:
Emisor común.
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta
al punto de tierra (masa) que será común, tanto de la señal de entrada como para la de
salida. En esta configuración, existe ganancia tanto de tensión como de corriente. Para
lograr la estabilización de la etapa ante las variaciones de la señal, se dispone de una
resistencia de emisor, (RE) y para frecuencias bajas, la impedancia de salida se aproxima a
RC. La ganancia de tensión se expresa:
El signo negativo, indica que la señal de salida está invertida con respecto a la señal de
entrada.
Si el emisor está conectado directamente a masa, la ganancia queda expresada de la
siguiente forma:
Como la base está conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre ellos se
puede suponer que existe una tensión constante, denominada y que el valor de la
ganancia (β) es constante. Del gráfico adjunto, se deduce que la tensión de emisor es:
Y la corriente de emisor:
.
La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:
Recta de carga
Esta recta se traza sobre las curvas características de un transistor que proporciona el
alimentación
En los extremos de la misma, se observan las zonas de corte y de saturación, que tienen
utilidad cuando el transistor actúa como interruptor. Conmutará entre ambos estados de
acuerdo a la polarización de la base.
La elección del punto Q, es fundamental para una correcta polarización. Un criterio
Datos:
Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a través del divisor de
voltaje y , debe ser mucho mayor que la corriente de base; como mínimo en una
relación 10:1
La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, está dada por
Base común
La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a
las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene
ganancia solo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente
algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si
añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la
fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, da como
resultado que la ganancia aproximada es:
La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.
Colector común[editar]
Colector común
La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta
a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se
tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia de entrada es alta, aproximadamente β+1 veces la impedancia de carga.
Además, la impedancia de salida es baja, aproximadamente β veces menor que la de la
fuente de señal.
Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que
son peligrosas para el ser humano.
Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco útiles
para el uso con baterías.
El peso: El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores requeridos
para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a
decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
Retardo en el arranque: Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a
funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conducción.
El efecto microfónico: Muy frecuente en las válvulas a diferencia de los transistores,
que son intrínsecamente insensibles a él.
Tamaño: Los transistores son más pequeños que las válvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos
de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamaño que se ha de
considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más el del disipador. Como las
válvulas pueden funcionar a temperaturas más elevadas, la eficiencia del disipador es
mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho más
pequeño.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias elevadas y por lo
tanto trabajan con altas tensiones y pequeñas corrientes.
Costo: Los transistores costaban menos que las válvulas, desde su lanzamiento inicial
y se contó con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo continuaría
bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente investigación y desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora
digital, llamada ENIAC, la cual pesaba más de treinta toneladas y consumía 200 kilovatios,
suficientes para alimentar una pequeña ciudad, a causa de sus aproximadamente 18 000
válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día, necesitando una logística y una
organización importantes para mantener este equipo en funcionamiento.
El transistor bipolar reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la década
de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos fabricantes siguieron
utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake;
luego el transistor desplazó a la válvula de los transmisores pero no del todo en los
amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes de instrumentos eléctricos musicales
como Fender, siguieron utilizando válvulas en sus amplificadores de audio para guitarras
eléctricas. Las razones de la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:
Véase también[editar]
Historia del transistor
Quiteron
Semiconductor
Transistor de aleación
Transistor de película delgada
Transistor de unión bipolar
Transistor IGBT
Transistor uniunión
Válvula termoiónica
Datasheet
Referencias[editar]
1. ↑ Nieves, Antonio Aguilera (26 de abril de 2011). Montaje y mantenimiento de los sistemas
de control y regulación de parque eólico. Editorial Vértice. ISBN 9788499312934. Consultado el
17 de marzo de 2018.
2. ↑ «Patent 272437 Summary» (en inglés). Canadian Intellectual Property Office. Consultado
el 19 de febrero de 2016.
3. ↑ «Patent US 1745175: Method and apparatus for controlling electric currents» (en inglés).
United States Patent Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.
4. ↑ «Patent US 1877140: Amplifier for electric currents» (en inglés). United States Patent
Office. Consultado el 19 de febrero de 2016.
5. ↑ «Patent US 1900018: Device for controlling electric current» (en inglés). United States
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6. ↑ Vardalas, John (mayo de 2003). «Twists and Turns in the Development of the
Transistor». Today's Engineer. Consultado el 19 de febrero de 2016.
7. ↑ «Patent GB439457: Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control
arrangements and devices.» (en inglés). European Patent Office. Consultado el 19 de
febrero de 2016.
8. ↑ Saltar a:a b «1926 - Field Effect Semiconductor Device Concepts Patented» (en inglés).
Computer History Museum. 28 de diciembre de 2015. Consultado el 19 de febrero de 2016.
9. ↑ Vardalas, John. «Twists and Turns in the Development of the Transistor». Today's
Engineer Online (en inglés). Consultado el 7 de marzo de 2016.
10. ↑ «November 17 - December 23, 1947: Invention of the First Transistor» (en inglés).
American Physical Society. Consultado el 7 de marzo de 2016.
11. ↑ Braun, Ernest; MacDonald, Stuart (1982). Revolution in miniature: the history and impact
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States Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
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Consultado el 7 de marzo de 2016.
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States Patent Office. Consultado el 30 de marzo de 2016.
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Patent Office. Consultado el 13 de marzo de 2016.
22. ↑ «Patent US2663806: Semiconductor signal translating device» (en inglés). United States
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23. ↑ «Patent US2885571» (en inglés). United States Patent Office. Consultado el 8 de marzo
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24. ↑ Bradley, William (8 de enero de 2007). «The Surface-Barrier Transistor: Part I-Principles
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25. ↑ Bohr, Edwin (agosto de 1957). «The Amazing Surface Barrier Transistor». Radio & TV
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2000»(en inglés). Purdue University. Consultado el 7 de marzo de 2016.
28. ↑ «1954: Silicon Transistors Offer Superior Operating Characteristics» (en inglés).
Computer History Museum. Consultado el 7 de marzo de 2016.
29. ↑ «Patent US2861018» (en inglés). United States Patent Office. Consultado el 7 de marzo
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30. ↑ Riordan, Micheal. «The lost history of the transistor» (en inglés). IEEE Spectrum.
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31. ↑ «Patent US3102230» (en inglés). United States Patent Office. Consultado el 7 de marzo
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32. ↑ «1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated» (en inglés).
Computer History Museum. Consultado el 7 de marzo de 2016.
33. ↑ Diccionario de Electrónica, Informática Y Energía Nuclear, pág. 10. En Google libros.
34. ↑ [https://books.google.es/books?id=BVDd8xRNQ3IC&pg=PA10&dq=transistor+elemento+
activo&hl=es&sa=X&ved=0ahUKEwikz6r8rp3LAhVM7hoKHQVJA_wQ6AEIMzAC#v=onepa
ge&q=transistor%20elemento%20activo&f=false Diccionario de Electrónica, Informática Y
Energía Nuclear, pág 425. En Google libros.
35. ↑ Smith, Kenneth C.; Sedra, Adel (2004). Microelectronic circuits (5 edición). New
York: Oxford University Press. p. 397. ISBN 0-19-514251-9.
Bibliografía[editar]
1. Alley-Atwood. Ingeniería Electrónica. ISBN 968-18-0967-X
2. Boylestad-Nashelsky. Electrónica. Teoría de circuitos. ISBN 968-880-347-2
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¿Cómo funcionan?
Para entender como funciona un puente rectificador de diodos es necesario
primero conocer las diferencias básicas entre corriente alterna y corriente
continua y como funciona un diodo. La mayoría de la gente está más que
habituada a utilizar baterías en electrodomésticos, juguetes, teléfonos,
dispositivos multimedia y otros muchos objetos cotidianos. Una batería es un
buen ejemplo de fuente de alimentación de corriente contínua (CC o DC
– Direct Current) pues tienen un polo positivo y un polo negativo que nunca
cambian, presenta un polaridad continua. Por el contrario, la corriente alterna
(CA o AC – Alternating Current) tiene un polaridad que se invierte
aproximadamente entre 50 y 60 veces por segundo.
Los diodos son unos dispositivos que permiten el flujo eléctrico en un sólo
sentido y cada puente rectificador lleva al menos cuatro. Para que la
rectificación de la corriente alterna se produzca hay que conectar los cuatros
diodos en una disposición específica, llamada configuración de rectificación,
que efectivamente termina con una mitad del ciclo de la corriente alterna de
entrada y deja pasar sólo la otra mitad a través del puente pero siempre con el
polo negativo y el positivo saliendo por los mismos diodos (vea imagen 1).
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Índice
Es construido con un diodo ya que este puede mantener el flujo de corriente en una sola
dirección, se puede utilizar para cambiar una señal de CA a una de CC. En la figura I. se
muestra un circuito rectificador de media onda. Cuando la tensión de entrada es positiva,
el diodo se polariza en directo y se puede sustituir por un corto circuito. Si la tensión de
entrada es negativa el diodo se polariza en inverso y se puede remplazar por un circuito
abierto. Por tanto cuando el diodo se polariza en directo, la tensión de salida a través de la
carga se puede hallar por medio de la relación de un divisor de tensión. Sabemos además
que el diodo requiere 0.7 voltios para polarizarse, así que la tensión de salida está
reducida en esta cantidad (este voltaje depende del material de la juntura del diodo).
Cuando la polarización es inversa, la corriente es cero, de manera que la tensión de salida
también es cero. Este rectificador no es muy eficiente debido a que durante la mitad de
cada ciclo la entrada se bloquea completamente desde la salida, perdiendo así la mitad de
la tensión de alimentación. El voltaje de salida en este tipo de rectificador es
aproximadamente 0.45 veces el voltaje eficaz de la señal de entrada (este 0.45 surge de
A fin de facilitar la explicación del funcionamiento de este circuito vamos a denominar D-1
al diodo situado más arriba y D-2, D-3 y D-4 a los siguientes en orden descendente.
Véase también[editar]
Rectificador de precisión
Notas[editar]
1. ↑ [1] Física. Escrito por Constantino de Llano página PT314. books.google.es
Categoría:
Rectificadores
Puente rectificador
Ir a la navegaciónIr a la búsqueda
Tipo Semiconductor
Símbolo electrónico
Véase también[editar]
Diodo de vacío
Fuente de alimentación
Bibliografía[editar]
(1): Kurtz, Victor H, "Fuentes de Alimentación, Cátedra Electrónica y Dispositivos -
Facultad de Ingeniería - Universidad Nacional de Misiones UNaM, (2016).
Categorías:
Circuitos electrónicos
Que es un multimetro?
Piezas disponibles en
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Código del Producto: ART-
8
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Un multímetro, a veces también denominado polímetro o tester, es uso rudo IP67, 1500V DC,
un instrumento de medida que ofrece la posibilidad de medir Temperatura
distintos parametros electricos y magnitudes en el mismo aparato.
Las más comunes son las de voltímetro, amperímetro y óhmetro. Es Precio Especial: $399.60
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de electrónica y electricidad.
Medición de resistencia
Prueba de continuidad
Medición de tensiones de CA y CC
Medición de milivoltios de CA y CC
Utilice los terminales, la posición del selector y el rango apropiados para las
mediciones.
No coloque nunca las sondas en paralelo con un circuito o componente cuando los
conductores estén enchufados en los terminales de corriente A (Amps).
La función de milivoltios y voltaje del multímetro puede utilizarse con una sonda
opcional de corriente de salida de mV/A para medir corrientes que exceden el valor
nominal del multímetro. Asegúrese de que el medidor tenga la función correcta,
CA o CC, seleccionada para la sonda actual.
El medidor mide la frecuencia de una señal contando la cantidad de veces que ésta
atraviesa un nivel de activación cada segundo. El nivel de activación es 0 V, 0 A
para todos los rangos. La frecuencia funciona únicamente con las funciones de
CA.
Para detectar la presencia de tensión de CA, coloque la parte superior del medidor
cerca de un conductor. Al detectarse tensión, el medidor emite una señal acústica y
visual.
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Multimetro
MARTES, 12 DE JULIO DE 2011
Definición
Un multímetro, a veces también denominado polímetro o tester, es un instrumento
electrónico de medida que combina varias funciones en una sola unidad. Las más
comunes son las de voltímetro, amperímetro y ohmetro
Existen distintos modelos que incorporan además de las tres funciones básicas citadas
algunas de las siguientes:
Un comprobador de continuidad, que emite un sonido cuando el circuito bajo prueba
no está interrumpido (También puede mostrar en la pantalla 00.0, dependiendo el tipo
y modelo).
Presentación de resultados mediante dígitos en una pantalla, en lugar de lectura en una
escala.
Amplificador para aumentar la sensibilidad, para medida de tensiones o corrientes muy
pequeñas o resistencias de muy alto valor.
Medida de inductancias y capacidades.
Comprobador de diodos y transistores.
Escalas y zócalos para la medida de temperatura mediante termopares normalizados.
Que es un multímetro
Un multimetro, también de nominado tester, es un dispositivo eléctrico y
portátil, que le permite a una persona medir distintas magnitudes eléctricas que
forman parte de un circuito, como ser corrientes, potencias, resistencias,
capacidades, entre otras.
Medición de resistencia.
Prueba de continuidad.
Mediciones de tensiones de Corriente Alterna y Corriente Continua.
Mediciones de intensidad de corrientes alterna y continua.
Medicion de la capacitancia.
Medicion de la frecuencia.
Deteccion de la presencia de corriente alterna.
En principio debemos identificar que vamos a medir y tener una idea de entre
que valores oscila esa medición. Una vez identificados buscamos en la escala
del tester los datos. Por ejemplo si queremos medir voltaje de una corriente
continua de 100 V, buscamos en el tester la V que al lado tiene una rayita
continua y elegimos el valor mas grande, mas cercano al valor aproximado de
medición.
Tipos de multimetro
Existen dos tipos de multimetros:
Multimetro analógico
Multimetro digital
Multimetro Analógico
Multimetro Digital
Medicion de tensiones
Para medir tensiones basta con conectar los cables al multimetro y los otros
terminales entre los puntos donde se quiera medir el potencial o diferencia de
voltaje. Si se quiere medir el potencial absoluto, colocamos el terminal del
cable negro en cualquier masa y el rojo en donde queremos medir el potencial.
Medición de resistencias
El procesos es parecido al de medición de tensiones. Se debe colocar la escala
del multimetro en donde encontremos el símbolo Ω y buscamos el valor de la
resistencia que mas nos convenza. Por ultimo colocamos los terminales entre
los puntos donde se quiere medir la resistencia.
Medición de intensidades
A la hora de medir intensidades el proceso es un poco mas complicado. Es que
las tensiones y resistencia se miden poniendo el multimetro en paralelo, pero
para medir intensidades el multimetro debe estar en serie.
Por lo tanto para medir intensidades se debe abrir el circuito para colocar el
borne o terminal del cable rojo en la parte donde se abrió el circuito y que la
corriente circule por el tester. Previamente el tester debe estar configurado para
medir intensidades.
Partes de un multímetro
Un multimetro consta de las siguientes partes:
Transformador
Tipo Pasivo
Símbolo electrónico
Índice
1Historia
o 1.1Primeros pasos: los experimentos con bobinas de inducción
o 1.2El nacimiento del primer transformador
o 1.3Otra información de interés
2Principio de funcionamiento
o 2.1Transformador ideal
o 2.2Transformador real
2.2.1Corriente de inserción
3Componentes de un transformador
o 3.1Núcleo
3.1.1Material
3.1.2Forma
3.1.2.1Núcleo en columnas
3.1.2.2Núcleo acorazado o núcleo envolvente
3.1.2.3Núcleo toroidal
3.1.2.4Núcleo de grano orientado
3.1.2.5Núcleo de aire
o 3.2Bobinas
3.2.1Material
3.2.2Disposición
o 3.3Aislamiento
o 3.4Otros componentes
3.4.1Cambiador de tomas
3.4.2Relé de sobrepresión
3.4.3Depósito de expansión
3.4.4Relé de Buchholz
3.4.5Tablero de control
4Caracterización de un transformador
o 4.1Ensayo de vacío
o 4.2Ensayo de cortocircuito
o 4.3Ensayo de aislamiento
5Transformador trifásico
o 5.1Conexión de los bobinados
o 5.2Clases de ventilación
6Clasificación según sus aplicaciones
o 6.1Transformador elevador/reductor de tensión
o 6.2Transformadores variables
o 6.3Transformador de aislamiento
o 6.4Transformador de alimentación
o 6.5Transformador de pulsos
o 6.6Transformador de línea o Flyback
o 6.7Transformador diferencial de variación lineal
o 6.8Transformador con diodo dividido
o 6.9Transformador de impedancia
o 6.10Estabilizador de tensión
o 6.11Transformador híbrido o bobina híbrida
o 6.12Balun
o 6.13Transformador electrónico
o 6.14Transformador de frecuencia variable
o 6.15Transformadores de medida
o 6.16Autotransformador
o 6.17Transformador piezoeléctrico
7Véase también
8Referencias
9Enlaces externos
Historia[editar]
Principio de funcionamiento[editar]
Transformador real[editar]
En la práctica, un transformador ideal no es físicamente realizable. Los transformadores
reales se diferencian de los ideales en los siguientes aspectos:
El núcleo de un transformador es la zona por la que circula el campo magnético entre los
devanados primario y secundario. Dependiendo de la finalidad del transformador, puede
tener varias formas y estar constituido por diferentes materiales.
Material[editar]
El núcleo está formado habitualmente por varias chapas u hojas de metal (generalmente
material ferromagnético) que están apiladas una junto a la otra, sin soldar, similar a las
hojas de un libro. La función del núcleo es mantener el flujo magnético confinado dentro de
él y evitar que este fluya por el aire favoreciendo las perdidas en el núcleo y reduciendo la
eficiencia. La configuración por láminas del núcleo laminado se realiza para reducir
las corrientes de Foucault y, consiguientemente, reducir las pérdidas de energía en el
núcleo.
Algunos transformadores no tienen núcleo y se les denomina transformadores sin núcleo o
con núcleo de aire. Un núcleo de aire es esencialmente un núcleo sin pérdidas por
histéresis o corrientes de Foucault. Sin embargo, la inductancia de dispersión es muy alta,
siendo inapropiados para la transmisión de potencia. Por el contrario, tienen un ancho de
banda muy alto y se emplean frecuentemente en aplicaciones de radiocomunicación.
Dentro del concepto de transformadores de núcleo de aire entran también los sistemas
de carga inalámbrica y las bobinas de Tesla.
Forma[editar]
Núcleo en columnas[editar]
Alrededor de cada columna se arrolla un devanado. Una culata superior y una culata
inferior cierran el circuito magnético del núcleo.
Núcleo acorazado o núcleo envolvente[editar]
Además de las columnas, dos culatas laterales sin devanados se disponen a los lados.
Evitan los flujos de dispersión.
Núcleo toroidal[editar]
El núcleo está formado por una chapa de hierro de grano orientado, enrollada sobre sí
misma, siempre en el mismo sentido, en lugar de las láminas de hierro dulce separadas
habituales. Presenta pérdidas muy reducidas, pero es caro. La chapa de hierro de grano
orientado puede ser también utilizada en transformadores orientados (chapa en E),
reduciendo sus pérdidas.
Núcleo de aire[editar]
En aplicaciones de alta frecuencia se emplean bobinados sobre un carrete sin núcleo o
con un pequeño cilindro de ferrita que se introduce más o menos en el carrete, para ajustar
su inductancia.
Bobinas[editar]
Material[editar]
Las bobinas son generalmente de cobre enrollado en el núcleo. Según el número de
espiras (vueltas) alrededor de una pierna inducirá un voltaje mayor. Se juega entonces con
el número de vueltas en el primario versus las del secundario. En un transformador
trifásico el número de vueltas del primario y secundario debería ser igual para todas las
fases.
Disposición[editar]
El devanado primario y secundario se suelen arrollar uno dentro del otro. La razón es
reducir al máximo la inductancia de dispersión y aprovechar al máximo el núcleo
magnético disponible. Entre los arrollamientos es necesario una capa aislante, puesto que
ambos funcionan a tensiones diferentes. Para evitar tener espesores de capa aislante
demasiado gruesos, lo más habitual es encontrar el devanado de baja tensión arrollado
sobre el núcleo y el devanado de alta tensión arrollado sobre el devanado de baja tensión.
Aislamiento[editar]
Debido a que las diferentes partes eléctricas de un transformador se encuentran a distintas
tensiones, es necesario aislarlas entre sí para evitar la aparición de arcos eléctricos y
consecuente degradación de los componentes. Existen varios tipos de aislamiento en un
mismo transformador.
Caracterización de un transformador[editar]
Para los cálculos de circuitos o líneas con transformadores, se utiliza un circuito
equivalente que represente el comportamiento del transformador real. Para la mayoría de
los casos, es suficiente con que dicho circuito equivalente represente el transformador en
régimen permanente. Para el análisis de transitorios el circuito equivalente en régimen
permanente no es suficiente y, por lo tanto, es necesario realizar ensayos adicionales que
lleven a un circuito equivalente más complejo.
Los ensayos más comunes son:
Ensayo de vacío
Ensayo de cortocircuito
Ensayo de aislamiento
Circuito equivalente de un transformador en régimen permanente.
Ensayo de vacío[editar]
Artículo principal: Ensayo de vacío
Transformador trifásico[editar]
Los transformadores trifásicos son muy importantes ya que están presentes en muchas
partes del sistema eléctrico. Este tipo de transformadores se ocupa de la elevación y
reducción de la tensión en diversas partes del sistema eléctrico: En generación cerca de
los generadores para elevar la insuficiente tensión de estos, así como también en
las líneas de transmisión y, por último, en distribución en donde se distribuye la energía
eléctrica a voltajes menores hacia casas, comercios e industrias. Todos los
transformadores desde el generador hasta la entrada a nuestros hogares o industrias son
transformadores trifásicos.
Un transformador trifásico consta de tres fases desplazadas en 120 grados eléctricos, en
sistemas equilibrados tienen igual magnitud. Una fase consiste en un polo positivo y
negativo por el que circula una corriente alterna.
Se pueden hacer transformadores trifásicos de tres formas distintas:
Aceite, o líquidos aislantes con un punto de inflamación ≤ 300ºC (O del inglés Oil).
Líquidos aislantes con un punto de inflamación > 300ºC (K).
Líquidos aislantes con un punto de inflamación no medible (L).
Agua (W, del inglés Water).
Gas (G).
Aire (A).
La nomenclatura que designa la ventilación es del tipo XYXY, donde X indica el tipo de
refrigerante, Y indica la ventilación usada, el primer par XY se refiere al circuito primario de
refrigeración y el segundo par XY se refiere al circuito secundario. Por ejemplo:
Transformador de pulsos[editar]
Es un tipo especial de transformador con respuesta muy rápida (baja autoinducción)
destinado a funcionar en régimen de pulsos. Su principal aplicación es transferir impulsos
de mando sobre elementos de control de potencia como SCR, triacs, etc. logrando un
aislamiento galvánico entre las etapas de mando y potencia.
Transformador de línea o Flyback[editar]
Autotransformador[editar]
Artículo principal: Autotransformador
Véase también[editar]
Autotransformador
Multiplicador de tensión
Divisor de tensión
Cambiador de tomas
Referencias[editar]
1. ↑ Brokering Christie, Walter; Palma Behnke, Rodrigo; Vargas Díaz, Luis (2008). «Cap.
5». Ñom Lüfke (El rayo domado) o Los sistemas eléctricos de potencia. Prentice Hall.
p. 84. ISBN 9789702612926.
Enlaces externos[editar]
Definición de Protoboard
Los protoboard son pequeñas tablas con perforaciones en toda su área, en las
cuales se colocan diversos componentes electrónicos, se distinguen por tener filas
y columnas con lo que se puede saber en que ubicación posicionar cada pieza,
también cuentan con 2 rieles a los lados, los cuales se usaran como las lineas
Positivas y Negativas de nuestro circuito.
Carril positivo y negativo del Protoboard
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Hablando de circuitos integrados, si se dieron cuenta que hay una linea intermedia
en el protoboard, esta se utiliza para conectar Pic/s o microcontroladores como un
ejemplo un pic de 8 patitas tiene 4 de cada lado y ninguna puede ir en el mismo riel
que la otra a menos que sea un puente. sin embargo no incursionare mucho en
esto ya que lo dejare para otro momento y así poder explicarlo mejor